![Page 1: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/1.jpg)
Režimi rada bipolarnog tranzistora
NPN tranzistor
CBE iii +=
Direktni aktivni režim (DAR):
0,0,0 >>> ECB iii
BFC ii β=
BEBE Vv =
CESCE Vv >
Zasićenje:
BFC ii β<
BESBE Vv =
CESCE Vv =
Zakočenje (OFF):
0,0,0 === ECB iii
γVvBE <
Inverzni aktivni režim
Bi
Ci
Ei
B
C
E
Bi Ci
Ei
B C
E
BFiβ
Bi Ci
Ei
B C
E
BESV CESV
Bi Ci
Ei
B C
E
![Page 2: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/2.jpg)
PNP tranzistor
CBE iii +=
Direktni aktivni režim (DAR):
0,0,0 >>> ECB iii
BFC ii β=
EBEB Vv =
ECSEC Vv >
Zasićenje:
BFC ii β<
EBSEB Vv =
ECSEC Vv =
Zakočenje (OFF):
0,0,0 === ECB iii
γVvEB <
Inverzni aktivni režim
BiCi
Ei
B
C
E
Bi Ci
Ei
B C
E
BFiβ
Bi Ci
Ei
B C
E
EBSV ECSV
Bi Ci
Ei
B C
E
![Page 3: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/3.jpg)
74. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== BEVVγ , V6,0=BESV , V2,0=CESV ,
100=Fβ , V12=CCV , Ω= k101R i Ω= k12R . Odrediti režim rada tranzistora
1Q , kao i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvBE < ?
⇒<=⇒
=
=⇒===γVv
v
viiiBE
E
BBEC 00
00,0,0pretpostavka je
tačna, tj. 1Q je zakočen
0=Bi 0=Ci 0=Ei
0=Bv 0=Ev ⇒= CCC Vv V12=Cv
75. Za kolo sa slike je poznato: V7,0== BEVVγ , V7,0=BESV , V2,0=CESV ,
75=Fβ , V10=CCV , Ω= k51R i Ω= k2,12R . Odrediti režim rada tranzistora
1Q , kao i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvBE < ?
⇒>=⇒
=
=⇒=⇒===γVVv
v
VviiiiCCBE
E
CCBRBEC
0
00,0,0 2
loša pretpostavka
1R2R
CCV
1Q
1R2R
CCV
1Q
Ei
Ci
BiEv
Bv
Cv
2Ri
1R
2R
CCV
1Q
1R
2R
CCV
1QBi
Ei
CiCv
Bv
Ev
![Page 4: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/4.jpg)
Pretpostavka 1Q -DAR:
provera: CESCE Vv > ?
( ) ⇒=−−+−⇒=−−− 00 12122 BEBCBCCBEBRCC ViRiiRVViRiRV
( )( )
µA67,961
0112
12 =++
−=⇒=−−+−
RR
VViViRiRV
F
BECCBBEBBFCC
ββ
( ) ( ) ( ) ⇒>=+−=+−=−−= CESBFCCCBCCRCCCE ViRViiRViRVv V18,110 2222 β
pretpostavka je tačna, tj. 1Q je u DAR-u
µA67,96=Bi ⇒= BFC ii β mA25,7=Ci
( ) ⇒+= BFE ii 1β mA35,7=Ei
( ) ( ) ⇒+−=+−=−= BFCCCBCCRCCC iRViiRViRVv 12222 β V18,1=Cv
⇒= BEB Vv 0,7V=Bv 0=Ev
76. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== BEVVγ , V6,0=BESV ,
V2,0=CESV , 100=Fβ , V3=CCV , Ω= k20BR i Ω= k10CR . Odrediti
režim rada tranzistora 1Q , kao i napone i struje svih priključaka
tranzistora 1Q .
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvBE < ?
⇒>=⇒
=
=⇒===γVVv
v
VviiiCCBE
E
CCBBEC
0
0,0,0loša
pretpostavka
BRCR
CCV
1Q
BRCR
CCV
1Q
EiBi
Ci
Ev
Bv
Cv
![Page 5: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/5.jpg)
Pretpostavka 1Q -DAR:
provera: CESCE Vv > ?
⇒<−=−
−=−=−=−= CES
B
BECCFCCCBFCCCCCCCECCE V
R
VVRViRViRVvvv V117ββ loša
pretpostavka
Pretpostavka 1Q -zasićenje:
provera: CBF ii >β ?
