ハイパワーsp4t スイッチ gaas mmic - njrアイソレーション2 isl2 f=2.0ghz, pin=+27dbm...

NJG1809ME7

- 1 - Ver.2017-08-08

ハイパワーSP4Tスイッチ GaAs MMIC 概要外形

NJG1809ME7は LTE-U / LAA、WLAN、LTE等の通信用途に最適なハイパワーSP4Tスイッチです。本製品は切替電圧1.8Vに対応し、低挿入損失、高アイソレーション、高線形性を 6GHzまでカバーすることを特長とします。WLANで要求される高速切替時間にも対応します。本製品は内蔵 ESD保護素子により高 ESD耐圧を有します。本製品は DCブロッキングキャパシタが不要です*。

EQFN18-E7パッケージを採用し小型・薄型化を実現します｡（*DCバイアス印加時は除く）アプリケーション LTE-U / LAA, WLAN (802.11a/b/g/n/ac), LTE用途その他汎用切替用途特長

低切替電圧 1.35 ~ 5.0V 低挿入損失 0.40dB typ. @f=2.7GHz, 3.5GHz, PIN=+27dBm 0.50dB typ. @f=5.85GHz, PIN=+27dBm 高アイソレーション 27dB typ. @f=2.7GHz, PIN=+27dBm 25dB typ. @f=3.5GHz, PIN=+27dBm 30dB typ. @f= 5.85GHz, PIN=+27dBm P-0.1dB +32dBm min. 高速切替時間 250ns typ. 小型・薄型パッケージ EQFN18-E7 (2.0x2.0x0.397mm typ.) RoHS対応, ハロゲンフリー, MSL1

端子配列真理値表

“H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)

VCTL1 VCTL2 Path L L PC-P1 H L PC-P2 L H PC-P3 H H PC-P4

注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。

(TOP VIEW)

端子名 1. GND 10. GND 2. GND 11. VDD 3. PC 12. VCTL2 4. GND 13. VCTL1 5. GND 14. GND 6. P1 15. GND 7. GND 16. P4 8. P2 17. GND 9. GND 18. P3 Exposed PAD: GND

NJG1809ME7

NJG1809ME7

- 2 -

絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω

項目記号条件定格単位

入力電力 PIN VDD =2.75V, VCTL=0/1.8V +33 dBm

電源電圧 VDD VDD端子 5.0 V

切替電圧 VCTL VCTL1, VCTL2端子 5.0 V

消費電力 PD 4層(101.5 x 114.5mm スルーホール有) FR4基板実装時、Tj=150°C) 1400 mW

動作温度 Topr -40 ~ +105 °C

保存温度 Tstg -55 ~ +150 °C

電気的特性 1 (DC)

共通条件: Ta=+25°C、VDD=2.75V、VCTL(H)=1.8V、VCTL(L)=0V、指定の外部回路による

項目記号条件最小値標準値最大値単位

電源電圧 VDD VDD端子 2.5 2.75 5.0 V

動作電流 IDD RF無信号時 - 350 700 A

切替電圧(LOW) VCTL(L) VCTL1, VCTL2端子 0 - 0.45 V

切替電圧(HIGH) VCTL(H) VCTL1, VCTL2端子 1.35 1.8 5.0 V

切替電流 ICTL VCTL(H)=1.8V - 4 10 A

NJG1809ME7

- 3 -

電気的特性 2 (RF) 共通条件: Ta=+25°C, Zs=Zl=50, VDD=2.75V, VCTL(H)=1.8V, VCTL(L)=0V, 指定の外部回路による

