コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所...

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コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 強磁場用小型ḊḊ電源自作 野尻浩之 固体物理 37 (2002) 465-472 理解ᶒᶃᶥᶒ 強磁場若手道場ᶒᶃᶥᶏ制作ᵻᶃᶦᶒᶋᵦᶮᲾᶁᶒ趣旨ᶏᶁᶇᶊᵮ使ᵨᵨᶃᶄᵳᵷᶌᶓᶋᵽᲿᶃᶄᵻᴩ次利用ᵻᶊᶓ出典明確ᶏᵻᶊᵳᶄᵹᵨᲿᶢᶃᲾ掲載内容ᵻᶊ利用者ᶏᵨ ᵯᶎᶯ保証ᵬᶯᶦᶒᶋᶎᵨᵷᶌᶶ明記ᵨᶃᵻᶢᵽᲿ

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Page 1: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

コンデンサバンクの設計

東北大学金属材料研究所

野尻浩之

強磁場用小型 電源 自作野尻浩之 固体物理 37 (2002) 465-472理解

本 強磁場若手道場 制作 趣旨 使 自由 次利用 関 出典 明確 掲載内容 関 利用者

保証 与 明記

Page 2: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

基本回路図

MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

Page 3: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

エネルギーの決定

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E =B2

2µ0

vl =CV

2

2

" = # LC

B=30 T, 3.5 kJ/cm3

ID=1,l=8, vl~6.4 cm3, E~22 kJ

C=2 mF, V~5 kV

L=0.5mH,τ~5ms

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充電圧の決定

V=2kV 25 T 初級, ミニコイル

3 kV    30T   中級

5kV     40T  上級

10kV    50T  専門

パルス幅 磁化測定なら 5ms程度

       磁気抵抗なら 25ms程度(立ち下がり利用)

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放電波形の計算

Page 6: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

充電シーケンスMC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

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Page 7: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

接地シーケンスMC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

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D 1

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WXY<UZ[ERV\]UL^#_`0abcdefJ1Gghi

Page 8: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

放電シーケンスMC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

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D 1

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Page 9: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

逆充電MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

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Rm1

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D 1

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Page 10: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

クローバー回路のメリットMC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

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D 1

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Page 11: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

反転回路

Nojiri et al.J. Mag. Mag. Matter, 2007

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放電スイッチ!"#$%&'()*+.

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2345-678-69:;<

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N"MCO,-3PQRS+TU)*+.

VM$WX)I, YZ4H-3[23C-3\PQB]10-20DEF

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ghiO,-315 kA, VM$j10 msec, 2k106EFPl+ .

三菱半導体カタログより

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MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

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D3

D4

Rc

C1

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Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

接地抵抗

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23456789:;<=1.

>?01@AB7@CDE?FGH??IJ<GK=91.

LMNAB7?FG, OPQ?F<=1:;

RS$7"#$(TP1UV

WXYZ!B<?[\+]^_,

7`abcG?F\+OPNP1!6d`B<ef01

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実体配線

据え付けなら棚がお勧め

鉄板の上に固定

可動式なら複数分割も

ひもで配線シュミレーション

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実体配線

3次元の構造を想像だけで考えるのは無理

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内部配線

ブスバーかケーブルか

ケーブルの場合肉厚の圧着端子利用

複数の並列接続

コンデンサのガイシはトルクレンチ使用が必須

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+,-22 mm2(.)/012#$%&3456

!")*7*89:;(<=', %>?$@0A9

BC4 mm, D50 mm(EF

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MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

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D3

D4

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C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

安全

例えばRm1の配線がはずれると

DMRの電圧は充電圧まで上昇

切れていけないところはしっかりと

  特に接地電位に繋がる配線

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MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

熱計算

例えばRcの選択

 Rcではコンデンサに蓄積すると同じエネルギーが消費

 50 kJ 1秒充電なら 50kW

100Wの抵抗なら500個、充電間隔があるので減らせる

  低電圧の繰り返し充電に注意

 セラミックス抵抗がベスト

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MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

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D 1

接地抵抗

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5'6789:;%8<=>!?@ABC'D% EF!G!

&'HI@JK1'6 L! MNOPLFF! QO=>!!

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fRSKjk+Cl<mn!

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MC LC

SL

ETH

THR

ER

200 V

AC

CT

ReD2

D3

D4

Rc

C1

T1

Rt

C t

Rb

Rb

RbRb

Rd

Rm2

Rm1

DMR !"Dd

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D 1

接地抵抗

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()*++,*-#./01234!

5678#9:0!

;<=>?-@'ABCD!

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点検

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Page 22: コンデンサバンクの設計コンデンサバンクの設計 東北大学金属材料研究所 野尻浩之 Õ è Ð強磁場用小型 Ê Þ Ì電源 自作 Ö 野尻浩之 固体物理

絶縁空気中 10kV 4cm

絶縁 ポリエチレン

カプトンも良いが割れやすい

低温ではテフロンチューブ

沿面放電

 ほこりなどによるリーク

 乾燥しすぎはだめ