Содержание - angstremold.angstrem.ru/netcat_files/file/new products/new... ·...
TRANSCRIPT
2
СодержаниеВведение 3
Выпускаемаяпродукцияпосиловойэлектронике 3
Нашипринципывпартнерскихотношениях 3
Списоксокращений 41.Быстровосстанавливающиесядиоды(БВД) 5
1.1.Корпусныеизделияспециальногоназначения 5
1.2.Корпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 5
1.3.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения 6
1.4.Корпусныеизделияобщепромышленногоназначения 6
1.5.Бескорпусныеизделияобщепромышленногоназначения 7
2.Биполярныетранзисторысизолированнымзатвором(БТИЗ) 82.1.Корпусныеизделияспециальногоназначения 8
2.2.Корпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 8
2.3.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения 8
2.4.Корпусныеизделияобщепромышленногоназначения 8
2.5.Бескорпусныеизделияобщепромышленногоназначения 9
3.ДМОПN-канальныетранзисторы 103.1.Корпусныеизделияспециальногоназначения 10
3.2.Корпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 12
3.3.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения 17
3.4.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 18
3.5.Корпусныеизделияобщепромышленногоназначения 19
3.6.Корпусныеизделияобщепромышленногоназначения(новыеизделия) 19
3.7.Бескорпусныеизделияобщепромышленногоназначения 19
4.ДМОПP-канальныетранзисторы 204.1.Корпусныеизделияспециальногоназначения 20
4.2.Корпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 20
4.3.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения 22
4.4.Бескорпусныеизделияспециальногоназначения(новыеизделия) 22
5.СиловыеIGBT-модули(новыеизделия) 236.СиловыеFRD-модули(новыеизделия) 237.Интеллектуальныеключи 24
8.Габаритныечертежикристаллов(техническаяинформация) 259.Габаритныечертежикорпусов(техническаяинформация) 43
3
Введение
Выпускаемая продукция по силовой электроникеВыпускаемыеОАО«Ангстрем»силовыеполупроводниковыекомпоненты(ДМОП,БТИЗ,БВД,интел-лектуальныеключи)нацеленынаповышениеэнергетическойэффективностипреобразованияи передачиэлектроэнергии.Заказчикамиданнойпродукцииявляютсяведущийпромышленныепредприятиягосударственныхичастныхструктур–создателиновойпродукциипотребительской,промышленнойиэлектроннойтехники.Основнаядолявыпускаемыхсиловыхполупроводниковыхприборовпредназначенадляприменениявсистемах,комплексахиобразцахВВТ.
Наши принципы в партнерских отношениях― ГарантиикачествапродукциивсоответствиистребованиямиЗаказчика.
― Поддержкаразработокнауровнемировыхстандартов.
― Сотрудничествоспартнераминаосновевзаимногодоверияидолгосрочныхинтересов.
Новые разработки по силовой электронике― Разработкатранзисторовстойкихквоздействиютяжелыхзаряженныхчастициквнешнимвоздействующимфакторамнанапряженияот30до1500В.
― Разработкатранзисторовпотехнологииtrenchстойкихквоздействиютяжелыхзаряженныхчастицивнешнимвоздействующимфакторамнанапряженияот30до100В.
― РазработкакристалловБТИЗиБВДнанапряженияот1200до6500Виметаллопластмассовыхмодулейнаихоснове.
― Разработкавысоковольтныхмодулейнанапряженияот1200до2500Ввметаллокерамическихгерметичныхкорпусах.
― Разработкаинтеллектуальныхмодулейнанапряженияот600до1700В.
― Разработкаполупроводниковыхприбороввперспективныхметаллокерамическихи металлопластмассовыхкорпусах.
― Разработкаинтеллектуальныхсиловыхключей
― Разработкарадиационно-стойкихсиловыхкоммутаторовсгальваническойтрансформаторнойразвязкой.
― РазработкадрайверовуправлениясиловыхIGBT-модулейнанапряженияот600до1700В.
4
Список сокращенийДМОП(MOSFET) Двухдиффузионныйметаллоксид-полупроводник
БТИЗ(IGBT) Биполярныйтранзисторсизолированнымзатвором
БВД(FRD) Быстровосстанавливающиесядиоды
Условные обозначенияUОБР.макс,В Максимальноеобратноенапряжение,В
IПР.макс,А Максимальныйпрямойток,А
UПР,В Прямоепадениенапряжениядиода,В
UКЭ.макс,В Максимальноенапряжениеколлектор–эмиттер,В
IК.макс,А Максимальныйтокколлектора,А
UЗЭ.пор,В Пороговоенапряжениезатвор–эмиттер,В
UКЭ.нас,В Напряжениенасыщенияколлектор–эмиттер,В
UСИ.макс,В Максимальноенапряжениесток–исток,В
IС.макс,А Максимальныйтокстока,А
UЗИ.пор,В Пороговоенапряжениезатвор–исток,В
RСИ.отк,Ом Сопротивлениесток–истоквоткрытомсостоянии,Ом
5
1. Быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
1.1. Корпусные изделия специального назначения
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , В Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2Д436А 1200 45 2,5 КТ-43А
АЕЯР.432120.504ТУ
STTH75S12RHRG75120
2Д436А1 1200 70 2,5 КТ-105 STTH75S12RHRG75120
2Д437А 1700 70 2,5 КТ-105 DH20-18A
2Д536А 1200 70 2,5 КТ-105 STTH6012
2Д536Б 1700 50 2,5 КТ-105 DH20-18A
2Д536В 400 70 2,5 КТ-105 DSEP60-04AVS-60.PF0.PbF
2Д536В1 400 45 2,5 КТ-43А DSEP60-04AVS-60.PF0.PbF
2Д666А 600 30 2,5 КТ-28А APT30D60BHFA25TB60
2Д682А 1200 45 2,5 КТ-43А STTH1512WIDP30E120
2Д682Б 1200 25 2,5 КТ-43А 20ETF12
2Д682В 1200 15 2,5 КТ-43А HFA32PA120CHFA16TB120
1.2. Корпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , В Тип корпуса НаименованиеТУ Аналоги
2Д436А3 1200 100 2,5 ТО-247 - STTH75S12RHRG75120
2Д437А3 1700 75 2,5 ТО-247 - DH20-18A
2Д536А3 1200 75 2,5 ТО-247 - STTH6012
2Д536Б3 1700 50 2,5 ТО-247 - DH20-18A
2Д666А1 600 30 2,5 КТ-28-2 - APT30D60BHFA25TB60
2Д666А91 600 30 2,5 КТ-90 - APT30D60BHFA25TB60
2Д682А3 1200 50 2,5 ТО-247 - STTH1512WIDP30E120
2Д682Б1 1200 25 2,5 КТ-28-2 - 20ETF12
2Д682Б91 1200 25 2,5 КТ-90 - 20ETF12
2Д682В1 1200 15 2,5 КТ-28-2 - HFA32PA120CHFA16TB120
2Д682В91 1200 15 2,5 КТ-90 - HFA32PA120CHFA16TB120
6
1.3. Бескорпусные изделия специального назначения
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , ВРазмер кри-сталла, мм Наименование ТУ Аналоги Чертежи
кристаллов
2Д436А-5 1200 100 2,5 8,90х7,90АЕЯР.432120.391ТУ
SIDC53D120H6 Рис.12Д437А-5 1700 75 3,3 8,90х7,90 SIDC59D170H Рис.12Д536А-5 1200 75 2,0 6,34х6,34
АЕЯР.432120.504ТУ
- Рис.22Д536Б-5 1700 50 2,5 6,34х6,34 SIDC32D170H Рис.22Д536В-5 400 100 1,0 6,34х6,34 - Рис.22Д666А-5 600 30 1,3 4,26х2,87 SIDC14D60E6 Рис.32Д682А-5 1200 50 2,5 5,30х5,30 SIDC42D120E6 Рис.42Д682Б-5 1200 25 2,5 4,90х3,10 SIDC23D120E6 Рис.52Д682В-5 1200 15 2,5 3,10х3,10 SIDC10D120H6 Рис.6
1.4. Корпусные изделия общепромышленного назначения
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , В Тип корпуса Аналоги
AnP30FRD06 600 30 1,3 TO-220 APT30D60BHFA25TB60
AnB30FRD06 600 30 1,3 TO-263 APT30D60BHFA25TB60
AnP15FRD12 1200 15 2,5 TO-220 HFA32PA120CHFA16TB120
AnB15FRD12 1200 15 2,5 TO-263 HFA32PA120CHFA16TB120
AnP25FRD12 1200 25 2,5 TO-220 20ETF12
AnB25FRD12 1200 25 2,5 TO-263 20ETF12
AnR75FRD12 1200 75 2,5 ТО-247 STTH6012