項目記号条件最小値標準値最大値単位

挿入損失 1 LOSS1 f=0.7GHz, PIN=+27dBm - 0.35 0.55 dB





アイソレーション 1 ISL1 f=0.7GHz, PIN=+27dBm 32 36 - dB




アイソレーション 5 ISL5 f=5.85GHz, PIN=+27dBm

PC-Pn*1 26 30 - dB

Pm-Pn*2 20 23 -

0.1dB圧縮時入力電力 P-0.1dB f=5.85GHz +32 - - dBm

第 2高調波 1 2fo(1) f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc

第 2高調波 2 2fo(2) f=2.69GHz, PIN=0dBm - - -95 dBc

第 3高調波 1 3fo(1) f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc

第 3高調波 2 3fo(2) f=1.732GHz, 1.91GHz, PIN=0dBm - - -95 dBc

第 4高調波 4fo f=5.18GHz, 5.85GHz, PIN=+27dBm - - -70 dBc

入力 2次インターセプトポイント IIP2

f=2.48+2.69GHz, fmeas=5.17GHz, PIN=+10dBm each

+100 - - dBm

入力 3次インターセプトポイント IIP3

f=1.71+2.40GHz, fmeas=5.82 GHz, PIN=+10dBm each

+60 - - dBm

定在波比 1 VSWR1 オン状態, f=2.7GHz - 1.2 1.5 -

定在波比 2 VSWR2 オン状態, f=5.85GHz - 1.3 1.6 -

スイッチング時間 TSW 50% VCTL to 10/90% RF - 250 400 ns

*1: Pn=P1, P2, P3, P4 *2: Pm=P1, P2, P3, P4. Pn=P1, P2, P3, P4. m≠n

NJG1809ME7

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端子説明端子番号端子記号機能

1 GND 接地端子です。RF特性を劣化させないために、ICピン近傍で接地電位に接続してください。


3 PC 共通 RF端子です。DCブロッキングキャパシタは不要です（DCバイアス印加時は除く）。



6 P1 RF端子です。DCブロッキングキャパシタは不要です（DCバイアス印加時は除く）。





11 VDD 電源端子です。正電源電圧(+2.5 to +5V)を印加して下さい。RF特性への影響を抑止するため対 GND間にバイパスキャパシタを接続してください。

12 VCTL2 経路切替用制御信号入力端子です。この端子の印加電圧をハイレベル

(+1.35~+5.0V)またはローレベルに(0~+0.45V)にセットしてください。

13 VCTL1 経路切替用制御信号入力端子です。この端子の印加電圧をハイレベル

(+1.35~+5.0V)またはローレベルに(0~+0.45V)にセットしてください。






Exposed Pad GND IC裏面の接地パッドです。RF特性を劣化させないために、パッド近傍で

接地電位に接続してください。

NJG1809ME7

- 5 -

特性例 (指定の測定回路による。外部回路の損失含まず)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P1 LOSS

PC-P2 ISL

PC-P3 ISL

PC-P4 ISL

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)

LOSS, ISL vs Frequency(PC-P1 ON, V

DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P2 LOSS

PC-P1 ISL

PC-P3 ISL

PC-P4 ISL

PC-P

2 In

sert

ion

Loss

(dB

)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P3 LOSS

PC-P1 ISL

PC-P2 ISL

PC-P4 ISL

PC-P

3 In

sert

ion

Loss

(dB

)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P4 LOSS

PC-P1 ISL

PC-P2 ISL

PC-P3 ISL

PC-P

4 In

sert

ion

Loss

(dB

)

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

P1-P2 ISL P1-P3 ISLP1-P4 ISL

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)

ISL vs Frequency(PC-P1 ON, V

DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

P1-P2 ISLP2-P3 ISLP2-P4 ISL

Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

NJG1809ME7

- 6 -

0

100

200

300

400

500

2.5 3 3.5 4 4.5 5

I DD (A

)

VDD

(V)

(No RF input, PC-P1 ON, VCTL(L)

=0V, VCTL(H)

=1.8V)

IDD

vs VDD

0

2

4

6

8

10

12

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

I CTL

(A

)

VCTL

(V)

(No RF input, PC-P1 ON, VDD

=2.75V)

ICTL

vs VCTL


-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0


Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0


Isol

atio

n (d

B)

