badan tenaga nuklir nasional - digilib.batan.go.iddigilib.batan.go.id/e-prosiding/file...

13
BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL PUSAT TEKNOLOGI AKSELERATOR DAN PROSES BAHAN Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 Ykbb, Yogyakarta 55281

Upload: voque

Post on 28-May-2019

226 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

BADAN TENAGA NUKLIR NASIONALPUSAT TEKNOLOGI AKSELERATOR DAN PROSES BAHAN

Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 Ykbb, Yogyakarta 55281

Page 2

Telah dilakukan pembuatan penguat pendorong generator RF untuk siklotronproton 13MeV. Generator RF akan digunakan sebagai sumber teganganpemercepat bolak-balik siklotron DECY-13 rancangan PTAPB-BATAN.Berdasarkan dokumen rancangan dasar siklotron Decy-13 yang telahdibuat, sumber tegangan bolak-balik bekerja pada frekuensi 77,667 MHz dengandaya RF ±10 kW. Pada penelitian sebelumnya telah selesai dibuat RF excitermenggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Agar exciter dapatmendorong penguat daya RF diperlukan penguat pendorong yang keluarannyamampu untuk mengendalikan keluaran daya RF yang diharapkan. Penguatpendorong RF yang saat ini banyak digunakan untuk aplikasi akselerator adalahteknologi transistor LDMOS. Setelah membandingkan beberapa tipe transistorLDMOS prototip yang telah selesai dibuat dipilih menggunakan transistor LDMOStipe BLF578. Hasil pengujian penguat pendorong dengan tegangan kerja 42 Vdcdan keluaran daya RF 400 W, diperlukan arus 15,3 A dan daya pendorong 1,4 W.Setelah dilakukan perhitungan data hasil pengujian, diperoleh nilai koefisienkorelasi linier antara masukan dan keluaran R2=0,992, power gain 23,98 –24,88, power-added efficiency 62 % dan disipasi panas tertinggi 270 W. Dari hasilpengujian dapat disimpulkan bahwa prototip sudah berfungsi dan hasilnya sesuaiyang diharapkan, namun pendingin transistor BLF578 masih perlu disempurnakanagar saat dioperasikan, panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman.

Page 3

Page 4

RF Out

Penguatpendorong

LDMOS300 Watt

Penguat Daya RF10 kW

DDSRF exciter

10 Watt

Page 5

RF out

RF input

Trip/Alarm

Drv. pwr

TeganganArus Reflect

Forward

Suhu

Switching Power Supply

48 Vdc

Pengatur Catu Daya22 - 45 Vdc

Penguat RF Klas-AB

LDMOS-BLF578Atenuasi

RF

Atmega16Penampil & Sistem Trip

LCD Panel LMB 62ADC

Directional Coupler

12

34

5

1.Drain 12.Drain 23.Gate 14.Gate 25.Source

Page 6

Penguat RF Pendorong

LDMOS-BLF578

Bird RF Directional Thruline Wattmeter

Model 43RF DDSExciter

Pengujian dilakukan dengan memberi masukan sinyal RF berasaldari RF DDS exciter yang daya RF keluarannya dapat diatur dari0–10 Watt. Penguat RF pendorong daya keluarannya diukurmenggunakan Bird RF Directional Thruline Wattmeter Model 43dan sebagai beban keluaran digantikan dengan resistor yangimpedansinya sesuai dengan keluaran penguat RF pendorongyaitu dummy resistor 50 Ω

Page 7

1 2

3

45

66 17 8

110

1. Modul penguat RF LDMOS BLF5782. Resistor atenuasi3. Blower pendingin4. Catu daya switching 48 Vdc5. Modul pengatur tegangan catu daya

transitor BLF5786. Trafo catu daya blower7. Catu daya 12 Vdc8. Modul mikrokontroler Atmega169. Panel LCD LMB162AD10.Kipas penghisap udara

9

1 2 63

45

1. Switch ON/OFF2. Tombol reset trip3. Tombol pemilihan menu operasi4. Liquid Crystal Display 5. Indikator trip:

CURR (arus penguat RF)VDD (tegangan penguat RF)REFL (Refected power)TEMP (suhu pendingin penguat RF)

6. Konektor DB-9 (RS-232)

Page 8

y = 310.6x - 22.73R² = 0.992

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4

Kel

uara

n D

aya

RF

[W]

Masukan Daya RF [W]

Dari data grafik telah dilakukan perhitungan dan diperolehpersaman regresi linier y = 310,6x - 22,73 dengan R2 = 0,992sehingga dapat disimpulkankan bahwa antara masukan dankeluaran daya RF mempunyai korelasi yang sangat kuat.

Page 9

Hasil pengukuran dan perhitungan diperoleh power gain penguatpendorong dengan rentang gain 23,98 – 24,88. Hasil ini sesuaidengan “Product data sheet Power LDMOS transistor BLF578Rev.02 4 Feb. 2010”, yang mana dinyatakan bahwa power gainBLF578 minimum 24 dan tipikal-nya adalah 25.

0.00

5.00

10.00

15.00

20.00

25.00

30.00

25 50 75 100 125 168 200 238 300 350 400

Gai

n [d

B]

Keluaran daya RF [W]

)(*10in

out

PPLOGgain =

Page 10

0

10

20

30

40

50

60

70

0 50 100 150 200 250 300 350 400

PAE

[%]

Keluaran daya RF [W]

Pada keluaran daya RF 400 Watt diperoleh PAE 62 %. Hasil inicukup memuaskan, meskipun masih harus ditingkatkan karena“Product data sheet Power LDMOS transistor BLF578” dinyatakanbahwa PAE 70 %.

Page 11

0255075

100125150175200225250275300

0 50 100 150 200 250 300 350

Dis

ipas

i Day

a R

F [W

]

Keluaran Daya RF [W]

Disipasi tertinggi keluaran daya RF 400 Watt adalah 270 Wattsehingga perlu diperhatikan apakah pendingin yang terpasangsudah memenuhi syarat karena luasan flens pendingin BLF578adalah 4,25 cm2

Page 12

Telah selesai dibuat penguat pendorong generator RF untuksiklotron DECY-13 menggunakan teknologi transistor LDMOSBLF578. Penguat pendorong RF telah diuji dengan tegangan kerja42 Volt, masukan daya RF mulai 0,1–1,3 Watt dan diperoleh keluarandaya RF 25–400 Watt. Pada keluaran daya 400 Watt penguat RFpendorong menarik arus 15,3 A.

Data hasil pengujian setelah dihitung diperoleh: nilai koefisienkorelasi linier antara masukan dan keluaran R2 = 0,992, power gain23,98 – 24,88, Power-added efficiency 62 % dan disipasi panastertinggi 270 W.

Meskipun prototip sudah berhasil dibuat dan hasilnya sesuaiyang diharapkan, tetapi pendingin transistor BLF578 masih perludisempurnakan agar pada saat dioperasikan secara kontinyu panasyang ditimbulkan masih dalam batas aman.

Page 13