AnS100FRD04 400 100 1,3 SOT-227 DSEP60-04AVS-60.PF0.PbF
AnS75FRD12 1200 75 2,5 SOT-227 DSEP2x60-12ADHG100X1200NA
AnS100FRD12 1200 100 2,5 SOT-227APT2x100DQ120JAPT2x100DQ120J
CS240610
7
1.5. Бескорпусные изделия общепромышленного назначения
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , ВРазмер кри-сталла, мм Аналоги Чертежи
кристаллов
An100FRD04 400 100 1,3 6,40х6,40 - Рис.7An30FRD06 600 30 1,3 4,26х2,87 SIDC14D60E6 Рис.8An15FRD12 1200 15 2,5 3,10х3,10 SIDC10D120H6 Рис.9An25FRD12 1200 25 2,5 4,90х3,10 SIDC23D120E6 Рис.10An50FRD12 1200 50 2,5 5,30х5,30 SIDC42D120E6 Рис.11An75FRD12 1200 75 2,5 6,34х6,34 - Рис.12
An100FRD12 1200 100 2,5 7,34х7,34 SIDC53D120H6 Рис.13An150FRD12 1200 150 2,5 8,44х8,44 SIDC81D120H6 Рис.14An50FRD17 1700 50 2,5 6,34х6,34 SIDC32D170H Рис.15An75FRD17 1700 75 2,5 7,34х7,34 - Рис.16
An100FRD17 1700 100 2,5 8,44х8,44 SIDC59D170H Рис.17
An100FRD33 3300 100 3,0 13,44х13,44 5slx-12m3301SIDC185D350FS Рис.18
An60FRD45 4500 60 3,0 13,44х13,44 5sly-12l4500 Рис.19An50FRD65 6500 50 3,0 13,44х13,44 5slx-12m6500 Рис.20
8
2. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ)
2.1. Корпусные изделия специального назначения
Наименование UКЭ.макс , В IК.макс , А UЗЭ.пор , В UКЭ.нас , В Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2Е725А 1200 45 3,0–6,0 3,0 КТ-43ААЕЯР.432140.492ТУ
IXDR30N1202Е725Б 600 45 3,0–6,0 2,5 КТ-43А IXDH35N60B2Е733А 1200 75 3,0–6,0 3,0 КТ-105
АЕЯР.432140.527ТУIXDH30N120
2Е733Б 1700 50 3,0–6,0 3,0 КТ-105 IXGH24N1702Е734А 1700 30 3,0–6,0 3,0 КТ-105 IXGH16N170
2.2. Корпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UКЭ.макс , В IК.макс , А UЗЭ.пор , В UКЭ.нас , В Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2Е725А3 1200 75 3,0–6,0 4,0 ТО-247 - IXDR30N1202Е725Б3 600 100 3,0–6,0 3,5 ТО-247 - IXDH35N60B2Е733А3 1200 75 3,0–6,0 3,7 TO-247 - IXDH30N1202Е733Б3 1700 50 3,0–6,0 3,4 TO-247 - IXGH24N1702Е734А3 1700 30 3,0–6,0 3,4 TO-247 - IXGH16N170
2.3. Бескорпусные изделия специального назначения
Наименование UКЭ.макс , В IК.макс , А UЗЭ.пор , В UКЭ.нас , ВРазмер
кристалла, мм Наименование ТУ Описание кристалла
2Е719А-5 1200 100 3,0–6,0 2,8 12,87х12,87АЕЯР.432140.390ТУ
Рис.212Е720А-5 1700 50 3,0–6,0 3,5 12,87х12,87 Рис.212Е725А-5 1200 75 3,0–6,0 3,0 8,39х7,59
АЕЯР.432140.492ТУРис.22
2Е725Б-5 600 100 3,0–6,0 2,5 8,39х7,59 Рис.22
2.4. Корпусные изделия общепромышленного назначения
Наименование UКЭ.макс , В IК.макс , А UЗЭ.пор , В UКЭ.нас , В UПР , В Тип корпуса Аналоги
AnR15IGB12D 1200 15 3,0–6,0 3,0 2,5 ТО-247 IKW15N120H3NGTB15N120IHW-D
AnR25IGB12D 1200 25 3,0–6,0 3,0 2,5 ТО-247IKW25N120H3NGTB25N120L-DRJH1CM7DPQ-E0
AnR50IGB12 1200 50 3,0–6,0 3,0 - TO-247 -
AnS75IGB12D 1200 75 4,0–7,0 3,0 2,5 SOT-227 IXYN100N120C3H1IXYN82N120C3H1
AnS100IGB12D 1200 100 4,0–7,0 3,0 2,5 SOT-227 IXDN55N120D1IXEN60N120
9
2.5. Бескорпусные изделия общепромышленного назначенияНаимено-
ваниеUКЭ.макс ,
ВIК.макс ,
АUЗЭ.пор ,
В UКЭ.нас , ВРазмер кри-сталла, мм Наименование ТУ Аналоги Описание
кристалла
An15IGB12 1200 15 3,0–6,0 3,0 5,61х4,43 - SIGC25T120CS Рис.23An25IGB12 1200 25 3,0–6,0 3,0 6,49х6,39 - SIGC42T120CS2 Рис.24An50IGB12 1200 50 3,0–6,0 3,0 8,98х8,88 - SIGC81T120R2C Рис.25An75IGB12 1200 75 4,0–7,0 3,0 9,90х9,70 - SIGC121T120R2C Рис.26
An100IGB12 1200 100 4,0–7,0 3,0 12,60х12,60 - SIGC156T120R2C Рис.27An150IGB12 1200 150 4,0–7,0 3,0 15,00х15,00 - SIGC223T120R2C Рис.28An50IGB17 1700 50 4,0–7,0 3,0 10,12х10,18 - SIGC104T170R2C Рис.29An75IGB17 1700 75 4,0–7,0 3,0 12,60х12,60 - SIGC144T170R2C Рис.30КЕ738А-5 1700 100 4,0–7,0 3,0 13,50х13,50
АДКБ.432140.501ТУ
SIGC185T170R2C Рис.31КЕ738Б-5 2500 75 4,0–7,0 3,5 13,50х13,50 5SMX12L2510 Рис.32КЕ738В-5 3300 50 4,0–7,0 3,5 13,50х13,50 5SMX12M3300 Рис.33КЕ738Г-5 4500 35 4,0–7,0 3,5 13,50х13,50 5SMY12M4500 Рис.34КЕ738Д-5 6500 25 4,0–7,0 3,5 13,44х13,44 5SMX12M6500 Рис.35
10
3. ДМОП N-канальные транзисторы
3.1. Корпусные изделия специального назначения
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип кор-пуса Наименование ТУ Аналоги
2ПЕ203А9 60 65 2,0–4,0 0,014 КТ-94
АЕЯР.432140.665ТУ
-2ПЕ203Б9 100 55 2,0–4,0 0,02 КТ-94 -2ПЕ203В9 150 42 2,0–4,0 0,035 КТ-94 -2ПЕ203Г9 200 35 2,0–4,0 0,05 КТ-94 -2ПЕ204А9 60 25 2,0–4,0 0,05 КТ-93 -2ПЕ204Б9 100 22 2,0–4,0 0,06 КТ-93 IRHNJ671302ПЕ204В9 150 16 2,0–4,0 0,12 КТ-93 IRHNJ57133SE2ПЕ204Г9 200 10 2,0–4,0 0,22 КТ-93 IRHNJ57230SE2ПЕ216А 100 26 1,5–2,5 0,05 КТ-28А
АЕЯР.432140.693ТУ
IRF5Y54002ПЕ216Б 100 26 2,0–4,0 0,05 КТ-28А IRF5Y5400
2ПЕ216А9 100 26 1,5–2,5 0,05 КТ-94 IRFN1402ПЕ216Б9 100 26 2,0–4,0 0,05 КТ-94 IRFN140
2ПЕ217А 200 12 1,5–2,5 0,18 КТ-28АIRFY2400IRL640BUZ31LFIRL640A
2ПЕ217Б 200 12 2,0–4,0 0,18 КТ-28А IRFY2400IRF640N
2ПЕ217А9 200 12 1,5–2,5 0,18 КТ-94 IRFN240IRL640S
2ПЕ217Б9 200 12 2,0–4,0 0,18 КТ-94 IRFN240IRF640NS
2П820А9 800 7,5 2,0–4,0 1,0 КТ-94АЕЯР.432140.311ТУ
-2П820Б9 800 7,5 2,0–4,0 1,0 КТ-94 -2П830А 1200 7 3,0–5,0 1,7 КТ-43А
АЕЯР.432140.491ТУ
-2П830Б 800 11 3,0–5,0 0,75 КТ-43А -2П830В 600 15,5 3,0–5,0 0,4 КТ-43А -2П830Г 500 22 3,0–5,0 0,28 КТ-43А -2П830Д 400 24 3,0–5,0 0,23 КТ-43А -2П830Е 200 40 3,0–5,0 0,065 КТ-43А -2П7162А 30 30 1,5–2,5 0,02 КТ-28А
АЕЯР.432140.547ТУIRL3303
2П7162Б 30 30 2,0–4,0 0,02 КТ-28А IRF33032П7162А1 30 46 1,5–2,5 0,02 КТ-28-2
АЕЯР.432140.548ТУ
IRL33032П7162Б1 30 46 2,0–4,0 0,02 КТ-28-2 IRF3303
2П7162А91 30 46 1,5–2,5 0,02 КТ-90 IRL3303S2П7162Б91 30 46 2,0–4,0 0,02 КТ-90 IRF3303S
2П7163А 100 26 1,5–2,5 0,05 КТ-28ААЕЯР.432140.547ТУ
IRL530NSTP24NF10
2П7163Б 100 26 2,0–4,0 0,05 КТ-28А IRF530NSTB24NF10
2П7163А1 100 26 1,5–2,5 0,05 КТ-28-2
АЕЯР.432140.548ТУ
IRL530NSTP24NF10
2П7163Б1 100 26 2,0–4,0 0,05 КТ-28-2 IRF530NSTB24NF10
2П7163А91 100 26 1,5–2,5 0,05 КТ-90 IRL530NS2П7163Б91 100 26 2,0–4,0 0,05 КТ-90 IRF530NS
11
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип кор-пуса Наименование ТУ Аналоги
2П7164А 200 12 1,5–2,5 0,2 КТ-28ААЕЯР.432140.547ТУ
IRL640SIRL640BUZ31LFIRL640A
2П7164Б 200 12 2,0–4,0 0,2 КТ-28А IRF640NIRF640NS
2П7164А1 200 12 1,5–2,5 0,2 КТ-28-2 АЕЯР.432140.548ТУIRL640BUZ31LFIRL640A
2П7164Б1 200 12 2,0–4,0 0,2 КТ-28-2 IRF640N
2П7164А91 200 12 1,5–2,5 0,2 КТ-90 IRL640S
2П7164Б91 200 12 2,0–4,0 0,2 КТ-90 IRF640NS
2П7169А 100 30 2,0–4,0 0,04 КТ-28ААЕЯР.432140.547ТУ
STP35NF102П7169Б 100 30 2,0–4,0 0,033 КТ-28А STP35NF10
2П7169А1 100 36 2,0–4,0 0,04 КТ-28-2
АЕЯР.432140.548ТУ
IRL540NSTP35NF10
2П7169А91 100 36 2,0–4,0 0,04 КТ-90 IRL540NSSTB35NF10
2П7169Б1 100 46 2,0–4,0 0,033 КТ-28-2 IRF1310NSTP35NF10
