第 1章 电力半导体器件

1.1 电力半导体器件种类与特点 1.2 　功率二极管 1.3 功率晶体管 1.4 功率场效应管 1.5 绝缘栅极双极型晶体管 1.6 晶闸管 1.7 晶闸管的派生器件 1.8 主要电力半导体器件特性比较

1.1 电力半导体器件种类与特点

1.1.1 半导体器件分类 从功率等级来分类 有微功率器件、小功率器件、大功率器件等等制造材料分类 有锗管、硅管等等从导电机理分类 有双极型器件、单极型器件、混合型器件等等 从控制方式来分类 可分为不可控器件、半可控器件和全可控器件三类器件

1.1.2 电力半导体器件使用特点 • 电力半导体器件稳态时通常工作在饱和导

通与截止两种工作状态。• 饱和导通时，器件压降很小，而截止时它

的漏电流小得可以忽略，这样在饱和导通与截止两种工作状态下的损耗都很小，器件近似于理想的开关

• 但需要指出的是，电力半导体器件在开关状态转换过程时并不是瞬时完成的（所需时间称开关时间），而是要经过一个转换过程（称开关过程） 图 1-1 ：简单的 bjt电路

Rb BC

E

UCE

Ic RL

T1 UCC

•例如，图 1-1 所示电路中 ， 当工作在饱和导通状态时管压降， ， 的管耗 ， 截止的漏电流 ，即截止时的管耗 。如果 工作在线性放大状态时，设 ，则 的管耗 。

，VUCC 505LRVUCE 3.0 1T CECT UIP 1 WURU CELCC 33.010)/( 1T

0CI 01 TP 1TAIC 5 1T )( LCCCCCEC RIUIUI W75)5550(5

从使用角度出发，主要可从以下五个方面考查电力半导体器件的性能特点：

导通压降

运行频率

器件容量

耐冲击能力

可靠性

此外，诸如控制功率、可串并联运行的难易程度、价格等等也是选择电力半导体器件应考虑的因数。

1.1.3 电力半导体器件发展水平 • 在整流管类

中，快速恢复二极管将有较大的发展

• 在高压直流输电中，晶闸管（光控晶闸管）将有很好的发展机遇。

• 在功率晶体管类中，以IGBT发展最为迅速

A2800,V4500:IGBT

A28,kV2.1;A60,V800:SIT

A100,V500:MOSFET

A600,V1200:BJT

A600,kV2:SITH

kA5.2,kV4:MCT

kA1,kV8;kA3,kV5.4:GTO

kA1,kV2.1:

sμ30,kA1,kV5.2:

kA1,kV12,kA4,kV5:

KA3,V100:

sμ25.0,A450,KV2.1:

KA6,KV3:

功率功率晶体管

自关断型

双向晶闸管快速晶闸管普通晶闸管

换流关断型

晶闸管

肖特基二极管快速恢复二极管普通整流管

整流管

电力半导体器件

1.2 　功率二极管

• 1.2.1 二极管工作原理与伏安特性

• 它具单向导电性 • 当外加正向电压（ P 区加正、

N 区加负）时， PN结导通，形成电流

• 二极管外加反向偏压（ P 区加负、 N 区加正）时 ,所以反向电流非常小 .

