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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIACENTRO DE TECNOLOGIAPROGRAMA DE PÓS GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA ELÉTRICA

CONCEPÇÃO, ANÁLISE E PROJETO DE CONVERSORES CC-CC PWM

COM COMUTAÇÕES EM ZERO DE CORRENTE E ZERO DE TENSÃO,

SIMULTANEAMENTE

CONCEPCONCEPÇÇÃO, ANÃO, ANÁÁLISE E PROJETO LISE E PROJETO DE CONVERSORES CCDE CONVERSORES CC--CC PWM CC PWM

COM COMUTACOM COMUTAÇÇÕES EM ZERO DE ÕES EM ZERO DE CORRENTE E ZERO DE TENSÃO, CORRENTE E ZERO DE TENSÃO,

SIMULTANEAMENTESIMULTANEAMENTEMestrando: Eng. Carlos Marcelo de Oliveira Stein

Orientador: Prof. Dr. Hélio Leães Hey

TransiTransiçção em Zero de Tensão (ZVT)ão em Zero de Tensão (ZVT)

iSvS

Turn-off:Pseudo ZVS

INPUT OUTPUT

Turn-on:True ZVS

INPUT OUTPUT

Auxiliary NetworkAuxiliary NetworkAuxiliary NetworkAuxiliary Network

TransiTransiçção em Zero de Corrente (ZCT)ão em Zero de Corrente (ZCT)

iSvS

Turn-off:True ZCS

Turn-on:Pseudo ZCS

INPUT OUTPUT INPUT OUTPUT

AuxiliaryNetworkAuxiliaryNetwork


Soft Switching TechniquesSoft Switching Techniques

true ZVS

pseudo ZVS

pseudo ZCS

true ZCS

ZCTZCT

iSvS

true ZVS

true ZCS

ZCZVTZCZVT

iSvS

ZVTZVT

iSvS

TransiTransiçção em Zero de Correnteão em Zero de Correntee em Zero de Tensão (ZCZVT)e em Zero de Tensão (ZCZVT)

iSvS

Turn-on:True ZVS

Turn-off:True ZCS

INPUT OUTPUT


INPUT OUTPUT


ZCZVT PWMZCZVT PWMZCZVT PWM

Dispositivo Entrada em condução BloqueioChave principal S ZCS e ZVS ZCS e ZVSDiodo de saída DRL ZVS ZCS e ZVSChave auxiliar SA ZCS ZCS e ZVS

Componentes auxiliares localizados FORA do caminho do fluxo de potência;

NÃO HÁ sobretensão nos semicondutores;Comutações suaves VERDADEIRAS para a chave principal.

L DRL

+ +

Iin

LR

DA1

DA2

CR2CR1

SA

Vi VoSDS

Etapa 08: t7, t8Etapa 07: t6, t7Etapa 06: t5, t6Etapa 05: t4, t5Etapa 04: t3, t4Etapa 03: t2, t3Etapa 02: t1, t2Etapa 01: t0, t1

ENTRADAEM CONDUÇÃOENTRADAENTRADAEM CONDUEM CONDUÇÇÃOÃO

L DRL

+ +

I in

L R

DA1

DA2

CR2CR1

SA

Vi VoSDS

SSAVo

Vi

Iin

IL2

IL4

VC11

Iin

Vo

Iin

-Vi

vS(t) iS(t)

-vDRL(t)

iDRL(t)

iLR(t)

vCR1(t)

Etapa 1: t0, t1Etapa 14: t13, t0Etapa 13: t12, t13Etapa 12: t11, t12Etapa 11: t10, t11Etapa 10: t9, t10Etapa 09: t8, t9Etapa 08: t7, t8

BLOQUEIOBLOQUEIOBLOQUEIO

iDRL(t)

L DRL

+ +

I in

L R

DA1

DA2

CR2CR1

SA

Vi VoSDS

vS(t)

iS(t)

-vDRL(t)

iLR(t)

vCR1(t)

SSA

Vo

Vi

Iin

IL11

VC11

Iin

Vo

Iin

-Vi

VC213

VC212VC211

L DRL

+ +

I in

L R

DA1

DA2

C R2CR1

SA

Vi VoSDS

PLANO DE FASEPLANO DE FASEPLANO DE FASE

EQUAÇÕES DE TERCEIRA ORDEM

INVIABILIZA A APLICAÇÃO DE TÉCNICAS CONVENCIONAIS

3 COMPONENTES RESSONANTES

PLANO DE FASEPLANO DE FASEPLANO DE FASE

NORMALIZAÇÃO

REDUÇÃO DE ORDEM

titiRL

tvtvtvRCRC 12

in

RL

inn I

ti

Ititi

xin

RCRC

xinn ZI

tvtv

ZItvtv 12

t0, t1t7, t8

t2

t3

t4

t5

t6

t9t10

t11

t12

t13

PLANO DE FASEPLANO DE FASEPLANO DE FASE2,5

2

1,5

1

0,5

-0,5

0

-1

-1 10 2

DESCONTINUIDADES

nv

ni

2R

e

CC

Semrestrições

ZCS

Entrada emcondução

Condição:

