mateusz wieczorkiewicz
DESCRIPTION
Półprzewodniki. Mateusz Wieczorkiewicz. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Mateusz Wieczorkiewicz
MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Półprzewodniki obejmują obszerną grupę materiałów, które ze względu na przewodnictwo elektryczne zajmują pośrednie miejsce pomiędzy metalami a izolatorami. Półprzewodniki stanowią oddzielną klasę substancji, gdyż ich przewodnictwo ma szereg charakterystycznych cech. W dostatecznie niskich temperaturach półprzewodnik staje się izolatorem.
Drugą ważną cechą półprzewodników jest zmiana przewodnictwa elektrycznego w wyniku niewielkich zmian ich składu.
Klasyfikacja materiałów elektrycznych
Budowa atomu krzemu i germanu
MODEL PASMOWY Teoria pasmowa – jest to teoria kwantowa
opisująca stany energetyczne elektronów w krysztale. W odróżnieniu od atomów, w których dozwolone stany energetyczne elektronów stanowią zbiór poziomów dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w kryształach mają charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów.
Pasmo przewodnictwa
Pasmo zabronione
Pasmo podstawowe
Wg
X
W
Przewodnik Półprzewodnik Izolator
Pasmo podstawowe
Pasmo zabronione
Pasmo przewodnictwa
Półprzewodniki samoistne Półprzewodnikiem samoistnym nazywamy półprzewodnik idealnie
czysty bez żadnych domieszek ani defektów sieci krystalicznej. Atomy półprzewodników (krzem, german) posiadają na
zewnętrznej powłoce (walencyjnej 4 elektrony. Każdy atom poprzez te elektrony łączy się z czterema innymi atomami. Powstaje w ten sposób bardzo trwałe wiązanie kowalencyjne.
Struktura półprzewodnika samoistnego oraz jego model pasmowy w temperaturze T=0K przedstawione są na poniższych rysunkach.
Rekombinacja
Generacja
Wpr
Wc
Wv
X0 L
WT >0 K
Foton
Foton
Przyjmuje się, że w temperaturze 0 kelwinów w paśmie przewodnictwa nie ma elektronów, natomiast w T>0K ma miejsce generacja par elektron-dziura; im wyższa temperatura, tym więcej takich par powstaje.
Półprzewodnik typu n i typu p (półprzewodniki niesamoistne)
Półprzewodnik niesamoistny jest wówczas, gdy w sieci krystalicznej monokryształu zamiast atomów pierwiastka materiału półprzewodnikowego znajduje się inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje się fosfor).
Powstaje wówczas tzw. półprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom nazywamy domieszką. Rozróżniamy dwa rodzaje domieszek: donorową i akceptorową.
Jeśli na skutek nieregularności sieci krystalicznej w półprzewodniku będą przeważać nośniki typu dziurowego, to półprzewodnik taki nazywać będziemy półprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy będą przeważać nośniki elektronowe, będziemy nazywać je półprzewodnikami typu n (nadmiarowy).
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
P+5
Elektron nadmiarowy
Półprzewodnik typu n uzyskuje się przez dodanie – w procesie wzrostu kryształu krzemu – domieszki pierwiastka pięciowartościowego (np. antymon, fosfor). Niektóre atomy krzemu zostaną zastąpione w sieci krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami
Rodzaje półprzewodników
Każdy atom domieszki ma pięć elektronów walencyjnych, z których cztery są związane z sąsiednimi atomami krzemu. A piąty elektron jest wolny i może być łatwo oderwany od atomu domieszki – jonizując dodatnio. Elektron wówczas przechodzi do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Atomy domieszki w modelu pasmowym półprzewodnika znajdują się na tzw. poziomie donorowym, który występuje w pobliżu dna pasma przewodnictwa półprzewodnika
Pasmo podstawowe
Poziom donorowy
Pasmo przewodnictwa (nadmiar elektronów)
Elektrony
X
W
Półprzewodnik typu p uzyskuje się przez zastąpienie niektórych atomów krzemu atomami pierwiastków trójwartościowych (np. glinu, galu). Na rysunku przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszką atomów indu.
