第二章 双极型晶体三极管 (BJT)

( 一 )BJT 结构与电路符号 ( 二 ) 晶体管的放大作用 发射结正偏，集电结反偏，称为 BJT 的放大偏置。 即满足下列电压关系： NPN 管： VCB 0﹥ ， VBE 0﹥ 或 VC ＞ VB ＞ VE PNP 管： VCB 0﹤ ， VBE 0﹤ 或 VC ＜ VB ＜ VE ( 三 ) 放大偏置时的电流传输关系

2 iC 与 iB 的关系

定义：共发射极直流电流放大系数：

1 iE 与 iC 的关系：定义共基极直流电流放大系数：

（四） 放大偏置时 BJT 偏压与电流的关系

1 发射结正向电压 VBE 对各极电流的控制作用 BJT 的正向控制作用

2 集电结反向电压 VCB 对各极电流的影响 基区宽度调制效应 （五） BJT 的截止与饱和工作状态 1 截止状态： 2 饱和状态：

注意：晶体管特性曲线只能用于直流 / 低频。

§2-2 BJT 静态特性曲线

BJT 静态特性曲线：是在伏安平面上作出的反映晶体管各极直流电流电压关系的曲线。

BJT 静态特性曲线用途：

一 晶体三极管的组态

将晶体三极管视为双端口器件，分析其三种典型接法，称为组态。

共基极接法（ CB ） 共射接法（ CE ） 共接接法（ CC ）

二 共射输入特性曲线

共射输入特性曲线是以输出电压 VCE 为参变量，输入口基极电流 iB 随发射结电压 vBE 变化的曲线：

共射输入特性曲线的特点：

§2-3 BJT 主要参数 1 直流放大系数

2 交流放大系数

例 2-4