－ SEM（電子顕微鏡) １－

観察出来る情報

・二次電子検出器を用いた表面形状観察 ・反射電子検出器を用いた組成分布観察 ・X線検出器を用いた元素分析(B～Am) ・３次元形状評価、非接触粗さ など

装置のメーカー／型番など

主要諸元

倍率 5～300,000倍(写真サイズ)

分解能 5nm/30kV 10nm/3kV

電子銃 タングステンフィラメント

加速電圧 0.5kV～30kV

最大試料サイズ φ200mm x t80mm※１

検出器（各検出器の信号合成可能）

二次電子検出器 SE

表面形状

四分割反射電子検出器

BSE-COMP 組成コントラスト

BSE-TOPO 凸凹

BSE-3D 凸凹強調

高感度二次電子検出器 UVD

低真空表面形状

雰囲気制御 6~650Pa

3次元観察 ライブ３次元観察 鳥瞰図、高さ測定、粗さ測定

画像連結 最大200枚

クールステージ DEBEN Cool Unit(-20℃~)

X線検出器 SDD / 検出元素:B～Aｍ

付属ソフト等

データ管理、測長ソフト、画像連結ソフト、3D View

本体 日立ﾊｲﾃｸﾉｼﾞｰｽﾞ㈱/ SU3500

EDS アメテック㈱ / Octane Plus

装置全体図

※１：所有サイズはφ127 x t55以下(Max 2kg)です

SE : Secondary electron BSE : Back scattered electron

測定例

二次電子像（SE） Vacc=1.5kV WD=10mm/x1,000

反射電子像（BSE-TOPO） Vacc=1.5kV WD=10mm/x1,000

反射電子像（BSE-COMP） Vacc=1.5kV WD=10mm/x1,000

葛根（無蒸着）

この設備機器は、公益財団法人JKAの機械工業振興補助事業により導入・設置しました

－ SEM（電子顕微鏡) ２－

エリア分析

マッピング

測定例

二次電子像（SE） Vacc=20kV WD=10mm/x4,000

反射電子像（BSE-COMP） Vacc=20kV WD=10mm/x4,000

ナット（#800研磨）

線分析

EDS(TEAM)