do an dien tu ung dung on ap buck dung ic555 861
TRANSCRIPT
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 1
PHẦN A : PHẦN LÝ THUYẾT 1. Tổng quan về ổn áp xung:
1.1 Khái niệm: Ổn áp xung còn gọi là ổn áp đóng ngắt, là ổn áp dựa trên nguyên lý hồi tiếp (nguyên
lý bù), trong đó phần tử điều chỉnh làm việc ở chế độ xung. Ổn áp xung có những ưu điểm vượt trội so với ổn áp tuyến tính như sau:
Ưu điểm: - Có tổn hao ít nên hiệu suất cao (thường trên 80%) - Độ ổn định cao do phần tử điều khiển làm việc ở chế độ xung - Thể tích và trọng lượng bộ nguồn nhỏ Nhược điểm chính của ổn áp xung: - Phân tích, thiết kế phức tạp - Bức xạ sóng, can nhiễu trong dải tần số rộng do đó cần có bộ lọc xung ở ngõ vào
nguồn và bộ nguồn phải được bọc kim. 1.2 Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của ổn áp xung: 1.2.1. Sơ đồ khối:
Nguồn DC chưa ổn định
Phần tử điều chỉnh Lọc Tải
Lấy mẫu So sánh Nguồn xung Điều chế
Điều chỉnh điện áp
1.2.2. Nguyên lý hoạt động:Nguồn DC chưa ổn định được đưa đến phần tử điều chỉnh làm việc như một khóa điện
tử. Khi khóa dẫn thì nguồn nối đến ngõ ra. Khi khóa tắt thì cắt nguồn DC ra khỏi mạch. Như vậy tín hiệu ở ngõ ra của khóa là một dãy xung, do vậy muốn có tín hiệu DC ra tải phải dùng bộ lọc LC. Tuỳ thuộc vào tần số và độ rộng của xung ở ngõ ra của khóa mà trị số điện áp 1 chiều trên tải có thể lớn hay nhỏ. Để ổn định điện áp DC trên tải, người ta thường so sánh nó với mức điện áp chuẩn. Sự sai lệch sẽ được biến đổi thành tín hiệu xung để điều khiển khóa điện tử. Có 3 phương pháp thực hiện tín hiệu điều khiển:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 2
- Điều chế độ rộng xung: giữ tần số tín hiệu xung không đổi nhưng thay đổi độ rộng xung làm thay đổi điện áp ra. - Điều chế tần số xung: giữ độ rộng xung không thay đổi nhưng thay đổi chu kỳ tín hiệu xung làm thay đổi điện áp ra. - Điều chế xung: vừa thay đổi độ rông xung, vừa thay đổi độ rộng xung.
1.3 Phân loại ổn áp xung: có 4 loại ổn áp xung - Ổn áp Buck: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn ngõ vào. - Ổn áp Boost: là loại ổn áp có điện áp trung bình ngõ ra lớn hơn ngõ vào. - Ổn áp Buck_Boost: là loại ổn áp có điện áp ngõ ra lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào. - Ổn áp Cuk: là ổn áp có điện áp ngõ ra có thể lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp ngõ vào nhưng cực tính ngược với điện áp ngõ vào.
1.4 Ổn áp xung kiểu Buck:Ổn áp Buck là loại điện áp trung bình ngõ ra nhỏ hơn điện áp ngõ vào, hoạt động theo
phương pháp điều chế độ rộng xung. 1.4.1. Sơ đồ mạch:
C D
3
2
1
VO VS
L Q
1.4.2. Nguyên lý hoạt động:
Điều chế độ rộng xung K
Lấy mẫu
So sánh
Tạo điện áp chuẩn
Nguồn xung
Q làm việc như một khóa điện tử, đóng hoặc mở với tần số không đổi. Xung điều khiển có tần số f do khối tạo xung nhịp tạo ra. Phần điều khiển thực hiện việc so sánh điện áp ra với điện áp chuẩn, kết quả sự sai lệch đựơc khuếch đại lên. Mạch điều chế xung căn cứ vào sự sai lệch điện áp để điều chế độ rộng xung, tạo xung vuông có độ rộng thay đổi để đưa đến transistor điều khiển thời gian điều khiển của nó. Trong khoảng thời gian không tồn tại xung điều khiển, dòng ra được bảo đảm nhờ tụ C và cuộn cảm L.
Gọi tx là thời gian mở của transistor chuyển mạch.
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 3
Điện áp trung bình trên tải:
∫=xt
sdtvT
v0
01 = s
x VTt
⇒Tt
VV x
s=0
Vì: sx VVTt ≤≤⇒≤≤ 000 Vậy điện áp ra luôn nhỏ hơn điện áp vào. 1.4.3. Phương pháp tính toán ổn áp Buck: * Sơ đồ mạch:
iL
D Taûi
VS iO IO
Ñieàu khieån
iC
L
IC
C
Q 2
1
3
Hoạt động của mạch chia làm 2 mode: Mode 1: Ứng với thời gian BJT Q dẫn bão hòa ( 0≈CEsatV )
VO
-
Taûi iC
iO
VS CIC
+ LiS = iL
Bắt đầu khi Q dẫn ở tại thời điểm bằng t = 0, nếu bỏ qua thì CEsatV ⇒= sD VV D tắt.
Dòng ngõ vào chạy qua L, tụ C và tải. Điện áp qua L: dt
diLe LL =
Trong thời gian thì dòng cuộn dây tăng tuyến tính từ : 1t 21 II →
0
111
120 VV
ILttIL
tIILVVV
ssL −
Δ=⇒
Δ=
−=−= (1.1)
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 4
Mode 2: Trong khoảng thời gian t2.
