electrónica análoga i prof. gustavo patiño. m.sc, ph.d. mj 12- 14 13-01-2015
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Fig. 5.1 Physical structure of the enhancement-type NMOS transistor: (a) perspective view; (b) cross section. Typically L = 1 to 10 m, W = 2 to 500 m, and the thickness of the oxide layer is in the range of 0.02 to 0.1 m.
Sin VGS RSD >>RSD = 1012
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Fig. 5.2 The enhancement-type NMOS transistor with a positive voltage applied to the gate. An n channel is induced at the top of the substrate beneath the gate.
Específicamente para VGS igual al voltaje denominado VT, el canal es sólo inducido, y la corriente conducida entre Drain y Source es aún tan pequeña que resulta despreciable.
Específicamente para VGS igual al voltaje denominado VT, el canal es sólo inducido, y la corriente conducida entre Drain y Source es aún tan pequeña que resulta despreciable.
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Fig. 5.3 An NMOS transistor with vGS > Vt and with a small vDS applied. The device acts as a conductance whose value is determined by vGS. Specifically, the channel conductance is proportional to vGS - Vt, and this iD is proportional to (vGS - Vt) vDS. Note that the depletion region is not shown (for simplicity).
• vDS pequeño entre 0.1 y 0.2 V.
•A medida que vGS excede a Vt más electrones son atraídos hacia el canal.
• Incremento en la profundidad del canal.
•Reducción de la resistencia y aumento de la conductancia.
•Enriquecimiento del canal.
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Operación del MOSFET bajo un voltaje aplicado vDS pequeño. Se comporta como un resistor cuyo valor es controlado por vGS.
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Fig. 5.5 Operation of the enhancement NMOS transistor as vDS is increased. The induced channel acquires a tapered shape and its resistance increases as vDS is increased. Here, vGS is kept constant at a value > Vt.
• El voltaje medido desde source se incrementa desde 0 hasta vDS.
• El voltaje entre gate y los puntos del canal se disminuye desde vGS en el source hasta vGS-vDS en el drain.
• A medida que vDS se incrementa, el canal se hace mas inclinado y la resistencia se incrementa.
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Fig. 5.6 The drain current iD versus the drain-to-source voltage vDS for an enhancement-type NMOS transistor operated with vGS > Vt.
• Entonces, a medida que vDS aumenta, la curva iD vs vDS no continua como recta sino que se dobla.
• Cuando vDS alcanza un valor que reduce el voltaje entre el gate y el canal a Vt, el canal se ha estrangulado (pinched off.)
• La corriente permanece constante y el MOSFET queda en saturación.
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Fig. 5.8 Derivation of the iD - vDS characteristic of the NMOS transistor.
• Se aplica un vGS > Vt y un vDS < vGS-Vt.
• El voltaje entre gate y el punto x en el canal es vGS - v(x).
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2)()(2
1tGSoxnD Vv
L
WCi
2
2
1)( DSDStGSoxnD vvVv
L
WCi Región de
triodo
Región de saturación
oxnn Ck ' Parametro de transconductancia del proceso
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Fig. 5.11 (a) An n-channel enhancement-type MOSFET with vGS and vDS applied and with the normal directions of current flow indicated. (b) The iD - vDS characteristics for a device with Vt = 1 V and k’n(W/L) = 0.5 mA/V2.
El drain es siempre positivo respecto al source en un FET de canal n.
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Región de corteRegión del tríodoRegión de Saturación.
Es esencial la completa compresión de las curvas características terminales de un MOSFET para el ingeniero que pretenda diseñar circuitos con MOS
Circuitos analógicos: Amplificadores
Circuitos digitales: Switches y compuertas.
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tGS Vv
OJO: Corte significa que no hay corrientes en el circuito !
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tGS Vv
tGD Vv
DStGSnD vVvL
Wki
'
1
'
tGSn
D
DSDS Vv
LW
ki
vr
Si vDS es pequeño entonces se encuentra rDS.
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tGS Vv
tGD Vv
tGSDS Vvv
2)('21
tGSnD VvL
Wki
En saturación el MOSFET proporciona una corriente de drain cuyo valor es independiente del voltaje de drain vDS y está determinado por el voltaje de la compuerta vGS.
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Fig. 5.12 The iD - vGS characteristic for an enhancement-type NMOS transistor in saturation (Vt = 1 V and k’n(W/L) = 0.5 mA/V2).
2)('2
1tGSnD Vv
L
Wki
Una fuente de corriente ideal controlada por vGS.
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Fig. 5.13 Large-signal equivalent-circuit model of an n-channel MOSFET operating in the saturation region.
tGS Vv
tGSDS VVV
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Fig. 5.15 Increasing vDS beyond vDSsat causes the channel pinch-off point to move slightly away from the drain, thus reducing the effective channel length (by L).
• La independencia de iD con vDS en saturación es sólo una idealización.
• Modulación de la longitud del canal.
• iD es inversamente proporcional a L.
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Fig. 5.16 Effect of vDS on iD in the saturation region. The MOSFET parameter VA is typically in the range of 30 to 200 V.
)1()('2
1 2DStGSnD vVv
L
Wki
• Voltaje Early. Típicamente =0.005 a 0.03 V-
1.• Dispositivos con
canales cortos sufren más el efecto de la modulación del canal.
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12)(
2
'
tGS
no Vv
L
Wkr
1
constante
GSvDS
Do v
ir
1 Do Ir
D
Ao I
Vr
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Fig. 5.17 Large-signal equivalent circuit model of the n-channel MOSFET in saturation, incorporating the output resistance ro. The output resistance models the linear dependence of iD on vDS and is given by ro VA/ID.
D
Ao I
Vr )1()('
2
1 2DStGSnD vVv
L
Wki
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Fig. 5.9 Cross section of a CMOS integrated circuit. Note that the PMOS transistor is formed in a separate n-type region, known as an n well. Another arrangement is also possible in which an n-type body is used and the n device is formed in a p well.
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En muchas aplicaciones la terminal Body es conectada a la terminal Source.
En circuitos integrados, el substrato generalmente es común a muchos transistores MOS.
El substrato es generalmente conectado al voltaje más negativo en un circuito NMOS y al voltaje más positivo en un circuito PMOS.
VSB tiene efecto en la operación del circuito.
El voltaje inverso de polarización extiende la región de agotamiento.
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El Efecto Body:
fSBftt VVV 220
ox
SA
C
qN
2
El body actúa como otra terminal gate que también controla la corriente de drain en el MOSFET.
Parámetro del efecto del BodyParámetro del efecto del Body
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Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia. 2014-2