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Propiedades Físicas de Materiales Propiedades Físicas de Materiales
anoestructuradosanoestructuradosLaboratorio de Síntesis y Caracterización Laboratorio de Síntesis y Caracterización
Laboratorio de Propiedades Eléctricas y MagnéticasLaboratorio de Propiedades Eléctricas y Magnéticas
Grupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro AtómicoGrupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro Atómico
Constituyentes, CNEAConstituyentes, CNEA
Integrantes: Leticia Granja, Pablo Levy, Gabriela Leyva, Fernando Marlasca, Francisco Parisi, Griselda Polla, Mariano Quintero, Joaquin Sacanell
Becarios: Cecilia Albornoz, Néstor Ghenzi
Estudiantes: Joaquín Hernández Sánchez, Mariano Paulín
Propiedades Físicas de Materiales Propiedades Físicas de Materiales
anoestructuradosanoestructuradosLaboratorio de Síntesis y Caracterización Laboratorio de Síntesis y Caracterización
Laboratorio de Propiedades Eléctricas y MagnéticasLaboratorio de Propiedades Eléctricas y Magnéticas
Grupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro AtómicoGrupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro Atómico
Constituyentes, CNEAConstituyentes, CNEA
Diseño y Fabricaciónde Muestras
(nanopartículas, películas delgadas,
dispositivos)
Caracterización Estructural y
Morfológica
(RX, TEM, SEM, AFM, etc.)
PropiedadesFísicas
(ρ, M vs T, H, E)
Memoria magnetoresistiva y electroresistiva en Memoria magnetoresistiva y electroresistiva en óóxidosxidos
10000 15000 20000 25000
12
14
16
18
20
22
24
VBD (10-3 V)
time (s)
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
T = 125 K
VBC (10-3 V)
0.0
0.3
0.6
H (T)
1.00 1.25 1.50 1.750.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
ImZ
(Ω.c
m2 )
ReZ(Ω.cm2)
800 nmFast-firing 1100°C T = 700°C
Filtro
Llenado de
poros
Síntesis y Aplicaciones de anoestructurasSíntesis y Aplicaciones de anoestructuras
JACS, 2007, 129, 3066.
Cátodo para celdas de
combustible con nanotubos
Propiedades Estructurales, Eléctricas y Magnéticas de Propiedades Estructurales, Eléctricas y Magnéticas de
anoestructuras para espintrónicaanoestructuras para espintrónica
Conducción → Orientacion relativa entre M y el espin de los portadores de carga.
Densidad electrónica de estados
Potenciales aplicaciones en espintrónica
aislaciónelécticade SiO2
contacto de Au del electrodo superior
superior
pista de manganita
Conducción → Orientacion relativa entre M y el espin de los portadores de carga.
Arreglos de nanopartículas magnéticasArreglos de nanopartículas magnéticas
en matrices de óxidos en matrices de óxidos mesoporososmesoporosos
TEMTiO2, F127
Andres Zelcer, Grupo de Coloides y Nanomateriales, Gerencia Química (CAC-CNEA)
Arreglo ordenado de poros (TiO2, SiO2)
Control del diámetro de los poros (5 – 12 nm)
Partículas magnéticasMagnetita(Fe3O4)Manganita(Por ej. La2/3Sr1/3MnO3)
-1000 -750 -500 -250 0 250 500 750 1000
-4x10-5
-2x10-5
0
2x10-5
4x10-5
M (
emu)
B (Oe)
50 K
Fe3O4 - TiO2
Óxidos magnéticos
Ce+4 O+2
CeO2 TiO2No Magneticos
Aislantes
Defectos:
•Nanoestructuras (películas delgadas, nanopartículas, interfases)
•Dopaje con átomos magnéticos (<10%)
•Desoxigenando – creando vacancias de O
Motivación: Obtener semiconductores y aislantes magnéticos con potenciales aplicaciones en “spintrónica”
-4000 -3000 -2000 -1000 0 1000 2000 3000 4000
-0.00002
0.00000
0.00002
M
H (Oe)
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