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MCP601/2/3/42.7V ～ 5.5V 単電源 CMOS オペアンプ

特徴

• 単電源 : 2.7V ～ 5.5V• レールツーレール出力

• 入力レンジにグランドを含む

• ゲインバンド幅積 : 2.8 MHz (typ.)• ユニティゲインでも安定

• 低消費電流 : 230 µA/ アンプ (typ.)• チップ選択 (CS): MCP603 のみ

• 温度範囲 :- 工業温度品 : -40 ℃ ～ +85 ℃

- 拡張温度品 : -40 ℃ ～ +125 ℃

• 1 個、2 個、4 個内蔵品あり

典型的な応用

• 携帯機器

• A/D コンバータのドライバ

• フォトダイオード用プリアンプ

• アナログフィルタ

• データ収集

• ノートパソコンや PDA• センサーインターフェース

用意されているツール

• SPICE マクロモデル www.microchip.com にて

• FilterLab® ソフトウェア www.microchip.com にて

概要

　マイクロチップテクノロジーの低電力オペアンプの MCP601/2/3/4 ファミリは、1 個入り (MCP601)、チップ選択(CS)付き1個入り(MCP603)、2個入り(MCP602)、4 個入り (MCP604) の構成品があります。これらのオペアンプは、先進の CMOS 技術を使っており、低バイアス電流、高速動作、高いオープンループゲイン、レールツーレールの出力振幅が可能となっています。本製品は単電源動作が可能で、電圧は 2.7V まで下げられ、このときのオペアンプ当たりの消費電流は 230 µA(typ.) です。さらに、コモンモードの入力電圧範囲を、グランドより 0.3V さらに下げられますので、理想的な単電源動作となっています。

　これらのデバイスは、低消費電流なので低電圧のバッテリ動作に適していますし、広いバンド幅は A/Dコンバータ用ドライバアンプとして、低い入力バイアス電流はアンチエイリアスフィルタに適しています。

　MCP601、MCP602 、MCP603 は、標準の 8 ピンのPDIP、SOIC、TSSOP パッケージ品が用意されています。また、MCP601 と MCP601R には 5 ピンの SOT-23が、 MCP603 には 6 ピンの SOT-23 パッケージが用意されています。

　MCP601/2/3/4 ファミリは、工業温度品と拡張温度品の温度範囲が用意されていて、電源は 2.7V ～ 5.5V の範囲で使用できます。

パッケージタイプ

VIN+VIN–

VSS

VOUT

VDD

1234

8765

NC

NC

NC

VINA+VINA–

VDD

VINC+

VSS

VOUTC

VINC–

VOUTA

VINB+

VIND–

VOUTD

VOUTB

VINB–

VIND+VINA+VINA–

VSS

VINB–

VOUTB

1234

8765

VDD

VINB+

VOUTA

MCP601PDIP, SOIC, TSSOP



VIN+VSS

VIN–

123

5

4

VDDVOUT

MCP601SOT23-5

VIN+VSS

VIN–

123

6

4

VDDVOUT

MCP603SOT23-6

CS5

VIN+VIN–

VSS

VOUT

VDD

1234

8765

CS

NC

NC


141312

1234

567

111098

VIN+VDD

VIN–

123

5

4

VSSVOUT

MCP601RSOT23-5

© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 1

MCP601/2/3/4

第 1 章電気的特性

絶対最大規格 VDD - VSS.................................................................................. 7.0V全入出力ピン ........................................VSS - 0.3V ～ VDD + 0.3V差動入力電圧 ................................................................ |VDD - VSS|出力短絡電流..................................... 連続

入力ピン電流 ........................................................................±2 mA出力と電源ピン電流 ..........................................................±30 mA保存温度 ............................................................. -65 ℃ ～ +150 ℃

接合部温度 ..........................................................................+150 ℃全ピンの ESD 保護 (HBM; MM) ............................. ≥ 3 kV; 200V† 注意 : 上記の「最大定格」を超えるストレスを加えると、デ

バイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定は

ストレス定格のみを規定するものであり、この仕様の動作条

件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは

ありません。長時間デバイスを最大定格状態にすると、デバ

イスの信頼性に影響を与えることがあります。

ピン機能一覧表

名称機能

VIN+, VINA+, VINB+, VINC+, VIND+ 非反転入力

VIN–, VINA–, VINB–, VINC–, VIND– 反転入力

VDD 正電源供給

VSS 負電源供給

VOUT, VOUTA, VOUTB, VOUTC, VOUTD

出力

CS チップ選択

NC 内部無接続

DC 特性電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ～ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,

VOUT ≈ VDD/2 かつ RL = 100 kΩ で VDD/2.

パラメータ記号 Min Typ Max 単位条　件

入力オフセット

入力オフセット電圧 VOS -2 ±0.7 +2 mV工業温度品 VOS -3 ±1 +3 mV TA = -40 ℃ ～ +85 ℃ ( 注 1)拡張温度品 VOS -4.5 ±1 +4.5 mV TA = -40 ℃ ～ +125 ℃ ( 注 1)

入力オフセット温度ドリフト ΔVOS/ΔTA — ±2.5 — µV/ ℃ TA = -40 ℃ ～ +125 ℃

電源電圧変動除去比 PSRR 80 88 — dB VDD = 2.7V ～ 5.5V入力電流とインピーダンス

入力バイアス電流 IB — 1 — pA工業温度品 IB — 20 60 pA TA = +85 ℃ ( 注 1)拡張温度品 IB — 450 5000 pA TA = +125 ℃ ( 注 1)

入力オフセット電流 IOS — ±1 — pAコモンモード入力インピーダンス ZCM — 1013||6 — Ω||pF

差動入力インピーダンス ZDIFF — 1013||3 — Ω||pF

コモンモード

コモンモード入力範囲 VCMR VSS – 0.3 — VDD – 1.2 Vコモンモード除去比 CMRR 75 90 — dB VDD = 5.0V, VCM = -0.3V ～ 3.8Vオープンループゲイン

DC オープンループゲイン

( 大振幅時 )AOL 100 115 — dB RL = 25 kΩ ～ VDD/2,

VOUT = 100 mV ～ VDD – 100 mVAOL 95 110 — dB RL = 5 kΩ ～ VDD/2,

VOUT = 100 mV ～ VDD – 100 mV出力

最大出力電圧振幅 VOL, VOH VSS + 15 — VDD – 20 mV RL = 25 kΩ～ VDD/2, 出力ドライブ = 0.5VVOL, VOH VSS + 45 — VDD – 60 mV RL = 5 kΩ to VDD/2, 出力ドライブ = 0.5V

