东芝功率器件 toshiba discrete devices for power supply
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Copyright 2013 , Toshiba Corporation. 東芝電子(上海)有限公司
东芝功率器件 Toshiba Discrete Devices for Power Supply
31 Aug. 201331 Aug. 2013
2東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
目录
东芝集团业务简介东芝分立器件简介 功率器件的发展趋势(高压 MOS ,低压 MOS )新材料功率器件( SiC , GaN )电源的拓扑结构及东芝功率器件的产品线
• AC-DC : Flyback , Forward , Half Bridge , Full Bridge
• DC-DC : Forward , Push Pull , Half Bridge , Full Bridge ( Isolation type )东芝官网分立器件参数模拟快速入门销售渠道
3東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
4東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
通过能源技术和存储技术的创新以及信息技术提供解决方案
5東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
东芝集团业务分布
6東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
各种业务领域的状态和目标
7東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
半导体 & 存储产品公司
8東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
9東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
分立器件
C-MOS Logic / 1 Gate Logic
Bus Switch Level Shifter
MOS FET/BRT
OP-AMP/Comparator
Diode ( SW/SBD / ESD etc)
RF Tr / Di
Power MOS FET ( HV-MOS/LV-MOS)
Power Di ( SBD / ZD)
Intelligent Power Device ( HV-IPD / LV-IPD )
IGBT / IEGT
PhotoCoupler
White LED
Load Sw IC / Regulator
SOI Switch
BJT
Fiber Coupler ( TOSLINK)
Power MOS FET ( HV-MOS / LV-MOS )
Compound Material ( SiC / GaN power )
功率器件
标准的逻辑器件
小信号分立器件
光耦
分立器件简介
10東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
工业变频器 1700-4500V工业变频器 1700-4500V
电力机车
牵引、电力转换器、工业变频器牵引、电力转换器、工业变频器
变频器 电力转换器
PMI PPI
大功率器件
11東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
12東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
GaNGaNGaNGaN
高速开关的应用高速开关的应用高速开关的应用高速开关的应用LV-MOSLV-MOSLV-MOSLV-MOS
SiCSiCSiCSiC
针对于大功率针对于大功率针对于大功率针对于大功率
U-MOSⅧ致力于提高效率
U-MOSⅧ致力于提高效率
HV-MOSHV-MOSHV-MOSHV-MOS
重点推出第四代DTMOS .Ⅳ
重点推出第四代DTMOS .Ⅳ
1
0.1
1 10 100 1000 10000
主要的产品
13東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
-MOSⅦ ( 400V / 500V / 600V / 650V )
DTMOSⅡ( 600V / 650V )
CY :2010 2012 2013 2014 2011
-MOSⅦ( 200V / 250V / 300V )
-MOSⅤ
-MOSⅣ( 800V / 900V )
DTMOSⅢ ( 600V )
-MOSⅥ
U-MOSⅣ
U-MOS -HⅦ ( 30V ) U-MOS -HⅧ ( 30V )
U-MOS -H Ⅷ( 150V / 200V / 250V )
Ⅸ-H
HV-DTMOS
( 800V / 900V )
VDSS
15
-MOSⅧ( 800V / 900V )
U-MOS -HⅨ ( 40V-120V )U-MOS -HⅧ ( 60V-120V )
-MOS
-MOS
DTMOSⅣ ( 600V / 650V )Fast Diode added
DTMOS Ⅴ( 500V / 600V / 650V )
DTMOSⅢ ( 700V / 4A )
100V
300V
200V
500V
400V
700V
600V
900V
800V
DTMOS ⅣHigh Speed Switching
DTMOS
东芝功率 MOSFET 的发展蓝图
14東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
Standard TO-220 for HVMOS and LVMOS ( SR-MOS )
CY :2010 2012 2013 2014 2011
TO-220SIS ( FP ) for HVMOS and LVMOS ( SR-MOS )
Standard D-paksince p-MOS & DT3Ⅶ
TO-3P ( N ) for HVMOS ( -MOS / DTMOS )
3x3mm for LVMOS ( U-MOS series )
8x8mm DFN for DTMOS ( Since DTMOSⅣ )
TO-247 for DTMOS
Standard D2-pak , I2-pak for HVMOS ( Since DTMOSⅢ )
TO-3P ( L ) for HVMOS ( High Current )
5x6mm for LVMOS ( U-MOS series )
Standard I-pak for HVMOS ( Since DTMOSⅢ )
15
Both-Side Cooling
东芝功率 MOSFET 封装发展蓝图
15東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
【 Ron*A Improvement 】
In the same die size
RDSon can be reduced“30%”In the same RDSon
Die size can reduce 30%
【 Ron*A Improvement 】
In the same die size
RDSon can be reduced“30%”In the same RDSon
Die size can reduce 30%
DT3Size=100
RDSon=100
DT4Size=100
RDSon=70
DT4Size=70
RDSon=100
Size : Chip SizeRDSon : On resistance
1. Single-EPI ( SE ) Process Multi EPI
Single-EPI
1. Single-EPI ( SE ) Process Multi EPI
Single-EPI
New Generations
DTMOSⅣTarget for future Gen.