2П7169Б91 100 46 2,0–4,0 0,033 КТ-90 IRF1310NSSTB35NF10
2П7231А9 100 14 1,0–2,5 0,1 КТ-93АЕЯР.432140.542ТУ
FDD850N10LIRLR3410PbF
2П7231Б9 100 14 2,0–4,0 0,1 КТ-93 IPD78CN10NGIRFR3910PbF
2П7255А9 100 28 2,0–4,0 0,033 КТ-93АЕЯР.432140.638ТУ
FDD36802П7256А9 60 44 2,0–4,0 0,014 КТ-93 FDD5680
12
3.2. Корпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2ПЕ205А2 100 12 1,5–2,5 0,1 КТ-92 - IRLU3410PbF2ПЕ205А92 100 12 1,5–2,5 0,1 КТ-89 - IRLR3410PbF2ПЕ206А9 200 12 2,0–4,0 0,05 КТ-94 АЕЯР.432140.733ТУ -2ПЕ207А9 400 12 2,0–4,0 0,2 КТ-95 -2ПЕ302А9 60 50 2,0–4,0 0,02 КТ-94 АЕЯР.432140.746ТУ -2ПЕ302Б9 100 40 2,0–4,0 0,03 КТ-94 -2ПЕ303А9 200 30 2,0–4,0 0,05 КТ-95 -2ПЕ303Б9 250 20 2,0–4,0 0,07 КТ-95 -
2ПЕ218А1 30 75 2,0–4,0 0,0026 КТ-28А -IRLB8314PbFFDP8860
STP105N3LL
2ПЕ218Б1 60 50 2,0–4,0 0,0083 КТ-28А -IRF1018EPbF
FDP070AN06A0IXTP90N055T
2ПЕ218В1 100 42 2,0–4,0 0,014 КТ-28А -IRFB4610PbFIXTP60N10TFDP10AN06A0FDP100N10
2ПЕ218А91 30 75 2,0–4,0 0,0026 КТ-90 -IRF2903ZSPbFSTD155N3H6FDB8860
2ПЕ218Б91 60 50 2,0–4,0 0,0083 КТ-90 -IRF1018ESPbFIXTA90N055T
FDB070AN06A0
2ПЕ218В91 100 42 2,0–4,0 0,014 КТ-90 -IRFS4610PbFIXTA60N10T
FDB10AN06A0FDB100N10
2ПЕ218А9 30 55 2,0–4,0 0,0026 КТ-94 -IRF2903ZSPbFSTD155N3H6FDB8860
2ПЕ218Б9 60 50 2,0–4,0 0,0083 КТ-94 -IRF1018ESPbFIXTA90N055T
FDB070AN06A0
2ПЕ218В9 100 42 2,0–4,0 0,014 КТ-94 -IRFS4610PbFIXTA60N10T
FDB10AN06A0FDB100N10
2П830А9 1200 7 3,0–5,0 1,7 КТ-95 - -2П830Б9 800 11 3,0–5,0 0,75 КТ-95 - -2П830В9 600 15,5 3,0–5,0 0,4 КТ-95 - -2П830Г9 500 22 3,0–5,0 0,28 КТ-95 - -2П830Д9 400 24 3,0–5,0 0,23 КТ-95 - -2П830Е9 200 40 3,0–5,0 0,065 КТ-95 - -
2П830А3 1200 7 3,0–5,0 1,7 ТО-247 - APT7M120BIXFH6N120P
2П830Б3 800 11 3,0–5,0 0,75 ТО-247 - IXFH14N80PFQAF13N80
2П830В3 600 15,5 3,0–5,0 0,4 ТО-247 - IXFH18N60PSTW13NK60Z
2П830Г3 500 22 3,0–5,0 0,28 ТО-247 - IXFH22N50P2П830Д3 400 24 3,0–5,0 0,23 ТО-247 - IRFP360
13
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2П830Е3 200 40 3,0–5,0 0,065 ТО-247 - IRFP250NPbFIRFP250
2П831А 1200 10 2,0–4,0 1,2 КТ-105 - -2П832А 800 15 2,0–4,0 0,5 КТ-105 - -2П833А 600 20 2,0–4,0 0,15 КТ-105 - -2П834А 200 40 2,0–4,0 0,05 КТ-43А - FDP52N20
2П835А 100 45 2,0–4,0 0,012 КТ-43А - STW120NF10IXFH140N10P
2П835Б 60 45 2,0–4,0 0,008 КТ-43А - IRFB44102П836А 30 45 2,0–4,0 0,006 КТ-43А - -2П836Б 30 45 1,0–2,5 0,006 КТ-43А - -
2П834А9 200 40 2,0–4,0 0,05 КТ-95 - FDB52N20
2П835А9 100 55 2,0–4,0 0,012 КТ-95 - STW120NF10IXFT140N10P
2П835Б9 60 55 2,0–4,0 0,008 КТ-95 - IRFB44102П836А9 30 55 2,0–4,0 0,006 КТ-95 - -2П837А2 600 1 2,0–5,0 12,5 КТ-92 - STD5NK50Z-1
2П837А92 600 1 2,0–5,0 12,5 КТ-89 - STD5NK50ZT42П838А2 600 2 2,0–5,0 5,0 КТ-92 - STD4NK50Z-1
2П838А92 600 2 2,0–5,0 5,0 КТ-89 - STD4NK50ZT42П839А2 600 4 2,0–5,0 2,2 КТ-92 - IXTP8N50P
2П839А92 600 4 2,0–5,0 2,2 КТ-89 - FDD8N50NZIXTA8N50P
2П837А9 600 1 2,0–5,0 10,5 КТ-94 - -2П838А9 600 2 2,0–5,0 4,4 КТ-94 - -2П839А9 600 4 2,0–5,0 2,2 КТ-94 - -2П840А1 600 7 3,0–5,0 1,3 КТ-28-2 - IXTP7N60P
2П840А91 600 7 3,0–5,0 1,3 КТ-90 - IXTA7N60P2П840А 600 6 3,0–5,0 1,3 КТ-28А - IXTP7N60P
2П7132А1 70 20 1,0–2,0 0,09 КТ-28А - HUF75307D32П7132А12 70 15 1,0–2,0 0,09 КТ-92 -
2П7132А192 70 15 1,0–2,0 0,09 КТ-89 - HUF75307D3S
2П7149А 60 35 2,0–4,0 0,024 КТ-28А - HUF75321P3IRLZ34NPbF
2П7149А1 60 45 2,0–4,0 0,024 КТ-28-2 -2П7149А91 60 45 2,0–4,0 0,024 КТ-90 - IRLZ34NSPbF
2П7161А 30 45 2,0–4,0 0,008 КТ-43А - IRF3709PbF
2П7161Б 60 45 2,0–4,0 0,012 КТ-43А - STW80NF06IXTQ150N06P
2П7161Б9 60 55 1,0–2,5 0,012 КТ-95 - STB80NF062П7161А3 30 37 2,0–4,0 0,009 ТО-247 - IRF3709PbF
2П7161Б3 60 55 2,0–4,0 0,01 ТО-247 - STW80NF06IXTQ150N06P
2П7168А 400 22 2,0–4,0 0,17 КТ-43А - FDA24N40F2П7168Б 500 20 2,0–4,0 0,23 КТ-43А - FQA20N502П7168В 600 18 2,0–4,0 0,27 КТ-43А - FQA24N60
2П7168А9 400 22 2,0–4,0 0,17 КТ-95 - FDA24N40F2П7168Б9 500 20 2,0–4,0 0,23 КТ-95 - FQA20N50
14
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2П7168В9 600 18 2,0–4,0 0,27 КТ-95 - FQA24N60
2П7170А 200 26 2,0–4,0 0,08 КТ-43А - BUZ350IRFP250N
2П7170Б 200 36 2,0–4,0 0,055 КТ-43А - IRFB42N20DFDP52N20
2П7170А9 200 26 2,0–4,0 0,08 КТ-94 - BUZ350IRFP250N
2П7170Б9 200 36 2,0–4,0 0,055 КТ-95 - IRFB42N20DFDP52N20
2П7170А3 200 27 2,0–4,0 0,08 ТО-247 - BUZ350IRFP250N
2П7170Б3 200 35 2,0–4,0 0,055 ТО-247 - IRFB42N20DFDP52N20
2П7231А2 100 14 1,0–2,5 0,1 КТ-92 - IRLU3410PbF
2П7231Б2 100 14 2,0–4,0 0,1 КТ-92 - IPI80CN10NGIRFU3910PbF
2П7231А92 100 14 1,0–2,5 0,1 КТ-89 - FDD850N10LIRLR3410PbF
2П7231Б92 100 14 2,0–4,0 0,1 КТ-89 - IPD78CN10NGIRFR3910PbF
2П7242А 600 20 2,0–4,0 0,2 КТ-105 - -2П7243А 650 8 2,0–4,0 0,93 КТ-43А - -
2П7243А3 650 8,5 2,0–4,0 0,93 ТО-247 - STP10N65K32П7243А9 650 8,5 2,0–4,0 0,93 КТ-94 - -2П7244А 400 5,5 2,0–4,0 1,0 КТ-28А - -
2П7244А2 400 6 2,0–4,0 1,0 КТ-92 - FQU5N402П7244А9 400 5,5 2,0–4,0 1,0 КТ-93 - -
2П7244А92 400 6 2,0–4,0 1,0 КТ-89 - FQD6N40C2П7245А 250 4 2,0–4,0 0,45 КТ-28А - -
2П7245А2 250 4 2,0–4,0 0,45 КТ-92 - FQU9N252П7245А9 250 4 2,0–4,0 0,45 КТ-94 - -
2П7245А92 250 4 2,0–4,0 0,45 КТ-89 - FQD9N252П7246А 60 45 2,0–4,0 0,0135 КТ-43А - -
2П7246А9 60 60 2,0–4,0 0,0135 КТ-94 - -2П7248А 80 45 1,0–2,4 0,009 КТ-43А - -2П7248Б 120 45 1,0–2,4 0,017 КТ-43А - -2П7248В 200 32 1,0–2,4 0,05 КТ-43А - -
2П7248А3 80 40 1,0–2,4 0,009 ТО-247 - IXFH76N07-11STL75N8LF6
2П7248Б3 120 20 1,0–2,4 0,018 ТО-247 -STP80NF12
IRLU3110ZPbFIXTH75N10
2П7248В3 200 10 1,0–2,4 0,05 ТО-247 - STW40NF20IRFP250NPbF
2П7248А9 80 40 1,0–2,4 0,009 КТ-94 - -2П7248Б9 120 20 1,0–2,4 0,018 КТ-94 - -2П7248В9 200 10 1,0–2,4 0,05 КТ-94 - -2П7249А 100 10 1,0–2,4 0,1 КТ-28А - IRLU3410PbF
2П7249А2 100 10 1,0–2,4 0,1 КТ-92 - IRLU3410PbF
2П7249А92 100 10 1,0–2,4 0,1 КТ-89 - FDD86113LZIRLR3410PbF
15
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2П7249А9 100 10 1,0–2,4 0,1 SMD-0,2 - FDD86113LZIRLR3410PbF
2П7250А 100 50 1,0–2,4 0,018 КТ-28А - IRLU3110ZPbF
2П7250А9 100 50 1,0–2,4 0,018 КТ-93 - FDD86102LZIRLR3110ZPbF
2П7250А2 100 30 1,0–2,4 0,2 КТ-92 - IRLU3110ZPbF
2П7250А92 100 30 1,0–2,4 0,2 КТ-89 - FDD86102LZIRLR3110ZPbF
2П7255А2 100 28 2,0–4,0 0,034 КТ-92 - IRFU3410PbFAUIRFU540Z
2П7255А92 100 28 2,0–4,0 0,034 КТ-89 -IRFR3410PbFFDD3680
AUIRFR540Z
2П7256А2 60 30 2,0–4,0 0,015 КТ-92 - IRFU3806PbFFDP10AN06A0
2П7256А92 60 30 2,0–4,0 0,015 КТ-89 -IRFR3806PbFFDD5680
FDB10AN06A0
2П7257А 100 14 -4,4–-2,7 0,13 КТ-28А - IXTH16N10D2
2П7257А2 100 10 -4,4–-2,7 0,13 КТ-92 - IXTH16N10D2
2П7257А9 100 14 -4,4–-2,7 0,13 КТ-94 - IXTH16N10D2
2П7257А92 100 10 -4,4–-2,7 0,13 КТ-89 - IXTT16N10D2