リニアな出力振幅 VOUT VSS + 100 — VDD – 100 mV RL = 25 kΩ ～ VDD/2, AOL ≥ 100 dBVOUT VSS + 100 — VDD – 100 mV RL = 5 kΩ ～ VDD/2, AOL ≥ 95 dB

出力短絡電流 ISC — ±22 — mA VDD = 5.5VISC — ±12 — mA VDD = 2.7V

供給電源

供給電圧 VDD 2.7 — 5.5 Vアンプ当たりの消費電流 IQ — 230 325 µA IO = 0注 1: これらの仕様は、日付コードが YYWW = 0408 より古い SOT-23 または TSSOP パッケージ品はテストされていません。これら

の場合、最大、最小値は形状および特性上によるものです。

DS21314F_JP-page 2 © 2006 Microchip Technology Inc.

MCP601/2/3/4

図 1-1: MCP603 チップ選択 (CS) タイミングダイアグラム

AC 特性

電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ～ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,VOUT ≈ VDD/2, RL = 100 kΩ で VDD/2 かつ CL = 50 pF.


周波数応答

ゲインバンド幅積 GBWP — 2.8 — MHz

位相余裕 PM — 50 — ° G = +1 V/V

ステップ応答

スルーレート SR — 2.3 — V/µs G = +1 V/Vセトリングタイム (0.01%) tsettle — 4.5 — µs G = +1 V/V, 3.8V ステップ

ノイズ

入力ノイズ電圧 Eni — 7 — µVP-P f = 0.1 Hz ～ 10 Hz

入力ノイズ電圧密度 eni — 29 — nV/√Hz f = 1 kHzeni — 21 — nV/√Hz f = 10 kHz

入力ノイズ電流密度 ini — 0.6 — fA/√Hz f = 1 kHz

MCP603 チップ選択特性

電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,VOUT ≈ VDD/2, RL = 100 kΩで VDD/2 かつ CL = 50 pF.

パラメータ記号 Min Typ Max Units 条　件

DC 特性

CS Low ロジックスレッショルド VIL VSS — 0.2 VDD VCS Low 入力電流 ICSL -1.0 — — µA CS = 0.2VDD

CS High ロジックスレッショルド VIH 0.8 VDD — VDD VCS High 入力電流 ICSH — 0.7 2.0 µA CS = VDD

シャットダウン時 VSS 電流 IQ_SHDN -2.0 -0.7 — µA CS = VDD

シャットダウン時アンプ出力リーク IO_SHDN — 1 — nACS スレッショルドヒステリシス HYST — 0.3 — V 内部スイッチ

タイミング

CS Low からアンプ出力オンになるまで tON — 3.1 10 µs CS ≤ 0.2VDD, G = +1 V/VCS High からアンプ出力ハイインピーダ

ンスになるまで

tOFF — 100 — ns CS ≥ 0.8VDD, G = +1 V/V, 負荷なし

CStOFF

VOUT

tON

ﾊｲｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽﾊｲｲﾝﾋﾟ

IDD 2 nA (typ.) 230 µA (typ.)

出力ｱｸﾃｨﾌﾞ

ISS -700 nA (typ.) -230 µA (typ.)

CS 700 nA (typ.) 2 nA (typ.)電流

ｰﾀﾞﾝｽ


MCP601/2/3/4

温度特性電気的仕様 : 特に指定されない℃限り , VDD = +2.7V ～ +5.5V かつ VSS = GND.


温度範囲

規定の温度範囲 TA -40 — +85 ℃ 工業温度品

TA -40 — +125 ℃ 拡張温度品

動作温度範囲 TA -40 — +125 ℃ 注

保存温度範囲 TA -65 — +150 ℃

パッケージ熱抵抗

熱抵抗 , 5L-SOT23 θJA — 256 — ℃ /W熱抵抗 6L-SOT23 θJA — 230 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-PDIP θJA — 85 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-SOIC θJA — 163 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-TSSOP θJA — 124 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-PDIP θJA — 70 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-SOIC θJA — 120 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-TSSOP θJA — 100 — ℃ /W注 : 工業温度品もこの拡張温度範囲で動作しますが、性能は悪化します。拡張温度規格は、工業温度品には適用さ

れません。いかなる場合も、内部接合部温度 (TJ) が絶対最大定格 150 ℃を超えてはなりません。


MCP601/2/3/4

第 2 章典型的な性能グラフ

注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ～ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.

図 2-1: 周波数に対するオープンループゲインと位相

図 2-2: 温度に対するスルーレート

図 2-3: 温度に対するゲインバンド幅積と位相余裕

図 2-4: 電源電圧に対する消費電流

図 2-5: 温度に対する消費電流

図 2-6: 周波数に対する入力ノイズ電圧密度

注 : 以下の本項のグラフや表は、有限のサンプルの統計値に基づいていて、情報提供のためにだけのものです。ここに記述された性能特性は未テストか非保証です。いくつかのグラフや表では、仕様の動作範囲を超えています（例えば供給電源範囲外）従って保証範囲外です。

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+ 02 1.E+ 03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

周波数 (H z)

オー

プン

ルー

プゲ

イン

(dB

)

-240

-210

-180

-150

-120

-90

-60

-30

0

オー

プン

ルー

プ位

相 (°

)

0 .1 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M

ゲイン

位相

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)

スル

ーレ

ート

(V/µ

s)

立上りエッジ

立下りエッジ

VDD = 5.0V

0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125

周囲温度 (°C)

ゲイ

ンバ

ンド

幅積

(MH

z)

0102030405060708090100110

位相

余裕

, G =

+1

(°)

GBWP

PM, G = +1

0

50

100

150

200

250

300

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧 (V)

アン

プ当

たり

消費

電流

(µA

)

+25°C

IO = 0 -40°C

+85°C

+125°C

0

50

100

150

200

250

300

-50 -25 0 25 50 75 100 125

周囲温度 (°C)

アン

プ当

たり

消費

電流

(µA

)