VO
-
TaûiiC
iO
CIC
D
+ L
Bắt đầu khi Q tắt tại t = t1. Dòng qua L giảm đột ngột xuất hiện suất điện động tự
cảm có chiều như hình vẽ để chống lại sự giảm. Lúc này, D dẫn và L đóng vai trò là nguồn xả năng lượng từ trường qua L, C, D và tải. Dòng qua L giảm từ cho đến khi Q dẫn trở lại trong chu kì kế tiếp.
→
21 II →
Điện áp ngang qua L:
0
222
120 V
ILtt
ILt
IILVVLΔ
=⇒Δ
=−
== (1.2)
Từ (1) và (2) ta có:
)(
..
000021 VVV
VILV
ILVV
ILttTs
s
s −Δ
=Δ
+−Δ
=+= (1.3)
Mà: kVV
kVTT
VVs
sso =⇒== 00
Từ (3) suy ra: s
ss
s
s
VVV
VV
fLVVVV
LTI
)1(1)(
.
00
00−
=−
=Δ
fL
kVkI s)1( −=Δ (1.4)
IΔ : độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn L IΔ càng bé thì dòng ra càng bằng phẳng Theo định luật Kirchoff’s: 0iii CL += ; 0iii CL Δ+Δ=Δ⇒ 0iΔ : dòng gợn sóng trên tải, rất nhỏ.
2Iii CL
Δ=Δ≈Δ⇒ (1.5)
Dòng trung bình trên tụ:
42
1 2
0
IdtIT
IT
CΔ
=Δ
= ∫ (1.6)
Điện áp trên tụ: ∫ =+= )0()(1)( tvdttiC
tv CCC
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 5
Điện áp gợn sóng đỉnh-đỉnh của tụ:
fCIdtI
Cdtti
CvtvVV
TT
CCCC 841)(1)0()(
2
0
2
00
Δ=
Δ==−=Δ=Δ ∫∫ (1.7)
Thay IΔ từ (4) vào (7), ta được:
LCfkVk
V sC 28
)1( −=Δ (1.8)
Từ (4) và (8) ta có thể chọn L, C nếu biết độ gợn dòng đỉnh - đỉnh của cuộn và độ gợn áp đỉnh - đỉnh của tụ bằng công thức sau:
IfkVk
L s
Δ−
=)1(
(1.9)
0
28)1(
VLfkVk
C s
Δ
−= (1.10)
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 6
* Dạng sóng: Vo sV t Li 1t 2t 2I 1I t si 2I 1I t Ci 02 II − t 01 II − 0vvC = 0v t 0i 0I t
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 7
2 Các thành phần của mạch:2.1 Vi mạch định thời IC 555:IC 555 gồm 2 mạch khuếch đại thuật toán SS1, SS2 thực hiện chức năng so sánh, một
RS Flip Flop, 1 BJT Q1 và 3 điện trở R có giá trị 5K, 1 cổng NOT. Sơ đồ vi mạch định thời IC555:
RSFF
Q1
RE
4
+
-
8
2
5R 5K
R
6
3
7
+
-
S
Q
R 5K
R 5K
1
Chân 1: chân mass. Chân 2: chân kích khởi ( trigger ). Chân 3: chân ngõ ra. Chân 4: chân Reset: “0” cấm, “1” cho phép mạch làm việc. Chân 5: chân điều khiển bằng điện thế. Nếu không dùng thì nối qua tụ 0.01μF tới
mass. Chân 6: chân ngưỡng (chân thềm). Chân 7: chân ngõ ra phụ. Chân 8: nguồn Vcc, bộ Opamp SS2 có mức ngưỡng điện thế là 2/3Vcc, bộ SS1 có
điện thế ngưỡng là 1/3Vcc.
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 8
Bảng trạng thái: S R Q 0 0 Qo 0 1 0 1 0 1 1 1 x
2.2 Mạch dao động đa hài không trạng thái bền dùng IC555: a. Sơ đồ mạch và dạng sóng:
Cv
CCV32
CCV3
1
t 1t 2t 3t outV 1log icV t
b. Nguyên lý hoạt động: Đây là mạch dao động đa hài có 2 trạng thái nhưng cả 2 trạng thái đều không bền.
Nhờ có sự thay đổi điện áp trên tụ C mà mạch luôn tự động chuyển đổi trạng thái và luôn tạo độ dài xung ra.
* 0 ≤ t < t1: giả sử mạch ở trạng thái không bền ban đầu. Ngõ ra = 10V 0=⇒ RSFFQ , BJT Q1 tắt: không có dòng đổ qua BJT Q1⇒ tụ C được nạp điện từ nguồn Vcc qua điện trở R1 qua Diode D với chiều như hình vẽ để hướng đến giá trị . Tụ càng nạp thì điện
áp trên tụ càng tăng ( tăng ) cho đến khi áp trên tụ
CCV
Cv CCC Vvvv32
≥== )2()6( . Lúc đó:
01
1:
0:
0
2
1
=⇒=⇒=→>
=→>−+
+−
vQSvvSS
RvvSS
IC 555R2
C
Vout
U3
2
5
3
7
6
481
TR
CV
Q
DIS
THR
R
VC
CG
ND
Vcc
0.01uF
R1
D
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 9
Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái không bền ban đầu và chuyển sang trạng thái không bền thứ 2.