• 二极管的伏安特性如图 1-3所示。

图 1-2 二极管耗尽层与少数载流子浓度分布

图 1-3 二极管伏安特性

1.2.2 功率二极管开关特性

• 关断过程的三个时间段。• 反相恢复时间，反相恢

复电流。研究二极管关断过程的电路

二极管关断过程的波形

功率二极管开通时间很短，一般可以忽略不计，但二极管的关断过程较复杂，对电路的影响不能忽视。

1.3 功率晶体管

图 1-6 BJT内部结构与元件符号

（ a） BJT内部结构； （ b）元件符号

BJT是一种双极型半导体器件，即其内部电流由电子和空穴两种载流子形成。基本结构有 NPN和 PNP两种。

为了提高 BJT耐压，一般采用 NPvN三重扩散结构（图 1-6 ）。

图 1-7 集电极耐压与单位发射面积电流密度关系

功率晶体管 BJT一般是指壳温为 25℃时功耗大于 1W 的晶体管

1.3.2 工作原理及输出特性

RB BC

E

UCE

Ic RL

T1UCC

UBE

UBB

UCC

RB

B

CE

UCE

RL

T1

UBB

UEB UCB

UCCRB B

C

E

UCE

Ic

RL

T1

UBB

图1-8 BJT

三种基本电路

（ a）共发射极电路

（ b）共基极电路

（ c）共集电极电路

EIα /IC

系数 是共基极电路的电流放大倍数，亦称电流传输比

11 EC

EC

CE

C

B

C

I/I

I/I

II

I

I

I

β称为共射极电路的电流放大倍数。若接近于 1，则 β的数值会很大 ,它反映了BJT的放大能力，就是用较小的基极电流

IB 可以控制大的集电极电流 IC

α

BJT共发射极电路的输出特性

图 1-10 BJT共发射极电路的输出特性

◤该图表示集电极电流 IC 与集射极电压 UCE

的关系，其参变量为 IB ，特性上的四个区域反映了 BJT的四种工作状态。◢

◤在晶体管关断状态时，基极电流 IB ＝ 0，集电极发射极间电压即使很高，但发射结与集电结均处于反向偏置，即 UBE≤0， UBC<0，发射结不注入电子，仅有很少的漏电流流过，在特性上对应于截止区（ I 区），相当于处于关断状态的开关。 ◢

◤当发射结处于正向偏置而集电结仍为反向偏置时，即 UBE>0， UBC<0，随着 IB增加，集电极电流 IC 线性增大，晶体管呈放大状态，特性上对应线性放大区（ II区）。◢◤当基极电流 IB>（ IC /β）时，晶体管就充分饱和了。这时发射结和集电结都是正向偏置，即 UBE>0， UBC>0，电流增益和导通压降UCE均达到最小值， BJT进入饱和区（ IV区）。 BJT工作在饱和区，相当于处于导通状态的开关。◢

BJT的开关特性

图 1-11 BJT的开关特性

◤当基极回路输入一幅值为UP （ UP>>UBB ）的正脉冲信号时，基极电流立即上升到 ，在IB 的作用下，发射结逐渐由反偏变为正偏， BJT由截止状态变为导通状态 ，集电极电流 IC上升到负载电阻压降 。集电极电流 IC上升到负载电阻压降 ，集电结变为零偏甚至正偏，集电极与发射极之间的压降UCE≈0， BJT工作在饱和状态， BJT相当于闭合的开关。◢

B

BEBBPB R

UUUI

)( BECCLC UURI

◤当基极输入脉冲为负或零时， BJT的发时结和集电结都处于反向偏置，集电极电流逐渐下降到 IC ＝ICEO≈0，因此负载电阻 RL上的压降可以忽略不计，集电极与发射极之间的压降 UCE≈UCC ，即 BJT工作在截止状态， BJT相当于一断开的开关◢

BJT的开关特性

图 1-11 BJT的开关特性

◤图 1-11 b）中的 ton叫开通时间，它表示BJT由截止状态过渡到导通状态所需要的时间。它由延迟时间 td 和上升时间 tr 两部分组成， ton = td + tr 。 ◢

◤ td 为延迟时间，表示从加入驱动脉冲，到集电极电流上升到 0.1ICsa 所需要的时间 tr 为上升时间，表示集电极电流从 0.1ICsa

上升到 0.9ICsa 所需要的时间。◢

◤ toff叫关断时间，表示 BJT由导通状态过渡到截止状态所需要的时间。它由存贮时间ts 和下降时间 tf组成， toff = ts + tf 。◢

◤ ts 为存贮时间，表示输入脉冲由正跳变到零时刻开始，直到集电极电流下降到0.9ICsa 所需要的时间。 ◢

◤ tf 为下降时间，表示集电极电流从0.9ICsa 下降到 0.1ICsa 所需要的时间。 ◢

图 1-12 功率晶体管的开关损耗 ccuiP

1.3.4 BJT的二次击穿

图 1-13 二次击穿实验曲线

图 1-14 二次击穿临界线

反偏二次击穿触发功率

零偏二次击穿触发功率

正偏二次击穿触发功率

SBRSBRSBR UIP

000 SBSBSB UIP

SBFSBFSBF UIP

◤在二次击穿现象中，当第一次雪崩击穿后，从电流上升到 ISB ，再到触发产生二次击穿的时间延迟，称为触发时间。意味着 BJT工作点进入一次击穿区时，并不立即产生二次击穿，而要有一个触发时间。当加在 BJT上的能量超过临界值（触发能量）时，才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。◢