VDD = 2.7V

VDD = 5.5V

IO = 0

10

100

1,000

10,000

1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

周波数 (Hz)

入力

ノイ

ズ電

圧密

度 (V

/ √H

z)

0.1 1 10 100 1k 10k 100k 1M

10µ

1µ

100n

10n


MCP601/2/3/4
図 2-7: 入力オフセット電圧

図 2-8: 温度に対する入力オフセット電圧

図 2-9: VDD = 2.7V のときのコモンモード入力電圧と入力オフセット電圧

図 2-10: 入力オフセット電圧ドリフト

図 2-11: 温度に対する CMRR と PSRR

図 2-12: VDD = 5.5V のときのコモンモード入力電圧と入力オフセット電圧

0%

2%

4%

6%

8%

10%

12%

14%

16%

-2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0入力オフセット電圧 (mV)

発生

割合

1200 サンプル

-0.5-0.4-0.3-0.2-0.10.00.10.20.30.40.5

-50 -25 0 25 50 75 100 125

周囲温度 (°C)

入力

オフ

セッ

ト電

圧 (m

V)

VDD = 2.7V

VDD = 5.5V

-200-100

0100200300400500600700800

-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0コモンモード入力電圧 (V)

入力

オフ

セッ

ト電

圧 (µ

V)

VDD = 2.7VTA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C

TA = +125°C

TA = +125°C

0%2%4%6%8%

10%12%14%16%18%

-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10入力オフセット電圧ドリフト (µV/°C)

発生

割合

1200 サンプルTA = -40 ～ +125°C

75

80

85

90

95

100

-50 -25 0 25 50 75 100 125

周囲温度 (°C)

CM

RR

, PSR

R (d

B)

PSRR

CMRR

-200-100

0100200300400500600700800

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

コモンモード入力電圧 (V)

入力

オフ

セッ

ト電

圧 (µ

V)

TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C

TA = +125°C

VDD = 5.5V

TA = +125°C


MCP601/2/3/4
図 2-13: 周波数に対するチャネル間セパレ - ション

図 2-14: 周囲温度に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流

図 2-15: 負荷抵抗に対する DC オープンループゲイン

図 2-16: 周波数に対する CMRR と PSRR

図 2-17: コモンモード入力電圧に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流

図 2-18: 電源電圧に対する DC オープンループゲイン

90

100

110

120

130

140

150

1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

周波数 (Hz)

チャ

ネル

間セ

パレ

ーシ

ョン

(dB

) 無負荷

1k 10k 100k 1M

1

10

100

1000

25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125周囲温度 (°C)

入力

バイ

アス

とオ

フセ

ット

電流

(pA

)

IB

VDD = 5.5VVCM = 4.3V

IOS

80

90

100

110

120

1. E+02 1. E+03 1. E+04 1. E+05

負荷抵抗 (Ω)

DC

オー

プン

ルー

プゲ

イン

(dB

)

VDD = 2.7V

VDD = 5.5V

100 1k 10k 100k

102030405060708090

100

1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

周波数 (Hz)

CM

RR

, PSR

R (d

B)

CMRR

VDD = 5.0V

100 1k 10k 100k

PSRR+PSRR-

1

10

100

1000

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

コモンモード入力電圧 (V)

入力

バイ

アス

とオ

フセ

ット

電流

(pA

)IB, +85°C

VDD = 5.5Vmax. VCMR ≥ 4.3V

IB, +125°C

IOS, +85°C

IOS, +125°C

80

90

100

110

120

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

電源電圧 (V)

DC

オー

プン

ルー

プゲ

イン

(dB

) RL = 25 k♦


MCP601/2/3/4
図 2-19: 負荷抵抗に対するゲインバンド幅積と位相余裕

図 2-20: 出力電流に対する出力余裕電圧

図 2-21: 周波数に対する最大出力電圧スイング

図 2-22: 温度に対する DC オープンループゲイン

図 2-23: 温度に対する出力余裕電圧

図 2-24: 電源電圧に対する出力短絡電流

0.00.5

1.01.52.02.5

3.03.5

1. E+02 1. E+03 1. E+04 1. E+05

負荷抵抗 (Ω)

ゲイ

ンバ

ンド

幅積

(MH

z)

3040

50607080

90100

位相

余裕

, G =

+1

(°)

100 10k1k 100k

VDD = 5.0V

GBWP

PM, G = +1

1

10

100

1,000

0.01 0.1 1 10出力電流値 (mA)

無歪

出力

上限

(mV)

;V D

D -

V OH と

VO

L - V

SS

VDD-VOH

VOL-VSS

0.1

1

10

1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07

周波数 (Hz)

最大

出力

電圧

スイ

ング

(VP-

P)

10k 1M100k 10M

VDD = 5.0V

80

90

100

110

120

130

-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)

DC

オー

プン

ルー

プゲ

イン

(dB

)

VDD = 5.5V, RL = 5 kℵVDD = 2.7V, RL = 25 kℵ

VDD = 2.7V, RL = 5 kℵ

VDD = 5.5V, RL = 25 kℵ

1

10

100

1000

-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)

無歪

出力

(mV)

;V D

D -

V OH と

VO

L - V

SS VDD - VOH, RL = 5 k÷VOL - VSS, RL = 5 k÷

VDD - VOH, RL = 25 k÷VOL - VSS, RL = 25 k÷

VDD = 5.5VRL は VDD/2に接続

0

5

10

15

20

25

30

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧(V)

出力

短絡

電流

(mA

)

TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°CTA = +125°C


MCP601/2/3/4
図 2-25: 大信号時非反転パルス応答

図 2-26: 小信号時非反転パルス応答

図 2-27: チップ選択タイミング (MCP603)

図 2-28: 大信号時反転パルス応答

図 2-29: 小信号時反転パルス応答

図 2-30: チップ選択電圧に対する VSS での消費電流 (MCP603)

0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0

0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05

時間 (1 µs/div)

出力

電圧

(V)

VDD = 5.0VG = +1

2.41

2.43

2.45

2.47

2.49

2.51

2.53

2.55

2.57

2.59

0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05

時間 (1 µs/div)

出力

電圧

(20

mV/

div)

VDD = 5.0VG = +1

-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.5

0.0E+00 5.0E-06 1.0E-05 1.5E-05 2.0E-05 2.5E-05 3.0E-05 3.5E-05 4.0E-05 4.5E-05 5.0E-05

時間(5 µs/div)