* ≤ t < : 1t 2tTại thời điểm t = t1: mạch tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2. Q =1, = 0. Vì Q = 1
nên BJT Q0v
1 dẫn tụ C xả điện tích qua R→ 2 → chân số 7 → BJT Q1 → mass. Tụ càng xả thì điện áp trên tụ càng giảm → điện áp tại chân số 2 và chân số 6 cùng giảm xuống. Khi
điện áp trên tụ C giảm đến giá trị CCCCC VvV32
≤ ≤ 31
thì ta có:
0:
0:
2
1
=⇒>
=⇒>+−
+−
SvvSS
RvvSS
⇒ Q vẫn giữ nguyên trạng thái cũ trước đó (Q = 1) ⇒ do đó tụ C tiếp tục xả cho đến
khi CCC Vv31
≤ (điện thế ngưỡng của bộ SS1), mà nên suy ra: )2()6(v == vvC
0:
1:
2
1
=⇒>
=⇒<+−
+−
SvvSS
RvvSS10 0 =⇒=⇒ vQ
Mạch chấm dứt thời gian tồn tại ở trạng thái không bền thứ 2 và bắt đầu chuyển sang trạng thái không bền ban đầu. Vì Q = 0 BJT Q⇒ 1 tắt không có dòng đổ qua BJT Q⇒ 1
→ tụ C được nạp điện bổ sung (vì nó vẫn còn giữ Vcc31
do điện thế ở chân số 2 chặn trên)
và quá trình cứ tiếp diễn như vậy để liên tục tạo độ dài xung ra. c.Tính độ dài xung ra: Gọi: là thời gian ứng với ngõ ra = 1 1T ov là thời gian ứng với ngõ ra = 0 2T ov T là chu kì dao động của mạch : T = + 1T 2T* Tính : 1T Phương trình nạp của tụ C:
[ ] )0(1)0()()( 1C
t
CCC vevvtv +⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−−∞= τ−
với vC (0) = 31
VCC , vC (∞) = VCC
CC
t
CCC VeVtv 3113
2)( 1 +⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=⇒ τ−
Khi t = : 1T CCC VTv32
=)( 1
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 10
CC
T
CCCC VeVV 3113
23
2 11
+⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=⇒ τ−
2ln2ln21
211 111
11
11
CRTeeTT
=τ=⇒=⇒=−⇒ τ−τ−
Vậy thời gian nạp của tụ là 11 7,0 CRT = (2.1) * Tính : 2TPhương trình xả của tụ C:
[ ] )()()0()( 2 ∞+∞−= τ−C
t
CCC vevvtv
với vC (0) = 32
VCC , vC (∞) = 0
23
2)( Tt
CCC eVtv−
=⇒
Khi t = thì 2T CCC VTv 31)( 2 =
22 7,032
31 2
2
CRTeVVT
CCCC =⇒=⇒ τ−
Vậy thời gian xả của tụ C là 22 7,0 CRT = (2.2) T = + = 0,7C (1T 2T 21 RR + ) Vậy chu kỳ dao động là T = 0,7C ( 21 RR + ) (2.3) 2.3 Mạch dao động đa hài 1 trạng thái bền dùng IC555: a.Sơ đồ mạch và dạng sóng: iv
CCV
CCV31
t1 t
Cv
CCV32
t 0v
1log icV 0T t
Vcc
R
8 4U3
TR
CV
Q
DIS
THR
R
VC
CG
ND
7
6
Vi2
5
3
1
Vout
C0.01uF
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 11
b. Nguyên lý hoạt động:* 0 ≤ t < : Mạch ở trạng thái bền 1t
CCi
RSFF
VvQv
==
=1
00
1==⇒ RS . Transistor dẫn bão hoà.
Vì tụ C mắc song song với transistor nên →≈=== VVvvv CEC 02,0S)7( tụ C không được nạp điện. Mạch luôn tồn tại trạng thái bền. * ≤ t < : Mạch ở trạng thái không bền. 1t 01 Tt +
t = : Mạch được kích khởi bằng tín hiệu kích khởi 1t CCi Vv31
≤ đưa vào chân số 2 của
IC555. Ở bộ so sánh 1 có 101 0 =⇒=⇒=⇒< +− vQRvv . Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái bền và chuyển sang trạng thái không bền. Lúc này vì Q = 0 nên transistor T tắt ⇒ tụ C được nạp điện từ nguồn Vcc qua R. Tụ càng nạp thì áp trên tụ càng tăng mà nên khi )6(vvC = CCC Vv 3
2> thì ở bộ so sánh 2 có 1=⇒≤ +− Svv , lúc này R
= 0 vì thời gian tồn tại xung kích khá nhỏ 01 0 =⇒=⇒ vQ . Mạch chấm dứt thời gian tồn tại trạng thái không bền và bắt đầu chuyển sang trạng thái phục hồi. * t : giai đoạn phục hồi 01 Tt +≥Do Q = 1, = 0 ⇒ T dẫn tụ xả qua T cho đến khi 0v ⇒ 0≈Cv . Sau khi kết thúc giai đoạn phục hồi mạch trở về trạng thái bền ban đầu. c.Tính độ dài xung ra: là thời gian cần thiết để tụ C tăng từ 0 0T CCV3
2→ Phương trình nạp của tụ :
[ ] )0(1)0()()( 1C
t
CCC vevvtv +⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−−∞= τ−
mà CCC
C
Vvv
=∞=
)(0)0(
