FÍSICA DE SEMICONDUCTORESPREMIOS NOBEL DE FISICA

UN

Cristiam Camilo Bonilla Angarita-fsc04Cristiam-

2015

Hendrik Antoon Lorentz

Pieter Zeeman

País:Neerland

Año:1902

Ganaron el premio nobel de física por su investigación conjunta en la “radiación electromagnética”, dicha investigación es importante porque la radiación electromagnética se sitúa en los orígenes de la física cuántica y de semiconductores, además cabe resaltar que tuvo gran influencia en la investigación de los campos electromagnéticos (como la fuerza de Lorenz).

Philipp Eduard Anton von Lenard

Año:1905

País:Imperio Alemán

Gana el premio nobel por su investigación en los rayos catódicos, dicha investigación es importante debido a que a partir de esto se empieza a estudiar el efecto fotoeléctrico.

Joseph John Thomson

Año:1906

País:Inglaterra

Gana el premio nobel gracias a la invención de un modelo atómico que demuestra la existencia de los electrones, esto es importante ya que el movimiento de cargas genera la corriente eléctrica empleada en conductores, semiconductores y aislantes.

Albert Abraham Michelson

Año:1907

País:Estados Unidos

Gana el nobel gracias a sus estudios acerca de la velocidad de la luz, además en sus estudios mediante la construcción del interferómetro demuestra la inexistencia del ETER.

Wilhelm WienAño:1911

País:Imperio Aleman

Gana el nobel gracias a sus investigaciones sobre las ecuaciones que rigen la radiación de calor o efecto de cuerpo negro, además su aproximación rige el espectro completo de radiación térmica.

Max von Laue

Año:1914

País:Alemania

Gana el premio nobel por el descubrimiento de la difracción de rayos x, dicho acontecimiento es importante porque a partir de el nace la electroscopia atómica hoy día aun empleada para caracterizar materiales.

Max PlanckAño:1918

País:Imperio aleman

Gana el premio nobel gracias a su investigación en la física cuántica “cuantos de energía”, además es el encargado de sugerir la constante de planck la que se relaciona con el estado de menor energía existente y se usa en la mayoría de la física cuántica y de semiconductores.

Albert Einstein

Año:1914

País:Alemania

Gana el premio nobel gracias a su descubrimiento de la ecuación y las leyes del efecto fotoeléctrico .

Niels Bohr

Año:1922

País:Dinamarca

Gana el nobel debido a su investigación en la estructura atómica, proponer el modelo atómico de bohr y sus 3 postulados.Dicho modelo atómico es importante dado que en el se basan los modelos de Schrödinger y de heisenberg.

Manne Siegbahn

Año:1924

País:Estocolmo

Gana su premio nobel por trabajar en la espectroscopia de rayos X, la cual es importante hoy día en los semiconductores debido a que el espectro de absorción y de emisión es una importante manera de caracterizar un material.

Louis-Victor de Broglie

Año:1929

País:Francia

Gano el premio nobel por exponer la naturaleza ondulatoria de los electrones, es decir es el primero en exponer la teoría onda-corpusculo la cual es el principio básico de la física cuántica y de los semiconductores al ser una aplicación de esta.

Werner Heisenberg

Año:1932

País:Aleman

Gana el premio nobel gracias a sus investigaciones en la mecánica cuántica, mas exactamente en al proponer su hipótesis de incertidumbre la cual menciona que no es posible conocer el momento y posición exacto de una partícula al mismo tiempo.

Werner HeisenbergPaul Dirac

Año:1933

País:Austria

Año:1933

País:Suiza

Trabajan juntos en una nueva interpretación de la teoría atómica, de sus investigaciones sale la distribución de fermi-Dirac que rige a las partículas cargadas eléctricamente (distribución empleada en la física de semiconductores) y además se soluciona la ecuación de onda de la partícula, la cual es también importante en la física de semiconductores y en base a la cual se interpreta un nuevo modelo atómico.

William Bradford Shockley

Walter Houser Brattain

John Bardeen

Año:1956

País:Estados unidos

Investigaron el comportamiento de los semiconductores en diversos tipos de pruebas y estudios generando artículos conocidos mundialmente, además se conoce que uno de sus experimentos culmino en la creación del transistor el cual es un implemento electrónico muy importante en cada rama de la ingeniería.

John Robert Schrieffer

Leon N. Cooper John Bardeen

Año:1972

País:Estados unidos

Ganan el nobel por su trabajo conjunto en la teoría de la superconductividad que se basa en la conducción de corriente eléctrica con cero resistencia y sin perdida de energía, usualmente sometiendo algún material especifico a bajas temperaturas.

Leo EsakiAño:1973

País:Japon

Ivar GiaeverAño:1973

País:Estados unidos-Noruega

Ganan el nobel por su trabajo continuo en la física de semiconductores, mas exactamente por el descubrimiento del fenómeno del efecto túnel y su posterior aplicación en las maquinas STM lo cual permite generar un render virtual de la estructura atómica de los materiales, e incluso la modificación de estas mismas estructuras.

Heinrich Rohrer Gerd Binnig

Año:1986

País:suiza

Año:1986

País:Alemania occidental

Ganan el premio nobel debido a que en base al recién descubierto efecto túnel diseñan y construyen el primer microscopio de efecto túnel.

Herbert Kroemer Zhorés Alfiórov

Año:2000

País:Alemania

Año:2000

País:Rusia

Ganan el premio nobel gracias a evolucionar los métodos de fabricación de semiconductores y a partir de estos construir heteroestructura súper ordenadas que se pueden aplicar en el campo de la optoelectrónica o en dispositivos integrados que requieran alta velocidad de transmisión.

Willard Boyle George E. SmithAño:2009

País:Canadá

Año:2009

País:Estados Unidos

Ganan el premio nobel gracias a su trabajo conjunto en la invención del sensor de carga acoplada el cual es un circuito integrado con una serie de condensadores acoplados en los cuales cada condensador puede transmitirá su carga eléctrica a su vecinos de forma selectiva, es el remplazo de los dispositivos CMOS actualmente en especial en el mercado de las cámaras digitales.

Andre Geim Konstantín Novosiólov

Año:2010

País:RusiaPaíses Bajos

Año:2010

País:Rusia Reino unido

Ganan el premio nobel al desarrollar el material conocido como grafeno, el cual es un material constituido de carbono puro y que se encuentra en un arreglo hexagonal en el plano, es decir tiene tan solo un átomo de altura. Dicho material es importante debido a que a parte de sus optimas características de conducción también se cree capas de resistir 200 veces mas que el acero y además posee la misma densidad de la fibra de carbono lo cual lo hace bastante ligero