出力

電圧

,C

S 電圧

(V)

VDD = 5.0VG = +1VIN = 2.5VRL = 100 kξ と GND

CS

VOUT Active

VOUT High-Z

0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0

0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05

時間 (1 µs/div)

出力

電圧

(V)

VDD = 5.0VG = -1

2.41

2.43

2.45

2.47

2.49

2.51

2.53

2.55

2.57

2.59

0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05

時間 (1 µs/div)

出力

電圧

(20

mV/

div)

VDD = 5.0VG = -1

-800

-700

-600

-500

-400

-300

-200

-100

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5CS電圧 (V)

V SS 経

由消

費電

流 (

µA)

VDD = 5.5V


MCP601/2/3/4
注 : 時に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ～ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.
図 2-31: チップ選択ピン電圧に対するチップ選択ピン入力電流

図 2-32: チップ選択の内部スイッチのヒステリシス

図 2-33: MCP601/2/3/4 ファミリオペアンプは、入力のオーバードライブでも位相反転しない。

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

CSピン電圧 (V)

CS ピ

ン電

流 (µ

A)

VDD = 5.5V

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

CSピン電圧 (V)

内部

CS

スイ

ッチ

電圧

(V)

VDD = 5.0V

ｱﾝﾌﾟﾊｲｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ

アンプON

CS Hi から Low CS Low から Hi

-1

0

1

2

3

4

5

6

0.0E+00 5.0E-06 1.0E-05 1.5E-05 2.0E-05 2.5E-05

時間(5 µs/div)

入出

力電

圧 (V

)

VDD = +5.0VG = +2

VIN

VOUT


MCP601/2/3/4

第 3 章活用情報

　MCP601/2/3/4 ファミリのオペアンプは、マイクロチップ社の最新技術のCMOSプロセスで作られています。それらはユニティゲインでも安定で、広範囲の汎用用途に適しています。

3.1 入力

　MCP601/2/3/4 アンプファミリは、入力ピンが入力電圧範囲を超えても位相は反転しないように設計されています。図 2-33は両側で入力電圧を超えても出力の位相が反転しないことを示しています。

　コモンモードの入力電圧範囲 (VCMR) には、単電源時のグランド電位 (VSS) も含んでいますが、VDD は含んでいません。これは、アンプの入力がコモンモード入力電圧VCMRの規格値 (VSS – 0.3V～ VDD – 1.2V +25℃にて ) を守っている限り、リニア特性であることを意味しています。

　入力電圧範囲 (VSS – 0.3V ～ VDD – 1.2V +25 ℃にて ) を超えた入力電圧のときは、入力ピンに出入りする電流が過大になります。±2 mA を超える電流は信頼性に影響を与えることがあります。この範囲を超える使い方では、図 3-1のように外部抵抗(RIN)により電流を制限しなければなりません。

図 3-1: RIN で入力ピンの電流を制限する

3.2 レールツーレール出力

　オペアンプのMCP601/2/3/4ファミリの出力振幅能力を表す規格が 2 通りあります。最初の規格（最大出力電圧振幅）は、規定の負荷で可能な絶対最大振幅として定義されます。例えば、VDD/2 で 25 kW 負荷のとき負側レールの 15 mV 内側まで出力電圧を振れます。図 2-33 は入力がリニア動作領域を超えたとき、出力電圧がいかに制限されるかを表しています。

　2 つめの規格は、このようなアンプの出力振幅能力をリニア出力電圧振幅として表します。この規格は、アンプがリニア領域で動作しているときに可能な最大出力振幅として定義されます。この範囲でリニア動作を検証するには、大信号 (DC オープンループゲイン(AOL)) で供給電源の 100 mV だけ内側で計るようにします。計測値は規格表のゲイン規格を超えなければなりません。

3.3 MCP603 のチップ選択 (CS)　MCP603 はチップ選択 (CS) を持つ 1 個入りのアンプです。CS が High になると供給電流は、-0.7 µA (typ.)まで下がります。これは CS ピンから VSS に流れる分です。このときには、アンプの出力はハイインピーダンス状態となります。CS を Low にするとアンプがイネーブルとなります。CS ピンがフロートのままだとアンプは正常に動作しません。図 1-1 はチップ選択のタイミングダイアグラムで、CS パルスへ応答する出力電圧、供給電流、CS 電流を表しています。図 2-27 は CSパルスに対する出力電圧の応答の計測結果を表します。

3.4 容量性負荷

　電圧フィードバックオペアンプでは、大きな容量性負荷をドライブすると安定性問題を引き起こします。負荷容量が増えると、フィードバックループの位相余裕が減り、クローズループのバンド幅が減ります。これは、周波数応答にゲインのピークを生じさせ、ステップ応答にオーバーシュート、リンギングを生じさせます。

　これらのオペアンプで高い容量性負荷をドライブするときは ( 例えば , > 40 pF で G = +1)、出力に小さな抵抗 ( 図 3-2 の RISO) を直列に入れると、高い周波数での抵抗を高めるため、フィードバックループの位相余裕（安定性）を改善します。バンド幅も容量負荷が無いときのバンド幅より通常は低くなります。

図 3-2: 出力抵抗 RISO が大きな容量性負荷でも安定化させる

　図 3-3は異なる容量とゲインに対するRISOの推奨値を与えます。X 軸は、任意のゲインに対してグラフから読み取り易くするため、正規化した負荷容量 (CL/GN)となっています。GN は回路のノイズゲインです。非反転回路では、GN とゲインが等しくなります。反転回路では、GN = 1 + |Gain| となります。（つまり、-1 V/V なら GN = +2 V/V となる )

MCP60X

RIN

VIN +

–

RINmaximum expected VIN( ) VDD–

2 mA------------------------------------------------------------------------------≥

RINVSS minimum expected VIN( )–

2 mA---------------------------------------------------------------------------≥

MCP60XRISO

VOUT

CL

RFRG

+

–


MCP601/2/3/4

図 3-3: 容量負荷に対する RISO の推奨値

　一度その回路用に RISO を選択したら、回路が示す周波数応答のピークと、ステップ応答のオーバーシュートをダブルチェックします。MCP601/2/3/4 の SPICE マクロモデルを使ってシミュレーションしベンチ評価することは大きな助けになります。応答が妥協できる程度まで RISO の値を修正します。