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=⇒ τ−
11)(t
CCC eVtv
Khi t = 0T CCC VTv 32)( 0 =⇒
)1(32 1
0τ−
−=⇒T
CCCC eVV
(2.a) 3ln0 RCT =⇒ * Tính thời gian phục hồi: Phương trình xả của tụ:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 12
[ ] )()()0()( 2 ∞+∞−= τ−C
t
CCC vevvtv
với 0)(,32)0( =∞= CCCC vVv
khi t = phT 0)( 0log ≈=⇒ icphC VTv
0log2
32
ic
T
CC VeVph
=⇒ τ−
CC
icT
VV
eph
0log2
32 =⇒ τ−
0log
32ln
ic
CCph V
VRCT =⇒
2.4 Mạch so sánh và khuếch đại: FR N 1R 1v 0v 2v 2R PR Phương trình dòng điện tại nút N:
00
1
1 =−
+−
F
NN
RUv
RUv
FF
N Rv
Rv
RRU 0
1
1
1
11+=⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+
1
1
1
0 11Rv
RRU
Rv
FN
F−⎟⎟
⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+=⇒
111
0 1 vRR
RRUv FF
N −⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛+=⇒
Mà FF
PP
PN RRR
vR
RRvUU
+=
+==
1
2
2
2 ( chọn 21, RRRR PF == )
( ) ( )121
120 vvkRRvvv F −=−=⇒
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
2.5 Mạch vi phân:
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 13
iv
rc
d
V t CC
i
0v 1t 2t 3t CCV v 0v t Mạch xén dung để tạo điện áp kích cho IC555 Monostable. * , tụ không được nạp CCi Vvtt =<≤ :0 1 Điện áp ra: CCi Vvv ==0* =0, tụ được nạp từ nguồn qua R hướng đến giá trị , áp ra tăng từ 0 gần
ivttt :21 <≤ CCV CCV→ CCV
* , tụ C xả điện qua D và R cho đến khi và điện áp ra
CCi Vvttt =<≤ :32 VvC 0=
CCi Vvv ≈≈02.6 Mạch bảo vệ: a.Bảo vệ ngắn mạch: k
d relay
r
c
scr
Khi bị ngắn mạch ở tải dòng qua tăng gR⇒>⇒ gSCRR VV
gSCR dẫn có dòng qua Relay làm
Cho Relay ngắn mạch phía sau Khóa K làm tiếp điểm thường đóng. Khi SCR dẫn, Relay làm hở mạch, muốn mạch làm việc trở lại thì phải ấn nút K để SCR mất nguồn cung cấp suy ra SCR tắt suy ra Relay mất tác động.
k
d rel
Do khóa K thường đóng nên khi vừa nhả khóa K thì mạch tiếp tục làm việc.
ay
RC : chống lại sự tăng dtdu
C : vài chục nF đến 1μF R : vài chục Ω đến 100Ω b. Mạch bảo vệ dưới áp và quá áp: Khi điện áp vào nằm trong phạm cho phép thì tắt. Relay 21,QQkhông có dòng điện, tiếp điểm Relay đóng. Mạch hoạt động bình thường. Nếu áp vào tăng làm cho ZaD aQ
ZaD đến ngưỡng dẫn dẫn aQ→
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 14
1Q→ dẫn Relay tác động ngắt →
mạch. Nếu áp vào giảm xuống, làm cho xuống mức ngưỡng ZbDdẫn tắt bQ→ ZbD bQ
2Q→ dẫn Relay tác động ngắt → 2Qmạch. 2.7 Mạch cấp nguồn: Sv
q
cd
+
Khi áp vào tăng thì: const const =beQV =⇒ 0V
ZZ DbeQD VVVVV ≈++= γ0 Tụ C để ổn định điện áp và chống nhiễu ZD2.8 Tính công suất tiêu tán của Transistor chuyển mạch: maxCI t CesV
RT satT FT 0TTrong quá trình chuyển mạch, do có tính trễ nên BJT không dẫn ngay mà phải trải qua 1 thời gian tạo sườn lên và khi tắt phải trải qua thời gian tao sườn xuống. Đối với transistor làm việc ở chế độ xung, công suất tiêu tán chủ yếu ở giai đoạn chuyển đổi trạng thái, còn trong giai đoạn dẫn bão hòa công suất tiêu tán rất nhỏ. Ta có : fsatr PPPP ++=* rTt ≤≤0
r
CC TtItI max)( =
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 15
sr
rs
r
scesce V
TtT
VtT
VVtV
−≈+
−=)(
*Trong giai đoạn bão hoà: bsesccessat IVIVP += max *Trong giai đoạn : fT
max)( cf
fc I
TtT
tI−
=
tTVVt
TVVtV
f
sces
f
cessce ≈+
−=)(
Công suất trong thời gian là: 0T
P = ( ) ∫∫ +++fr T
cecbsbesccessat
T
cec dttVtIT
IVIVT
TdttVtI
T 00max
000)()(1)()(1
Ta có : * ( )∫ ∫
−=
r rT
r
rs
T
ccec dtT
tTtVIT
dttVtIT 0
20
max00
1)()(1
∫ ⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=
rT
rr
sc dtTt
Tt
TVI
02
2
0
max
rT
rr
sc
Tt
Tt
TVI
02
32
0
max
32 ⎥⎥⎦
⎤
⎢⎢⎣
⎡−=
