AFMテストパターン

16等分したエリアに上記の様に、2µm、 5µm、10µm、20µmのライン&スペースと 目安の数字パターンを配置 各エリアの寸法は、1mm x 1mm

5µmパターンのAFM像の例 凸部（灰色矢印）の間隔：5.098µm

段差：95.213µm

2µm L&S 縦 5µm L&S 縦

20µm L&S 縦 10µm L&S 縦

2µm L&S 横

5µm L&S 横

10µm L&S 横

20µm L&S 横

2 5

10 20

境界線 SiO2

Si

2µmパターンの断面SEM像 バルクのSiの上にSiO2でパターンが形成

AFMで観察したパターンの寸法

凸部幅/µm

凹部幅/µm

高さ/µm

2µm パターン 2.188 1.641 98.600

5µm パターン 5.098 4.746 95.213

10µm パターン 9.727 9.357 96.702

20µm パターン 19.219 18.984 95.088

cf. 同様に50µm、100µmで作製した パターンをDektakで測定した高さ

2µmパターンのAFM像 (10µm x 10µm)

凸部幅/µm

凹部幅/µm

高さ/µm

2µm パターン 2.188 1.641 98.600

5µmパターンのAFM像 (15µm x 15µm)

凸部幅/µm

凹部幅/µm

高さ/µm

5µm パターン 5.098 4.746 95.213

10µmパターンのAFM像 (30µm x 30µm)

凸部幅/µm

凹部幅/µm

高さ/µm

10µm パターン 9.727 9.357 96.702

20µmパターンのAFM像 (60µm x 60µm)

凸部幅/µm

凹部幅/µm

高さ/µm

20µm パターン 19.219 18.984 95.088

2µmパターンのマイクロスコープ像 (380x10倍)

バッファードフッ酸によるエッチング前

バッファードフッ酸によるエッチング&レジスト除去後

暗緑色の領域がSiO2

5µmパターンのマイクロスコープ像 (380x10倍)

バッファードフッ酸によるエッチング前

バッファードフッ酸によるエッチング&レジスト除去後

暗緑色の領域がSiO2

SiO2 SiO2

SiO2 SiO2

Si

レジスト

10µmパターンのマイクロスコープ像 (380x10倍)

バッファードフッ酸によるエッチング前

バッファードフッ酸によるエッチング&レジスト除去後

暗緑色の領域がSiO2

SiO2

SiO2

SiO2

SiO2

レジスト

レジスト

Si Si

20µmパターンのマイクロスコープ像 (380x10倍)

バッファードフッ酸によるエッチング前

バッファードフッ酸によるエッチング&レジスト除去後

暗緑色の領域がSiO2

SiO2

SiO2

SiO2

SiO2

Si Si

レジスト レジスト

パターンの作製手順

1.  HDMS塗布 (4,000rpm, 40sec) 2.  AZ P1350塗布 (4,000rpm, 40sec) 3.  プリベイク (ホットプレート 125̊C, 2min) 4.  データ変換 (spotsize correctionで、XY共に-1200nmに設定して変換) 5.  NDフィルタ変更 (30%フィルタに変更) 6.  描画 (Optical Focus, Energy60, Defoc3400) 7.  現像 (NMD-3, 60sec) 8.  リンス (超純水, 60sec) 9.  ポストベイク (ホットプレート 125̊C, 2min) 10. SiO2エッチング (ステラケミファ社15:1, 2min40sec) 11. レジスト除去 (AZ remover, 2min) 12. リンス (超純水, 60sec)