3.5 電源のバイパス

　オペアンプのこのファミリでは、高周波性能をよくするため、電源供給ピン ( 単電源の場合には VDD) の2 mm 以内にバイパスコンデンサ ( 例えば 0.01 µF ～0.1 µF) をつけるべきです。また、大きくゆっくりした電流用に100 mm 以内に大容量コンデンサ(例えば 1 µF以上 ) が必要です。この大容量コンデンサは他の部品用と共用できます。

3.6 PCB 表面リーク

　低い入力バイアス電流が重要な応用の場合には、プリント基板 (PCB) の表面リーク効果を考慮する必要があります。表面リークは、基板上の湿度やほこり、その他の汚染によって引き起こされます。低湿度条件下では、近接パターン間の標準的な抵抗は 1012W です。5V の差により 5 pA の電流が流れます。この値はMCP601/2/3/4 ファミリの +25 淸におけるバイアス電流 (1 pA, typ.) より大きいものです。

　表面リークを減らすもっとも簡単な方法は、敏感なピン（あるいはパターン）の周りにガードリングを使うことです。ガードリングは敏感なピンと同じ電圧にバイアスします。このタイプのレイアウト例を図 3-4に示します。

図 3-4: ガードリング配置例

1. 非反転アンプの場合は、ユニティゲインバッファの場合を含めて、反転入力ピン (VIN–) にガードリングを接続します。そしてガードリングをコモンモードの入力電圧にバイアスします。

2. 反転アンプ回路やインピーダンス変換アンプ（フォト検出器のような場合の電流から電圧への変換）の場合は、非反転入力ピン (VIN+) にガードリングを接続します。そしてガードリングをオペアンプのリファレンス電圧 ( 例えばVDD/2 またはグランド ) と同じにします。

3.7 典型的な応用例

3.7.1 アナログフィルタ

　図 3-5 と図 3-6 は、カットオフ周波数が 10 Hz の 2次のバターワースのローパスフィルタを示しています。図 3-5 のフィルタには、ゲインが +1 V/V の非反転アンプが、図 3-6 にはゲインが- 1 V/V の反転アンプを使っています。

図 3-5: ２次のローパスサレンキーフィルタ

図 3-6: 2 次のローパスマルチフィードバックフィルタ

　オペアンプの MCP601/2/3/4 ファミリは、低い入力バイアス電流ですので、設計者は、これらフィルタでより大きな抵抗とより小さなコンデンサを選ぶことができます。これにより PCB のレイアウトをコンパクトにできます。これらのフィルタは他と同様にマイクロチップの FilterLab® ソフトウェアが使えます。

10

100

1,000

10 100 1,000 10,000

正規化負荷容量; CL / GN (F)

推奨

RIS

O ( ξ

)

10p 100p 1n 10n10

100

1k

GN = +1GN ≥ +2

ガードリング VIN– VIN+

C2 VOUT

R1 R2

C1

VIN

47 nF

382 kΩ 641 kΩ

22 nF

G = +1 V/VfP = 10 Hz

MCP60X+

–

C2

VOUT

R1 R3 C1

VIN

R2

VDD/2

G = -1 V/VfP = 10 Hz618 kΩ

618 kΩ 1.00 MΩ 8.2 nF

47 nFMCP60X+

–


MCP601/2/3/4

3.7.2 計装アンプ回路

　計装アンプは、片方の入力電圧ともう片方との差をとる差動入力となっていて、コモンモードの信号を除去します。これらのアンプも片側接地の出力を供給します。

　図 3-7 に 3 個のオペアンプによる計装アンプを示します。この方法による利点はユニティゲイン動作にあります。一方、欠点としてはコモンモード入力電圧範囲が R2/RG を大きくするほど減少するということです。

図 3-7: 3 個のオペアンプによる計装アンプ

　2 個のオペアンプによる計装アンプを図 3-8 に示します。このアンプは 3 個のオペアンプの場合より電力消費は少ないのですが、これの主な欠点は、コモンモードの範囲が、ゲインを上げると減ってしまうことと、さらにゲインを 2 倍以上に設定しなければならないことです。

図 3-8: 2 個のオペアンプによる計装アンプ

　どちらの計装アンプも少なくても1 µF以上の大容量バイパスコンデンサが必要です。これらのアンプのCMRR は、両方のオペアンプの CMRR と抵抗のマッチングにより決まります。

3.7.3 フォト検知

　MCP601/2/3/4 オペアンプは電流出力のセンサー（フォトダイオードのような）の信号を電圧に簡単に変換することができます。（インピーダンス変換アンプ）この実際の回路は、図 3-9 と図 3-10に示したように１個の抵抗(R2)をアンプのフィードバックループに入れます。オプションのコンデンサ (C2) はこれらの回路の安定性を良くします。

　光電池モードに構成されたフォトダイオードは、ゼロ電位に接続できます。( 図 3-9) このモードでは、光感度とリニアリティが最大となり、高精度の応用には最適です。この応用でキーとなるアンプの規格は：低入力バイアス電流、低ノイズ、コモンモード入力電圧範囲（グランドを含む）、レールツーレール出力です。

図 3-9: 光電池モードの検出器

　これと対照的に、光伝導モードに構成されたフォトダイオードは、光検知要素に逆バイアス電圧が必要となります。( 図 3-10)これはダイオードの容量を減少させ高速動作を容易にします（例えば高速ディジタル通信など）。ダイオードのリーク電流が増加することは、リニアリティ誤差の増加につながります。オペアンプには、広いバンド幅積 (GBWP) を持ったものが必要になります。