DTMOSⅤ
Ron
A(
mW
cm2)
10
0
20
30
40
‘03 ‘07 ‘11
50
AB
C
C
‘09‘05‘01
B
C
‘13
DTMOSⅢ
DTMOSⅠ
DTMOSⅡ
‘15
C
DTMOS 拥有超低内阻和丰富的封装,可以支持更高效率,更紧凑的电源设计方案DTMOS 拥有超低内阻和丰富的封装,可以支持更高效率,更紧凑的电源设计方案
Super Junction MOSFET ( DTMOS )研发趋势
16東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
SE
ME
Super Junction
Type
Si limit ( 88 )
MOSⅦ ( 100% ) DTMOSⅢ ( ME )( 25% )
ME limit ( 20 ) DTMOSⅣ ( SE )( 16% )
SE limit ( 8.8 )
Ron ・ A Improvement ( Normalized )
▲33%
Multi EPI :
Single-EPI :
Single-EPI 工艺的优势在于提高了器件的性能Single-EPI 工艺的优势在于提高了器件的性能
Single-EPI 工艺可使得制程时间减少 33%
DTMOS Ⅳ 最新工艺 Single-EPI 的优势
17東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
New
We will consider the additional line up ( other voltage , with HSD etc... ) due to the market inquiry
Improvement by Fine patterning and Optimized Vertical profile
Optimization Gate layout and structure
DTMOSⅣ 性能的优化
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DTMOSⅣ 优化了内阻的温度系数
SE 工艺使得在 MOS 管在较高的结温状态下也能保持较低的内阻,从而可以提高电源模块的效率。
SE 工艺使得在 MOS 管在较高的结温状态下也能保持较低的内阻,从而可以提高电源模块的效率。
A1
A2
B2
B1
DTMOSⅣ 的优势
19東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
0
1
2
3
4
5
6
7
0 100 200 300 400 500
Eoff (u
J)
VDS (V)
Conditions : VDS=0 to 400V , VGS=0 , Ta=25℃Conditions : VDS=0 to 400V , VGS=0 , Ta=25℃
DTMOSIII : TK18A60VCompetitor A
Competitor BDTMOSII : TK20A60U
20%reduction
20%reduction
Eos
s(
mJ
)
超级结的独特结构造成了较高的输出电容,从而导致电源模块在轻载时效率不好。相比于DTMOSⅢ , DTMOSⅣ 的输出电容减少了 12% ,从而提高了在轻载时的效率。超级结的独特结构造成了较高的输出电容,从而导致电源模块在轻载时效率不好。相比于DTMOSⅢ , DTMOSⅣ 的输出电容减少了 12% ,从而提高了在轻载时的效率。
12%reduction
12%reduction
DTMOSIV : TK16A60W
DTMOSⅣ : Eoss
20東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
・ Efficiency vs. OutputConditions : 120W SPS board PFC stage , Rg=10ΩConditions : 120W SPS board PFC stage , Rg=10Ω
: DTMOSII 0.19Ωmax
: DTMOSIII 0.19Ωmax
: DTMOSIV 0.19Ωmax
: IPA60R199CP 0.199Ω
: IPA60R190C6 0.19Ω
: SPA20N60C3 0.19Ω
: DTMOSII 0.19Ωmax
: DTMOSIII 0.19Ωmax
: DTMOSIV 0.19Ωmax
: IPA60R199CP 0.199Ω
: IPA60R190C6 0.19Ω
: SPA20N60C3 0.19Ω
相比于其他同规格的竞争者, DTMOSⅣ 在所有的功率段都能保持较高的效率相比于其他同规格的竞争者, DTMOSⅣ 在所有的功率段都能保持较高的效率
80
82
84
86
88
20 40 60 80 100 120 140
Effi
cie
ncy
(%)
Output power (W)
TK20A60U
TK18A60V
TK16A60W
Cool CP
Cool C6
Cool C3
TK20A60U:0.19Ω DTII TK18A60V:0.19Ω DTIIITK16A60W:0.19Ω DTIV
A1 : 0.199ΩA2 : 0.19ΩA3 : 0.19Ω
DTMOSⅣ :效率的评估( 120W SMPS )
21東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
Main Market 2011 2012 2013 2014 2015
Nch
30V
NBPC
Li ion battery
DC-DC
Game
Server
40V AC-DC
DC-DC
Automotive
Motor60-120V
150-250V
DC-DC
Pch
20-100V
PMS
Automotive
U-MOSⅧU-MOSⅧ U-MOSⅨ
Pi-MOS / Ⅴ ⅦBest-in-class RonCiss
TK100E10N1 : Ron=3.4mOhm ( max ) @10V in TO-220TPH4R50ANH : Ron=4.5mOhm ( max ) @10V in SOP Advance
U-MOSⅧU-MOSⅧ
U-MOSⅧRonA = 10.8mΩ*mm2 ( 30V )
U-MOSⅣRonA=16mΩ*mm2 ( 30V )
U-MOS / Ⅳ Ⅵ U-MOSⅨ
U-MOSⅦTPCA8055-H
Ron=1.9mOhm ( max ) @10V
U-MOSⅧU-MOSⅧTPHR9003NH
Ron=0.9mOhm ( max ) @10V
U-MOSⅨ
Ron=0.7m ( typ. ) @10V in SOP Advance
( CY )LVMOS 发展蓝图( Silicon )
