Download - Tk306 111061-927-6
![Page 1: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/1.jpg)
Memori
![Page 2: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/2.jpg)
Memori Flip-flop: memori 1-bit Register: memori n-bit, satu lokasi Memori: penyimpan data n-bit, m-
lokasi
Flip-flop Register
Memori m x n
4-bit
0
1
20 1 0 1
1 1 1 0
0 0 0 1
LSBMSB LSBMSB
m
n
![Page 3: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/3.jpg)
![Page 4: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/4.jpg)
RAM (Random Access Memory)
RAM Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat “dapat dibaca dan ditulisi”, dan sifat penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan, isi RAM hilang)
![Page 5: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/5.jpg)
Static RAM (SRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan flip-flop sehingga: (1) datanya relatif stabil/statis sehingga tidak diperlukan adanya rangkaian “refresh”, (2) lebih cepat, (3) kepadatan komponen rendah/kapasitas kecil, (4) mahal
![Page 6: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/6.jpg)
Sel SRAM
SQ
R
SELECT
INPUT
OUTPUT
RWSREAD/WRITE SELECT
MC
SELECT
INPUT
RWS
OUTPUT
MC: memory cell
SELECT (CS) RWS MODE
1 0 Write
1 1 Read
0 X INACTIVE
![Page 7: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/7.jpg)
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
DEKODER
0
1
2
3
A 1
A 0
1
0
IO 3 IO 2 IO 1 IO 0
RWS
CS
Organisasi SRAM: Bentuk 1
![Page 8: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/8.jpg)
Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 1
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
RAM4x4-bit
I/O 0
I/O 1
A0
A1
RWS
CS
I/O 2
I/O 3
RWS=Read/Write Select
CS=Chip Select, ACTIVE-HIGH
![Page 9: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/9.jpg)
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
DEKODER
0
1
2
3
A 1
A 0
1
0
IO 3 IO 2 IO 1 IO 0
OE
CE
WE
Organisasi SRAM: Bentuk 2
![Page 10: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/10.jpg)
Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 2
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
RAM4x4-bit
A0
A1
OE
CE
WE
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
WE=Write Enable
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW
![Page 11: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/11.jpg)
Cara MP Membaca dan Menulisi RAMMisal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:
Alamat Isi (Dalam Heksadesimal)
0 13
1 FF
2 C4
3 6D
4 FF
5 57
6 FF
7 FF
![Page 12: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/12.jpg)
Cara MP Membaca RAMMikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 3 yakni A2A1A0=011 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I)
2. Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode baca RAM (Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 6D (tahap 3)
1WEdan 0, OE 0, CE RAM8 byte
D0D1D2D3
A0A1
OE
CE
D4D5D6D7
A2
110
0
0
Tahap I
Tahap II
01101101
Tahap III
WE1
![Page 13: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/13.jpg)
Cara MP Menulisi RAMMikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 4 yakni A2A1A0=100 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I)
2. Mikroprosesor menempatkan data A2 pada bus data (tahap II)
3. ikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode tulis RAM (Tahap III)
0WEdan 1, OE 0, CE
RAM8 byte
D0D1D2D3
A0A1
OE
CE
D4D5D6D7
A2
001
1
0
Tahap I
Tahap III
10100010
Tahap II
WE0
![Page 14: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/14.jpg)
Contoh IC Static RAM Seri 6116
A0-A10 Address Inputs
I/O0-I/O7 Data Inputs/Outputs
/CE Active LOW Chip Enable
/OE Active LOW Output Enable
/WE Active LOW Write Enable
PIN NAMES
SRAM 2Kbyte
![Page 15: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/15.jpg)
Dynamic RAM (DRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan kapasitor sehingga: (1) datanya tidak stabil/dinamis sehingga diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih lambat, (3) kepadatan komponen tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah
![Page 16: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/16.jpg)
Sel DRAM
![Page 17: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/17.jpg)
Sel DRAM
C E L L AR R AY 4 x 4
![Page 18: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/18.jpg)
Organisasi DRAM
CELL ARRAY 4 x 4
Column addressdecoder
Row
add
ress
deco
der
Column addresslatch
A 2 A 3
A 0
A 1
Row
add
ress
lat
ch
R/WA 0/A 2
A 1/A 3
RAS
CAS
CS
Din
Dout
Inputbuffer
Outputbuffer
![Page 19: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/19.jpg)
Operasi Read DRAM
Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih baris data yang diinginkan yang akan
dikirim ke buffer out Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode read Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom. Pin ini selalu memberikan Output Enable, setiap sinyal CAS diberikan
Data akan ditempatkan pada .Dout RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya
![Page 20: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/20.jpg)
Op
eras
i Rea
d D
RA
M
Memori 20
![Page 21: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/21.jpg)
Operasi Write DRAM Data yang akan disimpan ditempatkan pada Din Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih lokasi baris yang akan ditempati data dari
buffer in Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode write Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom. Data akan ditempatkan pada alamat pada array sesuai yang diinginkan RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya
![Page 22: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/22.jpg)
Memori 22
DR
AM
1M
X 1
![Page 23: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/23.jpg)
DRAM 64K X 1-bit
![Page 24: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/24.jpg)
DRAM 64K X 8-bit
Memori
![Page 25: Tk306 111061-927-6](https://reader036.vdocuments.net/reader036/viewer/2022062313/55b4f46cbb61eb01038b4767/html5/thumbnails/25.jpg)
KONEKSI DRAM DATA n-bit