Frequency (GHz)


DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P1 ONPC-P2 ONPC-P3 ONPC-P4 ON

VSW

R: P

C p

ort

Frequency (GHz)

VSWR vs Frequency(V

DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0

PC-P1 ONPC-P2 ONPC-P3 ONPC-P4 ON

VSW

R: P

n po

rt

Frequency (GHz)

VSWR vs Frequency(V

DD=2.75V, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

NJG1809ME7

- 7 -


20

22

24

26

28

30

32

34

0

100

200

300

400

500

600

700

20 22 24 26 28 30 32 34

VDD

=2.5V_POUT

VDD

=2.75V_POUT

VDD

=3.5V_POUT

VDD

=5.0V_POUT

VDD

=2.5VV

DD=2.75V

VDD

=3.5VV

DD=5.0V

Input Power (dBm)

Out

put P

ower

(dB

m)

Output Power, IDD

vs Input Power(PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=5.85GHz)

Ope

ratin

g Cu

rren

t I D

D(

A)

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-50

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

20 22 24 26 28 30 32 34

VCTL(H)

=2.5V_Loss

VCTL(H)

=2.75V_Loss

VCTL(H)

=3.5V_Loss

VCTL(H)

=5.0V_Loss

VDD

=2.5VV

DD=2.75V

VDD

=3.5VV

DD=5.0V

Input Power (dBm)PC

-P1

Inse

rtio

n Lo

ss (

dB)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)

Loss, ISL vs Input Power(PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=5.85GHz)

Arb.

Uni

t

Time (1s/div)

Switching Time(PC-P1/P2 path, VDD=2.75V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V)

VCTL1

P2 Port

204ns 194ns

NJG1809ME7

- 8 -


-3.2

-2.8

-2.4

-2.0

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0.0

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V_L

VDD

=2.75V_L

VDD

=3.5V_L

VDD

=5.0V_L

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)

Loss, ISL vs Temperature(PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=0.7GHz, P

IN=27dBm)

Ambient Temperature (oC)

-3.2

-2.8

-2.4

-2.0

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0.0

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V_L

VDD

=2.75V_L

VDD

=3.5V_L

VDD

=5.0V_L

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)


CTL(L)=0V, V


IN=27dBm)


-3.2

-2.8

-2.4

-2.0

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0.0

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V_L

VDD

=2.75V_L

VDD

=3.5V_L

VDD

=5.0V_L

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)


CTL(L)=0V, V


IN=27dBm)


-3.2

-2.8

-2.4

-2.0

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0.0

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V_L

VDD

=2.75V_L

VDD

=3.5V_L

VDD

=5.0V_L

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)


CTL(L)=0V, V


IN=27dBm)


-3.2

-2.8

-2.4

-2.0

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4

0.0

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V_L

VDD

=2.75V_L

VDD

=3.5V_L

VDD

=5.0V_L

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC-P

1 In

sert

ion

Loss

(dB

)

PC-P

2 Is

olat

ion

(dB

)


CTL(L)=0V, V


IN=27dBm)


NJG1809ME7

- 9 -


1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC P

ort V

SWR


VSWR vs Temperature(PC-P1 ON, PC Port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=2.7GHz)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

P1 P

ort V

SWR


VSWR vs Temperature(PC-P1 ON, P1 Port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=2.7GHz)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

PC P

ort V

SWR


VSWR vs Temperature(PC-P1 ON, PC Port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=5.85GHz)

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

P1 P

ort V

SWR


VSWR vs Temperature(PC-P1 ON, P1 Port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=5.85GHz)

20

22

24

26

28

30

32

34

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

P -0.1

dB (

dBm

)

P-0.1dB

vs Temperature(PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V, f=5.85GHz)


Absolute Maximum Ratings: 33dBm

NJG1809ME7

- 10 -


050

100150200250300350400450500550600650700

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VDD

=2.5V

VDD

=2.75V

VDD

=3.5V

VDD

=5.0V

Ope

ratin

g C

urre

nt (A

)