図 3-10: 光伝導モードの検出器

MCP60XV1

MCP60XV2

R2

R2

R3

MCP60X

R4

R3 R4

VOUT

VREF

RG

+

–

–

+

–

+

VOUT V1 V2–( ) 12R2RG---------+⎝ ⎠

⎛ ⎞ R4R3------⎝ ⎠⎛ ⎞ VREF+=

MCP60XV2

RG

R2 R2

MCP60X

R1

VOUT

VREF

V1

R1

-

+

-

+

VOUT V1 V2–( ) 1R1R2------

2R1RG---------+ +⎝ ⎠

⎛ ⎞ VREF+=

D1光

VOUTVDD

MCP60X

R2

C2

ID1

VOUT = ID1 R2

–

+

D1光

VOUTVDD

MCP60X

R2

C2

ID1

VOUT = ID1 R2VBIASVBIAS < 0V

–

+


MCP601/2/3/4

第 4 章設計ツール

　マイクロチップはオペアンプのMCP601/2/3/4ファミリに必要な基本的な設計ツールを提供します。

4.1 SPICE マクロモデル

　MCP601/2/3/4オペアンプの最新のSPICEマクロモデルがマイクロチップの www.microchip.com のウェブサイトに用意されています。このモデルは室温におけるオペアンプのリニア領域の動作に適した初期設計ツール用となっています。この能力の情報については、SPICE モデルファームウェアをご覧下さい。

　ベンチテストは、いかなる設計でも非常に重要な部分で、シミュレーションでは置き換えできません。また、このマクロモデルを使ったシミュレーション結果は、データシートの仕様やグラフと比較して正しいことを確認する必要があります。

4.2 FilterLab® 2.0

　FilterLab® 2.0 は革新的なソフトウェアツールで、アナログアクティブフィルタ（オペアンプを使った）の設計を簡単化してくれます。マイクロチップのwww.microchip.com のウェブサイトから無償で入手でき、FilterLab アクティブフィルタソフトウェア設計ツールは、フィルタ回路の回路図と部品の値を提供します。また、SPICE 形式のフィルタ回路も出力し、実際のフィルタ性能をシミュレーションするマクロモデルとして使うことができます。


MCP601/2/3/4

第 5 章パッケージ情報

5.1 パッケージマーキング情報

凡例 : XX...X カスタマ仕様情報YY 年コード ( カレンダ年の下位２桁目 )WW 週コード (1 月 1 日を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード

注 : マイクロチップのパーツ番号全体が１行で入らないときは、次の行に渡りま

す。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。

* 標準の OTP マーキングはマイクロチップのパーツ番号、年コード、週コード、トレースコードで構成される

5-Lead SOT-23 (MCP601 と MCP601R のみ ) 例 :

XXNN 04NN

6-Lead SOT-23A (MCP603 のみ )

XXNN

例 :

04NN


MCP601/2/3/4

パッケージマーキング情報

XXXXXXXXXXXXXNNN

YYWW

8-Lead PDIP (300 mil) 例 :

8-Lead SOIC (150 mil) 例 :

XXXXXXXXXXXXYYWW

NNN

MCP601I/P256

0424

MCP601I/SN0324

256

8-Lead TSSOP 例 :

XXXX

XYWW

NNN

601

I324

256

14-Lead PDIP (300 mil) (MCP604 のみ ) 例 :

14-Lead SOIC (150 mil) (MCP604 のみ ) 例 :

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

YYWWNNN

XXXXXXXXXXX

YYWWNNN

MCP604-I/PXXXXXXXXXXXXXX

0424256

XXXXXXXXXXXMCP604ISL

0424256XXXXXXXXXXX

XXXXXXXX

NNN

YYWW

14-Lead TSSOP (4.4mm) (MCP604 のみ ) 例 :

604I

256

0324


MCP601/2/3/4
5-Lead Plastic Small Outline Transistor (OT) (SOT-23)
10501050βモールド抜き角頂部

10501050αモールド抜き角底部

0.500.430.35.020.017.014Bリード幅

0.200.150.09.008.006.004cリード厚

10501050φ足角

0.550.450.35.022.018.014L足長

3.102.952.80.122.116.110D全長

1.751.631.50.069.064.059E1モールドパッケージ幅

3.002.802.60.118.110.102E全幅

0.150.080.00.006.003.000A1スタンドオフ § 1.301.100.90.051.043.035A2モールドパッケージ厚

1.451.180.90.057.046.035A全高

1.90.075p1リード両端ピッチ ( 基本 )0.95.038pピッチ

55nピン数

MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界

ミリメータインチ *単位

1

p

DB

n

E

E1

L

c

βφ

α

A2A

A1

p1

* 制御パラメータ

注：D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-178Drawing No. C04-091

§ 有意特性


MCP601/2/3/4
6-Lead Plastic Small Outline Transistor (CH) (SOT-23)
10501050βMold Draft Angle Bottom

10501050αMold Draft Angle Top

0.500.430.35.020.017.014BLead Width

0.200.150.09.008.006.004cLead Thickness

10501050φFoot Angle

0.550.450.35.022.018.014LFoot Length

3.102.952.80.122.116.110DOverall Length

1.751.631.50.069.064.059E1Molded Package Width

3.002.802.60.118.110.102EOverall Width

0.150.080.00.006.003.000A1Standoff

1.301.100.90.051.043.035A2Molded Package Thickness

1.451.180.90.057.046.035AOverall Height

1.90.075p1Outside lead pitch (basic)

0.95.038pPitch

66nNumber of Pins

MAXNOMMINMAXNOMMINDimension Limits

MILLIMETERSINCHES*Units

1

DB

n

E

E1

L

c

β

φ

α

A2A

A1

p1

exceed .005" (0.127mm) per side.

Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not

Notes:

JEITA (formerly EIAJ) equivalent: SC-74A

Drawing No. C04-120

*Controlling Parameter


MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)
B1

B

A1

A

L

A2

p

α

E

eB

β

c

E1

n

D

1

2

単位インチ * ミリメータ

寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 8 8ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面から底部 A1 .015 0.38肩間幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .360 .373 .385 9.14 9.46 9.78先端から実装面 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38上部リード幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78下部リード幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56全実装幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部 β 5 10 15 5 10 15* 制御パラメータ

注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から

JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-018

.010” (0.254mm) 以上はありません。

§ 有意特性


MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 150 mil (SOIC)
足角 φ 0 4 8 0 4 8

1512015120βモールド抜き角底部

1512015120αモールド抜き角頂部

0.510.420.33.020.017.013Bリード幅

0.250.230.20.010.009.008cリード厚

0.760.620.48.030.025.019L足長

0.510.380.25.020.015.010h面取り長

5.004.904.80.197.193.189D全長

3.993.913.71.157.154.146E1モールドパッケージ幅

6.206.025.79.244.237.228E全幅

0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚

1.751.551.35.069.061.053A全高

1.27.050pピッチ

88nピン数



2

1

D

n

p

B

E

E1

h

Lβ

c

45°

φ

A2

α

A

A1


注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。.JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-057