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U-MOS -HⅧ 扩大了产品线,可以满足不同市场的需求 U-MOS -HⅧ 扩大了产品线,可以满足不同市场的需求
U-MOS -HⅧ 产品线
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TK72E12N1 ( U-MOSⅧ / 120V / 4.4mΩ )
TK72E12N1 ( U-MOSⅧ / 120V / 4.4mΩ )
Competitor A ( 120V / 4.1mΩ )Competitor A ( 120V / 4.1mΩ )
Test condition : 120W NBPC ADP , Vin=100VAC , Vout=19.5V
TK65E10N1 ( U-MOS /100VⅧ / 4.0mΩtyp )TK65E10N1 ( U-MOS /100VⅧ / 4.0mΩtyp )
Test condition : 120W NBPC ADP , Vin= 100VAC , Vout=19.5V
VDS=120V VDS=100V
TK65E10N1 效率的对比
TK65E10N1 效率的对比
TK72E12N1 效率的对比
TK72E12N1 效率的对比
Competitor A ( 100V / 3.9mΩtyp )Competitor A ( 100V / 3.9mΩtyp )
轻载时TK65E10N1 更好!
轻载时TK65E10N1 更好!
TK72E12N1 一直保持了较高的效率 !
TK72E12N1 一直保持了较高的效率 !
优势 !!优势 !!
优势 !!优势 !!
U-MOS -HⅧ 效率的对比( LVMOS )
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新材料功率器件
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1. SiC 器件:相比于 Si ,可以实现低损耗 & 大容量2. GaN 器件:相比于 Si ,可以实现低损耗 & 更快的开关速度
复合型原材料的应用领域
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原材料物理性能的对比
27東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
Si
SiC
GaN
Ron ・ A Limit of Si , SiC , GaN ( Theoretical value )
28東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
VRRM
( V )
Currentrating( A )
TO-220 ( 2Leads )
D2PAK( 1 pin N.C )
TO-220FP ( 2Leads )
TO-247 ( Center Tap )
650
6 TRS6E65C MP: OK
TRS6G65C* ES: Oct.13 MP: Jan.14
TRS6A65C* ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
8 TRS8E65C MP: OK
TRS8G65C* ES: Oct.13 MP: Jan.14
TRS8A65C* ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
10
TRS10E65C ES: OK MP: Aug.13
TRS10G65C* ES: Oct.13 MP: Jan.14
TRS10A65C* ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
12 TRS12E65C MP: OK
TRS12G65C* ES: Oct.13 MP: Jan.14
TRS12A65C* ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
TRS12N65D* ES: Oct.13
MP: Dec.13
16 TRS16N65D* ES: Oct.13
MP: Dec.13
20 TRS20N65D* ES: Oct.13
MP: Dec.13
24 TRS24N65D* ES: Oct.13
MP: Dec.13
*Under development
SiC-SBD 产品线
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电源的拓扑结构及东芝功率器件的产品线
30東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
功率 MOS 管是开关电源的主要的器件
各种应用的开关电源及其电路结构
Separately ExcitedUp to around 70W
( Constant operating frequency )
AC-DC FlybackPower Supplies
开关电源
AC-DC ResonantHalf / Ful-BridgePower SuppliesUp to around 800W( Constant operating frequency )
Self-ExcitedUp to around 40W( Variable operating
frequency )
Power supplies for FPD TVsDesktop PCsServers
Notebook PC adaptors Chargers for portable products LCD adaptors PC peripherals Power supplies Standby power supplies and small adapters
AC-DC ForwardPower SuppliesUp to around 200W( Constant operating frequency )
Desktop PCsPower supplies for game consolesMultifunction printersIndustrial power supplies
DC-DC ConvertersIsolated
Non-isolated Output : Around 50W
On-board DC-DC ConvertersNotebook PCsPower supplies for CPUsRegulator circuits Communications equipment
31東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
