ee141 1 cronograma da disciplina de microeletrÔnica ee (4458-g)...
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EE1411
CRONOGRAMA DA DISCIPLINA DECRONOGRAMA DA DISCIPLINA DEMICROELETRÔNICA EE (4458-G)MICROELETRÔNICA EE (4458-G)
www.ee.pucrs.br/~vargas/Disciplinas/Microeletronica-EE(4458G-04)www.ee.pucrs.br/~vargas/Disciplinas/Microeletronica-EE(4458G-04)
Prof. Dr. Fabian VargasProf. Dr. Fabian [email protected]@pucrs.br
G1 = 0,16(P1 + P2 + P3 + P4 + P5) + 0,2(TrabFinal)
EE1412
Bibliografia (Livros): Bibliografia (Livros): “Digital Integrated Circuits: a design perspective”, Jan M. Rabaey, Anantha Chandrakasan,
Borivoje Nikolic. 2nd edition.
“Principles of CMOS VLSI Design: A Systems Perspective”, Neil Weste, Kamran Eshraghian. Addison Wesley Publishing Company.
“Microeletrônica – Volume 2”, Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Makron Books do Brasil Ltda. 1995. (Ver Cap. 1.3: Circuitos Digitais MOS, 563-644; Anexo A: Tecnologia de Fabricação de Circuitos Integrados, 760-742.)
EE1413
Bibliografia (Sites):Bibliografia (Sites): http://www-vlsi.stanford.edu:80/group/chips_micropro.html (Microprocessors Through the Ages) http://micro.magnet.fsu.edu/chipshots/index.html (Chip Shots Gallery) http://micro.magnet.fsu.edu/micro/gallery/chips/chipshots.html (Chip Shots Gallery) http://www.intel.com/community/oregon/hightech/history/intel/tech_advances.htm#micron (INTEL in
your Community) http://micro.magnet.fsu.edu/electromag/java/transistor/index.html (CMOS Fabrication Process &
Design Rules) http://www.cse.nd.edu/courses/cse462/www/lectures/L05_Fabrication.pdf (CMOS Fabrication
Process & Design Rules) http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/invFab/index.html (CMOS Inverter Fabrication Process)
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The Transistor RevolutionThe Transistor Revolution
First transistorBell Labs, 1948
EE1415
The First Integrated Circuits The First Integrated Circuits
Bipolar logic1960’s
ECL 3-input GateMotorola 1966
EE1416
Intel 4004 Micro-ProcessorIntel 4004 Micro-Processor
19711000 transistors1 MHz operation
EE1417
Intel Pentium (IV) microprocessorIntel Pentium (IV) microprocessor
EE1418
Moore’s LawMoore’s Law
In 1965, Gordon Moore noted that the number transistors on a chip doubled every 18 to 24 months.
He made a prediction that semiconductor technology will double its effectiveness every 18 months
EE1419
Moore’s LawMoore’s Law
161514131211109876543210
195
9
196
0
196
1
196
2
196
3
196
4
196
5
196
6
196
7
196
8
196
9
197
0
197
1
197
2
197
3
197
4
197
5
LO
G 2 O
F T
HE
NU
MB
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OF
CO
MP
ON
EN
TS
PE
R I
NT
EG
RA
TE
D F
UN
CT
ION
Electronics, April 19, 1965.
EE14110
Evolution in ComplexityEvolution in Complexity
EE14111
Transistor CountsTransistor Counts
1,000,000
100,000
10,000
1,000
10
100
11975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010
8086
80286i386
i486Pentium®
Pentium® Pro
K1 Billion 1 Billion
TransistorsTransistors
Source: IntelSource: Intel
ProjectedProjected
Pentium® IIPentium® III
Courtesy, Intel
EE14112
Moore’s law in MicroprocessorsMoore’s law in Microprocessors
40048008
80808085 8086
286386
486Pentium® proc
P6
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
1970 1980 1990 2000 2010Year
Tra
nsi
sto
rs (
MT
)
2X growth in 1.96 years!