§ 有意特性


MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm (TSSOP)


0.300.250.19.012.010.007Bリード幅

0.200.150.09.008.006.004cリード厚

0.700.600.50.028.024.020L足長

3.103.002.90.122.118.114Dモールドパッケージ長

4.504.404.30.177.173.169E1モールドパッケージ幅

6.506.386.25.256.251.246E全幅


1.10.043A全高

0.65.026pピッチ

88nピン数


ミリメータ *インチ単位

α

A2

A

A1

L

c

β

φ

1

2D

n

p

B

E

E1

足角 φ 0 4 8 0 4 8


注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .005” (0.127mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-153Drawing No. C04-086

§ 有意特性


MCP601/2/3/4
14-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)
E1

n

D

1

2

eB

β

E

c

A

A1

B

B1

L

A2

p

α

単位インチ * ミリメータ

寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 14 14ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面から底面 A1 .015 0.38肩間幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .740 .750 .760 18.80 19.05 19.30実装面から先端 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38上部リード幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78下部リード幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56実装全幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15

β 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部


注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-005

§ 有意特性


MCP601/2/3/4
14-Lead Plastic Small Outline (SL) – Narrow, 150 mil (SOIC)
足角 φ 0 4 8 0 4 8



0.510.420.36.020.017.014Bリード幅

0.250.230.20.010.009.008cリード厚

1.270.840.41.050.033.016L足長

0.510.380.25.020.015.010h面取り長

8.818.698.56.347.342.337D全長

3.993.903.81.157.154.150E1モールドパッケージ幅

6.205.995.79.244.236.228E全幅


1.751.551.35.069.061.053A全高

1.27.050pピッチ

1414nピン数



2

1

D

p

nB

E

E1

h

L

c

β

45°

φ

α

A2A

A1


注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-065

§ 有意特性


MCP601/2/3/4


14-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm (TSSOP)

840840φ足角



0.300.250.19.012.010.007Bリード幅

0.200.150.09.008.006.004cリード厚

0.700.600.50.028.024.020L足長

5.105.004.90.201.197.193Dモールドパッケージ長

4.504.404.30.177.173.169E1モールドパッケージ幅

6.506.386.25.256.251.246E全幅


1.10.043A全高

0.65.026pピッチ

1414nピン数


ミリメータ *インチ単位

Lβ

c

φ

2

1

D

nB

p

E1

E

α

A2A1

A


注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドのはみ出しや突出部は側面から .005” (0.127mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-153Drawing No. C04-087

§ 有意特性

MCP601/2/3/4

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください .

販売とサポート

データシート製品はまず最初にデータシートでサポートされます。データシートにはささいな動作の差異や推奨される修正方法について記述したエラッタシートも含まれます。あるデバイスのエラッタシートの有無を確認したいときは、下記のいずれかに連絡して下さい。1. 貴社の国内マイクロチップ代理店2. The Microchip Corporate Literature Center U.S. FAX: (480) 792-72773. The Microchip Worldwide Site (www.microchip.com)

デバイスと、シリコンのレビジョンと、お使いのデータシート（文書番号を含んだ）を明記して下さい。

新カスタマ通報システムウェブサイト (www.microchip.com) に登録すれば、製品の最新の情報を受け取れます。.

デバイス MCP601Single Op Amp

MCP601TSingle Op Amp(SOT23, SOIC,TSSOP はテープでリール )

MCP601RTSingle Op Amp(SOT23-5 はテープでリール )

MCP602Dual Op AmpMCP602TDual Op Amp

(SOIC と TSSOP はテープでリール )MCP603Single Op Amp with Chip SelectMCP603TSingle Op Amp with Chip Select

(SOT23, SOIC，TSSOP はテープでリール )MCP604Quad Op AmpMCP604TQuad Op Amp

( SOIC と TSSOP はテープでリール )

温度範囲 I = -40°C ～ +85°CE = -40°C ～ +125°C

パッケージ OT = Plastic SOT23, 5-lead (MCP601 のみ )CH = Plastic SOT23, 6-lead (MCP603 のみ )P = Plastic DIP (300 mil Body), 8, 14-leadSN = Plastic SOIC (150 mil Body), 8-leadSL = Plastic SOIC (150 mil Body), 14-leadST = Plastic TSSOP (4.4mm Body), 8, 14-lead

PART NO. X /XX

パッケージ温度範囲デバイス

Examples:

a) MCP601-I/P: Single Op Amp,工業温度品 ,8LD PDIP パッケージ .

b) MCP601-E/SN: Single Op Amp, 拡張温度品 , 8LD SOIC パッケージ

c) MCP601T-I/OT: テープでリール工業温度品 ,Single Op Amp,5-LD SOT23 パッケージ .

d) MCP601T-E/ST: テープでリール拡張温度品 ,Single Op Amp,8LD TSSOP パッケージ

e) MCP601RT-E/OT: テープでリール ,拡張温度品 ,Single Op Amp, Rotated,5-LD SOT23 パッケージ

a) MCP602-I/SN: Dual Op Amp,工業温度品8LD SOIC パッケージ

b) MCP602-E/P: Dual Op Amp,拡張温度品 ,8LD PDIP パッケージ

c) MCP602T-E/ST: テープでリール ,拡張温度品 ,Dual Op Amp,8LD TSSOP パッケージ

a) MCP603-I/SN: 工業温度品 ,Single Op Amp with ChipSelect,8LD SOIC パッケージ

b) MCP603-E/P: 拡張温度品 ,Single Op Amp with Chip Select, 8LD PDIP パッケージ

c) MCP603T-E/ST: テープでリール ,拡張温度品 ,Single Op Amp with ChipSelect, 8LD TSSOP ﾊﾟｯｹｰｼﾞ

d) MCP603T-I/SN: テープでリール ,工業温度品 ,Single Op Amp with Chip Select, 8LD SOIC パッケージ

a) MCP604-I/P: 工業温度品 ,Quad Op Amp,14LD PDIP パッケージ .

b) MCP604-E/SL: 拡張温度品 ,Quad Op Amp,14LD SOIC パッケージ

c) MCP604T-I/ST: テープでリール ,工業温度品 ,Quad Op Amp,14LD TSSOP パッケージ .