ElectricalElectricalOutletOutlet
ElectricalElectricalOutletOutlet
PFCPFC DC-DCDC-DCConverterConverter
RectifierRectifierAC-DCAC-DC
DC-DCDC-DCConverterConverter
DC-DCDC-DCConverterConverter
DC-DCDC-DCConverterConverter
Secondary side
AC-DC ( PFC ) Non-Isolated DC-DC
Primary side
Flyback Type Flyback Type Forward TypeForward Type
Half-Bridge TypeHalf-Bridge TypeFull-Bridge Type Full-Bridge Type
DC-DCDC-DCnon-non-
IsolatedIsolated
主要的电源拓扑结构
32東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
VIN=220VAC
-
+ -
+
Detect & Compare Control Circuit PFC Control SwitchPFC Control SwitchHigh-voltage
MOSFETMain SwitchMain SwitchHigh-voltage
MOSFET
Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage
MOSFET
Output
PFCFlybackAC-DC
反击式的拓扑结构是最简单,且元器件应用最少的一种拓扑,适用于低功率的电源。
反击式 AC-DC
反击式 AC-DC
33東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
正激式 AC-DC
VIN=220VAC
-
+ -
+
Detect & Compare Control Circuit
Main SwitchMain SwitchHigh-voltage
MOSFET
Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage
MOSFET
PFC Control Switch PFC Control Switch High-voltage
MOSFET
Output
Forward PFCAC-DC
正激式 AC-DC
34東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
半桥谐振 AC-DC半桥谐振电源适用于从 150W 至 1kW 相对较高的大功率电源应用。两个晶体管与输入供电电压串联
连接,降低输入电压适于变压器初级端的半桥结构。这部分也可能应用低压的晶体管。
-
+
-
+
-
+
Detect & Compare Control Circuit
Secondary SwitchSecondary SwitchLow-voltage MOSFET
( Synchronous rectification )
Output
Half-Bridge
VIN=220VAC
-
+
PFC
AC-DC
Main SwitchMain SwitchHigh-voltage
MOSFET
PFC Control SwitchPFC Control SwitchHigh-voltage
MOSFET
半桥式 AC-DC
35東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
AC-DC 转换器(隔离 / 全桥) 隔离的 DC-DC 转换器广泛用于初级端和次级端电压变化较大的变压器。隔离正激式转换器和隔离全桥式转换器可以达到 800W 。大部分 PC 电源使用隔离式 DC-DC 转换器。
Control Circuit
Drive Circuit
Secondary Secondary SwitchSwitch
Low-voltageMOSFET
Main SwitchMain SwitchHigh-voltage
MOSFET
Output
VIN=220VAC
-
+
PFCAC-DC Full Bridge
全桥 AC-DC
36東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
DC-DC 转换器(非隔离) DC-DC 转换器将一个直流电从一个电压级别到另一个电压级别。然而非隔离 DC-DC 转换器被初级端用于 1W-30W 的转换,高于 100W 需要增加一个 MOSFET 。许多 DC-DC 转换器被应用于变得更小更轻,功能丰富的移动电话和移动设备。
-
+
DC-DCController
DC-DC ConversionDC-DC ConversionLow-voltage
MOSFET
Output
DC-DC 转换器
37東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
正激 推挽+Vin
Control Circuit
+Vout
DriveCircuit
半桥+Vin
Control Circuit+Vout
DriveCircuit
全桥+Vin
Control Circuit
+Vout
DriveCircuit
MOSFET VDSS
Primary : 100-250V Secondary : 20-150V
+Vin +Vout
DriveCircuit
Control Circuit
隔离的 DC-DC 转换器的拓扑结构
38東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
ID ( A )Ron Max
D-PAK( TO-25
2 )
I-PAK( TO-25
3 )
I2-PAK( TO-26
2 )D2-PAK
( TO-263 ) 8x8mm DFN TO-220 TO-220SIS TO-3P( N ) TO-247 TO-3P ( L )
5.4A0.9Ω
TK5P60W ES: OKMP: OK
TK5Q60W ES: OK MP: OK
TK5A60WES: OK MP: OK
6.2A0.75Ω
TK6P60W ES: OK MP: OK
TK6Q60W ES: OK MP: OK
TK6A60W ES: OK
MP: OK
7A0.6Ω
TK7P60W ES: OK MP: OK
TK7Q60W ES: OK MP: OK
TK7A60WES: OKMP: OK
8A0.5Ω
TK8P60WES: OK
MP: OK
