oct. 7th, wednesday oct. 8th, thursday oct. 9th,...

Oct. 7th, Wednesday Oct. 8th, Thursday Oct. 9th, Friday

Poster Session 3

+ VR Poster Session

(16:40-18:10)

(16:32 - 16:40)

Session Th3

(16:02 - 16:32)

Company Introduction 3

(15:22 - 16:02)

Short Presentation 3

(14:20 - 15:22)


(12:10 - 12:50)

Free Time (Lunch)

(12:50 - 13:40)

Free Time (Lunch)

(11:50 - 12:40)


(12:40 - 13:40)


(9:30 - 11:00)

Closing Session (16:15 - 16:35)

(16:50 - 17:00)

Session We3

(16:20 - 16:50)

Online Party

(19:00 - 20:00)

+ Free Banquet

Free Time

(18:00 - 18:50)

Company introduction 1

(18:50-19:00)

Free Time

(18:10 - 19:00)

16:00

17:00

18:00

19:00

18:00

19:00

(14:00 - 14:10)

Session We1

(14:10 - 14:40)

Special Session

"Forefront of 5G technology &

business" (13:40-14:15)(14:15 - 14:25)

Special Session

(14:25-14:55)

(14:55 - 15:05)

Special Session

(15:05-15:35)

(15:35 - 15:45)

15:00

16:00

17:00

(14:40 - 14:50)

Session We2

(14:50 - 15:20)

(15:20 - 15:30)

Short Presentations 1

(15:30 - 16:10)

(16:12 - 16:20)

14:00

12:00

13:00

14:00

11:00

12:00

10:00

(14:10 - 14:20)

9:00

20:00

(9:30 - 9:40)

Short Presentations 2

(9:40 - 10:30)

(10:30 - 10:40)

Poster Session 2

(10:40 - 12:10)

Session Th2

(13:40 - 14:10)

15:00

Session Fr1

(9:00 - 9:30)

Tutrial

(11:00 - 11:50)

Special Session

(15:45-16:15)

Session Th1

(9:00 - 9:30)

20:00

Poster Session 1

(17:00 - 18:00)

Rump Session

(19:00 - 20:30)

9:00

10:00

11:00

Plenary Session

(13:10 - 14:00)

Opening Session (13:00 - 13:10)13:00

*The time highlighted with this color is

for break, advertisement

and announcement.

第 39回電子材料シンポジウム

39th Electronic Materials

Symposium

EMS-39

ADVANCE PROGRAM Oct. 7th (Wed.) – 9th (Fri.), 2020 ONLINE http://ems.jpn.org/

【October 7th, Wednesday】

Opening Session (13:00-13:10)

Plenary Session (13:10-14:00) Chair: N. Fujimura (Osaka Prefecture University)

Plenary 13:10 (50min) Research on Nitride Semiconductors ~from the Dawn, through the Present, to the Future~

窒化物半導体研究の夜明け、現在、そして将来

T. Matsuoka

Tohoku University

Break (14:00-14:10)

Session We1 (14:10-14:40) Chair: K. Kojima (Tohoku University)

We1 [Invited] 14:10 (30min) Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Expectation for GaN Power Devices

最近のパワーデバイスの進展ならびに GaNパワーデバイスへの期待

N. Iwamuro

Univsersity of Tsukuba

Break (14:40-14:50)

Session We2 (14:50-15:20) Chair: T. Araki (Ritsumeikan University)

We2 [Invited] 14:50 (30min) Breakthrough Technologies for AlGaN-based UV-B Laser Diode

サファイヤ基板上に作製した UV-Bレーザーダイオード

M. Iwaya*, T. Omori*, S. Tanaka*, Y. Ogino*, K. Yamada*, S. Ishizuka*, S. Teramura*, K. Sato*,**, S.

Iwayama*,***, T. Takeuchi*, S. Kamiyama*, I. Akasaki*,****, and H. Miyake*** *Meijo University, **Asahi-Kasei Corporation, ***Mie University, and ****Nagoya University

Break (15:20-15:30)

Short Presentation 1 (15:30-16:10) Chair: F. Ishikawa (Ehime University) P1-1 15:30 (2min+poster) RF-MBE growth and characterization of high-In-content GaInN/GaInN multiple layers

高 In 組成 GaInN/GaInN 多重周期構造の RF-MBE 成長と評価

K. Tahara, R. Yoshida, H. Hirukawa, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda

Kogakuin University

P1-2 15:32 (2min+poster) Growth of GaN Film on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE

RF-MBE法による ScAlMgO4基板上 GaN エピタキシャル成長

S. Kayamoto*, T. Fuji*,** T. Fukuda**, R. Sugie***, S. Mouri*, and T. Araki* *Ritsumeikan Univ, **Fukuda Crystal Laboratory, ***Toray Research Center, Inc.

