1µAマイクロパワーCMOSオペアンプ

特長電源電流：1アンプ当たり最大1µAオフセット電圧：最大3mV 単電源動作または両電源動作レールtoレールの入力および出力位相反転なしユニティ・ゲイン安定

アプリケーション携帯型機器リモート・センサ低消費電力フィルタスレッショールド検出器電流検知

ピン配置

図1. 8ピンSOT-23

図2. 14ピンTSSOP（RU-14）

1

2

3

4

5

6

7

AD8504

–IN A

+IN A

V+

OUT B

–IN B

+IN B

OUT A 14

13

12

11

10

9

8

–IN D

+IN D

V–

OUT C

–IN C

+IN C

OUT D

TOP VIEW(Not to Scale)

830-32360

OUT A 1

–IN A 2

+IN A 3

V– 4

V+8

OUT B7

–IN B6

+IN B5

AD8502TOP VIEW

(Not to Scale) 100-32360

AD8502/AD8504

REV. 0本　　　社／ 〒105-6891 東京都港区海岸1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル

電話03（5402）8200大阪営業所／ 〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原3-5-36 新大阪MTビル2号

電話06（6350）6868アナログ・デバイセズ株式会社

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。※日本語データシートはREVISIONが古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。© 2007 Analog Devices, Inc. All rights reserved.

概要AD8502/AD8504は、電源電流最大1µAの高精度低消費電力CMOSオペアンプです。最大3mVのオフセット電圧と1pA（代表値）の入力バイアス電流を持ち、入力と出力でレールtoレールの動作が可能です。AD8502/AD8504は、＋1.8～＋5.5Vの単電源、または±0.9～±2.75Vの両電源で動作します。

AD8502/AD8504は消費電流と入力バイアス電流が小さく、入力と出力でレールtoレール動作が可能であるため、バッテリ電源で動作する各種の携帯型機器アプリケーションに最適です。このアプリケーションとしては、臨床モニタ、心拍モニタ、血糖値測定器、煙/火災検知器、振動モニタ、バックアップ用バッテリ・センサなどがあります。

入力と出力でレールtoレールの振幅動作が可能なため、非常に低い電圧で動作するシステムでダイナミック・レンジを広げ、信号対ノイズ比を大きくすることができます。AD8502/AD8504はオフセット電圧が低いため、高ゲイン・システムで使用しても、大きい出力オフセット誤差が生じることはありません。また、高い精度が常に維持されるため、システム・キャリブレーションを実行する必要もありません。

AD8502/AD8504は、工業用温度範囲（－40～＋85℃）と拡張工業用温度範囲（－40～＋125℃）で仕様が規定されています。AD8502は8ピンのSOT-23表面実装パッケージを、AD8504は14ピンのTSSOP表面実装パッケージを、それぞれ採用しています。

AD8502/AD8504

特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1ピン配置 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3電気的特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6熱抵抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14オーダー・ガイド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