⇒>⇒
=−
=
=−
=
CBF
C
CESCCC
B
BESCCFBF
ii
R
VVi
R
VVi
β
ββ
mA28,0
mA12
pretpostavka je tačna, tj. 1Q je u zasićenju
⇒−
=B
BESCCB
R
VVi µA120=Bi µA280=Ci
⇒+= CBE iii µA400=Ei
⇒= CESC Vv V2,0=Cv
⇒= BESB Vv 0,6V=Bv 0=Ev
77. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== EBVVγ , V6,0=EBSV , V2,0=ECSV ,
100=Fβ , V12=CCV , Ω= k101R i Ω= k12R . Odrediti režim rada tranzistora
1Q , kao i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
1R
2R
1Q
CCV
![Page 6: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/6.jpg)
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvEB < ?
⇒<=⇒
=⇒===
=γVv
Vviii
VvEB
CCBBEC
CCE 00,0,0
pretpostavka je
tačna, tj. 1Q je zakočen
0=Bi 0=Ci 0=Ei
0=Cv V12=Ev V12=Bv
78. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== EBVVγ , V6,0=EBSV , V2,0=ECSV ,
100=Fβ , V12=CCV , Ω= k2001R i Ω= k12R . Odrediti režim rada tranzistora
1Q , kao i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvEB < ?
⇒>=⇒
=⇒===
=γVVv
viii
VvCCEB
BBEC
CCE
00,0,0loša
pretpostavka
1R
2R
1Q
CCV
Bi
Ei
Ci Cv
Ev
Bv
1R
2R
1Q
CCV
1R
2R
1Q
CCV
BiEi
Ci Cv
Ev
Bv
![Page 7: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/7.jpg)
Pretpostavka 1Q -DAR:
provera: ECSEC Vv > ?
⇒>=−
−=−=−=−= ECSEBCC
FCCBFCCCCCCEEC VR
VVRViRViRVvvv V3,6
1222 ββ
pretpostavka je tačna, tj. 1Q je u DAR-u
⇒−
=1R
VVi EBCCB
µA57=Bi ⇒= BFC ii β mA7,5=Ci
( ) ⇒+= BFE ii 1β mA76,5=Ei
⇒= CC iRv 2 V7,5=Cv
⇒−= EBCCB VVv 11,4V=Bv ⇒= CCE Vv 12V=Ev
79. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== EBVVγ , V6,0=EBSV , V2,0=ECSV ,
100=Fβ , V12=CCV , Ω= k101R i Ω= k12R . Odrediti režim rada tranzistora
1Q , kao i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF:
provera: γVvEB < ?
⇒>=⇒
=⇒===
=γVVv
viii
VvCCEB
BBEC
CCE
00,0,0loša
pretpostavka
1R
2R
1Q
CCV
1R
2R
1Q
CCV
BiEi
Ci Cv
Ev
Bv
![Page 8: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/8.jpg)
Pretpostavka 1Q -DAR:
provera: ECSEC Vv > ?
⇒<−=−
−=−=−=−= ECSEBCC
FCCBFCCCCCCEEC VR
VVRViRViRVvvv V102
1222 ββ loša
pretpostavka
Pretpostavka 1Q -zasićenje:
provera: CBF ii >β ?
⇒>⇒
=−
=
=−
=
CBF
ECSCCC
EBSCCFBF
ii
R
VVi
R
VVi
β
ββ
mA8,11
mA114
2
1 pretpostavka je tačna, tj. 1Q je u zasićenju
⇒−
=1R
VVi EBSCCB
mA14,1=Bi mA8,11=Ci
⇒+= CBE iii mA94,12=Ei
⇒−= ECSCCC VVv V8,11=Cv
⇒−= EBSCCB VVv 11,4V=Bv ⇒= CCE Vv 12V=Ev
80. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== BEVVγ , V6,0=BESV ,
V2,0=CESV , 100=Fβ , V3=CCV i Ω= k20BR . Dioda D je idealna sa
parametrom V6,0=DV Odrediti režime rada tranzistora 1Q i diode D , kao
i napone i struje svih priključaka tranzistora 1Q .