（二） BJT 的安全工作区（ SOA）

◤ BJT工作的安全范围由图 1-15 所示的几条曲线限定：①集电极最大允许直流电流线 ICM ，由集电极允许承受的最大电流决定；②集电极允许最高电压 UCE0 ，由雪崩击穿决定；③集电极直流功率耗散线 PCM ，由热阻决定；④二次击穿临界线 PSB ，由二次击穿触发功率决定。◢

图 1-15 BJT的安全工作区

图 1-16 不同工作状态下 BJT的安全工作区

（ a）正向偏置安全工作区；

（ b）反向偏置安全工作区

◤从图 1-16 可以看出 BJT的反向偏置安全工作区比正偏时大得多◢

◤可以在元件关断瞬间，想办法使元件真正置于反偏工作状态，即对 BJT基极驱动电路，在元件截止时，施加负的基射极电压。 来利用反偏安全工作区的特性 ◢

1.3.5 达林顿 BJT与 BJT模块

T1

T2

C

BT1

T2

E

C

B

R1 R2

图 1-17 达林顿 BJT的等效电路

T1

T2

E

C

B

R1 R2

D1DF

达林顿 BJT有以下特点：

1 共射极电流增益值大

)1()1(12

2221

B

BE

IR

Uββββ

图 1-18 BJT模块的等效电路 BJT模块除了有上述达林顿 BJT的特点外，还有如下优点： 1 ） 它是能量高度集中的组合器件，大大缩小了变换器的体积；

2 ） 有电绝缘且传热好的固定底座，安装使用很方便； 3 ） 内含续流二极管减少了线路电感，降低了器件关断时电流变化率造成的过电压。

2 饱和压降 UCEsa 较高

3 关断速度减慢

ts = ts1 + ts2

1.4 功率场效应管

1.4.1 概述◤功率场效应管，即功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 是一种单极型的电压控制器件，有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿、安全工作区宽等显著优点。◢

◤在中小功率的高性能开关电源、斩波器、逆变器中，功率场效应管成为双极型晶体管的竞争对手，并得到了越来越广泛的应用。◢

图 1-19 功率场效应管结构图（ a “） T”MOSFET ； （ b “） V”－

MOSFET

1.4.2 MOSFET的基本特性

1 ；转移特性

图 1-20 N 沟道型 MOSFET的转移特性 ◤ 只有 UGS 大于门槛电压 UGS （ th ）才有漏极电流 ID 流过，在 ID 较大时， ID 和 UGS

近似为线性关系，亦即跨导 gFS 为常数：

GSDFS dUdIg /◤ U GS ＝ 10V之后， MOSFET的 ID 由外电路限制了。因此工作在开关状态的MOSFET正向驱动电压 Ug≈10V 。 ◢

（二）输出特性

◤输出特性可以分为三个区域 :可调电阻区 I，饱和区II和雪崩区 III ◢

图 1-21 　功率 MOSFET输出特性

1.4.2 MOSFET的基本特性 （三） MOSFET的电容

图 1-22 MOSFET各端点之间的电容◤ MOSFET各极之间的结电容由其

物理结构所决定，金属氧化膜的栅极结构决定了栅漏之间的结电容 Cgd 和栅源之间的结电容 Cgs ， MOSFET的PN结形成了漏源间的结电容 Cds 。

◢

◤ 图 1-22表示了 MOSFET的输入电容 Ciss 、输出电容 Coss 和反向传输电

容 Crss 与结电容之间的关系。 ◢

（四）开关特性

90%

UDS

UGS

t rt d(on) td(off ) t f

10%

图 1-23 开关特性测试电路与波形td(on) ：开通延迟时间tr ：上升时间 td(off) ：关断延迟时间，tf ：下降时间

rondon ttt )( foffdoff ttt )(

1.4.3 MOSFET安全工作区

图 1-24 MTM 4N 50的安全工作区（ a）最大额定开关安全工作区； （ b）最大额定正偏安全工作区

◤ 由于电流具有随温度上升而下降的负反馈效应，因而 MOSFET中不存在电流集中和二次击穿的限制问题，它有较好的安全工作区（ SOA） ◢

◤ 图 1-24 是型号为 MTM 4N 50(500V, 4A)的 MOSFET的安全工作区，它分最大额定开关安全工作区和最大额定正向偏置安全工作区两种。 ◢

◤最大额定开关安全工作区是负载线可跨越而不会招致 MOSFET损坏的界限，基本的限制是峰值电流 IDM 和击穿电压U(BR)DSS ，这个安全工作区只适用于器件开关时间小于 1μs的开通和关断过程 ◢