目次

― 2 ― REV. 0

改訂履歴1/07――Revision 0: Initial Version

仕様

電気的特性特に指定のない限り、VS＝5 V、VCM＝VS/2、TA＝25℃。

表1

Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit

INPUT CHARACTERISTICS

Offset Voltage VOS 0 V < VCM < 5 V 0.5 3 mV

–40℃ < TA < +85℃ 5 mV

–40℃ < TA < +125℃ 5.5 mV

Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT –40°C < TA < +85℃ 7 µV/℃

–40℃ < TA < +125℃ 5 µV/℃

Input Bias Current IB 0 V < VCM < 5 V 1 10 pA

–40℃ < TA < +85℃ 100 pA

–40℃ < TA < +125℃ 600 pA

Input Offset Current IOS 0 V < VCM < 5 V 0.5 5 pA

–40℃ < TA < +85℃ 50 pA

–40℃ < TA < +125℃ 100 pA

Input Voltage Range IVR 0 5.0 V

Common-Mode Rejection Ratio CMRR 0 V < VCM < 5 V 67 76 dB

–40℃ < TA < +85℃ 65 dB

–40℃ to +125℃ 65 dB

Large Signal Voltage Gain AVO 0.1 V < VOUT < 4.9 V; RLOAD = 1 MΩ 98 120 dB

0.1 V < VOUT < 4.9 V; –40℃ < TA < +85℃ 93 dB

0.1 V < VOUT < 4.9 V; –40℃ < TA < +125℃ 75 dB

Input Capacitance CDIFF 2 pF

CCM 4.5 pF

OUTPUT CHARACTERISTICS

Output Voltage High VOH RLOAD = 100 kΩ to GND 4.970 4.990 V

–40℃ < TA < +85℃ 4.960 V

–40℃ to +125℃ 4.950 V

RLOAD = 10 kΩ to GND 4.900 4.930 V

–40℃ < TA < +85℃ 4.810 V

–40℃ to +125℃ 4.650 V

Output Voltage Low VOL RLOAD = 100 kΩ to VS 1.6 5 mV

–40℃ < TA < +85℃ 7 mV

–40℃ to +125℃ 7 mV

RLOAD = 10 kΩ to VS 15 20 mV

–40℃ < TA < +85℃ 37 mV

–40℃ to +125℃ 40 mV

Short-Circuit Current ISC VOUT = GND ±5 mA

POWER SUPPLY

Power Supply Rejection Ratio PSRR 1.8 V < VS < 5 V 85 105 dB

–40℃ < TA < +85℃ 66 dB

–40℃ < TA < +125℃ 66 dB

Supply Current/Amplifier ISY VO = VS/2 0.75 1 µA

–40℃ < TA < +85℃ 1.5 µA

–40℃ < TA < +125℃ 2 µA

DYNAMIC PERFORMANCE

Slew Rate SR RLOAD = 1 MΩ 0.004 V/µs

Gain Bandwidth Product GBP 7 kHz

Phase Margin ØO 60 Degrees

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 3 ―

AD8502/AD8504

Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit

NOISE PERFORMANCE

Peak-to-Peak Noise 0.1 Hz to 10 Hz 6 µV p-p

Voltage Noise Density en f = 1 kHz 190 nV/

Current Noise Density in f = 1 kHz 0.1 pA/

特に指定のない限り、VS＝1.8V、VCM＝VS/2、TA＝25℃。

表2

Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit

INPUT CHARACTERISTICS

Offset Voltage VOS 0 V < VCM < 1.8 V 0.5 3 mV

–40℃ < TA < +85℃ 5 mV

–40℃ < TA < +125℃ 5.5 mV

Offset Voltage Drift ΔVOS/ΔT –40℃ < TA < +85℃ 7 µV/℃

–40℃ < TA < +125℃ 5 µV/℃

Input Bias Current IB 0 V < VCM < 1.8 V 1 10 pA

–40℃ < TA < +85℃ 100 pA

–40℃ < TA < +125℃ 600 pA

Input Offset Current IOS 0 V < VCM < 1.8 V 0.5 5 pA

–40℃ < TA < +85℃ 50 pA

–40℃ < TA < +125℃ 100 pA

Input Voltage Range IVR 0 1.8 V

Common-Mode Rejection Ratio CMRR 0 V < VCM < 1.8 V 59 75 dB

–40℃ < TA < +85℃ 56 dB

–40℃ < TA < +125℃ 55 dB

Large Signal Voltage Gain AVO 0.1 V < VOUT < 1.7 V; RLOAD = 1 MΩ 88 110 dB

0.1 V < VOUT < 1.7 V; –40℃ < TA < +85℃ 80 dB

0.1 V < VOUT < 1.7 V; –40℃ < TA < +125℃ 65 dB

Input Capacitance CDIFF 2 pF

CCM 4.5 pF

OUTPUT CHARACTERISTICS

Output Voltage High VOH RLOAD = 100 kΩ to GND 1.79 1.795 V

–40℃ < TA < +85℃ 1.78 V

–40℃ to +125℃ 1.7 V

RLOAD = 10 kΩ to GND 1.75 1.764 V

–40℃ < TA < +85℃ 1.70 V

–40℃ to +125℃ 1.65 V

Output Voltage Low VOL RLOAD = 100 kΩ to VS 1.0 5 mV

–40℃ < TA < +85℃ 6 mV

–40℃ to +125℃ 7 mV

RLOAD = 10 kΩ to VS 10 20 mV

–40℃ < TA < +85℃ 28 mV

–40℃ to +125℃ 29 mV

Short-Circuit Current ISC ±5 mA

POWER SUPPLY

Power Supply Rejection Ratio PSRR 1.8 V < VS < 5 V 85 105 dB