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
Si+4
In+3
Dziura
Pasmo podstawowe(nadmiar dziur)
Poziom akceptorowy
Pasmo przewodnictwa
Dziury
X
W
Rodzaje półprzewodników
Półprzewodniki domieszkowane
Domieszki w krzemie
Domieszkowanie materiałów półprzewodnikowych
Złącze p-n czyli dioda półprzewodnikowa
Dioda półprzewodnikowa powstaje przez zetknięcie dwóch półprzewodników o różnych rodzajach przewodności niesamoistnej. Granica zetknięcia półprzewodnika typu p z półprzewodnikiem typu n nosi nazwę złącza p-n. Można je uzyskać w jednym krysztale, jeżeli wytworzyć w nim dzięki odpowiednim domieszkom równocześnie obszary o przewodności p i n. Złącza takie wytwarza się zwykle w czasie wzrostu (hodowania) kryształu lub metodami dyfuzji domieszek w podwyższonej temperaturze.
Rozkład ładunku i nośników w niespolaryzowanej diodzie półprzewodnikowej n-p– swobodne nośniki ładunku.
Rozwój elektroniki był i jest ściśle związany z rozwojem przyrządów półprzewodnikowych, osiąganiem przez nie większych prądów przewodzenia, wyższych napięć blokujących i korzystniejszych parametrów dynamicznych. Przyrządy półprzewodnikowe można podzielić na trzy zasadnicze grupy: przyrządy jonowe, elektronowe i półprzewodnikowe.
• jonowe to prostowniki rtęciowe, ignitrony i tyratrony,
• elektronowe to diody i triody próżniowe,
• półprzewodnikowe to diody półprzewodnikowe, tranzystory bipolarne, tyrystory konwencjonalne, tyrystory wyłączalne, tranzystory polowe mocy, tranzystory IGBT, ulepszone przyrządy mocy sterowane napięciowo, układy scalone analogowe i cyfrowe.
Rodzaje przyrządów półprzewodnikowych
Złącze typu n-p
p nZłącze n-p
Koncentracjadonorów iakceptorów
Koncentracjadziur ielektronów
dziury elektrony
Gęstość ładunku
potencjał
Dzięki dyfuzji elektronów z n do p i dziur z p do n powstaje w warstwie przejściowej strefa ujemnego i dodatniego ładunku przestrzennego stanowiącego warstwę zaporową. W warunkach równowagi termodynamicznej nie płynie prąd elektryczny.
Na wysokość bariery U możemy wpływać przez przyłożenie napięcia do złącza n-p.
U p n
Przebicie złącza Przebicie złącza: oznacza zniszczenie lub trwałe uszkodzenie złącza pod wpływem gwałtownego wzrostu prądu, przy czym polaryzacja złącza występuje w kierunku zaporowym.
Zjawisko Zenera – występuje ono w złączach o wąskiej warstwie zaporowej lub silnie domieszkowanych. Istotą tego zjawiska jest przejście elektronu uwolnionego z wiązania kowalencyjnego z półprzewodnika typu P do typu N , nie mając energii większej od energii tej bariery. Takie przejście nazywamy tunelowym. W wyniku tego zjawiska gwałtownie zwiększa się prąd wsteczny złącza. Zjawisko Zenera występuje przy napięciach mniejszych niż 5V w złączach krzemowych.
p
p
n
n
Zjawisko tunelowe. Zjawisko tunelowe: występuje w złączach bardzo silnie domieszkowanych, przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. W modelu pasmowym, dno pasma podstawowego półprzewodnika typu P jest powyżej wierzchołka pasma przewodnictwa półprzewodnika typu N. To umożliwia przejście tunelowe nośników z półprzewodnika P do N, a utrudnia przejście w przeciwną stronę nawet przy bardzo małym napięciu polaryzacji.
p
p
n
n Zjawisko tunelowe
Literatura:
ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKIA – Jakub
Dawidziuk
Notatki własne