TK8Q60W ES: OK
MP: OK
TK8A60WES: OK MP: OK
9.8A0.38Ω
TK10P60W ES: OK MP: OK
TK10Q60W ES: OK MP:
OK
TK10V60W ES: OK
MP: Aug.13
TK10E60W ES:
OK MP: OK
TK10A60W ES: OK MP:
OK
11.5A0.3Ω
TK12P60W ES: OK MP:
OK
TK12Q60W ES: OK MP:
OK
TK12V60WES: OK
MP: Aug.13
TK12E60W
ES: OK MP: OK
TK12A60W ES: OK MP: OK
TK12J60W ES: OK MP: OK
15.8A0.19Ω
TK16C60W ES: OK
MP: Aug.13
TK16G60W ES: OK
MP: OK
TK16V60W ES: OKMP: OK
TK16E60W ES: OK
MP: OK
TK16A60W ES: OK
MP: OK
TK16J60W ES: OK MP: OK
TK16N60W ES: OK
MP: Aug.13
( 20 ) A0.16Ω
TK20C60W ES: OK
MP: Aug.13
TK20G60W ES:
OKMP: Aug.13
TK20V60W ES: OKMP: OK
TK20E60W ES: OKMP: OK
TK20A60W ES : OKMP: OK
TK20J60W ES : Feb.12MP: OK
TK20N60W ES: OKMP: OK
30.8A0.088Ω
TK31V60W ES: OKMP: OK
TK31E60W ES: OKMP: OK
TK31A60W ES: OK MP: OK
TK31J60W ES: OK MP: OK
TK31N60W ES: OK MP: OK
38.8A0.065Ω
Under investigation
TK39A60W ES : OKMP: OK
TK39J60W ES: OK MP: OK
TK39N60W ES: OK
MP: Aug.13
61.8A0.038Ω
TK62J60W ES: OK
MP: OK
TK62N60W ES: OK MP: Aug.13
100A0.018Ω
TK100L60W ES: OKMP: OK
0.43Ω
0.34Ω 0.34Ω
0.43Ω
Schedule as CYSchedule as CY
0.82Ω 0.82Ω
Low Rdson only available
by DTMOS4
Variety of package lineups!( 8x8 and TO-247 are newly added )
DTMOSⅣ ( VDS=600V )产品线( Schedule as CY )
Already on MP
39東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
Already on MP
RDS ( ON )
max.
D-PAK( TO-252 )
D2-PAK( TO-263 ) TO-220 TO-220SIS TO-3P ( N ) TO-247
( 0.65-0.67 )TK7P60W5
ES: OKMP: Sep.13
TK7A60W5 ES: OK
MP: Sep.13
( 0.54-0.56 )
TK8P60W5 ( 0.56Ω ) ES: OK
MP: Sep.13
TK8A60W5 ( 0.54Ω )ES: OK
MP: Sep.13
0.45TK10A60W5
ES: OKMP: Sep.13
0.23TK16G60W5
ES: OKMP: Oct.13
TK16E60W5 ES: OK
MP: Oct.13
TK16A60W5 ES: OKMP: OK
TK16J60W5 ES: OK
MP: Oct.13
TK16N60W5 ES: OK
MP: Oct.13
0.175TK20A60W5
ES: OKMP: Aug.13
TK20J60W5 ES: OK
MP: Oct.13
0.099TK31J60W5
ES: OKMP: OK
TK31N60W5 ES: OK
MP: Oct.13
0.074TK39J60W5
ES: OKMP: OK
TK39N60W5 ES: OK
MP: Oct.13
( 0.045 )TK62J60W5
ES: OKMP: Oct.13
DTMOSⅣ ( VDS=600V ,快恢复二极管)产品线( Scheduled as
CY )
40東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
TO-220SISTO-220SIS
TO-247TO-247
RDS ( ON )
max.D2-PAK
( TO-263 )I2-PAK
( TO-262 ) TO-220 TO-220SIS TO-247
0.39TK11A65W
ES: OKMP: Aug.13
0.25
TK14G65W
ES: OKMP: Sep.13
TK14C65W ES: OK
MP: Sep.13
TK14E65W
ES: OKMP: Sep.13
TK14A65W ES: OKMP: Aug.13
TK14N65W ES: OK
MP: Sep.13
( 0.2 )
TK17E65W
ES: OKMP: Sep.13
TK17A65W
ES: OKMP: Sep.13
TK17N65W ES: OKMP: Sep.13
( 0.11 )TK28N65W
ES : OKMP : Oct.13
( 0.080 )TK35A60W
ES: OKMP: Aug.13
TK35N65W ES: OKMP: Aug.13
( 0.055 )Ω
TK49N65W
ES: OK
MP: Aug.13
DTMOSⅣ ( VDS=650V )产品线( Scheduled as CY )
41東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
TO-220SISTO-220SIS
TO-247TO-247
R DS ( ON )
max.D2-PAK
( TO-263 )I2-PAK
( TO-262 )TO-220 TO-220SIS TO-247
0.3
TK14G65W5
ES: Aug.13MP: Oct.13
TK14C65W5ES: Aug.13MP: Oct.13
TK14E65W5
ES: Aug.13MP: Oct.13
TK14A65W5 ES: OK
MP: Oct.13
TK14N65W5 ES: OK
MP: Oct.13
( 0.23 )
TK17A65W5
ES: OKMP: Oct.13
( 0.13 )
TK28N65W5 ES:
Aug.13MP: Oct.13