–40℃ < TA < +85℃ 66 dB

–40℃ < TA < +125℃ 66 dB

Supply Current/Amplifier ISY VO = VS/2 0.65 1 µA

–40℃ < TA < +85℃ 1.5 µA

–40℃ < TA < +125℃ 2 µA

Hz

Hz

― 4 ― REV. 0

Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit

DYNAMIC PERFORMANCE

Slew Rate SR RLOAD = 1 MΩ 0.004 V/µs

Gain Bandwidth Product GBP 7 kHz

Phase Margin ØO 60 Degrees

NOISE PERFORMANCE

Peak-to-Peak Noise 0.1 Hz to 10 Hz 6 µV p-p

Voltage Noise Density en f = 1 kHz 190 nV/

Current Noise Density in f = 1 kHz 0.1 pA/ Hz

Hz

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 5 ―

AD8502/AD8504

絶対最大定格特に指定のない限り、TA＝25℃。

表3

Parameter Rating

Supply Voltage 6 V

Input Voltage VSS –0.3 V to VDD + 0.3 V

Differential Input Voltage ±6 V

Output Short-Circuit Duration to GND Indefinite

Storage Temperature Range –65℃ to +150℃

Operating Temperature Range –40℃ to +125℃

Junction Temperature Range –65℃ to +150℃

Lead Temperature (Soldering, 60 sec) 300℃

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。

特に指定のない限り、絶対最大定格は25℃で適用します。

熱抵抗θJAは、最悪の条件、すなわち回路ボードに表面実装パッケージをハンダ付けした状態で規定しています。

表4. 熱抵抗

Package type θJA θJC Unit

8-Lead SOT_23 (RJ-8) 376 126 ℃/W

14-Lead TSSOP (RU-14) 180 35 ℃/W

ESDに関する注意ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されないまま放電することがあります。本製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路を内蔵してはいますが、デバイスで高エネルギーの静電放電が発生した場合、損傷を生じる可能性があります。性能劣化や機能低下を防止するため、ESDに対して適切な予防措置をとることが推奨されます。

― 6 ― REV. 0

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 7 ―

代表的な性能特性

200-32360

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

VOS (µV)

0

20

40

60

80

100

120

140

160

–2400 –1800 –1200 –600 0 600 1200 1800 2400 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120

1000

10

100

0.1

1

0.01

0.001

)A

p(T

NE

RR

UC

SAI

BT

UP

NI

TEMPERATURE (°C)

500-32360

図3. 入力オフセット電圧分布（0V＜VC＜5.0V）、VS＝5V 図6. 入力バイアス電流の温度特性、VS＝1.8Vおよび5V

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

TCVOS (µV/°C)

300-32360

1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25

200

50

100

150

00 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

1000

10

100

0.1

1

0.01

0.001

)A

p(T

NE

RR

UC

SAI

BT

UP

NI

VCM (V)

IB (+85°C)

IB (+25°C)

IB (–40°C)

IB (+125°C)

60 0-32360図4. 入力オフセット電圧の温度ドリフト分布

（－40℃＜TA＜＋85℃）、VS＝5V図7. 同相電圧 対 入力バイアス電流、VS＝5V

1000

–1000

800

–800

400

–400

600

–600

200

–200

0

VS

O)

Vµ(

VCM (V)

0 1 2 3 4 5

400-32360

0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

70

30

40

50

60

20

10

0

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

ISY (µA)

700-32360

図5. 同相電圧 対 入力オフセット電圧、VS＝5V 図8. 電源電流分布、VS＝5V

AD8502/AD8504

― 8 ― REV. 0

0.9

1.0

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0 1 2 3 4 5 6

I(

YS

)A

µ

VS (V)

0 800-32360

1000

100

10

1

0.1

0.010.001 0.01 0.1 1

)V

m(E

GA

TL

OV

NOI

TA

RU

TA

ST

UP

TU

O

LOAD CURRENT (mA)

SOURCE

SINK

110- 32 36 0

図9. 入力同相電圧 対 電源電流 図12. 負荷電流 対 出力飽和電圧、VS＝5V

IY

S)

Aµ(

TEMPERATURE (°C)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

ISY @ 5.0V

ISY @ 1.8V

900-32360

100

10

1

0.1–40 10–15 35 60 8

)V

m(E

GA

TL

OV

NOI

TA

RU

TA

ST

UP

TU

O

TEMPERATURE (°C)

5

VOL @ 100k Ω LOAD

VOH @ 100k Ω LOAD

VOL @ 10k Ω LOAD

VOH @ 10k Ω LOAD

21 0-32360

図10. 電源電流の温度特性 図13. 出力飽和電圧の温度特性、VS＝5V

IY

S)

