UNIVERSIDAD DEL VALLE DE MEXICO CAMPUS HISPANOAlumna: Prez Tovar Samantha Minerva

CARRERA: Ingeniera en Sistemas Computacionales

TRABAJO: Cuestionarios Electrnica

PREGUNTAS DE REPASO 1-3 1.-Los electrones libres Estn en la banda de valencia o en la de conduccin? En la banda de valencia 2.- Qu electrones son responsables de la corriente en un material? El ltimo electrn es el responsable de generar la corriente de un material 3.- Qu es un hueco? Es el espacio de la ltima orbital 4.- A qu nivel energtico ocurre corriente de huecos? Ocurre en el ltimo nivel energtico ya que la fuerza de los dems tomo hace que el ltimo electrn se salga de su rbita y eso provoca un hueco y el electrn de atrs se pasa a ese hueco pero deja otro hueco 5.- Por qu un semiconductor posee menos electrones libres que un conductor? Presenta el nivel lleno y presenta un salto ms abrupto para lograr q los electrones pasen a la banda de conduccin PREGUNTAS DE REPASO 1-4 1.-Defina el dopado En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado. 2.- Cul es la diferencia entre un tomo pentavalente y un tomo trivalente? . El tomo pentavalente tiene originalmente 5 electrones en su rbita de valencia tomo trivalente aporta solo tres electrones de su rbita de valencia, nicamente siete electrones se movern en esta orbit 3.- Cmo se forma un semiconductor tipo n? Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.

4.- Cmo se forma un semiconductor tipo p? Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). 5.- Cules son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo n? Electrones negativos 6.- Cuales son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo p? Positivos o huecos 7.- Cul es el proceso mediante el cual se forman los portadores mayoritarios? En electrnica y especficamente en teora de semiconductores, se denominan portadores mayoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en exceso en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. 8.- Cul es el proceso mediante el cual se forman los portadores minoritarios? En electrnica y especficamente en teora de semiconductores, se denominan portadores minoritarios a las partculas cunticas encargadas del transporte de corriente elctrica que se encuentran en menor proporcin en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. PREGUNTAS DE REPASO 1-5 1.- Qu es una unin pn? Frontera entre dos tipos diferentes de materiales semiconductores 2.- Cmo se forma la capa de empobrecimiento? Regin de un semiconductor donde esencialmente todos los portadores de carga se han barrido por el campo elctrico existente 0,7 en el caso del y 0,3 V si los cristales son de germanio. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc. 3.- En la capa de empobrecimiento, hay portadores mayoritarios? No ya que desaparecen debido a la polarizacin inversa 4.- Cul es el valor de potencial de la barrera de silicio? y y 0.3 V para diodos de Ge. 0.7 V para diodos de Si.

PREGUNTAS DE REPASO 1-6 1.- Cules la diferencia entre polarizacin en directa y polarizacin en inversa en trminos de la corriente que pasa por el diodo? Polarizacin directa del diodo En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. Polarizacin inversa del diodo En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera 2.- Qu condicin de polarizacin produce corriente de portador mayoritario? PN 3.- Qu voltaje valor mnimo debe tener el voltaje de polarizacin a fin de polarizar en directa un diodo de silicio? 0.7 volts 4.- Explique cmo polarizar en directa un diodo Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. 5.- Explique cmo polarizar en inversa un diodo En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera 6.- Qu sucede a la capa de empobrecimiento cuando se incrementa el voltaje de polarizacin inversa? Los portadores mayoritarios desaparecen debido a que se incrementa el voltaje de polarizacin inversa 7.- Qu ocurre cuando el voltaje de polarizacin inversa se vuelve excesivamente alto? Ocurre una ruptura de avalancha. Origina un rapido establecimiento de corriente en inversa