Transistors on Lead Microprocessors double every 2 yearsTransistors on Lead Microprocessors double every 2 years
Courtesy, Intel
EE14113
Die Size GrowthDie Size Growth
40048008
80808085
8086286
386486 Pentium ® proc
P6
1
10
100
1970 1980 1990 2000 2010Year
Die
siz
e (m
m)
~7% growth per year~2X growth in 10 years
Die size grows by 14% to satisfy Moore’s LawDie size grows by 14% to satisfy Moore’s Law
Courtesy, Intel
EE14114
FrequencyFrequency
P6Pentium ® proc
486386
28680868085
8080
80084004
0.1
1
10
100
1000
10000
1970 1980 1990 2000 2010Year
Fre
qu
ency
(M
hz)
Lead Microprocessors frequency doubles every 2 yearsLead Microprocessors frequency doubles every 2 years
Doubles every2 years
Courtesy, Intel
EE14115
Power DissipationPower Dissipation
P6Pentium ® proc
486
3862868086
80858080
80084004
0.1
1
10
100
1971 1974 1978 1985 1992 2000Year
Po
wer
(W
atts
)
Lead Microprocessors power continues to increaseLead Microprocessors power continues to increase
Courtesy, Intel
EE14116
Power will be a major problemPower will be a major problem
5KW 18KW
1.5KW 500W
40048008
80808085
8086286
386486
Pentium® proc
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
1971 1974 1978 1985 1992 2000 2004 2008Year
Po
wer
(W
atts
)
Power delivery and dissipation will be prohibitivePower delivery and dissipation will be prohibitive
Courtesy, Intel
EE14117
Power densityPower density
400480088080
8085
8086
286386
486Pentium® proc
P6
1
10
100
1000
10000
1970 1980 1990 2000 2010Year
Po
wer
Den
sity
(W
/cm
2)
Hot Plate
NuclearReactor
RocketNozzle
Power density too high to keep junctions at low tempPower density too high to keep junctions at low temp
Courtesy, Intel
EE14118
Not Only MicroprocessorsNot Only Microprocessors
Digital Cellular Market(Phones Shipped)
1996 1997 1998 1999 2000
Units 48M 86M 162M 260M 435M Analog Baseband
Digital Baseband
(DSP + MCU)
PowerManagement
Small Signal RF
PowerRF
(data from Texas Instruments)(data from Texas Instruments)
CellPhone
EE14119
Productivity TrendsProductivity Trends
1
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
10,000,000
200
3
198
1
198
3
198
5
198
7
198
9
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1
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3
199
5
199
7
199
9
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1
200
5
200
7
200
9
10
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
10,000,000
100,000,000
Logic Tr./ChipTr./Staff Month.
xxx
xxx
x
21%/Yr. compoundProductivity growth rate
x
58%/Yr. compoundedComplexity growth rate
10,000
1,000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Lo
gic
Tra
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sto
r p
er C
hip
(M)
0.01
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
Pro
du
ctiv
ity
(K)
Tra
ns.
/Sta
ff -
Mo
.