2ПЕ304А 30 - 2,0–4,0 0,002 КТ-105 АЕЯР.432140.747ТУ -2ПЕ304Б 60 - 2,0–4,0 0,003 КТ-105 -2ПЕ304В 100 - 2,0–4,0 0,004 КТ-105 -
2ПЕ208А9 30 - 2,0–4,0 0,014 КТ-93 -2ПЕ208Б9 60 - 2,0–4,0 0,022 КТ-93 -2ПЕ208В9 100 - 2,0–4,0 0,032 КТ-93 -2ПЕ208А2 30 - 2,0–4,0 0,01 КТ-92 АЕЯР.432140.748ТУ -2ПЕ208Б2 60 - 2,0–4,0 0,02 КТ-92 -2ПЕ208В2 100 - 2,0–4,0 0,03 КТ-92 -
2ПЕ208А92 30 - 2,0–4,0 0,01 КТ-89 -2ПЕ208Б92 60 - 2,0–4,0 0,02 КТ-89 -2ПЕ208В92 100 - 2,0–4,0 0,03 КТ-89 -2ПЕ210А1 30 - 2,0–4,0 0,005 КТ-28-2 -2ПЕ210Б1 60 - 2,0–4,0 0,01 КТ-28-2 -2ПЕ210В1 100 - 2,0–4,0 0,015 КТ-28-2 -
2ПЕ210А91 30 - 2,0–4,0 0,005 КТ-90 -2ПЕ210Б91 60 - 2,0–4,0 0,01 КТ-90 -2ПЕ210В91 100 - 2,0–4,0 0,015 КТ-90 -
2ПЕ212А 60 - 2,0–4,0 0,03 КТ-28А АЕЯР.432140.749ТУ -2ПЕ212Б 100 - 2,0–4,0 0,045 КТ-28А -2ПЕ212В 200 - 2,0–4,0 0,15 КТ-28А -
2ПЕ213А9 60 - 2,0–4,0 0,06 КТ-93 -2ПЕ213Б9 100 - 2,0–4,0 0,09 КТ-93 -2ПЕ213В9 200 - 2,0–4,0 0,32 КТ-93 -
16
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2ПЕ214А9 60 - 2,0–4,0 0,015 КТ-94 -2ПЕ214Б9 100 - 2,0–4,0 0,02 КТ-94 -2ПЕ214В9 200 - 2,0–4,0 0,07 КТ-94 -2ПЕ306А9 60 - 2,0–4,0 0,01 КТ-95 -2ПЕ306Б9 100 - 2,0–4,0 0,015 КТ-95 -2ПЕ306В9 200 - 2,0–4,0 0,055 КТ-95 -2ПЕ213А2 60 - 2,0–4,0 0,06 КТ-92 АЕЯР.432140.750ТУ -2ПЕ213Б2 100 - 2,0–4,0 0,09 КТ-92 -2ПЕ213В2 200 - 2,0–4,0 0,32 КТ-92 -
2ПЕ213А92 60 - 2,0–4,0 0,06 КТ-89 -2ПЕ213Б92 100 - 2,0–4,0 0,09 КТ-89 -2ПЕ213В92 200 - 2,0–4,0 0,32 КТ-89 -
2ПЕ221А 400 - 2,0–4,0 0,12 КТ-43А АЕЯР.432140.751ТУ -2ПЕ221Б 600 - 2,0–4,0 0,3 КТ-43А -2ПЕ221В 900 - 2,0–4,0 0,85 КТ-43А -2ПЕ222А1 400 - 2,0–4,0 0,35 КТ-28-2 АЕЯР.432140.752ТУ -2ПЕ222Б1 600 - 2,0–4,0 0,75 КТ-28-2 -2ПЕ222В1 900 - 2,0–4,0 2,3 КТ-28-2 -2ПЕ222Г1 1200 - 2,0–4,0 4,7 КТ-28-2 -2ПЕ222Д1 1500 - 2,0–4,0 7,0 КТ-28-2 -
2ПЕ222А91 400 - 2,0–4,0 0,35 КТ-90 -2ПЕ222Б91 600 - 2,0–4,0 0,75 КТ-90 -2ПЕ222В91 900 - 2,0–4,0 2,3 КТ-90 -2ПЕ222Г91 1200 - 2,0–4,0 4,7 КТ-90 -2ПЕ222Д91 1500 - 2,0–4,0 7,0 КТ-90 -2ПЕ223А2 400 - 2,0–4,0 0,7 КТ-92 -2ПЕ223Б2 600 - 2,0–4,0 1,8 КТ-92 -2ПЕ223В2 900 - 2,0–4,0 5,0 КТ-92 -2ПЕ223Г2 1200 - 2,0–4,0 11,0 КТ-92 -2ПЕ223Д2 1500 - 2,0–4,0 16,0 КТ-92 -
2ПЕ223А92 400 - 2,0–4,0 0,7 КТ-89 -2ПЕ223Б92 600 - 2,0–4,0 1,8 КТ-89 -2ПЕ223В92 900 - 2,0–4,0 5,0 КТ-89 -2ПЕ223Г92 1200 - 2,0–4,0 11,0 КТ-89 -2ПЕ223Д92 1500 - 2,0–4,0 16,0 КТ-89 -
17
3.3. Бескорпусные изделия специального назначения
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Размер кри-сталла, мм Наименование ТУ Описание
кристалла
2П820А-5 800 7,5 2,0–4,0 1,0 7,19х7,19АЕЯР.432140.311ТУ
Рис.362П820Б-5 800 7,5 2,0–4,0 1,0 7,19х7,19 Рис.362П830А-5 1200 7 3,0–5,0 1,7 8,39х7,59
АЕЯР.432140.491ТУ
Рис.372П830Б-5 800 11 3,0–5,0 0,75 8,39х7,59 Рис.372П830В-5 600 15,5 3,0–5,0 0,4 8,39х7,59 Рис.372П830Г-5 500 22 3,0–5,0 0,28 8,39х7,59 Рис.372П830Д-5 400 24 3,0–5,0 0,23 8,39х7,59 Рис.372П830Е-5 200 40 3,0–5,0 0,065 8,39х7,59 Рис.372П831А-5 1200 10 2,0–4,0 1 9,89х9,89
АЕЯР.432140.486ТУ
Рис.382П832А-5 800 15 2,0–4,0 0,5 9,89х9,89 Рис.392П833А-5 600 20 2,0–4,0 0,15 11,39х11,39 Рис.402П834А-5 200 40 2,0–4,0 0,05 7,90х7,90 Рис.412П835А-5 100 50 2,0–4,0 0,01 7,90х7,90 Рис.422П835Б-5 60 60 2,0–4,0 0,005 7,90х7,90 Рис.422П836А-5 30 80 2,0–4,0 0,003 7,90х7,90 Рис.432П837А-5 600 1 2,0–5,0 12,5 1,90х1,76
АЕЯР.432140.732ТУРис.44
2П838А-5 600 2 2,0–5,0 5,0 2,54х2,20 Рис.452П7132А1-5 70 15 1,0–2,0 0,09 1,99х3,28 АЕЯР.432140.537ТУ Рис.462П7149А-5 60 30 2,0–4,0 0,024 4,50х3,35 АЕЯР.432140.309ТУ Рис.472П7161А-5 30 46 2,0–4,0 0,006 5,90х5,40
АЕЯР.432140.382ТУРис.48
2П7161Б-5 60 35 2,0–4,0 0,008 7,40х6,70 Рис.492П7162А-5 30 25 1,5–2,5 0,02 4,26х3,26
АЕЯР.432140.383ТУ
Рис.502П7162Б-5 30 25 2,0–4,0 0,02 4,26х3,26 Рис.502П7163А-5 100 12 1,5–2,5 0,05 4,26х3,26 Рис.502П7163Б-5 100 12 2,0–4,0 0,05 4,26х3,26 Рис.502П7164А-5 200 9 1,5–2,5 0,2 4,26х3,26 Рис.502П7164Б-5 200 9 2,0–4,0 0,2 4,26х3,26 Рис.502П7168А-5 400 23 2,0–4,0 0,20 8,80х7,20
АЕЯР.432140.382ТУ
Рис.512П7168Б-5 500 20 2,0–4,0 0,23 8,80х7,20 Рис.512П7168В-5 600 20 2,0–4,0 0,27 8,80х7,20 Рис.512П7169А-5 100 20 2,0–4,0 0,048 4,90х3,30 Рис.522П7169Б-5 100 20 2,0–4,0 0,036 4,90х4,40 Рис.532П7170А-5 200 35 2,0–4,0 0,08 6,90х5,90 Рис.542П7170Б-5 200 35 2,0–4,0 0,055 6,90х5,90 Рис.552П7231А-5 100 14 1,0–2,5 0,1 3,40х2,30
АЕЯР.432140.542ТУРис.56
2П7231Б-5 100 14 2,0–4,0 0,1 3,40х2,30 Рис.562П7242А-5 600 20 2,0–4,0 0,2 9,30х9,30
АЕЯР.432140.617ТУ
Рис.572П7243А-5 650 8,5 2,0–4,0 0,93 6,10х5,10 Рис.582П7244А-5 400 5,5 2,0–4,0 1,0 3,60х2,38 Рис.592П7245А-5 250 4 2,0–4,0 0,45 3,06х2,38 Рис.602П7246А-5 60 90 2,0–4,0 0,0135 5,90х3,90 Рис.612П7248А-5 80 40 1,0–2,4 0,009 6,90х4,20
АЕЯР.432140.618ТУРис.62
2П7248Б-5 120 20 1,0–2,4 0,018 6,90х4,20 Рис.622П7248В-5 200 10 1,0–2,4 0,05 6,90х4,20 Рис.622П7257А-5 100 14 -4,4–-2,7 0,13 3,30х2,00 АЕЯР.432140.639ТУ Рис.63
18
3.4. Бескорпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Размер кри-сталла, мм Наименование ТУ Описание
кристалла
2ПЕ206АН5 200 12 2,0–4,0 0,05 7,14х7,14АЕЯР.432140.733ТУ
Рис.692ПЕ207АН5 400 12 2,0–4,0 0,2 8,12х8,12 Рис.702ПЕ302АН5 60 50 2,0–4,0 0,2 -
АЕЯР.432140.746ТУ
-2ПЕ302БН5 100 40 2,0–4,0 0,3 - -2ПЕ303АН5 200 30 2,0–4,0 0,5 - -2ПЕ303БН5 250 20 2,0–4,0 0,7 - -2ПЕ304АН5 30 - 2,0–4,0 0,002 -
АЕЯР.432140.747ТУ
-2ПЕ304БН5 60 - 2,0–4,0 0,003 - -2ПЕ304ВН5 100 - 2,0–4,0 0,004 - -2ПЕ208АН5 30 - 2,0–4,0 0,014 - -2ПЕ208БН5 60 - 2,0–4,0 0,022 - -2ПЕ208ВН5 100 - 2,0–4,0 0,032 - -2ПЕ210АН5 30 - 2,0–4,0 0,005 -
АЕЯР.432140.748ТУ-
2ПЕ210БН5 60 - 2,0–4,0 0,01 - -2ПЕ210ВН5 100 - 2,0–4,0 0,015 - -2ПЕ212АН5 60 - 2,0–4,0 0,03 -
АЕЯР.432140.749ТУ
-2ПЕ212БН5 100 - 2,0–4,0 0,045 - -2ПЕ212ВН5 200 - 2,0–4,0 0,15 - -2ПЕ213АН5 60 - 2,0–4,0 0,06 - -2ПЕ213БН5 100 - 2,0–4,0 0,09 - -2ПЕ213ВН5 200 - 2,0–4,0 0,32 - -2ПЕ214АН5 60 - 2,0–4,0 0,015 - -2ПЕ214БН5 100 - 2,0–4,0 0,02 - -2ПЕ214ВН5 200 - 2,0–4,0 0,07 - -2ПЕ306АН5 60 - 2,0–4,0 0,01 - -2ПЕ306БН5 100 - 2,0–4,0 0,015 - -2ПЕ306ВН5 200 - 2,0–4,0 0,055 - -2ПЕ221АН5 400 - 2,0–4,0 0,12 -
АЕЯР.432140.751ТУ
-2ПЕ221БН5 600 - 2,0–4,0 0,3 - -2ПЕ221ВН5 900 - 2,0–4,0 0,85 - -2ПЕ222АН5 400 - 2,0–4,0 0,35 - -2ПЕ222БН5 600 - 2,0–4,0 0,75 - -2ПЕ222ВН5 900 - 2,0–4,0 2,3 - -2ПЕ222ГН5 1200 - 2,0–4,0 4,7 - -2ПЕ222ДН5 1500 - 2,0–4,0 7,0 - -2ПЕ223АН5 400 - 2,0–4,0 0,7 - -2ПЕ223БН5 600 - 2,0–4,0 1,8 - -2ПЕ223ВН5 900 - 2,0–4,0 5,0 - -2ПЕ223ГН5 1200 - 2,0–4,0 11,0 - -2ПЕ223ДН5 1500 - 2,0–4,0 16,0 - -
19
3.5. Корпусные изделия общепромышленного назначения
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
КПЕ218А 30 75 2,0–4,0 0,0026 КТ-28-2
АЕЯР.432140.513ТУ
IRLB8314PbFFDP8860
STP105N3LL