BRD
CCV
1Q
![Page 9: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/9.jpg)
Rešenje:
Pretpostavka 1Q -OFF i D -OFF:
provera: γVvBE < ? (jer ako se dokaže da je 1Q -OFF to će značiti i da je
dioda sigurno isključena, jer iz 00 =⇒= DC ii )
⇒>=⇒
=
=⇒===γVVv
v
VviiiCCBE
E
CCBBEC
0
0,0,0loša
pretpostavka
Pretpostavka 1Q -DAR i D -ON:
provera: CESCE Vv > i 0>Di ?
( )⇒
>=−
===
>=−−=−=
0mA12
V4,20
B
BECCFBFCD
CESDCCECCE
R
VViii
VVVvvv
ββpretpostavka je tačna, tj. 1Q je u DAR-u i
D je ON
⇒−
=B
BECCB
R
VVi µA120=Bi mA12=Ci ( ) ⇒+= BFE ii 1β mA12,12=Ei
⇒−= DCCC VVv V4,2=Cv ⇒= BEB Vv 0,7V=Bv 0=Ev
81. Za kolo sa slike je poznato: V6,0== BEVVγ , V6,0=BESV ,
V2,0=CESV , 100=Fβ , V10=CCV , Ω= k10BR i Ω= 010ER . Zener
dioda je idealna sa parametrima 0=DV i V2,3=ZV .
a) Izračunati izlazni napon IV .
b) Izračunati kolika bi trebala da bude vrednost napona CCV da bi
tranzistor 1Q bio na granici između direktnog aktivnog režima i
zakočenja.
BRD
CCV
1Q
EiBi
Ci
Ev
Bv
Cv
+
−Dv
Di
1Q
DZ
BR
ER
IV
CCV
![Page 10: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/10.jpg)
Rešenje:
a)
1Q neće biti OFF jer je razlika potencijala između CCV i mase dovoljna da
se obezbedi napon BEV na spoju baza-emitor tranzistora 1Q (uz
odgovarajući pad napona na otpornicima BR , ER i Zener diodi DZ ).
Pretpostavka 1Q -DAR i DZ -proboj:
provera: CESCE Vv > i 0<DZi ?
0=−−−− EEBEZBBCC RiVVRiV
( ) 01 =+−−−− EBFBEZBBCC RiVVRiV β
( )( )
⇒
>=+−=−=
<−=⇒=++
−−=
CESEBFCCECCE
DZ
EFB
BEZCCB
VRiVvvv
iRR
VVVi
V88,61
0µA5,308µA5,3081
β
β
pretpostavka je tačna, tj. 1Q je u DAR-u i DZ je u proboju.
( ) ⇒+=== EBFEEEI RiRivV 1β V12,3=IV
b) Smanjivanjem napona CCV smanjivaće se razlika potencijala između CCV i mase potrebna da
bi se obezbedio napon BEV na spoju baza-emitor tranzistora 1Q (uz odgovarajući pad napona na
otpornicima BR , ER i Zener diodi DZ ).
Kada se napon CCV smanji na vrednost BEZCC VVV +=min , Zener dioda će biti na granici između
proboja i zakočenja ( DZi će pasti na nulu, a pritom će biti ZDZ Vv −= ), a tranzistor na granici
između DAR-a i zakočenja ( Bi , Ci i Ei će pasti na nulu, a pritom će biti BEBE Vv = ). Dakle:
⇒+= BEZCC VVV min V8,3min =CCV
1Q
DZ
BR
ER
IV
CCV
EiBi
CiDZi
+−
DZv
![Page 11: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/11.jpg)
Pojačavači sa bipolarnim tranzistorima
Konvencija za obeležavanje signala (napona i struja) u kolu pojačavača
o ukupan signal: Av
o jednosmerna komponenta signala (srednja vrednost signala): AV
o naizmenična komponenta signala (mali signal): av
o aAA vVv +=
0
Av
t
AV
0 t
AV
0
av
t
![Page 12: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/12.jpg)
Model NPN tranzistora za mali signal:
t
Cm
V
Ig = ;
mgr 0βπ =
bbmbem iirgvg 0βπ ==
Model PNP tranzistora za mali signal:
t
Cm
V
Ig = ;
mgr 0βπ = ; bbmebm iirgvg 0βπ ==
82. Za pojačavač sa slike je poznato: 1000 == ββF ,
V7,0=BEV , mV26=tV , V12=CCV , ∞→1C ,
∞→2C , 5,191 =R kΩ, 392 =R kΩ, 594=ER Ω i
1=PR kΩ.
a) Izračunati jednosmerne struje ( BI , CI i EI ) i
jednosmerne napone tranzistora ( BV , CV i EV ).
b) Izračunati naponsko pojačanje pojačavača g
iv
v
va = ,
ulaznu otpornost koju vidi generator naizmeničnog signala gv i izlaznu otpornost koju vidi potrošač PR .