ZCS e ZVS

Bloqueio

CHAVEAUXILIAR

Comutações Suaves - RestriçõesComutaComutaçções Suaves ões Suaves -- RestriRestriççõesões

Condição:

ZCS e ZVS

Entrada emcondução

Condição:

ZCS e ZVS

Bloqueio

CHAVEPRINCIPAL

io VV 2 11

in

i

IZV

013 t

EXEMPLO DE PROJETOEXEMPLO DE PROJETOEXEMPLO DE PROJETOEspecificações:

Relação de tensão:

1935,2155340

i

ov VVk

Parâmetro Valor

Potência de saída do conversor Po = 1000 W

Tensão de saída Vo = 340 V

Tensão de entrada Vi = 155 V ( 10% )

M ínimo rendimento desejado 0,95

Variação da corrente do indutor de entrada IL% 50%

RESULTADOS DE SIMULAÇÃORESULTADOS DE SIMULARESULTADOS DE SIMULAÇÇÃOÃO

ZCS; ZVS ZCS; ZVS

CHAVE PRINCIPALCHAVE PRINCIPALCHAVE PRINCIPAL

vS

iS

(escalas: 100 V/div.; 5 A/div.; 2,5 s/div.)

Vo


iLR

vSA

CHAVE AUXILIARCHAVE AUXILIARCHAVE AUXILIAR


ZCS ZCSZCS; ZVSZCS; ZVS


iDRL

vDRL

ZVS ZCS; ZVS

DIODO DE SAÍDADIODO DE SADIODO DE SAÍÍDADA


Vo

Componente Parâmetro Componente ParâmetroVi (entrada) 155 V L (filtro) 1 mH, 50 espiras (E-65/26)Vo (saída) 340 V LR 5 H, 6 espiras (E-42/15)

Razão Cíclica 0,48 CR1 e CR2 33 nF (polipropileno)Potência de Saída 1000 W S e DS HGTP7N60C3D (600 V, 7 A)

Freqüência 40 kHz SA e DA1 HGTP3N60C3D (600 V, 3 A)Cf (filtro) 330 F (eletrolítico) DRL e DA2 RHRP870 (700 V, 8 A)

RHRP870

RHRP870

L

LR

DA2

CR1+

Vi CR2+

Cf+HGTP3N60C3D

HGTP7N60C3D

DRL

S RL

SA

RESULTADOS EXPERIMENTAISRESULTADOS EXPERIMENTAISRESULTADOS EXPERIMENTAIS


ZCS; ZVS ZCS; ZVS

CHAVE PRINCIPALCHAVE PRINCIPALCHAVE PRINCIPAL

vS

iS


Vo

iLR

vSA


CHAVE AUXILIARCHAVE AUXILIARCHAVE AUXILIAR


ZCS ZCSZCS; ZVSZCS; ZVS

iDRL

vDRL


ZVS ZCS; ZVS

DIODO DE SAÍDADIODO DE SADIODO DE SAÍÍDADA


Vo

90919293949596979899

100

350 450 550 650 750 850 950 1050Potência de Saída (W)

Rend

imen

to (%

)

CURVA DE RENDIMENTOCURVA DE RENDIMENTOCURVA DE RENDIMENTO

97,9 %

COMUTAÇÕESCOMUTACOMUTAÇÇÕESÕESL DRL

+ +

I in

L R

DA1

DA2

C R2C R1

SA

Vi VoSDS

Dispositivo Entrada em condução BloqueioChave principal S ZCS e ZVS ZCS e ZVSDiodo de saída DRL ZVS ZCS e ZVSChave auxiliar SA ZCS ZCS e ZVSDiodo auxiliar DS ZVS ZCS e ZVSDiodo auxiliar DA1 ZCS e ZVS ZCSDiodo auxiliar DA2 ZVS ZCS e ZVS

C O N C L U S Õ E SC O N C L U S Õ E SC O N C L U S Õ E S Comutações suaves para todostodos os dispositivos

semicondutores; Operação PWM; É adequada tanto com dispositivos do tipo

portadores minoritminoritááriosrios como com dispositivos do tipo portadores majoritmajoritááriosrios;

Não hNão háá sobretensão nos dispositivos; A recuperação reversa do DRL é minimizadaminimizada; O circuito auxiliar está localizado fora do caminhofora do caminho

do fluxo de potência sendo acionado apenas durante as comutadurante as comutaççõesões;

Nas implementações práticas não foi necessnão foi necessááriorio o uso de circuitos grampeadores.

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