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛ −=
320
max rrsc TTT
VI
0
max
6TTVI rsc= (*)
* ( )
∫ ∫−
=f fT T
f
fsccec dt
T
tTtVI
TdttVtI
T 0 02max
00
1)()(1
0
max
6TTVI fsc= (**)
Thay (*) và (**) vào P:
P = 0
max
0
max
0
max
66 TIVIV
TT
TVIT
TVI bsbesccessat
fscrsc +++
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 16
( ) ( bsbesccessat
frsc IVIV
TT
TTT
VI+++= max
00
max
6) (2.5)
2.9 Tính cuộn dây L:
Hệ số tự cảm L được tính theo công thức: L = μπ −
lSN 2710.4 (2.6)
Trong đó N: số vòng dây S: tiết diện ống dây μ: độ từ thẩm chất liệu làm lõi l: chiều dài ống dây L: hệ số từ cảm ( H: Henry )
số vòng dây N = ⇒μπ − S
lL710.4
. (2.7)
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 17
PHẦN B : PHẦN TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ Yêu cầu : * Điện áp vào: = 25v DCV ± 30% * Điện áp ra: = 12v 0V * Độ gợn dòng đỉnh_đỉnh: ΔI = 0,01A * Độ gợn áp đỉnh_đỉnh: ΔV = 0,01v * Dòng trung bình: = 10A 0I * Tần số làm việc: f = 12 kHz * Dùng IC555 để điều chế độ rộng xung
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 18
TÁC DỤNG CỦA CÁC LINH KIỆN * : phân áp, chọn điện áp ngưỡng. asa VRR ,* : làm cho mạch chuyển đổi trạng thái nhanh. zaD* : bảo vệ quá áp. 1,QQa* K: công tắc Reset. * : bảo vệ dưới áp. 2,QQb* : điện trở tăng tốc độ chuyển đổi trạng thái. 3, RRa
* : tương tự như mạch bảo vệ quá áp. bzbbsb VRRRDRR ,,,,, '32
* Relay : Đóng ngắt mạch điện . * : điện trở hạn dòng cho SCR. 4R* : lấy áp kích cho SCR khi ngắn mạch. gR* : mạch có tác dụng hạn chế kích dẫn cho SCR. 15 ,CR* : cấp nguồn cho các mạch hoạt động. 3126 ,,, QDDR z* : bù nhiệt cho . 2D 1zD* : định thiên dòng cho diode . 6R 1zD* : tụ lọc nguồn, tránh nhiễu, ổn định điện áp. 8C* : bảo vệ cho SCR. 1D* : xác định thời hằng cho mạch Astable. 2287 ,,, CVRRR* : tách đường nạp và xả thành hai đường. 3D* IC555(1): mạch dao động không trạng thái bền . * : mạch vi phân, tạo xung kích cho Monostable. 49 ,CR* IC555(2): mạch điều chế độ rộng xung. ,,, 5310 CVRR* : điện trở phân cực cho . 1211, RR 4Q* : transistor chuyển mạch , đóng hoặc mở sẻ làm cho , dẫn hay tắt. 4Q 5Q 6Q
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 19
* : làm cho chuyển đổi trạng thái nhanh hơn. 7C 4Q* : điện trở tải của . 13R 4Q* : ổn định, tăng tốc độ chuyển đổi. 11R* : ghép Darlington bổ phụ với . 5Q 6Q* : transistor chuyển mạch. 6Q* : đảm bảo cho dẫn bão hoà. 5D 6Q* : tăng tốc độ chuyển đổi. 15R* : mạch lọc, tích luỹ năng lượng trong thời gian , dẫn để cung cấp năng lưọng cho mạch khi , tắt.
6,CL 5Q 6Q5Q 6Q
* : tạo điện áp chuẩn để đưa đến mạch so sánh. 2616 ,, zDDR* : lấy mẫu tín hiệu ra để đưa đến mạch so sánh. 22321 ,, RVRR* : thay đổi điện áp chuẩn. 3VR* : mạch so sánh. )1(741,,,, 20191817 ARRRR μ* )2(741Aμ : OP_AMP đệm. * : hiệu chỉnh để thoả mãn độ gợn áp ra. 4VR
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 20
1. Tính chọn mạch Astable:Chọn IC555 là HA17555 có các thông số sau: • Nguồn cung cấp: Vcc = 15 v • Dòng tiêu thụ trung bình: Itb = 10 mA • Công suất tiêu tán: 600 mW
Thời gian tồn tại xung chính là thời gian nạp xả tụ C2 Theo (2.1) thời gian nạp tụ C2 là: )(7.0 7121 RVRCT += Chọn = T/2 1T fRVRC 2
1)(7.0 712 =+⇒
=+⇒ 71 RVR24,1
1fC
Chọn C2 = 22nF Suy ra ==+ −9371 10.22.10.12.4,1
1RVR 2,7kΩ
Chọn = 2kΩ → =0,7kΩ 7R 1VRChọn = 2kΩ , =1kΩ. 7R 1VRTheo (2.3) chu kỳ dao động của mạch là: fVRRRCT 1)(7,0 1872 =++=
2
187 7,01
fCVRRR =++⇒ 93 10.22.10.12.7,01
−= =5,411kΩ
= 5,411- 2,7 = 2,711kΩ 8R⇒Chọn là điện trở 2kΩ và 0,8kΩ 8RDòng nạp tối đa cho tụ C2 là:
7,37,2
1032
17R7
==+
=VRR
VI
CC mA
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 21
Công suất tiêu tán trên là: 7R 27,37 mW === 32
72 10.2.)7,3(
77RIP RR
Công suất tiêu tán trên là: 1VR 10,952 mW === 800.)7,3( 2
12
71VRIP RVR
Dòng tối đa qua là: 8R
711,2103
2
8R8
==R
VI
CC= 3,689 mA
Công suất tiêu tán trên là: 8R 36,89 mW === 32
82 10.711,2.)689,3(
88RIP RR
Chọn 101/27 Ω= kR W
101/711,28 Ω= kR W
101/11 Ω= kVR W
Chọn D3 là loại 1N4001 với = 0,6V ,DV =DI 10mA Chọn tụ 0,01μF để chống nhiễu. =3C2. Tính mạch xén: Khi điện áp ngõ ra của mạch Astable ở mức logic 0. Tụ C4 được nạp từ Vcc qua R9 đến ngõ ra của mạch Vcc
C4 D4R9Astable. Để mạch Monotable hoạt động tốt thì độ dài xung kích đưa vào chân số (2) của mạch Monotable phải nhỏ hơn thời gian tồn tại xung của mạch Monotable. Phương trình nạp của tụ C4 là:
[ ] )0(1)0()()(4444 C
tCCC VeVVtv +⎟
⎠⎞
⎜⎝⎛ −−∞= τ−
Trong đó : 0)0(4
=CV CCC VV =∞)(
4
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛ −=⇒ τ− t
CCC eVtV 1)(4
Gọi t1 là thời gian tụ C4 nạp được 1/3Vcc
CCt
CCC VeVtV 311)( 14
=⎟⎠⎞
⎜⎝⎛ −=⇒ τ−
(*) 5,1ln. 491 CRt =⇒
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 22
Gọi tx là thời gian tồn tại xung của mạch Monotable Gọi Vo là điện áp ra của ổn áp.
Ta có: sx
t
s VTt
dtVT
Vx
== ∫0
01
fV
VT
VV
tss
x .00 ==⇒
*Áp vào: Vs = 25V *Độ biến thiên áp vào: 17,5 → 32,5V *Điện áp ra: Vo = 12V *Độ gợn điện áp ngõ ra: ∆Vo = 0,01V
Khi Vs = 25 ==⇒ 30 10.12.2512
xt 40 μs
Khi Vs = 17,5 ==⇒ 3max10.12.5,17
12xt 57 μs
Khi Vs = 32,5 ==⇒ 3min 10.12.5,3212
xt 30μs
Để đảm bảo độ rộng xung kích nhỏ hơn tx chọn:
==≤ 3051
51
min1 xtt 6 μs
649 10.15
5,1ln6 −==⇒ CR
Chọn C4 = 22nF
==⇒ −
−
9
6
9 10.2210.15R 681Ω
Chọn R9 là 700Ω Công suất tiêu tán trung bình của R9:
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛ −= τ− t
CCC eVtV 1)( 19
τ−=⇒
tCCR eVtv )(9
dtReV
Tdt
Rtv
TP
t t tCCR
tbR ∫ ∫τ−
==⇒1 1
0 0 9
22
9
29
91)(1
= ⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−
− 4.92
42 1
12
CRt
CC eTCV
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 23
Mà ==== −932821 10.22.10.711,2.7,07,0 CRTt 41,7μs
=⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−=⇒
−−15
7,41.2392
9 12
10.12.10.22.15 eP tbR 29,58mW
Vậy chọn Ω/7009 =R 101 W
Chọn D4 là 1N4001. 3. Tính mạch Monotable:Chọn IC555 là loại HA17555 Tính mạch hoạt động bình thường với áp vào Vs= 25V Thời gian tồn tại xung tx chính là thời gian tụ C5 nạp
847
6
21 5
3
Vcc
C5
vi
R10
VR2
IC555
điện từ 0 đến 2/3Vcc. Theo (2.4) thời gian nạp của tụ C5 là: 01025 3ln)( xtRVRCT =+=
4,363ln
10.40)(6
1025 ==+⇒−
RVRC μs
Chọn = 2,2 nF 5C 16,55 kΩ =+⇒ 210 VRR Chọn Ω=⇒Ω= 55016 210 VRkR Chọn là biến trở 1kΩ 2VR
Dòng nạp cực đại cho tụ là: 5C 6,055,16
1032
210R10 ==
+=
VRR
VI
CC mA
Công suất tiêu tán trên là: 10R 76,510.16.10.)6,0(. 36210
21010 === −RIP RR mW
Công suất tiêu tán trên là: 2VR 36,010.10.)6,0( 3622 == −
VRP mW
Vậy chọn = 16 kΩ/10R 101 W
= 1 kΩ/2VR 1001 W
Ta c ó: 41,3610).55,016(10.2,2)( 3921055 =+=+=τ −VRRC µs
Phương trình nạp của tụ : 5C
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−= τ−
51)(5
t
CCC eVtv
Khi = 17,5VminSS VV = ==⇔ maxxx tt 57 μs
=−=⇒−
)1(15 41,3657
5 eVC 11,86 V Khi = 25V = 40 μs SoS VV = ⇔ xox tt =
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 24
=−=⇒−
)1(15 41,3640
5 eVC 10V Khi = 32,5V maxSS VV = minxx tt =⇔ = 30 μs
=−=⇒−
)1(15 41,3630
5 eVC 8,42 V 4. Tính mạch lọc:Theo đề: ∆V = 0,01 V ∆I = 0,01 A
Theo (1.9) ta có: ( )
IfVkk
L S
Δ−
=.