Ivgv
CCV
1R
2RER
1C
+
−
+
−
2C
PR
b
c
e
bi
b c
e
ci
ei
bemvgbev πr
+
−
bi
b c
e
ci
ei
bemvgbevπr
+
−
b
c
e
bib c
e
ci
ei
ebmvgebv πr
+
−
![Page 13: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/13.jpg)
Rešenje:
a) DC analiza:
Formiranje šeme za DC analizu:
• ukidanje svih naizmeničnih generatora; • zamena kondenzatora otvorenim vezama.
V821
2 =+
= CCTEV VRR
RV ; Ω=
+== 13k||
21
2121
RR
RRRRRTEV ;
Tranzistor je u DAR-u (preduslov da bi pojačavač ispravno radio)!
TEVBTEVBEEE VIRVIR =++ ; )1( += FBE II β ;
⇒++
−=
EFTEV
BETEVB
RR
VVI
)1(βmA1,0=BI
⇒= BFC II β mA10=CI
⇒+= )1( FBE II β mA1,10=EI
⇒= EEE IRV V6=EV
⇒+= BEEB VVV V7,6=BV
⇒= CCC VV V12=CV
CCV
TEVR
ERTEVV
EIBI
CI
BV
CV
EV
CCV
1R
2RER
CCVCCV
1R
2RER
IV
+
−
PR
![Page 14: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/14.jpg)
b) AC analiza:
Formiranje šeme za AC analizu:
• ukidanje svih jednosmernih generatora; • zamena kondenzatora ∞→C kratkim spojevima; • zamena tranzistora modelom za mali signal.
mS6,384==t
Cm
V
Ig ; Ω== 2600
mgr
βπ
;
PE
ibb
RR
vii
||0 =+ β ; ππ r
vv
r
vi
igbeb
−== ;
)||)(1( 0 PE
iig
RR
v
r
vv
+=
−
βπ
;
( )
( )⇒
++
+
==
PE
PE
g
iv
RRr
RRr
v
va
||1
1
||1
0
0
π
π
β
β
993,0≈va
Šema za računanje ulazne otpornosti:
• povezivanje naponskog test generatora tv između ulazne tačke i mase i označavanje struje
ti ;
• ukidanje svih nezavisnih generatora u ostatku kola;
• t
tul
i
vR = ;
ivgv
1R
2RER
+
−
+
−PR
πrbv
cv
evbev+ −
bbem ivg 0β=bi
ivgv
21 || RRPE RR ||
+
−
+
−
πrbv
cv
evbev+ −
bbem ivg 0β=bi
![Page 15: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/15.jpg)
bt
t iRR
vi +=
21 ||;
)||)(1(|| 00
PE
eb
PE
ebb
RR
vi
RR
vii
+=⇒=+
ββ ;
πβ r
vv
RR
vi et
PE
eb
−=
+=
)||)(1( 0
;
( )( ) t
PE
PEe v
RRr
RRv ⋅
++
+=
||)1(
||)1(
0
0
β
β
π
;
( )PE
ttt
RRr
v
RR
vi
||)1(|| 021 +++=
βπ
;
( )⇒
+++==
−1
021 ||)1(
1
||
1
PEt
tul
RRrRRi
vR
βπ
kΩ68,9=ulR
Šema za računanje izlazne otpornosti:
• povezivanje naponskog test generatora tv između izlazne tačke i mase i označavanje struje
ti ;
• ukidanje svih nezavisnih generatora u ostatku kola;
• t
tizl
i
vR = ;
E
tbbt
R
viii =++ 0β ;
πr
vi tb
−=
0;
π
βr
v
R
vi t
E
tt )1( 0++= ;
⇒
++==
−1
011
π
β
rRi
vR
Et
tizl
Ω≈ 56,2izlR
tv21 || RR
PE RR ||
+
−
πrbv
cv
evbev+ −
bbem ivg 0β=biti
tv21 || RRER
πrbv
cv
evbev+ −
bbem ivg 0β=bi
+
−
ti
![Page 16: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/16.jpg)
83. Za pojačavač sa slike je poznato: 1000 == ββF , V7,0=BEV , mV26=tV , V12=CCV ,
∞→1C , ∞→2C , ∞→3C , kΩ1=gR , 101 =R kΩ, 302 =R kΩ, kΩ3,4=CR , kΩ3,1=ER i
100=PR kΩ.