Source: Sematech
Complexity outpaces design productivity
Co
mp
lexi
ty
Courtesy, ITRS Roadmap
EE14120
Why Scaling?Why Scaling? Technology shrinks by 0.7/generation With scaling, every generation can integrate 2x
more functions per chip; chip cost does not increase significantly
Cost of a function decreases by 2x But …
How to design chips with more and more functions? Design engineering population does not double every
two years… Hence, a need for more efficient design methods
Exploit different levels of abstraction
EE14121
Design Abstraction LevelsDesign Abstraction Levels
n+n+S
GD
+
DEVICE
CIRCUIT
GATE
MODULE
SYSTEM
EE14122
Design MetricsDesign Metrics
How to evaluate performance of a digital circuit (gate, block, …)? Cost Reliability Scalability Speed (delay, operating frequency) Power dissipation Energy to perform a function
EE14123
Cost of Integrated CircuitsCost of Integrated Circuits
NRE (non-recurrent engineering) costs design time and effort, mask generation one-time cost factor
Recurrent costs silicon processing, packaging, test proportional to volume proportional to chip area
EE14124
NRE Cost is IncreasingNRE Cost is Increasing
EE14125
Die CostDie Cost
Single die
Wafer
From http://www.amd.com
Going up to 12” (30cm)
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Cost per TransistorCost per Transistor
0.00000010.0000001
0.0000010.000001
0.000010.00001
0.00010.0001
0.0010.001
0.010.01
0.10.111
19821982 19851985 19881988 19911991 19941994 19971997 20002000 20032003 20062006 20092009 20122012
cost: cost: ¢-per-¢-per-transistortransistor
Fabrication capital cost per transistor (Moore’s law)
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YieldYield%100
per wafer chips ofnumber Total
per wafer chips good of No.Y
yield Dieper wafer Dies
costWafer cost Die
area die2
diameterwafer
area die
diameter/2wafer per wafer Dies
2
Simplified Form
Complete Form
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DefectsDefects
area dieareaunit per defects
1yield die
is approximately 2
EE14129
Some Examples (1994)Some Examples (1994)Chip Metal
layersLine width
Wafer cost
Def./ cm2
Area mm2
Dies/wafer
Yield Die cost
386DX 2 0.90 $900 1.0 43 360 71% $4
486 DX2 3 0.80 $1200 1.0 81 181 54% $12
Power PC 601
4 0.80 $1700 1.3 121 115 28% $53
HP PA 7100 3 0.80 $1300 1.0 196 66 27% $73
DEC Alpha 3 0.70 $1500 1.2 234 53 19% $149
Super Sparc 3 0.70 $1700 1.6 256 48 13% $272
Pentium 3 0.80 $1500 1.5 296 40 9% $417
EE14130
1) A cada nova geração, as pastilhas de circuitos de circuitos integrados DRAM têmsignificantemente aumentado. No entanto, o rendimento do processo destes circuitos tem permanecido aproximadamente o mesmo (43% a 48%).
A tabela a seguir mostra alguns dados estatísticos referentes à produção de memórias DRAMs entre 1980 e 1992.
Exercícios:
a) Dado o aumento de área da pastilha de memórias DRAM, qual o parâmetro que deve ser melhorado para se manter o mesmo rendimento?
b) Qual é o melhoramento calculado para aquele parâmetro entre 1980 e 1992?
Ano Capacidade (KBytes)
Área da Pastilha (cm2)
Diâmetro do Wafer (pol)
Rendimento do Processo
(%)
1980 64 0,16 5 48
1983 256 0,24 5 46
1985 1024 0,42 6 45
1989 4096 0,65 6 43
1992 16384 0,97 8 48
EE14131
Respostas para a questão (b):1980: 5,611983: 3,951985: 2,331989: 1,611992: 0,91
2) Qual é o custo aproximado de uma pastilha de R4000 no wafer mostado à esquerda naFig. 1? Assuma que o wafer de 6 polegadas custa US$750,00 e que adensidade de defeito é 2/cm2. Use o número de pastilhas indicado nesta figura.
Resp.: USD 47,64.
3) Mesmo exercício que o anterior, mas utilizando o wafer da direita (R3000).
Resp.: USD 8,76.
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Fig. 1. Fotografia de um wafer de 6 polegadas contendo microprocessadores MIPS R4000 (esquerda) e um wafer de 6 polegadas contendo microprocessadores MIPS R3000 (direita). O número de pastilhas do R3000 no wafer da direita, para um rendimento de 100%, é 210. Cada pastilha mede 0,8 x 0,9cm2 e contem cerca de 125.000 transistores. O número de pastilhas do R4000 no wafer da esquerda, para um rendimento de 100%, é de 59. O tamanho da pastilha é 1,5 x 1,1cm2 e cada pastilha contem cerca de 1,3 milhão de transistores. Alguns dos chips do R3000 colocados nas bordas do wafer não serão utilizados; eles foram incluídos porque é mais fácil para se criar as máscaras para imprimir o circuito no silício. Os retângulos "vazios" em ambos wafers contém circuitos de teste usados para rapidamente se testar o wafer. O wafer do MIPS R4000 tem quatro circuitos de teste adicionais nas bordas.
EE14133
3) Se se considerar as demais variáveis como constantes, qual é a relação approximada entre o custo e a área da pastilha?