( 0.095 )TK35A60W5
ES: OKMP: Oct.13
TK35N65W5 ES:
Aug.13MP: Oct.13
( 0.057 )
TK49N65W5
ES: Aug.13MP: Oct.13
DTMOSⅣ ( VDS=650V ,快恢复二极管)产品线( Schedule as CY )
42東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
5 x 6 S1DT7 205
3 x 3 S1CL9 200
5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112
3 x 3 S1CL8 126
5 x 6 S1DT2 64 TPH6400ENH 64 TPH5200FNH 52
3 x 3 S1CL7 59
5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29
3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33
5 x 6 TPH1500CNH 15.4
3 x 3 TPN22006NH 22
5 x 6 TPH14006NH 14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3 x 3 TPN14006NH 13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH 16
5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3
3 x 3 TPN11003NL 10.6
5 x 6 TPH8R903NL 8.9
3 x 3 TPN8R903NL 8.9
5 x 6 TPH7R506NH 7.5 TPH8R008NH 8 TPH8R80ANH 8.8
3 x 3 TPN7R506NH 7.5
5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9
3 x 3 TPN6R003NL 6
5 x 6 TPH4R003NL 4 TPH4R606NH 4.6 TPH4R008NH 4 TPH4R50ANH 4.5
3 x 3 TPN4R303NL 4.3
5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3
3 x 3 TPN2R703NL 2.7
5 x 6 TPH1R403NL 1.4
3 x 3
5 x 6 TPHR9003NL 0.9
3 x 3
Ron(10V)max
8mΩ
6mΩ
4mΩ
30mΩ
50mΩ
100mΩ
15mΩ
<1mΩ
12mΩ
>200mΩ
20mΩ
2mΩ
10mΩ
1mΩ
PKG250V30V
VDSS
100V 150V 200V80V60V
Full-Bridge Bus Converter
( Vin=36-75V , Vout=12V )
Full-Bridge Bus Converter
( Vin=36-75V , Vout=12V )
250-750W Primary & Secondary
150-250W Primary & Secondary
ORing
UMOS -HⅧ 应用于全桥中间母线电源转换器( 1 )
+Vin
Control Circuit
+Vout
DriveCircuit
+Vin
Control Circuit
+Vout
DriveCircuit
43東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
5 x 6 S1DT7 205
3 x 3 S1CL9 200
5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112
3 x 3 S1CL8 126
5 x 6 S1DT2 64 TPH6400ENH 64 TPH5200FNH 52
3 x 3 S1CL7 59
5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29
3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33
5 x 6 TPH1500CNH 15.4
3 x 3 TPN22006NH 22
5 x 6 TPH14006NH 14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3 x 3 TPN14006NH 13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH 16
5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3
3 x 3 TPN11003NL 10.6
5 x 6 TPH8R903NL 8.9
3 x 3 TPN8R903NL 8.9
5 x 6 TPH7R506NH 7.5 TPH8R008NH 8 TPH8R80ANH 8.8
3 x 3 TPN7R506NH 7.5
5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9
3 x 3 TPN6R003NL 6
5 x 6 TPH4R003NL 4 TPH4R606NH 4.6 TPH4R008NH 4 TPH4R50ANH 4.5
3 x 3 TPN4R303NL 4.3
5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3
3 x 3 TPN2R703NL 2.7
5 x 6 TPH1R403NL 1.4
3 x 3
5 x 6 TPHR9003NL 0.9
3 x 3
Ron(10V)max
8mΩ
6mΩ
4mΩ
30mΩ
50mΩ
100mΩ
15mΩ
<1mΩ
12mΩ
>200mΩ
20mΩ
2mΩ
10mΩ
1mΩ
PKG250V30V
VDSS
100V 150V 200V80V60V
Isolated Forward Converter ( <100W )
( Vin=36-75V , Vout=3.3-12V )
Isolated Forward Converter ( <100W )
( Vin=36-75V , Vout=3.3-12V )
Secondary ( Vout=12V)
Primary
Secondary ( Vout=3.3-5V)
UMOS -HⅧ 应用于隔离的 DC-DC 转换器( 2 )
+Vin +Vout
DriveCircuit
Control Circuit