a) Izračunati jednosmerne struje ( BI , CI i EI ) i jednosmerne napone tranzistora ( BV , CV i EV ).
b) Izračunati naponsko pojačanje pojačavača g
p
vv
va = , ulaznu otpornost koju vidi generator
naizmeničnog signala gv i izlaznu otpornost koju vidi potrošač PR .
Rešenje:
a) DC analiza:
V321
1 =+
= CCTEV VRR
RV ; Ω=
+== 7,5k||
21
2121
RR
RRRRRTEV ;
Tranzistor je u DAR-u (preduslov da bi pojačavač ispravno radio).
0=−++ TEVBTEVBEEE VIRVIR ; )1( += FBE II β ;
+
−
CCV
gR
1R
2R
PR
CR
ER
Q
Pv
gv
1C
2C
3C
+
−
CCV
gR
1R
2R
PR
CR
ER
Q
Pv
gv
1C
2C
3C
CCV
gR
1R
2R
PR
CR
ER
Q
PV
CCV
CR
ER
QTEVR
TEVV
BV
CV
EV
CI
BI
EI
![Page 17: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/17.jpg)
⇒++
−=
EFTEV
BETEVB
RR
VVI
)1(βµA57,16=BI
⇒= BFC II β mA657,1=CI
⇒+= )1( FBE II β mA674,1=EI
⇒= EEE IRV V176,2=EV
⇒+= BEEB VVV V876,2=BV
⇒−= CCCCC IRVV V875,4=CV
b) AC analiza:
Ω882|||| 21 == gtev RRRR gg
g
tev vvRRR
RRv 88,0
||
||
21
21 =+
=
+
−
gR
1R
2R
PR
CR
ER
Q
pv
gv
+
−
gR
1R2R
PRCRQ
pv
gv
+
−
tevR
CP RR ||Q
pv
tevv
+
−
tevR
CP RR ||
pv
tevvπr
+
−bev bemvg
![Page 18: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/18.jpg)
mS73,63==t
Cm
V
Ig Ω== k569,10
mgr
βπ
( )CPbemp RRvgv ||−= g
tev
tev
tev
be vRr
rv
Rr
rv 88,0⋅
+=⋅
+=
π
π
π
π
( ) g
tev
CPmp vRr
rRRgv 88,0|| ⋅
+⋅−=
π
π
( ) ⇒+
⋅−==tev
CPm
g
p
vRr
rRRg
v
va
π
π||88,0 148−=va
Računanje ulazne otpornosti:
⇒+== πrRRRi
vR g
t
tul |||| 21 kΩ3,2=ulR
Računanje otpornosti koju vidi potrošač:
⇒==⇒=⇒=⇒= C
t
tizltCtbembe R
i
vRiRvvgv 00 kΩ3,4=izlR
+
−
gR
CP RR ||tvπr
+
−bev bemvg
2R 1R
ti
gR
CR tvπr
+
−bev bemvg
2R 1R
ti
+
−
![Page 19: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/19.jpg)
84. Parametri tranzistora u pojačavaču sa slike su: 500 == ββF i
6,0=EBV V, dok je: V5=−= EECC VV , mA1=RI ,
mV25/ == qkTVt , 3=CR kΩ i 30=PR kΩ.
a) Odrediti jednosmerne struje baze, kolektora i emitora, kao i jednosmerne napone na bazi, kolektoru i emitoru.
b) Odrediti naponsko pojačanje pojačavača gi vva /= .
c) Odrediti ulaznu otpornost pojačavača i otpornost koju vidi potrošač.