An(

VCM (V)

600

650

700

750

800

850

900

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

0010-3236

80

60

40

20

0

–20

–40

–60

–8010 100 1k 10k 100k

)B

d(NI

AG

PO

OL-

NE

PO

)s eerg e

D(NI

GR

AM

ES

AH

P

FREQUENCY (Hz)

–120

–90

–60

–30

0

30

60

120

90

310-32360

図11. 入力同相電圧 対 電源電流、VS＝5V 図14. オープンループ・ゲインの周波数特性、VS＝5V

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 9 ―

0.01 0.1 1 10

)B

d(R

RM

C

FREQUENCY (kHz)

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110

120

0 410-32360

0.20

–0.20

0.15

–0.15

0.10

–0.10

0.05

–0.05

0

–0.5 0 0.5 1.0 1.5

VT

UO

)V(

TIME (ms)

710-32360

図15. CMRRの周波数特性、VS＝5V 図18. 小信号過渡応答（無負荷）、VS＝5V

)B

d(R

RS

P

FREQUENCY (kHz)

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0.01 0.1 1 100

0510-3236

0.20

–0.20

0.15

–0.15

0.10

–0.10

0.05

–0.05

0

VT

UO

)V(

0810-3236

–0.5 0 0.5 1.0 1.5

TIME (ms)

図16. PSRRの周波数特性、VS＝5V 図19. 小信号過渡応答（100pFの負荷容量）、VS＝5V

35

15

20

25

30

10

5

010 100 1000

)%(

TO

OH

SR

EV

O

LOAD CAPACITANCE (pF)

OS+

OS–

610-32360

6

5

4

3

1

2

0–2 1 2 3 4 5 6 70–1 8

VT

UO

)V(

TIME (ms)

910-32360

図17. 負荷容量 対 小信号オーバーシュート、VS＝5V 図20. 大信号過渡応答（無負荷）、VS＝5V

AD8502/AD8504

― 10 ― REV. 0

ID/s

m001V

TIME (s)

VS

VOUT

GAIN = +1VIN = VS/2

020-32360

1000

100

101 10 100 1k

)zH

/V

n(Y

TIS

NE

DE

SIO

NE

GA

TL

OV

FREQUENCY (Hz)

320-32360

図21. ターンオン時の過渡応答、VS＝5V 図24. 入力電圧ノイズ、VS＝5Vおよび1.8V

4

3

2

1

0

–1

–2

–3

–4–0.005 –0.003 –0.001 0.001 0.003 0.005 0.007 0.009

)V(

EG

AT

LO

VT

UP

TU

O

TIME (s)

VOUTVIN

120-32360

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

VOS (µV)

420-323600

20

40

60

80

100

120

140

160

–2400 –1800 –1200 –600 0 600 1200 1800 2400

図22. 位相反転なし、VS＝5V 図25. 入力オフセット電圧分布（0V＜VCM＜1.8V）、VS＝1.8V

4

2

0

1

3

–1

–2

–4

–3

–5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5

)Vµ(

EG

AT

LO

VK

AE

P-O

T-K

AE

P

TIME (s)

220-32360

200

50

100

150

0

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

TCVOS (µV/°C)

520-32360

1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25

図23. 0.1～10Hzの入力電圧ノイズ、VS＝5Vおよび1.8V 図26. 入力オフセット電圧の温度ドリフト分布（－40℃＜TA＜＋85℃）、VS＝1.8V

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 11 ―

1000

–1000

–800

–600

–400

–200

0

200

400

600

800

0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8

VS

O)

Vµ(

VCM (V)

620- 323 60

IY

S)

An(

VCM (V)

600

550

500

650

700

0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8

920-32 360

図27. 入力同相電圧 対 入力オフセット電圧、VS＝1.8V 図30. 入力同相電圧 対 電源電流、VS＝1.8V

1000

100

10

1

0.1

0.01

0.0010 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 1.8

I B)

Ap(

VCM (V)

IB (–40°C)

72 0-32360

IB (+25°C)

IB (+125°C)

IB (+85°C)

1000

100

10

1

0.01

0.1

0.001 0.01 0.1 1

)V

m(E

GA

TL

OV

NOI

TA

RU

TA

ST

UP

TU

O

LOAD CURRENT (mA)

