LOS TRANSISTORES

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUPIngeniería de Sistema

Mariela Conca Atencio

Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada.

Concepto

La función que cumple es amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.Actualmente se encuentra en todos los aparatos electrónicos de uso diarios tales como radios, televisores, reproductores de audio, y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas entre otros.

LA FUNCIÓN QUE CUMPLE

El transistor de unión bipolar o BJT, de sus siglas del ingles bipolar junction transistor) se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, silicio o Arseniuro de galio, que tiene cualidades de semiconductores estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.

Transistor de unión bipolar

Esta formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidos en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E,B,C).

Cada una de estas zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor.La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces del espesor el colector.

ESTRUCTURA

• Transistor NPN• Dispositivos de dos uniones

semiconductores , formando tres zonas. Transistor que tiene una región P entre 2 regiones N.

• Región emisor, región de base, región colector.

• Las regiones pueden ser de tipo P-NP o N-P-N según como corresponda.

• La base esta localizada físicamente entre el emisor y colector.

Transistor JFET

Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.

Físicamente, un JFET de los denominados «Canal P» está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N.en las que conectan dos terminales conectados entre si.

Estructura de Transistor JFET

Se puede observar su estructura típica, representación unidimensional (mas didáctica) y símbolo de circuito.

Transistor Mosfet

Se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas, es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. También es utilizado en circuitos analógicos o digitales.

Estructura Mosfet

Esta compuesta de dos terminales y tres capas. Un substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2). Que posee característica dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada.

Estructura Mosfet

Sobre esta capa, se coloca una capa de metal (aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula.

Transistor IGBT

Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño esta compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo metal oxido semiconductor MOSFET

Estructura IGBT

Es un dispositivo semiconductor de 4 capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido –semiconductor (MOS) , estructura de la puerta sin una acción regenerativa.

Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.