P1-3 15:34 (2min+poster) A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE

極性面 GaN-MOVPEにおける炭素被覆率の理論解析

D. Yosho*, Y. Inatomi*, and Y. Kangawa*,** *Kyushu University, **Nagoya University

P1-4 15:36 (2min+poster) Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering

高 InN モル分率 InGaN 薄膜の DCパルススパッタリング成長

Y. Onishi*, H. Miura**, N. Takahashi**, M. Uemukai*, T. Tanikawa*, and R. Katayama* *Osaka University, **Tokyo Electron Technology Solutions Limited

P1-5 15:38 (2min+poster) Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy

Dependence

電子線照射によりホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依

存性

M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, and J. Suda

Nagoya University

P1-6 15:40 (2min+poster) Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated n-

type GaN

ショットキー障壁高さがガンマ線を照射した GaNに対する DLTS 測定に与える影響

K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda

Nagoya University

P1-7 15:42 (2min+poster) Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and

Surface Activated Bonding

誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングと表面活性化接合による GaN極性反転構造の作製

N. Yokoyama, R. Tanabe, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P1-8 15:44 (2min+poster) Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel

Waveguide with Input Grating Coupler

入力グレーティング結合器を集積した極性反転 GaN チャネル導波路による横型擬似位相整合第二次高

調波発生

T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P1-9 15:46 (2min+poster) Layer-by-layer Synthesis of Metal Oxide Compounds by Programable Pulsed-DC Sputtering Combined with

Oxygen Pulsed Supply

酸素パルス供給と組み合わせたプログラム可能なパルス DC スパッタリングによる金属複合酸化物のレー

ヤー・バイ・レーヤー合成

H. Isshiki*, K. Miyagi*, Y. Tanaka*,**, and S. Saisho*,** *The University of Electro-Communications, **Shincron Co. LTD.

P1-10 15:48 (2min+poster) Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High

Power Second Harmonic Generation

高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT 擬似位相整合アニールプロトン交換導波路

R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama Osaka University

P1-11 15:50 (2min+poster) Growth of GaAs nanowires on 2-inch Si substrate by molecular beam epitaxy

分子線エピタキシーによる 2 インチ Si基板上への GaAsナノワイヤの成長

M. Yukimune, K. Sakaguchi, R. Tsutsumi, T. Ohno, and F. Ishikawa

Ehime University

P1-12 15:52 (2min+poster) Effect of Bi flux on the molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaAsBi core/shell nanowires GaAs/

GaAsBi

コアシェルナノワイヤーの分子線エピタキシャル成長に対する Biフラックスの影響

M. Okujima*, S. Mori*, K. Yoshikawa*, M. Yukimune*, R. D. Richards**, and F. Ishikawa* *Ehime University, **University of Sheffield

P1-13 15:54 (2min+poster) Two-step photon up-conversion solar cells using up-conversion of holes

正孔のアップコンバージョンを利用した 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池

S. Asahi*, M. P. Nielsen**, N. J. Ekins-Daukes**, and T. Kita* *Kobe University, **University of New South Wales

P1-14 15:56 (2min+poster) Crystallization of Ni (111) layer on c-plane sapphire substrate for high-quality graphene precipitation -

utilization of crystallization starter layer -

高品質グラフェン析出のための c 面サファイヤ基板上 Ni (111)層の結晶化─結晶化開始層の使用─

A. Nakashima, T. Kashio, T. Murahashi, T. Soga, T. Maruyama, and S. Naritsuka

Meijo University

P1-15 15:58 (2min+poster) In-situ X-ray diffraction monitor of multilayer graphene by precipitation method using nanodiamond

ナノダイヤモンドを用いた析出法による多層グラフェンのその場 X 線回折測定

T. Kashio, A. Nakashima, Y. Ueda, T. Maruyama, and S. Naritsuka

Meijo University

P1-16 16:00 (2min+poster) High pressure and high temperature treatment for the impurity control of P implanted diamond

リンイオン注入ダイヤモンドの不純物制御のための高温高圧処理

K. Higashiura, R. Fukuta, F. Ishikawa, T. Shinmei, H. Ohfuji, and T. Irifune

Ehime University

P1-17 16:02 (2min+poster) Magnetic tunnel junction based sensors for electric current monitoring

電流検出用強磁性トンネル接合磁気センサ M. Oogane, T. Ogasawara, M. Tsunoda, and Y. Ando

Tohoku University

P1-18 16:04 (2min+poster) Highly thermal-stable monolayers formed on a gold surface using benzenedithiol

金表面に形成したベンゼンジチオール単分子膜の耐熱性評価

H. Takahashi, N. Ikematsu, Y. Hattori, and M. Kitamura

Kobe University

P1-19 16:06 (2min+poster) Self-consistent analysis of PCSEL under CW operation

連続駆動時のフォトニック結晶レーザーの自己無撞着動作解析

S. Katsuno, T. Inoue, M. Yoshida, M. De Zoysa, K. Ishizaki, and S. Noda

Kyoto University

P1-20 16:08 (2min+poster) The effect of laser pulse interval on laser-induced periodic nanostructure formation