Operating Current vs Temperature(PC-P1 ON, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL(H)

=1.5VV

CTL(H)=2.0V

VCTL(H)

=2.75VV

CTL(H)=3.5V

VCTL(H)

=5.0V

Con

trol

Cur

rent

(A

)Ambient Temperature (oC)

Control Current vs Temperature(PC-P2 ON, V

DD=2.75V)

0

100

200

300

400

500

600

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL(H)

=2.5V

VCTL(H)

=2.75V

VCTL(H)

=3.5V

VCTL(H)

=5.0V

Switc

hing

Tim

e (n

s)

Switching Time(rise) vs Temperature(PC-P1/P2 path, P2 port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)


0

100

200

300

400

500

600

-50 -25 0 25 50 75 100 125

VCTL(H)

=2.5V

VCTL(H)

=2.75V

VCTL(H)

=3.5V

VCTL(H)

=5.0V

Switc

hing

Tim

e (n

s)

Switching Time(fall) vs Temperature(PC-P1/P2 path, P2 port, V

CTL(L)=0V, V

CTL(H)=1.8V)


NJG1809ME7

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外部回路図

(TOP VIEW)

注: [1] 各RF端子にDCブロッキングキャパシタは不要です(DCバイアス印加時は除く)。 [2] インダクタL1はオプションです。PC端子に特に高いESD耐圧が必要な場合は対GND間にL1を接続してください。また各RF端子を厳密にGNDレベルに保つためにもL1を接続することをお勧めします。

部品表

番号定数備考 C1 1000pF 村田製作所 (GRM15) L1 68nH 太陽誘電 (HK1005)

3 421 5

6

7

8

9

1012 111314

18

17

16

15DECODER

L1

PC

VCTL1 VCTL2

C1

VDD

P1

P2

P3

P4

NJG1809ME7

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基板実装図 (TOP VIEW)

<PCB レイアウトガイドライン> (TOP VEIW) 注意事項 [1] 各 RF 端子に DC ブロッキングキャパシタは不要です。ただし、本製品の各 RF 端子はグランドレベルにバイアスされているため、本製品に接続される他のデバイスの端子が DC バイアスされている場合には、その端子には DCブロッキングキャパシタが必要です。

[2] スイッチの RF 特性への影響を抑止するために、VDD 端子には対グランドにバイパスコンデンサ(C1)を接続して下さい。

[3] 良好な RF特性を得るために、ICの GND端子は最短距離で基板のグランドに接続できるようレイアウト

して下さい。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置してください。

[4] Exposed PADは最短距離で基板のグランドに接続して下さい。良好な RF特性を得るために、IC直下に

スルーホールを配置して下さい。

周波数 (GHz) 基板損失 (dB)

0.7 0.16 2.0 0.43 2.7 0.56 3.5 0.68 5.85 1.02

PCB: FR-4, t=0.2mm キャパシタサイズ: 1005 ストリップライン幅: 0.4mm PCBサイズ: 26x26mm2

コネクタ損失を含む基板損失, Ta=+25 °C P2 P4

VDD VCTL2

VCTL1 GND GND

P1 P3

PC

1pin mark

C1

L1*

* L1はオプションです。

PCB

Package terminal

Package outline

Ground through hole Diameter= 0.2mm

NJG1809ME7

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EQFN18-E7パッケージ推奨フットパターン

PKG: 2.0x2.0mm2 Pin pitch: 0.4mm

: Land

: Mask (Open area) *Metal mask thickness: 100m : Resist (Open area)

Detail A

Unit: mm

NJG1809ME7

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外形図 (EQFN18-E7)

端子処理 :SnBi 基板 :Copper モールド材 :エポキシ樹脂重量 :5.0mg 単位 :mm

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関

連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

Exposed PAD 必ずグラウンドに接続してください。

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