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2SK30A シリコンNチャネル接合形電界効果トランジスタ SILICONN CHANNELJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 0 低雑音プリアンプ用 0トーンコントロールアンプ用 0 各種DC-AC 高入力インピーダンス増幅回路用 o LowNoisePre-Amplifier ToneControlAmplifierandDC-ACHighInput 1mpedanceCircuitApplications ・高耐圧です : VGDs=-50V ・高入力インピーダンスです. : 1Gss=lnA(Max.)(VGs=-30V) ・低雑音です:NF=0.5dB (Typ.)(Rg=100 kQ) Cf=120Hz) Unit in mm 4.95ciiMax 最大定格 MAX1MUMRAT1NGS (Ta=25 0 C) Ch racteristic Symbol Rating Unit ゲート・ド レイン間電 圧 VGDS -50 V 1. SOURCE 2.GATE ゲー ト電流 1G 10 mA 3. DRAIN JCDEC 許容損失 PD 100 mW 接合温度 T j EI J 125 C 保存温度 TSLg C 電気的特性 ELECTR1CALCHARACTERIST1CS (Ta=25 0 C) Characteristic Symbol Condition I Min. I Typ. I Max. I Unit ゲー ト漏れ電流 ¥ 1 GSS VGs=-30V VDS=O -1. 0 nA ゲ{ト・ドレイン間降伏電圧 V Cs RJGDS VDS=O 1G=-100μA -50 V ドレ イン電流(Note) 1Dss VDs=10V VGs=O 0.3 6.5 mA ピンチ ・オフ電圧 V P VDs=10V 1D=O.lμA -0.4 -5.0 V 相 互 コンダクタンス gm VDs=lOV VGS=O f=lkHz 1. 2 ml5 入力容量 Ciss VGS=O VDS=O f=lMHz 8.2 pF ¥ C J f 市ユ港<!!!.r.廿』且 E l h = 一一日=0.f=lMHz 雑音指数 lNF VDS-mVGS-oRz -mQ l 0.5 I 5.0 f=120Hz Note;1 Dss により下表のように分類し,現品表示してあります. Accordingtothevalueof1Dss the2SK30Aisclassifiedasfollows. Classification I Min. Max. 2SK30A-R I 0.30 し」三とー SK20A-o I 0.60 1. 40 SK30A-y I 1. 2o I 一三.00 I 2.60 6.50 Pn 一'I) a 12 25 卜¥ 卜¥ > 卜¥ ト¥ 卜¥ 卜¥ 1'" 人¥ 10 F hd 4 E ) 日仏 A U ω 付執事ぬ紘 25 50 75 100 125 150 周囲混度 TaCC) -562-

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Page 1: 75 TOSHIBA SEMICONDUCTOR HANDBOOK 2SK30AToshiba...Rg=100k!l Ta=25'C ←-トーートー ートー ttiは: ートトートー ¥¥ f=i 120i Hz-ートー←トー 1kHz 0.8 1. 2 1. 6

2SK30A シリコンNチャネル接合形電界効果トランジスタ

SILICON N CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

0低雑音プリアンプ用

0トーンコントロールアンプ用

0各種DC-AC高入力インピーダンス増幅回路用

o Low Noise Pre-Amplifier, Tone Control Amplifier and DC-AC High Input

1mpedance Circuit Applications

・高耐圧です : VGDs=-50V

・高入力インピーダンスです. : 1Gss=lnA (Max.)(VGs=-30V)

・低雑音です:NF=0.5dB (Typ.) (Rg=100 kQ)

Cf=120Hz)

Unit in mm

4.95ciiMax

最大定格 MAX1MUMRAT1NGS (Ta=250C)

Ch昌racteristic Symbol Rating Unit

ゲート・ド レイン間電圧 VGDS -50 V 1. SOURCE 2.GATE

ゲー ト電流 1G 10 mA 3. DRAIN

JCDEC 許容損失 PD 100 mW

接合温度 Tj

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保存温度 TSLg -55~125 。C

電気的特性 ELECTR1CALCHARACTERIST1CS (Ta=250C)

Characteristic Symbol Condition I Min. I Typ. I Max. I Unit ゲー ト漏れ電流 ¥ 1GSS VGs=-30V, VDS=O -1.0 nA

ゲ{ト・ドレイン間降伏電圧 VCsRJGDS VDS=O, 1G=-100μA -50 V

ドレイン電流(Note) 1Dss VDs=10V, VGs=O 0.3 6.5 mA

ピンチ ・オフ電圧 VP VDs=10V, 1D=O.lμA -0.4 -5.0 V

相互コンダクタンス gm VDs=lOV, VGS=O, f=lkHz 1.2 ml5

入力容量 Ciss VGS=O,VDS=O, f=lMHz 8.2 pF

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雑音指数 lNF VDS-mVGS-oRz-mQ,l 0.5 I 5.0 f=120Hz

Note ; 1Dssにより下表のように分類し,現品表示してあります.

According to the value of 1Dss, the 2SK30A is classified as follows.

Classification I Min. Max.

2SK30A-R I 0.30 し」三とーこSK20A-o I 0.60 1.40

よSK30A-y I 1.2o I一三.00

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2SK30A

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