◤在其余工作条件下，使用正向偏置安全工作区。正向偏置安全工作区受功率损耗的限制，而结温是随功率损耗的变化而变化，图 1-29 b）表示的是温度为 25℃时的正向偏置安全工作区。 ◢ ◤在任一温度下，某一工作电压的允许电流可通过下列等式算出：

CjcD

CCACDATcD RP

TII

}{

25}{1}{}{

θ25()(

1． 4． 4 MOSFET的基本参数

（一）漏极额定电流 ID 和峰值电流 IDM

（二）通态电阻 rDS(ON

（三）阀值电压 UGS(th)

（四）漏源击穿电压 U(BR)DSS

（五）最大结温 TJM

（六）最大耗散功率 PD

（七）热阻

jcRθ

jcRθTC +PD < TJM

1.5 绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT )1.5.1 IGBT的结构与工作原理

图 1-25 IGBT的结构剖面图 图 1-26 IGBT简化等效电路及信号

◤绝缘栅极双极型晶体管简称IGBT,它将功率 MOSFET 与 BJT的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单等优点，又具有通态压降低、耐压高和承受电流大等优点 ◢

◤由结构图可以看出， IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区 BJT，其简化等效电路如图 1-26 所示，图中电阻 Rdr 是厚基区 BJT

基区内的扩展电阻。 ◢ ◤ IGBT是以 BJT为主导元件， MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件，图示器件是 N 沟道 IGBT， MOSFET为 N 沟道型， BJT为PNP型。 ◢

1.5.2 IGBT的基本特性

伏安特性 转移特性◤ IGBT的伏安特性是指以栅极电压 UGE 为参变量时，集电极电流 IC 与集电极电压 UCE

之间的关系曲线 ◢

◤ IGBT的伏安特性与 BJT的输出特性相似，也可分为饱和区 I、放大区 II和击穿区III三部分 ◢

◤ IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区 ◢

◤ IGBT的转移特性是指集电极输出电流 IC 与栅极电压之间的关系曲线。 ◢

◤它与 MOSFET的转移特性相同，当栅极电压 UGE 小于开启电压UGE(th) 时， IGBT处于关断状态。在 IGBT导通后的大部分集电极电流范围内， IC 与 UGE呈线性关系。 ◢

1.5.2 IGBT的基本特性

ET2

CT1

RL

UCC

I C

UCE

+UGE

-UGE

(a)

0.9IC 0.9IC

tftd(off)td(on)

ton

0.9VCC 0.9VCC

t

t

0.1UG

E

+UGE

0.9UG

E

0

UGE

IC

IC=VCC/RL

0.1IC

-UGE t

0

0tr

toff

0.1IC

UC

E

0.1VCC 0.1VCC

(b)

IGBT的开关特性的测试电路 IGBT的开关特性的开关特性曲线

◤ IGBT的开关特性如图 1-35 所示。由图可知 IGBT的开关特性与功率 MOSFET基本相同。◢

◤ td(on)+ tr= ton叫开通时间， td(off)+ tf= toff叫关断时间◢

1 10 100 10001

10

100

1000

I集电极电流

C(A)

U极射极电压 CE V（ ） U极射极电压 CE V（ ）200 400 600 800 10000

1

10

100

1000

I集电极电流

C(A)

DC

1ms

100us

15us

IGBT的正偏安全工作区和反偏安全工作区

◤ IGBT开通时的正向偏置安全工作区 FBSOA是由最大集电极电流 ICM 、最大集射极电压UCEM 、最大功耗三条边界极限曲线包围而成的， ◢

◤ IGBT的反向偏置安全工作区 RBSOA如图 1-29 b)所示。它基本上是一矩形： 2倍的额定集电极电流（ 2IC ）和额定集射级电压（ UCE ）所围成的矩形。 ◢