Rešenje:
a) DC analiza:
⇒= RE II mA1=EI
⇒+
=1F
EB
II
βµA61,19=BI
⇒= BFC II β mA98,0=CI
0=BV
⇒+= EBBE VVV 0,6V=EV
⇒+= CCEEC IRVV 2,06V−=CV
b) AC analiza:
mS2,39==t
Cm
V
Ig
Ω== k275,10
mgr
βπ
+
−
CR
CCV
gv1Q
EEV
RI∞
Iv
PR
∞
CR
CCV
1Q
EEV
RI
IV
PR
CV
EV
BVBI
CI
EI
+
−
CR
gv1Q
iv
PR
+
−CRgv
iv
PR
ebmvgebv πr
+
−
![Page 20: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/20.jpg)
geb vv −=
( ) ( ) ( ) ⇒−==⇒−== PCm
g
iPCgmPCebmi RRg
v
vaRRvgRRvgv |||||| 9,106−=a
c) Računanje ulazne otpornosti:
⇒==⇒= ππ ri
vRirv
t
tultt
Ω= k275,1ulR
Računanje otpornosti koju vidi potrošač:
C
t
tizltCtebmeb R
i
vRiRvvgv ==⇒=⇒=⇒= 00
kΩ3=izlR
85. (Zadatak za vežbu) Parametri tranzistora u pojačavaču sa slike su: 1000 == ββF i 6,0=BEV V, dok je:
V5=−= EECC VV , mV25/ == qkTVt , kΩ7,4=CR ,
kΩ7,4=ER , kΩ47=BR i kΩ10=PR .
a) Odrediti jednosmerne struje baze, kolektora i emitora, kao i jednosmerne napone na bazi, kolektoru i emitoru.
b) Odrediti naponsko pojačanje pojačavača gp vva /= .
c) Odrediti ulaznu otpornost pojačavača i otpornost koju vidi potrošač.
+
−CRtv
PR
ebmvgebv πr
+
−
ti
CR
ebmvg
ebv πr
+
−+
−tv
ti
+
−
CR
CCV
Pv
gv∞
1Q PR
∞
EEV
ER
∞
BR
![Page 21: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/21.jpg)
Rešenje:
a) 8,43≈BI µA 843≈CI µA 851,4≈EI µA
6V39,0−=BV 6V99,0−=EV 038V,1=CV .
b) 8,107−=a
c) ⇒= πr||Bul RR Ω= 2,79kulR
⇒= Cizl RR Ω= 4,7kizlR
86. U strujnom izvoru sa slike oba tranzistora su identičnih
karakteristika, pri čemu je 0,6V=EBV i 50=Fβ . Poznato je i
10V=CCV i Ω= 10kR . Izračunati struju 0i koju generiše strujni
izvor.
Rešenje:
21021
21
2
1
2
1
BBCC
EBEB
V
v
SC
V
v
SC
iiiii
vv
eIi
eIi
t
EB
t
EB
=⇒==⇒
=
⋅=
⋅=
121 2 BBBX iiii =+=
F
RC
F
C
F
CCBCXCR
iiii
iiiiiii
βββ 2
1
2122 011
11111
+
==⇒
+=+=+=+=
⇒=−
= mA94,0R
VVi EBCCR
µA85,9030 =i
CCV
R
1Q 2Q
0i
CCV
R
1Q 2Q
0i
RiXi
1Bi 2Bi
1Ci
![Page 22: Režimi rada bipolarnog tranzistoratnt.etf.bg.ac.rs/~si1oe/Vezbe/Vezbe_13S041OE_6.pdf · Režimi rada bipolarnog tranzistora NPN tranzistor iE = iB +iC Direktni aktivni režim (DAR):](https://reader030.vdocuments.net/reader030/viewer/2022040200/5e35a264557018441f22aa83/html5/thumbnails/22.jpg)
87. (Zadatak za vežbu) U strujnom izvoru sa slike oba tranzistora su
identičnih karakteristika, pri čemu je 0,6V=BEV i 100=Fβ . Poznato je i
5V=CCV i Ω= 1kR . Izračunati struju 0i koju generiše strujni izvor.
Rešenje:
mA314,40 =i
88. (Zadatak za vežbu) U strujnom izvoru sa slike svi tranzistori su
identičnih karakteristika. Smatrajući da su BEV , Fβ , CCV i R poznate
veličine, izračunati struju 0i koju generiše strujni izvor.
Rešenje:
( )
++⋅
−=
1
21
20
FF
BECC
R
VVi
ββ
CCV
R
0i
1Q 2Q
CCV
R
0i
1Q 2Q
3Q