+Vin +Vout
DriveCircuit
Control Circuit
44東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
5 x 6 S1DT7 205
3 x 3 S1CL9 200
5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112
3 x 3 S1CL8 126
5 x 6 S1DT2 64 TPH6400ENH 64 TPH5200FNH 52
3 x 3 S1CL7 59
5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29
3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33
5 x 6 TPH1500CNH 15.4
3 x 3 TPN22006NH 22
5 x 6 TPH14006NH 14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3 x 3 TPN14006NH 13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH 16
5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3
3 x 3 TPN11003NL 10.6
5 x 6 TPH8R903NL 8.9
3 x 3 TPN8R903NL 8.9
5 x 6 TPH7R506NH 7.5 TPH8R008NH 8 TPH8R80ANH 8.8
3 x 3 TPN7R506NH 7.5
5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9
3 x 3 TPN6R003NL 6
5 x 6 TPH4R003NL 4 TPH4R606NH 4.6 TPH4R008NH 4 TPH4R50ANH 4.5
3 x 3 TPN4R303NL 4.3
5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3
3 x 3 TPN2R703NL 2.7
5 x 6 TPH1R403NL 1.4
3 x 3
5 x 6 TPHR9003NL 0.9
3 x 3
Ron(10V)max
8mΩ
6mΩ
4mΩ
30mΩ
50mΩ
100mΩ
15mΩ
<1mΩ
12mΩ
>200mΩ
20mΩ
2mΩ
10mΩ
1mΩ
PKG250V30V
VDSS
100V 150V 200V80V60V
Half-Bridge Converter ( 100-200W )
( Vin=36-75V , Vout=3.3-5V )
Half-Bridge Converter ( 100-200W )
( Vin=36-75V , Vout=3.3-5V )
Secondary
Primary
UMOS -HⅧ 应用于隔离的 DC-DC 转换器( 3 )
+Vin
Control Circuit+Vout
DriveCircuit
+Vin
Control Circuit+Vout
DriveCircuit
45東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
5 x 6 S1DT7 205
3 x 3 S1CL9 200
5 x 6 S1DT4 131 TPH1110FNH 112
3 x 3 S1CL8 126
5 x 6 S1DT2 64 TPH6400ENH 64 TPH5200FNH 52
3 x 3 S1CL7 59
5 x 6 TPH3300CNH 33 TPH2900ENH 29
3 x 3 TPN30008NH 30 TPN3300ANH 33
5 x 6 TPH1500CNH 15.4
3 x 3 TPN22006NH 22
5 x 6 TPH14006NH 14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3 x 3 TPN14006NH 13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH 16
5 x 6 TPH11003NL 10.6 TPH12008NH 12.3
3 x 3 TPN11003NL 10.6
5 x 6 TPH8R903NL 8.9
3 x 3 TPN8R903NL 8.9
5 x 6 TPH7R506NH 7.5 TPH8R008NH 8 TPH8R80ANH 8.8
3 x 3 TPN7R506NH 7.5
5 x 6 TPH6R003NL 6 TPH5R906NH 5.9
3 x 3 TPN6R003NL 6
5 x 6 TPH4R003NL 4 TPH4R606NH 4.6 TPH4R008NH 4 TPH4R50ANH 4.5
3 x 3 TPN4R303NL 4.3
5 x 6 TPH3R203NL 3.2 TPH2R306NH 2.3
3 x 3 TPN2R703NL 2.7
5 x 6 TPH1R403NL 1.4
3 x 3
5 x 6 TPHR9003NL 0.9
3 x 3
Ron(10V)max
8mΩ
6mΩ
4mΩ
30mΩ
50mΩ
100mΩ
15mΩ
<1mΩ
12mΩ
>200mΩ
20mΩ
2mΩ
10mΩ
1mΩ
PKG250V30V
VDSS
100V 150V 200V80V60V
POL ( Non-Isolated DC-DC )
( Vin=12V )
POL ( Non-Isolated DC-DC )
( Vin=12V )
POL
UMOS -HⅧ 应用于负载点(非隔离 DC-DC 转换器)
46東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
47東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
网页模拟器入口( To be high-lighted more )
网页模拟器入口设计 / 支持 - 网页模拟器
48東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
应用设计器应用设计器
For MOSFETFor MOSFET
For LDO/Load SWFor LDO/Load SW
交互式规格书交互式规格书
设计记录(即将启用)设计记录(即将启用)
什么是网页模拟器? ( 1 )
49東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
Buck Conv.