Resp.: area) (die cost die f 3
TransistorTransistor
Concepção de Circuitos IntegradosConcepção de Circuitos Integrados
Materiais SemicondutoresMateriais Semicondutores
Átomo de SilícioÁtomo de Silício
• Grande estabilidade física e química em temperatura ambiente
• 4 elétrons na órbita externa: valência 4
• Permite uma obtenção “natural” do SiO2
- óxido de silício
NeutronNeutron
PrótonPróton
NúcleoNúcleo
ElétronElétron
Cristal de SilícioCristal de SilícioSiSi
SiSi SiSi
SiSi
Materiais SemicondutoresMateriais Semicondutores
SiSi
SiSi SiSi
SiSi
Monocristal: Silício MonocristalinoMonocristal: Silício Monocristalino- estrutura regular e homogênea- estrutura regular e homogênea- ligações covalentes- ligações covalentes- material quimicamente estável- material quimicamente estável
Em estado puro (intrínsico):Em estado puro (intrínsico):- mal condutor a temperatura ambiente- mal condutor a temperatura ambiente- isolante a baixas temperaturas- isolante a baixas temperaturas
Aumento da temperatura:Aumento da temperatura:- provoca quebra das ligações- provoca quebra das ligações- um elétron livre provoca a formação de uma- um elétron livre provoca a formação de uma lacunalacuna- ocorre a geração de pares elétrons-buracos- ocorre a geração de pares elétrons-buracos
Materiais SemicondutoresMateriais Semicondutores
Mobilidade dos elétrons Mobilidade dos buracosMobilidade dos elétrons Mobilidade dos buracos
µµnn µµpp
OBS: Cerca de 3 vezes para o silício e 30 vezes para o AsGaOBS: Cerca de 3 vezes para o silício e 30 vezes para o AsGa
Resistividade:Resistividade: capacidade de um material veicular correntecapacidade de um material veicular corrente
depende:depende: - concentração de portadores (que por sua vez, depende: temperatura, dopagem)- mobilidade dos portadores no material
Dopantes:Dopantes: átomos com átomos com excessoexcesso de de elétronselétrons ou de ou de lacunaslacunas
dopantes do dopantes do tipo Ptipo P: falta de elétrons (receptor de é, pFET) ex.: boro (3A)boro (3A)
dopantes do dopantes do tipo Ntipo N: excesso de elétrons (doador de é, nFET) ex.: fósforo (5A)fósforo (5A)
http://educar.sc.usp.br/quimica/tabela.html
Materiais SemicondutoresMateriais Semicondutores
http://profmokeur.ca/quimicap/
Ver Tabelas Periódicas em:
Transistor MOSTransistor MOS
Silício Policristalino -> CONDUTOR
Óxido de Silício SiO2
Semicondutor -> (Germânio ou Silício Monocristalino)
Estruturas MOS
Óxido de Silício SiO2 -> ISOLANTE
Silício Monocristalino -> SEMICONDUTOR
Metal
NN
NN
NN
PP
PoliPoli
Silício Policristalino
Óxido de SilícioSiO2
Silício Monocristalino
“Difusão N” Substrato P
Corte transversal
Vista de topo
Transistor MOSTransistor MOS
NN
NN
NN
PP
““Difusão N”Difusão N”
Substrato PSubstrato P
planta baixaplanta baixaContato
FonteFonte DrenoGrade
corte
canalcanal
Transistor MOSTransistor MOS (nFET)
nFET
Transistor MOS Transistor MOS (nFET)
NNNN
PP ““Difusão N”Difusão N”
Gate = 0 Vcanal “aberto” (OFF)
FonteFonte Dreno
NNNN
PP
Gate = VCC
canal “fechado” (ON)
nFET
FonteFonteDreno
Transistor MOSTransistor MOS (pFET)
PPPP
““Difusão P”Difusão P”
FonteFonte DrenoGate = VCC
canal “aberto” (OFF)
PPN WellN Well
PPPP
PP
FonteFonteDreno
Gate = 0 V canal “fechado” (ON)canal “fechado” (ON)
pFET
N WellN Well