КПЕ218Б 60 50 2,0–4,0 0,0083 КТ-28-2IRF1018EPbF
FDP070AN06A0IXTP90N055T
КПЕ218В 100 42 2,0–4,0 0,014 КТ-28-2FDP10AN06A0FDP100N10IRFB4610PbFIXTP60N10T
3.6. Корпусные изделия общепромышленного назначения (новые изделия)
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Аналоги
AnS140N06 60 100 2,0–4,0 0,008 SOT-227 IXFN200N06AnS200N08 80 100 1,0–2,0 0,003 SOT-227 IXFN520N075T2AnS120N10 100 100 2,0–4,0 0,006 SOT-227 FB180SA10P
An10N70S10 700 10 3,0–5,0 1 SMD-1 SVF8N70FUTC8N70AnR10N70 700 10 3,0–5,0 1 TO-247
An14N60S10 600 14 3,0–5,0 0,55 SMD-1 NDF10N60SVF10N60FAnR14N60 600 14 3,0–5,0 0,55 TO-247
An16N50S10 500 16 3,0–5,0 0,4 SMD-1 IRFP450RAOTF14N50AnR16N50 500 16 3,0–5,0 0,4 TO-247
AnP7N60 600 7 3,0–5,0 1,3 TO-220 IXTP7N60PIRFBC40AAnB7N60 600 7 3,0–5,0 1,3 TO-263
AnP8N50 500 8 3,0–5,0 1 TO-220 IXTP8N50PIRF840AAnB8N50 500 8 3,0–5,0 1 TO-263
AnP3N80 800 3 3,0–5,0 3,5 TO-220 UTC3N80TSM3N80AnB3N80 800 3 3,0–5,0 3,5 TO-263
AnU4N60 600 4 2,0–5,0 2,2 TO-251 SVF4N60DSSP4N60BFQD6N60CAnD4N60 600 4 2,0–5,0 2,2 TO-252
AnU2N60 600 2 2,0–5,0 4 TO-251 IPD60R2K1CEPJP2NA60PJD2NA60AnD2N60 600 2 2,0–5,0 4 TO-252
AnU1N60 600 1 2,0–5,0 11 TO-251UTC1N60
AnD1N60 600 1 2,0–5,0 11 TO-252
3.7. Бескорпусные изделия общепромышленного назначенияНаименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Размер
кристалла, мм Наименование ТУ Описание кристалла
КПЕ218АН5 30 60 2,0–4,0 0,0026 5,40х3,40АДКБ.432140.513ТУ
Рис.64КПЕ218БН5 60 50 2,0–4,0 0,0083 5,40х3,40 Рис.64КПЕ218ВН5 100 42 2,0–4,0 0,014 5,40х3,40 Рис.64
20
4. ДМОП P-канальные транзисторы
4.1. Корпусные изделия специального назначения
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2П7165А -30 -30 -0,7–-2,2 0,04 КТ-28ААЕЯР.432140.547ТУ
NDP6030PL2П7165Б -30 -30 -2,0–-4,0 0,04 КТ-28А NDP60302П7165А1 -30 -32 -0,7–-2,2 0,04 КТ-28-2
АЕЯР.432140.548ТУ
NDP6030PL2П7165Б1 -30 -32 -2,0–-4,0 0,04 КТ-28-2 NDP6030
2П7165А91 -30 -32 -0,7–-2,2 0,04 КТ-90 NDB6030PL2П7165Б91 -30 -32 -2,0–-4,0 0,04 КТ-90 NDB6030
2П7166А -100 -30 -0,7–-2,2 0,07 КТ-43А - -2П7166Б -100 -30 -2,0–-4,0 0,07 КТ-43А - IRFP9140NPbF
2П7167А -200 -18 -0,7–-2,2 0,17 КТ-43А - SFH9250LSFF9250L
2П7167Б -200 -18 -2,0–-4,0 0,17 КТ-43А - IXTH16P202П7210А9 -100 -6 -0,7–-2,2 0,2 КТ-93
АЕЯР.432140.505ТУSPP15P10PL H
2П7210Б9 -100 -6 -2,0–-4,0 0,2 КТ-93 IRFU9120PbFIRFU5410PbF
4.2. Корпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2П7165А9 -30 -30 -2,2–-0,7 0,04 КТ-94 - NDB6030PL2П7165Б9 -30 -30 -4,0–-2,0 0,04 КТ-94 - NDB60302П7166А3 -100 -26 -2,2–-0,7 0,07 ТО-247 - -2П7166Б3 -100 -26 -4,0–-2,0 0,07 ТО-247 - IRFP9140NPbF2П7166А9 -100 -26 -2,2–-0,7 0,07 КТ-94 - -2П7166Б9 -100 -26 -4,0–-2,0 0,07 КТ-94 - IRFB9140NPbF
2П7167А3 -200 -17 -2,2–-0,7 0,17 ТО-247 - SFH9250LSFF9250L
2П7167Б3 -200 -17 -4,0–-2,0 0,17 ТО-247 - IXTH16P20
2П7167А9 -200 -17 -2,2–-0,7 0,17 КТ-94 - SFH9250LSFF9250L
2П7167Б9 -200 -17 -4,0–-2,0 0,17 КТ-94 - IXTH16P202П7210А2 -100 -6 -0,7–-2,2 0,25 КТ-92 - SPP15P10PL H
2П7210Б2 -100 -6 -2,0–-4,0 0,25 КТ-92 - IRFU9120PbFIRFU5410PbF
2П7210А92 -100 -6 -0,7–-2,2 0,25 КТ-89 - SPP15P10PL H
2П7210Б92 -100 -6 -2,0–-4,0 0,25 КТ-89 - IRFU9120PbFIRFU5410PbF
2ПЕ305А -30 - -2,0–-4,0 0,004 КТ-105
АЕЯР.432140.747ТУ
-2ПЕ305Б -60 - -2,0–-4,0 0,006 КТ-105 -2ПЕ305В -100 - -2,0–-4,0 0,01 КТ-105 -
2ПЕ209А9 -30 - -2,0–-4,0 0,03 КТ-93 -2ПЕ209Б9 -60 - -2,0–-4,0 0,045 КТ-93 -2ПЕ209В9 -100 - -2,0–-4,0 0,1 КТ-93 -
21
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Тип корпуса Наименование ТУ Аналоги
2ПЕ211А1 -30 - -2,0–-4,0 0,015 КТ-28-2
АЕЯР.432140.748ТУ
-2ПЕ211Б1 -60 - -2,0–-4,0 0,02 КТ-28-2 -2ПЕ211В1 -100 - -2,0–-4,0 0,05 КТ-28-2 -
2ПЕ211А91 -30 - -2,0–-4,0 0,015 КТ-90 -2ПЕ211Б91 -60 - -2,0–-4,0 0,02 КТ-90 -2ПЕ211В91 -100 - -2,0–-4,0 0,05 КТ-90 -2ПЕ209А2 -30 - -2,0–-4,0 0,03 КТ-92 -2ПЕ209Б2 -60 - -2,0–-4,0 0,04 КТ-92 -2ПЕ209В2 -100 - -2,0–-4,0 0,11 КТ-92 -
2ПЕ209А92 -30 - -2,0–-4,0 0,03 КТ-89 -2ПЕ209Б92 -60 - -2,0–-4,0 0,04 КТ-89 -2ПЕ209В92 -100 - -2,0–-4,0 0,11 КТ-89 -
2ПЕ215А -60 - -2,0–-4,0 0,07 КТ-28А
АЕЯР.432140.749ТУ
-2ПЕ215Б -100 - -2,0–-4,0 0,1 КТ-28А -2ПЕ215В -200 - -2,0–-4,0 0,4 КТ-28А -
2ПЕ219А9 -60 - -2,0–-4,0 0,13 КТ-93 -2ПЕ219Б9 -100 - -2,0–-4,0 0,2 КТ-93 -2ПЕ219В9 -200 - -2,0–-4,0 0,85 КТ-93 -2ПЕ220А9 -60 - -2,0–-4,0 0,04 КТ-94 -2ПЕ220Б9 -100 - -2,0–-4,0 0,05 КТ-94 -2ПЕ220В9 -200 - -2,0–-4,0 0,2 КТ-94 -2ПЕ307А9 -60 - -2,0–-4,0 0,025 КТ-95 -2ПЕ307Б9 -100 - -2,0–-4,0 0,04 КТ-95 -2ПЕ307В9 -200 - -2,0–-4,0 0,15 КТ-95 -
22
4.3. Бескорпусные изделия специального назначения
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Размер кри-сталла, мм Наименование ТУ Описание
кристалла
2П7165А-5 -30 -15 -0,7–-2,2 0,04 4,26х3,26
АЕЯР.432140.386ТУ
Рис.652П7165Б-5 -30 -15 -2,0–-4,0 0,04 4,26х3,26 Рис.652П7166А-5 -100 -17 -0,7–-2,2 0,1 6,46х5,96 Рис.662П7166Б-5 -100 -17 -2,0–-4,0 0,1 6,46х5,96 Рис.662П7167А-5 -200 -10 -0,7–-2,2 0,2 6,46х5,96 Рис.672П7167Б-5 -200 -10 -2,0–-4,0 0,2 6,46х5,96 Рис.672П7210А-5 -100 -6 -0,7–-2,2 0,2 3,45х2,35
АЕЯР.432140.505ТУРис.68
2П7210Б-5 -100 -6 -2,0–-4,0 0,2 3,45х2,35 Рис.68
4.4. Бескорпусные изделия специального назначения (новые изделия)
Наименование UСИ.макс , В IС.макс , А UЗИ.пор , В RСИ.отк , Ом Размер кри-сталла, мм Наименование ТУ Описание
кристалла
2ПЕ305АН5 -30 - -2,0–-4,0 0,004 -
АЕЯР.432140.747ТУ
-2ПЕ305БН5 -60 - -2,0–-4,0 0,006 - -2ПЕ305ВН5 -100 - -2,0–-4,0 0,01 - -2ПЕ209АН5 -30 - -2,0–-4,0 0,03 - -2ПЕ209БН5 -60 - -2,0–-4,0 0,045 - -2ПЕ209ВН5 -100 - -2,0–-4,0 0,1 - -2ПЕ211АН5 -30 - -2,0–-4,0 0,015 -
АЕЯР.432140.748ТУ
-2ПЕ211БН5 -60 - -2,0–-4,0 0,02 - -
2ПЕ211ВН5 -100 - -2,0–-4,0 0,05 -
2ПЕ215АН5 -60 - -2,0–-4,0 0,07 -
АЕЯР.432140.749ТУ
-2ПЕ215БН5 -100 - -2,0–-4,0 0,1 - -2ПЕ215ВН5 -200 - -2,0–-4,0 0,4 - -2ПЕ219АН5 -60 - -2,0–-4,0 0,13 - -2ПЕ219БН5 -100 - -2,0–-4,0 0,2 - -2ПЕ219ВН5 -200 - -2,0–-4,0 0,85 - -2ПЕ220АН5 -60 - -2,0–-4,0 0,04 - -2ПЕ220БН5 -100 - -2,0–-4,0 0,05 - -2ПЕ220ВН5 -200 - -2,0–-4,0 0,2 - -2ПЕ307АН5 -60 - -2,0–-4,0 0,04 - -2ПЕ307БН5 -100 - -2,0–-4,0 0,05 - -2ПЕ307ВН5 -200 - -2,0–-4,0 0,2 - -
23
5. Силовые IGBT-модули (новые изделия)Наименование UКЭ.макс , В IК.макс , А UЗЭ.пор , В UКЭ.нас , В UПР , В Тип корпуса Аналоги
М2ТКИ-75-12 1200 75 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM75GB123D
М2ТКИ-100-12 1200 100 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM100GB123DCM100DY-24A
М2ТКИ-150-12 1200 150 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3)SKM150GB123DCM150DY-24A