SOURCE

SINK

030-32360

図28. 入力同相電圧 対 入力バイアス電流、VS＝1.8V 図31. 負荷電流 対 出力飽和電圧、VS＝1.8V

70

60

50

40

30

20

10

0

SR

EIFI

LP

MA

FO

RE

BM

UN

ISY (µA)

0.50.4 0.6 0.7 0.8 0.9

820- 323 60

100

10

1

0.1–40 –15 10 35 8560

)V

m(E

GA

TL

OV

NO I

TA

RU

TA

ST

UP

TU

O

TEMPERATURE (°C)

VOH @ 10k Ω LOAD

VOL @ 10k Ω LOAD

VOH @ 100k Ω LOAD

VOL @ 100k Ω LOAD

130- 32360

図29. 電源電流分布、VS＝1.8V 図32. 出力飽和電圧の温度特性、VS＝1.8V

AD8502/AD8504

― 12 ― REV. 0

)B

d(NI

AG

PO

OL-

NE

PO

)seerge

D(NI

GR

AM

ES

AH

P

FREQUENCY (Hz)

–80

–60

–40

–20

0

20

40

60

80

10 100 1k 10k 100k

230-32360

–120

–90

–60

–30

30

0

60

120

90

35

30

25

20

15

10

5

010 100 1000

)%(

TO

OH

SR

EV

O

LOAD CAPACITANCE (pF)

OS–

OS+

430-32360

図33. オープンループ・ゲインおよび位相の周波数特性、VS＝1.8V

図35. 負荷容量 対 小信号オーバーシュート、VS＝1.8V

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

00.01 0.1 1 10

)B

d(R

RM

C

FREQUENCY (kHz)

330-32360

0.20

0.15

–0.15

0.10

–0.10

0.05

–0.05

0

–0.20–0.5 0 0.5 1.0 1.5

VT

UO

)V

m(

TIME (ms)

530-32360

図34. CMRRの周波数特性、VS＝1.8V 図36. 小信号過渡応答（無負荷）、VS＝1.8V

AD8502/AD8504

REV. 0 ― 13 ―

0.20

0.15

–0.15

0.10

–0.10

0.05

–0.05

0

–0.200 0.5 1.0 1.5

VT

UO

)V

m(

TIME (ms)

–0.5

06 30-3236

0

–120

–110

–100

–90

–80

–70

–60

–50

–40

–30

–20

–10

10060 1k 2k 5k500200 10k 20k

930-32360

LE

NN

AH

C)

Bd(

NOI

TA

RA

PE

S

FREQUENCY (Hz)

–

+VIN

10kΩ

–

+10kΩ

10kΩ1MΩ1V p-p

OUT B

OUT C OUT D

A B, C, AND D

図37. 小信号過渡応答（100pFの負荷容量）、VS＝1.8V 図39. チャンネル・セパレーション

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

–2 –1 0 1 2 3 4 5 6 7 8

VT

UO

)V

m(

TIME (ms)

730-32360

図38. 大信号過渡応答（無負荷）、VS＝1.8V

― 14 ― REV. 0

D06

323-

0-1/

07(0

)-J

AD8502/AD8504

外形寸法

図40. 8ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ［SOT-23］

（RJ-8）

寸法単位：mm

図41. 14ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ［TSSOP］

（RU-14）

寸法単位：mm

4.504.404.30

14 8

71

6.40BSC

PIN 1

5.105.004.90

0.65BSC

SEATINGPLANE

0.150.05

0.300.19

1.20MAX

1.051.000.80

0.200.09

8°0°

0.750.600.45

COPLANARITY0.10

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1

1 3

56

2

8

4

7

2.90 BSC

1.60 BSC

1.95BSC

0.65 BSC

0.380.22

0.15 MAX

1.301.150.90

SEATINGPLANE

1.45 MAX 0.220.08 0.60

0.450.30

8°4°0°

2.80 BSC

PIN 1INDICATOR

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-BA

オーダー・ガイド

Model Temperature Range Package Description Package Option Branding

AD8502ARJZ-R21 –40℃ to +125℃ 8-Lead SOT-23 RJ-8 A1D

AD8502ARJZ-REEL1 –40℃ to +125℃ 8-Lead SOT-23 RJ-8 A1D

AD8502ARJZ-REEL71 –40℃ to +125℃ 8-Lead SOT-23 RJ-8 A1D

AD8504ARUZ1 –40℃ to +125℃ 14-Lead TSSOP RU-14

AD8504ARUZ-REEL1 –40℃ to +125℃ 14-Lead TSSOP RU-141 Z＝鉛フリー製品