.1
với: ====25120
S
x
VV
Tt
k 0,48
suy ra: ( )=
−=
01,0.10.1225.48,0.48,01
3L 52 mH
Vậy L = 52 mH
Theo (1.10) ta có: ==ΔΔ
=Δ
−=
01,0.10.12.801,0
88)1(
326 VfI
VLfkVk
C S 10,4µF
Chọn 11µF =6C* Tính toán cuộn cảm: Dòng ngõ ra trung bình là 10A Chọn dây đồng có đường kính: d=0,65 I = 0,65 10 = 2,06 mm Chọn lõi từ thanh ferit dài 4cm, ø = 1cm Cho µ = 1000 ÷ 6000 Ta có:
l
SNL μπ=
− ...10.4 27
μπ
=⇒− ..10.4
.7 S
LlN
Với µ = 1000 1000.
4)01,0(.10.4
10.52.04,02
7
3
ππ=⇒
−
−N = 144 vòng
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 25
Với µ = 6000 6000.
4)01,0(.10.4
10.52.04,02
7
3
ππ=⇒
−
−N = 59 vòng
Chọn 6D *Điện áp ngược cực đại khoảng (3÷4)Vs *Dòng trung bình thuận > 10A FI Chọn là 1N5410 có : 6D = 200V KAV = 15 A FI5. Tính mạch điều khiển:
65 ,QQ là transistor chuyển mạch chỉ làm việc trong thời gian có xung ra ở đầu ra của mạchmonotable. Khi dẫn thì nguồn DC được đưa đến đầu ra, 65 ,QQ Q6D5
Q5
R14
R15
R13
Q4
C7
R11R12
khi tắt thì cắt nguồn DC ra khỏi mạch. 65 ,QQ Dòng trung bình ngõ vào: = 0,48.10 = 4,8A 0S .IkI = Mà : R14CSQ5SQ6S IIII C ++= Dòng chảy qua lớn nhất , Chọn = 4,6A 6Q SQ6I a. Tính chọn Q6: Để dễ tính toán,chọn thời gian tắt mở của các BJT là như nhau. Thông thường thời gian tắt(mở) là 10ns ÷ 1µs *Ở đây tính toán với = 1µs. fr TT =Theo (2.5) ta có: Công suất của là: 6Q
( )bsbesCcessat
fSC IVIV
TT
TT
VIP ++= max
00
max
.3.
*Chọn BJT có = 30 minβ
Ta có 30
6,4
min=
β≥ cs
bsI
I = 0,153A
Chọn = 0,16A bsI( ) ( ) =+
−+=⇒ 16,0.8,046,0.2,0.
402401.
40.325.6,4P 1,17W
Vậy chọn là transistor thỏa: 6Q
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 26
AI
PPVVV
C
tt
SCE
6,4IW51,317,1.3.3
25
maxC =>==>
=>
Vậy chọn là 2SC2073 có các thông số sau: 6Q
Ký hiệu Loại f oT CI CEV β P C2073 Si_N MHz
Để dẫn bão hòa thì: 6Q
A
II
Vvv
CQbsQ
besbesQ
153,030
6,4
8,0
min
66
6
==β
≥
=≥
Chọn = 0,16A 6bsQI
Chọn dòng qua là: 15R === 16,051
51
6R15 bsQII 0.032A
===032,08,0
R15
1515 I
vR R 25Ω
Chọn = 47Ω 15RCong suất tiêu tán trên là: 15R
===478,0 2
15
215
15 RV
P RR 0,014W
Chọn = 47 Ω/15R W81
b. Tính chọn Q5: Q5 mắc Darlingtơn với Q6 để nâng cao hệ số khuyếch đại dòng điện Ta có: 0,16 + 0,032 = 0,1632 A =+= 1565 RBSQCSQ III
Công suất tiêu tán của Q5 là: ( SSS00
S ..3
..BEBSCCE
satfSCtt VIIV
TT
TTVI
P ++= )
⎟⎠⎞
⎜⎝⎛ ++= 8,0.
301632,01632,0.2,0
4038
40.31.25.1632,0
= 0,069 W Chọn Q5 thỏa các điều kiện sau:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 27
W207,0069,0.33
1632,025
5
==>=>=>
tt
CC
SCE
PPAII
VVV
Vậy chọn Q5 là loại có các thông số sau:
BJT Loại P CI CCV oT f β Si_P
Để Q5 dẫn bão hòa thì:
mA
II
Vvvv
csQbQ
besRbesQ
44,5301632,0
8,0
min
55
145
==β
≥
=≥=
Chọn mAII BQ 4,5410 5R14 ==
Ω==⇒ 7,144,54
8,0R14
Chọn R14 =18Ω
W036,0188,0 2
14 ==RP
Chọn W101/1814 Ω=R
c. Tính chọn R13:Ta có − − == 45min13 ceQbeQSR VVVV 17,5 – 0,8 – 0,2 = 16,5V
Ω=+
=⇒ 2754,5444,5
5,1613R
Chọn = 300Ω 13R W074,184,59.300 2
13 ==RPChọn W5/30013 Ω=R d. Tính chọn Q4:Công suất chuyển mạch của Q4 là:
( )SSSS ..
.3..