SKM195GB124DNМ2ТКИ-200-12 1200 200 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM200GB124D
М2ТКИ-300-12 1200 300 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) G300HHCK12P2SKM300GB126D
М2ТКИ-75-17 1700 75 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM75GB173D
М2ТКИ-100-17 1700 100 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM100GB173DBSM100GB170DLC
М2ТКИ-200-17 1700 200 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM200GB173DМТКИ-300-12 1200 300 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s4) SKM300GA123DМТКИ-400-12 1200 400 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s4) SKM400GA123D
МТКИ-600-12 1200 600 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s4) SKM600GA124DFZ600R12KE3
МТКИ-300-17 1700 300 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s4) BSM300GA170DLCМТКИ-400-17 1700 400 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s4) SKM400GA173DМ2ДТКИ-75-12 1200 75 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM75GAL123D
М2ДТКИ-100-12 1200 100 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM100GAL123DМ2ДТКИ-150-12 1200 150 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM150GAL12VМ2ДТКИ-200-12 1200 200 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM200GAL126DМ2ДТКИ-300-12 1200 300 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM300GAL12E4М2ДТКИ-200-17 1700 200 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM200GAL173DМ2ТКИД-75-12 1200 75 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM75GAR123D
М2ТКИД-100-12 1200 100 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans34(s2) SKM100GAR123DМ2ТКИД-150-12 1200 150 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM150GAR12VМ2ТКИД-300-12 1200 300 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM300GAR123DМ2ТКИД-200-17 1700 200 4,0–7,0 3,0 2,5 semitrans62(s3) SKM200GAR173D
6. Силовые FRD-модули (новые изделия)
Наименование UОБР.макс , В IПР.макс , А UПР , В Тип корпуса Аналоги
М2ДЧ-100-12 1200 100 2,5 semitrans34(s2) -М2ДЧ-150-12 1200 150 2,5 semitrans34(s2) SKKD170F12М2ДЧ-200-12 1200 200 2,5 semitrans34(s2) SKKD205F12М2ДЧ-300-12 1200 300 2,5 semitrans62(s3) -М2ДЧ-400-12 1200 400 2,5 semitrans62(s3) -М2ДЧ-600-12 1200 600 2,5 semitrans62(s3) -МДЧ-300-12 1200 300 2,5 semitrans62(s4) RM300HA-24F
МДЧ-400-12 1200 400 2,5 semitrans62(s4) RM400HA-24SFRS400CA120
24
7. Интеллектуальные ключи
Наименование Назначение Корпус КаналыОсновные параметры Категория
качества АналогVON(CL), В RON, мОм IL(SCR), А IL(NOM), А
1358КТ1Т СиловаяИСключаверхнегоуровня КТ-107-1.04 1 65 80 45 10 ВП BTS640
1358КТ5Т СиловаяИСключаверхнегоуровня КТ-107-1.04 1 80 40 50 5,5 ВП BTS640
1358КТ6Т СиловаяИСключаверхнегоуровня КТ-107-1.04 1 80 25 60 11 ВП BTS640
К1376КИ014
Силовойинтел-лектуальныйключ
коммутаторверхнегоуровня
КТ-107-1.04 1 65 80 45 10 ОТК BTS640
К3001КИ014
Силовойинтел-лектуальныйключ
коммутаторверхнегоуровня(МКМ)
4125.8-1К(ТО-254) 2 65 80 45 10 ОТК BTS740
К3001КИ014А
Силовойинтел-лектуальныйключ
коммутаторверхнегоуровня(МКМ)
МС41.Ф.12-АНК 2 65 80 45 10 ОТК BTS740
3001КТ1Т Силовойключверх-негоуровня(МКМ) МС41.Ф.12-АНК 2 65 80 45 10 ВП BTS740
3001КТ2Т Силовойключверх-негоуровня(МКМ) МС41.Ф.20-АНК 4 65 80 45 10 ВП –
3001КТ7Т
Силовойинтел-лектуальныйключ
коммутаторверхнегоуровня(МКМ)
МС41.Ф.12-АНК 2 80 40 30 5,5 ВП BTS740
3001КТ8Т
Силовойинтел-лектуальныйключ
коммутаторверхнегоуровня(МКМ)
КТ-107-1.04 1 80 22 45 30 ВП BTS432
1358КТ2П СиловаяИСключанижнегоуровня КТ43А-1.01 1 60 30(тип) неболее
65 12 ВП BTS141BTS149
1358КТ3П СиловаяИСключанижнегоуровня КТ43А-1.01 1 90 35(тип) неболее
65 10 ВП –
1358КТ4ПСиловойинтеграль-ныйключвмонолит-
номисполненииКТ43А-1.01 1 70 25(тип) неболее
65 12 ВП BTS141BTS149
1358КТ4ТСиловойинтеграль-ныйключвмонолит-
номисполненииКТ-107-1.04 1 70 25(тип) неболее
65 12 ВП BTS941BTS949
К1376КИ021
Интеллектуаль-ныйсиловойключ
с нагрузкой,подклю-ченнойк питанию
КТ-28(ТО-220) 1 60 40(тип) неболее
65 10 ОТК BTS141BTS149
3001КТ3Т Силовойключниж-негоуровня МС41.Ф.12-АНК 2 60 30(тип) неболее
65 12 ВП –
3001КТ4Т Силовойключниж-негоуровня МС41.Ф.20-АНК 4 60 30(тип) неболее
65 12 ВП –
25
8. Габаритные чертежи кристаллов (техническая информация)
Рис.1
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д436А-52Д437А-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Катоддиода
(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 280
Рис.2
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д536А-52Д536Б-52Д536В-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Катоддиода
(подложка)
Титан–Никель–Сере-
бро1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 280
Рис.3
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д666А-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Катоддиода
(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.4
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д682А-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Катоддиода
(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
26
Рис.5
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д682Б-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.6
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Д682В-5
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.7
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллизации,
мкм
An100FRD04
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.8
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллиза-ции,мкм
An30FRD06
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
27
Рис.9
Наименова-ние
№КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An15FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.10
Наименова-ние
№КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An25FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.11
Наименова-ние
№КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An50FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.12
Наименова-ние
№КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An75FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 180
Всеразмерыкристалловданывмикронах
28
Рис.13
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An100FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.14
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An150FRD12
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.15
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An50FRD17
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 140
Рис.16