Switching Simulation
交互式产品说明(电气的特性模拟)交互式产品说明(电气的特性模拟)
应用设计(电源电路的模拟)应用设计(电源电路的模拟)
ID-VDS
Qg
什么是网页模拟器?( 2 )
50東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
第二步 生成
注册 & 登录
什么是网页模拟器?( 3 )
51東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
DT4 Planer UMOS7(X35) UMOS6/ 7 (X34) LDO Load SwitchTK5P60W TK10A60E TK30E06N1 TPH14006NH TPCA8055- H SSM3J 328R TCR2ENxx series TCK101GTK10A60W TK12A50E TK40E06N1 TPH7R506NH TPCA8056- H SSM6J 503NU TCR2EExx series TCK102GTK10P60W TK5A50D TK58E06N1 TPH5R906NH TPCA8057- H SSM6N57NU TCR2EFxx series TCK104GTK16A60W TK8A50D TK100E06N1 TPH4R606NH TPCA8058- H SSM6J 501NU TCR2DGxx series TCK105GTK31A60W TK10A50D TK35E08N1 TPH2R306NH TPCA8059- H SSM6K504NU TCR3DMxx series TCK106GTK39J 60W TK12A50D TK46E08N1 TPH12008NH TPCA8064- H SSM6P49NU 5 series TCK107GTK62J 60W TK15A50D TK72E08N1 TPH8R008NH TPCA8065- H SSM6N55NU TCK108GTK5A60W TK18A50D TK100E08N1 TPH4R008NH 7 SSM6J 502NU TCK111GTK6A60W TK2Q60D TK22E10N1 TPH1400ANH SSM6J 505NU 8TK7A60W TK4A60DA TK34E10N1 TPH8R80ANH SSM6N58NUTK8A60W TK4A60D TK40E10N1 TPH4R50ANH SSM3J 334RTK12A60W TK6A60D TK65E10N1 TPN22006NH SSM3K324RTK20A60W TK8A60DA TK100E10N1 TPN14006NH SSM3J 332RTK39A60W TK10A60D TK32E12N1 TPN7R506NH SSM3K333RTK100L60W TK12A60D TK42E12N1 TPN30008NH 14TK6P60W TK13A60D TK56E12N1 TPN13008NHTK7P60W TK15A60D TK72E12N1 TPN3300ANHTK8P60W 17 17 TPN1600ANHTK12P60W TPHR9003NLTK16A60W5 TPH11003NLTK31J 60W5 TPH8R903NLTK39J 60W5 TPH6R003NL
22 TPN11006NL17
HVMOS LVMOS ICsUMOS8
19
目前网页模拟器上的产品
52東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
#1#2 #3
网页模拟器的首页(外部服务器)
53東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
搜索和寻找 FET
#1 : MOSFET 的交互式产品说明书(部分选择)
54東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
选择模拟测试条件
或者点击这个按钮开始默认值进行全部的测试
选择测试条件
#1 : MOSFET 交互式产品规格书(分析)
55東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
下载 PDF 版本的总结报告
#1 : MOSFET 交互式产品规格书(摘要)
56東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
#1 :通用电路分析程序 列表
57東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
选择电路拓扑(1)非隔离降压 DC-DC(2)全桥 DC-DC(3)反激 DC-DC(4)PFC+ 全桥 AC-DC(5)PFC+ 反激 AC-DC
设置测试条件
#2 :交互式应用设计(设计要求)
58東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
高边和初级端的 FET 的选择 低边和次级端 FET 的选择
为了匹配测试条件按照 VDSS 分类推荐 FET
自定义的 FET 选择
#2 :交互式应用设计器(产品选择)
59東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
可变的电路 /驱动条件(如果想改变某个元件,可以直接点击此元件)
可选择的驱动条件
可变的驱动电压
#2 :交互式应用设计(分析)
60東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
可选择的波形
测量标记
#2 :交互式应用设计(波形)
61東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
下载 PDF 格式的报告
#2 :交互式应用设计器(摘要)
62東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
#3 :交互式设计注释(部分选择)
63東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
#3 :交互设计注释(设计要求)
64東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
可调整测试条件(点击想改变的器件)
#3 :交互式设计注释(分析)
65東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
66東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
TEHZTEHZTEHZTEHZ
TENJTENJTENJTENJ
TEWHTEWHTEWHTEWH
TEHPTEHP
TESYTESYTESYTESY
TEQDTEQDTEQDTEQD
TEBJTEBJTEBJTEBJ
TELSTELS
TEALTEAL
TETTET
TDMTTDMT
TEDLTEDLTEDLTEDL
TEXMTEXMTEXMTEXM
TESZTESZTESZTESZ
TEXATEXATEXATEXA
TECQTECQTECDTECDTECDTECD
TEDGTEDG
东芝半导体 & 存储产品公司的销售渠道
深圳深圳(( TESZTESZ ))深圳深圳(( TESZTESZ ))
上海( TELS )上海( TELS )
香港( TEAL )香港( TEAL )
台湾( TDMT )
西安 ( TEXA )西安 ( TEXA )
北京( TEBJ )北京( TEBJ )
青岛青岛(( TEQDTEQD ))青岛青岛(( TEQDTEQD ))
大连( TEDL )大连( TEDL ) 沈阳( TESY )沈阳( TESY )
杭州( TEHZ )杭州( TEHZ )
武汉( TEWH )武汉( TEWH )
成都成都(( TECDTECD ))成都成都(( TECDTECD ))
重庆重庆(( TECQTECQ ))重庆重庆(( TECQTECQ ))
厦门厦门(( TEXMTEXM ))厦门厦门(( TEXMTEXM ))
南京( TENJ )南京( TENJ )
东莞( TEDG )东莞( TEDG )
上海黄浦( TEHP )上海黄浦( TEHP )
中国除香港台湾( TELS
)
香港( TEAL )
台湾 ( TET )
67東芝電子(上海)有限公司 TOSHIBA ELECTRONICS ( SHANGHAI ) CO. , LTD.
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