MCP601/2/3/4
ノート :

マイクロチップデバイスのコード保護についての詳細

マイクロチップ製品は、マイクロチップが発行するデータシートに記載された仕様を満たしています。

マイクロチップの製品ファミリは、正常かつ通常条件下で使用される限り、現在の半導体市場で最も確実で安全な製品です。

コード保護を侵害する不正または不法な行為、または、マイクロチップが発効するデータシートに記載されている仕様範囲外でマ

イクロチップ製品を使用し不正または不法な行為を行った場合は、知的財産の侵害となります。

マイクロチップは、コードの完全性について懸念されるカスタマをサポートします。

マイクロチップおよびその他の半導体メーカは、コードのセキュリティを保証しておりません。コード保護機能は、製品が破損しな

いことを保証するものではありません。

コード保護機能は常に改善されています。マイクロチップでは、弊社の製品のコード保護機能に対して不断な努力を重ねておりま

す。弊社のコード保護機能を侵害する行為は、デジタルミレニアム著作権法 (DMCA) に違反します。カスタマのソフトウェアまた

はその他の著作物への不正アクセスが生じた場合は、この著作権法に則り訴訟を起こす場合があります。

この文書に含まれるデバイスアプリケーションに関する情

報は、ユーザーが任意で入手可能できるため、入手した文書

が常に最新版であるとは限りません。したがって、ユーザー

アプリケーションが製品仕様を満たしているかの判断はユー

ザー側の責任とします。

マイクロチップは、条件、品質、パフォーマンス、市場性ま

たは適合性を含む関連情報 ( この限りではない ) が、明示また

は暗示、書面または口頭、制定内またはそうでない場合でも

いかなる種類の保証を致しかねます。

マイクロチップは、この情報とその使用に起因する全ての責

任を負いかねます。生命維持装置の重要な構成要素としてマ

イクロチップ製品を使用する場合は、マイクロチップによる

正式な書面での承認以外は認可されません。いかなる知的所

有権の下でも、明示的またはその他のライセンスの譲渡は認

められません。

DS21314F_JP-page 27

商標

マイクロチップの名前およびロゴ (Microchip logo、 Accuron、dsPIC、 KEELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC、および SmartShunt ) は、米国およびその他の国において登録された、 Microchip Technology Incorporated の商標です。AmpLab, FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 PICMASTER、 SEEVAL、 SmartSensor、および Embedded Control Solutions Company は、米国において登録された、 Microchip Technology Incorporated の商標です。

Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 dsPICDEM、

dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、ICSP、 ICEPIC、 Linear Active Thermistor、 MPASM、 MPLIB、MPLINK、 MPSIM、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、 Total Endurance、および WiperLock は、米国およびその他の国にお

ける、 Microchip Technology Incorporated の商標です。

SQTP は、米国における、 Microchip Technology Incorporated のサービス商標です。

ここに示されるその他の商標はそれぞれの企業の著作物です。

© 2006, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

再生紙を使用しています。

© 2006 Microchip Technology Inc.

マイクロチップ社は、 2003 年 10 月に本社、設計およびウエハ工場 ( アリゾナ州チャンドラーおよびテンピー、カリフォルニア州マウンテンビュー ) 品質システムが、 ISO/TS-16949:2002 の認証を取得しました。マイクロチップの品質システムプロセスおよび手順は、PICmicro® 8 ビット MCU、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、およびアナログ製品を使用しています。また、マイクロチップの開発システムの設計および製造は、 ISO 9001:2000 の認定を取得しています。

DSTEMP



AMERICASCorporate Office2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277Technical Support: http://support.microchip.comWeb Address: www.microchip.comAtlantaAlpharetta, GA Tel: 770-640-0034 Fax: 770-640-0307BostonWestborough, MA Tel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088ChicagoItasca, IL Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075DallasAddison, TX Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924DetroitFarmington Hills, MI Tel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260KokomoKokomo, IN Tel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387Los AngelesMission Viejo, CA Tel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608Santa ClaraSanta Clara, CA Tel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445TorontoMississauga, Ontario, CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

ASIA/PACIFICAsia Pacific OfficeSuites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHabour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431Australia - SydneyTel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755China - BeijingTel: 86-10-8528-2100 Fax: 86-10-8528-2104China - ChengduTel: 86-28-8665-5511Fax: 86-28-8665-7889China - FuzhouTel: 86-591-8750-3506 Fax: 86-591-8750-3521China - Hong Kong SARTel: 852-2401-1200 Fax: 852-2401-3431China - QingdaoTel: 86-532-8502-7355Fax: 86-532-8502-7205China - ShanghaiTel: 86-21-5407-5533 Fax: 86-21-5407-5066China - ShenyangTel: 86-24-2334-2829Fax: 86-24-2334-2393China - ShenzhenTel: 86-755-8203-2660 Fax: 86-755-8203-1760China - ShundeTel: 86-757-2839-5507 Fax: 86-757-2839-5571China - WuhanTel: 86-27-5980-5300Fax: 86-27-5980-5118China - XianTel: 86-29-8833-7250Fax: 86-29-8833-7256

ASIA/PACIFICIndia - BangaloreTel: 91-80-4182-8400 Fax: 91-80-4182-8422India - New DelhiTel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632India - PuneTel: 91-20-2566-1512Fax: 91-20-2566-1513Japan - YokohamaTel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122Korea - GumiTel: 82-54-473-4301Fax: 82-54-473-4302Korea - SeoulTel: 82-2-554-7200Fax: 82-2-558-5932 or 82-2-558-5934Malaysia - PenangTel: 60-4-646-8870Fax: 60-4-646-5086Philippines - ManilaTel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069SingaporeTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850Taiwan - Hsin ChuTel: 886-3-572-9526Fax: 886-3-572-6459Taiwan - KaohsiungTel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803Taiwan - TaipeiTel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102Thailand - BangkokTel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350

EUROPEAustria - WelsTel: 43-7242-2244-39Fax: 43-7242-2244-393Denmark - CopenhagenTel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829France - ParisTel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79Germany - MunichTel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44Italy - Milan Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781Netherlands - DrunenTel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340Spain - MadridTel: 34-91-708-08-90Fax: 34-91-708-08-91UK - WokinghamTel: 44-118-921-5869Fax: 44-118-921-5820

全世界の販売及びサービス拠点

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