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An75FRD17
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 180
Всеразмерыкристалловданывмикронах
29
Рис.17
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметал-лизации,мкм
An100FRD17
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.18
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An100FRD33
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Катод
диода(под-ложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 180
Рис.19
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметал-лизации,мкм
An60FRD45
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.20
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметал-лизации,мкм
An50FRD65
1 Аноддиода
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Катоддиода(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
30
Рис.21
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Е719А-52Е720А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,1
3,1-3,4
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 750х750
Толщинакристалла,мкм 200(2Е719А-5)250(2Е720Б-5)
Рис.22
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2Е725А-52Е725Б-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1000х1000Толщинакристалла,мкм 200
Рис.23
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An15IGB12
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1400х1100Толщинакристалла,мкм 200
Рис.24
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An25IGB12
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1400х1100Толщинакристалла,мкм 200
Всеразмерыкристалловданывмикронах
31
Рис.25
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An50IGB12
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1530x1530Толщинакристалла,мкм 200
Рис.26
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An75IGB12
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1370х1370Толщинакристалла,мкм 200
Рис.27
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An100IGB12
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1530х1530Толщинакристалла,мкм 200
Рис.28
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An150IGB12
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Коллектор(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1530х1530Толщинакристалла,мкм 200
Всеразмерыкристалловданывмикронах
32
Рис.29
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An50IGB17
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Коллектор(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1370х1370Толщинакристалла,мкм 250
Рис.30
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
An75IGB17
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2 Коллектор(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1530х1530Толщинакристалла,мкм 250
Рис.31
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КЕ738А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1530х1530Толщинакристалла,мкм 250
Всеразмерыкристалловданывмикронах
33
Рис.32
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КЕ738Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1500х1500Толщинакристалла,мкм 360
Рис.33
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КЕ738В-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1500х1500Толщинакристалла,мкм 480
Рис.34
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КЕ738Г-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,9
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1500х1500Толщинакристалла,мкм 630
Рис.35
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КЕ738Д-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
2Коллектортранзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,4
Эмиттертранзистора
Алюминийскремнием 4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1500х1500Толщинакристалла,мкм 675
Всеразмерыкристалловданывмикронах
34
Рис.36
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллиза-ции,мкм
2П820А-52П820Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 700х700Толщинакристалла,мкм 300
Рис.37
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллиза-ции,мкм
2П830А-52П830Б-52П830В-52П830Г-52П830Д-52П830Е-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1000х1000Толщинакристалла,мкм 300
Рис.38
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметалли-зации
Толщинаметаллиза-ции,мкм
2П831А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1000х1000Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
35
Рис.39
Наименование №КП НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П832А-5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 700х700
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.40
Наименование №КП НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П833А-5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 700х700
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.41
Наименование №КП НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П834А-5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
4,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600
Толщинакристалла,мкм 300
Рис.42
Наименование №КП НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П835А-52П835Б-5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
4,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
4,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600
Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
36
Рис.43
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П836А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремниемимедью
5,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
5,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 750х750Толщинакристалла,мкм 300
Рис.44
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П837А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
РазмерыКП1,мкм 450х570Толщинакристалла,мкм 300
Рис.45
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П838А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
РазмерыКП1,мкм 450х570Толщинакристалла,мкм 300
Рис.46
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7132А1-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,3
РазмерыКП1,мкм 200х200Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
37
Рис.47
Наименование №КП НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7149А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.48