BEBSCCEo
sat
o
fSC VIIVT
TT
TVIP ++=
( )8,0.995,184,59.2,04038
40.31.25.84,59
++=ttP
= 25,35 mW Chọn Q4 thỏa:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 28
VVV SCE 25S =>
W05,7635,25.3.3
84,59S
mPPmAII
tt
CC
==>=>
Vậy chọn Q4 là loại có các thông số sau:
BJT Loại CT o P f CEV CI β
Để Q4 dẫn bão hòa thì:
VVVv
mAI
I
beSRbeQ
CbQ
8,0
995,130
84,59
124
min
S4
=≥=
==β
≥
Chọn 2mA =4bQIChọn dòng qua là 10 : 12R 4bQI mAI 202.10R12 ==
Ω==⇒ 4020
8,0R12
Chọn = 47 Ω 12R
W6,13478,0 2
12 mPR ==
Vậy chọn W101/4712 Ω=R
e.Tính C7, R11: Với nguồn cung cấp là 15V, điện áp ngõ
R13
Q4
R12
C7
R11
Vomonotable
ra của Monostable ở mức 1 là 15-1,5 = 13,5V Ta có : 411 besQomonotableR VVV −= = 13,5 – 0,8 = 12,7V = 20 + 2 = 22mA 41211 bQRR III +=
==⇒22
7,1211R 577Ω
Chọn R11 = 620 Ω
==620
7,12 2
11RP 0,26W
Vậy chọn R11= 620W/ W21
* Tính chọn C7:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 29
Tụ C7 có tác dụng làm tăng tốc độ chuyển đổi trạng thái cho Q4
Chọn Ω== 6210
117
RZC
FC μ=π
=⇒ 214,062.10.12.2
137
Chọn VFC 50/22,07 μ=6. Mạch hồi tiếp:
Phương trình nạp của tụ C5: )1()( τ−−=
tCCC eVtv
Với sVRRC μ=+=τ 4,36)( 2105 Khi t = tx thì điện áp trên tụ C5 cũng bằng điện áp ngưỡng chân (6). Do đó, lúc này trên chân (5) của IC555 cũng bằng đúng điện áp này. Vậy ta phải tính toán sao cho khi áp vào đúng bằng 25V thì áp đưa về là 10V. Tương tự, ta có: Khi 17,5V thì áp đưa về là: =minSV
VetVV xCA 86,11115)( 4,3657
max5 =⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−==
−
Khi 32,5V thì áp đưa về là: =maxSV
VetVV xCA 42,8115)( 4,3630
min5 =⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛−==
−
* Mạch OP_AMP đệm đưa về điều khiển ICMonotable: Tổng trở ra của OP_AMP khoảng 75Ω
5k 75k
Vcc Vout(opamp)
10k
A
IC555
5
Từ sơ đồ tương đương ,ta có phương trình điện áp nút tại A là:
22,0.977,0
1075,05+=⇔
=−
+−
outA
AAoutACC
VV
VVVVV
Ở đây là điện áp cần có ở chân 5 của IC555 Monostable. AV
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 30
VớI các giá trị = 10V,11.86V,8.42V thế vào phương trình trên ta được AV Aout VV ≈ Vậy ta xem Aout VV = a. Mạch tạo điện áp chuẩn: Chọn diode là loại 1N5347B có: 2DZ + VVDZ 102 = + Dòng qua diode là mAI DZ 152 = Chọn diode là loại 1N4001 có 7D mAIVV DD 15,7.0 ==
* Tính điện trở 16R :
16R được chọn thỏa điều kiện sau:
2
7216
2
72
DZ
DDZo
DZ
DDZo
IVVVV
RI
VVVV −−Δ+<<
−−Δ−
3163 10.157,01001,012
10.157,01001,012
−−−−+
<<−−−
⇔ R
33,8786 16 <<⇔ R Chọn = 86Ω 16RDo không có điện trở 86Ω nên ta chọn hai điện trở mắc nối tiếp là Ω= 8216R và
. Ω= 424RTa có: 18,45mW == 82.152
16RP 0,9 mW == 4.152
24RPVậy chọn: = 82Ω/1/10W 16R = 4 Ω/100 W 24R b. Tính điện áp ra khi áp vào thay đổi với tx = txo = 40µs: = 17,5V ⇒SV === − 5,17.10.12.10.40.. 36
Sxoo VftV 8,4V = 32,5V 15,6V SV =⇒ oV =25V 12V SV =⇒ oVVậy ta phải tính toán bộ so sánh sao cho: Khi 8,4V thì đưa về 11,86V =oV Khi 12V thì đưa về 10V =oV Khi 15,6V thì đưa về 8,42V (**) =oV c. Tính toán mạch so sánh: N
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2
R19
R18Vlm
Vch
R20
R17
Đồ án môn học ĐIỆN TỬ ỨNG DỤNG Trang 31
P Ta có phương trình điện áp nút tại N:
01918
=−
+−
RVv
RVv NoutNlm
⎟⎟⎠
⎞⎜⎜⎝
⎛++−=⇒
19181819
11RR
VRv
Rv
Nlmout
1918
1918
18 .RRRR
VRv
Nlm +
+−=
Mà: 2017
20
RRR
VVV chPN +==
Chọn: , 1817 RR = 2019 RR =
1918
19
RRR
VVV chPN +==⇒
1918
1918
1918
19
1819 ...
RRRR
RRR
VRV
Rv
chlmout +
++−=⇒
181819 R
VRV
Rv chlmout +−=⇒
( )lmchout VVRR
v −=⇒18
19
Đặt 18
19
RR
ko = , olm VkV .1=
Suy ra (***) ( ochoout VkVkv 1−= )Từ (**) và (***) ta có hệ phương trình sau:
Trường Đại học Bách khoa Đà Nẵng – Khoa Điện tử Viễn thông – Lớp 03ĐT2