1.6 晶闸管

图 1-31 晶闸管的双三极管模型

（一）晶闸管的结构

（二）晶闸管的双三极管模型

1）无信号下的电路工作状态

在无信号状态下，电路电流很小，因而可近似地认为电路处于断态（ T1 、 T2 相应地处于截止状态），更确切地应称为正向阻断状态。

)(1)(1 2010

0

2010

0201

αα

I

αα

III cbcbcba

2 ）有信号下的电路工作状态

在 UAK >0的情况下，若加入幅值足够大的电流 ig ，且满足，就可以使电路从断态转换到通态。

2121

21

2

2

1

1

2

2

1

1

2

1

1

1

2

10 )(111 αααα

αα

α

α

α

α

i

i

i

i

i

i

i

i

i

iβ

b

c

b

c

b

b

b

c

b

c

通过上述分析可知晶闸管有如下特性：

（ 1 ）晶闸管导通的条件是：阳阴极间必须加正向电压，控制极施加正的控制极电流；

（ 2 ）晶闸管具有正向阻断的能力；

（ 3 ）元件在正压时是可控的，在反压时则完全处于断态，也就是说它具有单向导电性质。

（ 4 ）元件触发导通后，控制极失去作用，即元件的可控性是不可逆的。

1.6.2 晶闸管的伏安特性与参数I a

UAK

UBR

UBF

I a

UBR

UAK

(a) (b)

0 0

图 1-32 　　晶闸管的伏安特性

（ a ） （ b） 0gi gtg Ii

◤它的反向特性见图1-32 a) 、 b）的第三象限，它与一般二极管的反向特性相似，具有很好的反向阻断能力，此时只有很小的漏电流（若干微安到几十毫安）通过元件。当反向电压增加到 - UBR 时，漏电流急剧增加，特性曲线开始弯曲，称 UBR 为反向转折电压。若进一步增大反向电压，就会使晶闸管击穿。 ◢

◤晶闸管的正向特性见 图 1-32 a ）、 b ）的第一象限。当门极没有正向电压，即门极电流 ig = 0 时，正向流过晶闸管的漏电流也很微小，晶闸管具有正向阻断能力。只要正向电压低于正向转折电压 UBF ，晶闸管就处于断态，一旦正向电压达到 UBF ，则电流突然增加，端电压很快下降，晶闸管处于通 态 ， 见 图 1-32 a）所示。 ◢

晶闸管的一些主要参数（一）晶闸管的电压定额：1．断态重复峰值电压 Udrm

2．反向重复峰值电压 Urrm

3．额定电压值4．通态（峰值）电压 UTm

（二）晶闸管的电压定额：1．通态平均电流 ITa

2．维持电流 IH

3．擎住电流 ILH

4．断态重复峰值电流 Idrm及反向重复峰值电流 Irrm

（三）晶闸管的门极参数定额 1．门极触发电流 Igt

2．门极触发电压 Ugt

（四）动态参数和结温 1. 断态电压临界上升率 du/dt

2. 通态电流临界上升率 di/dt

3.额定结温 TJM

1.6.3 晶闸管的开关过渡过程

图 1-34 晶闸管元件的开通过程

（一）晶闸管的开通过程 ：1. 延迟时间 td （由 ig = 0.1Igt 到 UAK = 0.9 Ea 的时间间隔）。2．上升时间 tr （由 UAK = 0.9 Ea 到 UAK = 0.1 Ea 的这段时间间隔） 3．扩散时间 ts （由 UAK = 0.1Ea 到UAK=UT(av) 的这段时间间隔）