Наименование №КП НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7161А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,7±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,4
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,7±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.49
Наименование №КП НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7161Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,7±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,4
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,7±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.50
Наименование №КП НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7162А-52П7162Б-52П7163А-52П7163Б-52П7164А-52П7164Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,13,2
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
РазмерыКП1,мкм 640х610Толщинакристалла,мкм 280
Всеразмерыкристалловданывмикронах
38
Рис.51
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7168А-52П7168Б-52П7168В-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,0±0,2
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,2
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 300
Рис.52
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7169А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,3
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.53
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7169Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,3
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.54
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7170А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,3
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,2±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Всеразмерыкристалловданывмикронах
39
Рис.55
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7170Б-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,2
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,4
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,2
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 280
Рис.56
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7231А-52П7231Б-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 400х400Толщинакристалла,мкм 300
Рис.57
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7242А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 1000х1000Толщинакристалла,мкм 300
Рис.58
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7243А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 760х1030Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
40
Рис.59
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7244А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 450х570Толщинакристалла,мкм 300
Рис.60
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7245А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 500х500Толщинакристалла,мкм 300
Рис.61
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7246А-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 600х600Толщинакристалла,мкм 300
Рис.62
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7248А-52П7248Б-52П7248В-5
1 Затвортранзи-стора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 500х500Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
41
Рис.63
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7257А-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 400х400Толщинакристалла,мкм 280
Рис.64
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
КПЕ218АН5КПЕ218БН5КПЕ218ВН5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 500х500Толщинакристалла,мкм 300
Рис.65
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7165А-52П7165Б-5
1 Затвортран-зистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,13,2
Истоктранзистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 640х610Толщинакристалла,мкм 280
Рис.66
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметал-лизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7166А-52П7166Б-5
1,11,2
Затвортран-зистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,3
Истоктранзистора
Алюминийскрем-нием
3,0±0,5
РазмерыКП1,1и1,2,мкм 640х610Толщинакристалла,мкм 280
Всеразмерыкристалловданывмикронах
42
Рис.67
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7167А-52П7167Б-5
1,11,2
Затвортранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,3
Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,1и1,2,мкм 640х610Толщинакристалла,мкм 280
Рис.68
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2П7210А-52П7210Б-5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3 Истоктранзистора
Алюминийскремнием 3,0±0,5
РазмерыКП1,мкм 400х400Толщинакристалла,мкм 300
Рис.69
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2ПЕ206АН5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,2
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,13
Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,2
РазмерыКП1,мкм 700х700Толщинакристалла,мкм 300
Рис.70
Наименование №КП
НазначениеКП
Типметаллизации
Толщинаметаллизации,
мкм
2ПЕ207АН5
1 Затвортранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,2
2Сток
транзистора(подложка)
Титан–Никель–Серебро
1,0±0,2
3,1-3,13
Истоктранзистора
Алюминийскремниемимедью
3,0±0,2
РазмерыКП1,мкм 700х700
Толщинакристалла,мкм 300
Всеразмерыкристалловданывмикронах
43
9. Габаритные чертежи корпусов (техническая информация)
Semitrans (s2) – 34 mm
Semitrans (s3) – 62 mm
Semitrans (s4) – 62 mm
Всеразмерыданывмиллиметрах
44
Металлопластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220)
Металлокерамический корпус КТ-28А
Всеразмерыданывмиллиметрах
45
Металлокерамический корпус КТ-43А
Металлокерамический корпус КТ-105
Всеразмерыданывмиллиметрах
46
Металлокерамический корпус КТ-89 (ТО-252)
Металлокерамический корпус КТ-90 (ТО-263)
Всеразмерыданывмиллиметрах
47
Металлопластмассовый корпус КТ-92 (ТО-251)
Металлокерамический корпус КТ-93 (SMD-0,5)
Всеразмерыданывмиллиметрах
48
Металлокерамический корпус КТ-94 (SMD-1)
Металлокерамический корпус КТ-95 (SMD-2)
Всеразмерыданывмиллиметрах
49
Металлопластмассовый корпус ТО-247
Металлопластмассовый корпус SOT-227
Всеразмерыданывмиллиметрах
ОАО «Ангстрем»124460,г.Москва,Зеленоград,ПлощадьШокина,дом2,строение3.Телефон:+7(499)720-84-44Факс:+7(499)731-32-70E-mail:[email protected]
Группа продвижения новых изделийТелефон:+7(499)720-80-36E-mail:[email protected]
Группа продвижения изделий на внутреннем рынкеТелефон:+7(499)720-83-45Тел./(факс):+7(499)731-49-06E-mail:[email protected]
15 100 63603