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Mecanismos de conducción Ing. Alberto Alvarado Rivera

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MECANISMO DE CONDUCCION

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Mecanismos de conducción

Ing. Alberto Alvarado Rivera

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Si bien es cierto en condiciones de equilibrio tenemos una corriente cero en el semiconductor, si este es perturbado por una excitación interna dará lugar a una conducción de corriente. Por lo tanto el semiconductor estará sujeto a tres tipos de casos: • Arrastre • Difusión • Generación – Recombinación de portadores

Estos casos ocurren simultáneamente en un semiconductor los cuales haciendo un análisis se obtiene una relación denominada ecuación de la continuidad.

Ing. Alberto Alvarado Rivera

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# port. Positivos=concent.xvolumen

Carga asociada a portadores

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Jap = pxexVarrastre

Jan = nxexVarrastre

Por lo tanto

Jap = p x e x µp x E

Jan = n x e x µn x E

Densidad de corriente total de arrastre

Jtotal = Jap + Jan

Ing. Alberto Alvarado Rivera

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Si hay diferencias en las concentraciones de portadores, el movimiento aleatorio produce un reordenamiento que tiende a equilibrar las concentraciones, produciendo un movimiento de portadores, desde las regiones de mayor concentración hacia las de menor concentración

La difusión es el proceso por el cual las partículas tienden a dispersarse o redistribuirse como resultado de su movimiento termico, emigrando desde regiones de alta concentración hasta regiones de baja concentración. Analogía : Piénsese en un frasco de perfume abierto y colocado en un rincón del aula. Incluso sin corrientes de aire, el movimiento errático térmico desparramará las moléculas de perfume por todo el aula en un tiempo relativamente corto.

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Dn , Dp son constantes de difusión de electrones y huecos cm2/seg

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Relación de Einstein

En un semiconductor puede existir simultáneamente corrientes de arrastre de electrones y huecos y corrientes de difusión de electrones y huecos. La densidad de corriente total es la suma de componentes

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