图 1-35 晶闸管元件的关断过程

（ a）关断晶闸管元件的原理电路； （ b）关断过程

（二）晶闸管的关断过程

1．反向恢复时间 trr

2 ．控制极的恢复时间tgr

晶闸管的串并联

图 1-39 晶闸管的串联运行（ a）晶闸管串联后的反向电压；

（ b）晶闸管串联均压电路

通常选均压电阻为 ：

均压电阻 Rj 的功率可按下式计算：

元件串联时，必须降低电压的额定值作用，一般取晶闸管的额定电压为：

)(

)25.0~1.0(avDR

Hj Iπ

UR

js

mRjRj Rn

VKP

12

s

mH n

UU )8.3~2.2(

图 1-40 晶闸管并联运行

（ a）晶闸管并联时的电流分配； （ b）串联电阻法均流

（ c）串联互感法均流； （ d）三个晶闸管并联的串联互感法均流

◤用串联电阻法均流虽然简单，但因电阻上有损耗，并且对于动态均流不起作用，故只在小功率的场合下适用 ◢

◤采用均流电抗器均流，其优点是损耗小，电感还有限制电流上升率的作用，但均流电抗器只能起动态均流的作用。◢

1.7 晶闸管的派生器件 1.7.1 双向晶闸管

图 1-41 双向晶闸管内部结构

图1-42

双向晶

闸管的伏安特性

1.7.3 光控晶闸管 A

KG

A

G

K

图 1-46 光控晶闸管符号及等效电路

1.7.2 可关断晶闸管

图 1-44 GTO的结构与符号

图中： A--阳极； K--阴极； G--控制级

1.8 主要电力半导体器件特性比较 1.8.1 晶闸管与 BJT的性能比较

项目 晶闸管 BJT

最高耐压额定电流

12000V4000A

1200V600A

开通时间 ≤ 几微秒 几微秒（ 1 ）

关断时间 几十至几百微秒 几微秒（ 2 ）

正向压降 1 ～ 2V 0.1~0.7V （单管）0.8~2.1V （达林顿管）

漏电流 几毫安以下 几百微安以下

开关方法及所需能量

开通：控制极触发电流（功率为几瓦以下）关断：阴极加负电压（ 3 ）、（ 4 ）

开通：基极流过电流（功率为几瓦以下）关断：基极电流消失（ 5 ）

关断时的保护 用缓冲电路抑制反峰电压及 du/dt 用缓冲电路将电压电流限制在安全工作区

浪涌冲击 10 倍的额定电流（重复性）20 倍的额定电流（非重复性）

二倍的额定电流（非重复性）

误动作（控制可靠性）

控制极干扰信号，过大的 du/dt 会引起误触发，故需抑制措施，以防止电源短路损坏元件

基极干扰信号，过大 du/dt 造成瞬时导通，但可复原，不致引起损坏。若是电源短路，工作点超出安全工作区，会损坏元件

维护 无活动部件，不易损坏部件，需维护 （同晶闸管）

寿命 半永久性 半永久性

二次击穿 不存在 存在

BJT

、功率M

OSFET

、

IGBT

的性能比较

CI

dc WI

器件名称 BJT MOSFET IGBT

驱动方式 电流 电压 电压

驱动功率 大 小 小

存储时间 5~20 无 几乎无

开关速度 1~5 0.1~0.5 0.5~1

高压化 容易 难 容易

大电流化 容易 难 容易

高速化 难 极容易 极容易

SOA 窄 宽 宽

饱和电压 低 高 低

工作机理 少数载流子导电 多数载流子导电 少子、多子混合导电

I-U 特性 电流控制指数伏安特性

电压控制低电流平方伏安特性高电流区线性伏安特性 （沟道宽度）

电压控制大电流指数伏安特性，小电流 MOS 伏安特性 Id 决定于沟道宽度和栅有效面积并联应用 不能简单并联，须采用均流电阻等措施 不产生电流集中，能直接并联 不产生电流集中，能直接并联

耐压能力 采用深结、台面等终端技术 采用场板、分压环等平面终端技术 采用场板、分压环等平面终端技术

输入阻抗 小，要求较大的基极电流，故驱动电路设计复杂

大，驱动电路设计简单 大，驱动电路设计简单

跨导 β 换 算 成 gm 较 MOS 大 ， 但 IC 上升， gm 下降

受沟道宽长比限制， Id 上升， gm 下降

跨导大

开关特性 少子存储效应，限制开关速度 多子漂移，无存储效应，开关速度较BJT 高一个数量级

比MOSFET 慢

安全工作区 SOA 受二次击穿影响， SOA 小 无二次击穿， SOA 大 无二次击穿， SOA 大

温度特性 电流温度系数为正，会发生热崩 电流温度系数为负，稳定性好 调整结构参数，能使温度系数为零

工作频率 低 最高 高

开关损耗 中～高（取决于与通态损耗的折衷） 很低 低～中（取决于与通态损耗的折衷）

BI

sμ sμsμ