レーザー誘起周期ナノ構造形成におけるパルス間隔の影響

T. Ohgai, R. Miyagawa, and O. Eryu

Nagoya Institute of Technology

Break (16:10-16:20)

Session We3 (16:20-16:50) Chair: H. Nishinaka (Kyoto Institute of Technology)

We3 [Invited] 16:20 (30min) Deep and Vacuum UV Emission Properties in Rocksalt-structured MgZnO

酸化物半導体 MgZnOにおける波長 200 nm以下の深紫外線発光特性

T. Onuma*, K. Kudo*, K. Ishii**, M. Ono*, Y. Ota***, K. Kaneko**, T. Yamaguchi*, S. Fujita*, and T.

Honda* *Kogakuin University, **Kyoto University, and ***Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research

Institute

Break (16:50-17:00)

Poster Session 1 (17:00-18:00) Core time (Odd: 17:00-17:40, Even: 17:20-18:00)

Free time (18:00-18:50) Company Introduction 1 (18:50-19:00)

Rump Session (19:00-20:30) “PhD researchers lead not only academia but also industry and global society”

「博士研究者がアカデミアはもとより産業界そしてグローバル社会を牽引するということ」

Organizer: N. Fujimura (Osaka Prefecture University)

Panelists: T. Asahi (Waseda University)

S. Takahashi (Leave a Nest Co., ltd.)

S. Tsuji (Seijo University)

E. Hoshi (The University of New Mexico)

オーガナイザ・藤村紀文（大阪府立大）パネラー

・朝日透（早稲田大）「パラダイムチェンジをリードする博士人材」・高橋修一郎（リバネス）「博士が仕掛けるビジネスとは-博士の情熱が世界を変える-」

・辻智（成城大学）「グローバルに活躍の場を拡げる博士社員」・星エリ（ニューメキシコ大学）「研究室からマーケットプレイスへ。」

【October 8th, Thursday】

Session Th1 (9:00-9:30) Chair: Y. Kangawa (Kyushu University)

Th1 [Invited] 9:00 (30min) Introduction to “Future Materials Exploring Initiative-Engineering for Diverse Stable Phases-”

JST-CRDS 「未来材料探索イニシアティブ―多様な安定層のエンジニアリング―」への誘い

K. Sato*,** *Japan Science and Technology Agency and **Tokyo University of Agriculture and Technology

Break (9:30-9:40)

Short Presentation 2 (9:40-10:30) Chair: R. Miyagawa (Nagoya Institute of Technology)

P2-1 9:40 (2min+poster) Synthesis of high-entropy oxide epitaxial thin films: layered rock salt LiCr1/6Mn1/6Fe1/6Co1/6Ni1/6Cu1/6O2

高エントロピー酸化物のエピタキシャル薄膜合成: 層状岩塩型 Li(Co1/6Cr1/6Cu1/6Fe1/6Mn1/6Ni1/6)O2

K. Wang*, K. Nishio *, K. Horiba**, M. Kitamura**, K. Edamura*, D. Imazeki*, R. Nakayama*, R. Shimizu* ***, H. Kumigashira**,****, and T. Hitosugi* *Tokyo Institute of Technology, **High Energy Accelerator Research Organization, ***PRESTO, ****Tohoku

Univeristy

P2-2 9:42 (2min+poster) Change in the defect structures of composition controlled electronic-ferroelectric YbFe2O4 thin films

電子強誘電体 YbFe2O4薄膜の組成制御と欠陥構造の変化

K. Shimamoto, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura

Osaka Prefecture University

P2-3 9:44 (2min+poster) Formation process of metastable Al-doped HfO2 thin films phases and directly on Si by atomic layer

deposition

ALD法を用いて作成した Si 直上 Al:HfO2準安定相の結晶化過程

S.Takarae, K. Takada, D. Kiriya, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura


P2-4 9:46 (2min+poster) Growth of Metastable Rhombohedral Structured Oxides Using Alpha-Fe2O3 Buffer Layers via Mist CVD

Method

酸化鉄バッファ層を用いた準安定構造菱面体晶系酸化物の成長

K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, Y. Ito, and M. Yoshimoto

Kyoto Institute of Technology

P2-5 9:48 (2min+poster) Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication

AlN テンプレート作製におけるスパッタリング・高温アニーリングのデータ解析

A. Kusaba*, Y. Kangawa*,**, K. Norimatsu***, and H. Miyake*** *Kyushu University, **Nagoya University, ***Mie University

P2-6 9:50 (2min+poster) Epitaxial growth of various p- and n-type oxide thin films on flexible synthetic mica using mist chemical

vapor deposition

ミスト CVD 法を用いたフレキシブルな合成雲母上への p 型および n 型ワイドギャップ酸化物薄膜のエピ

タキシャル成長

Y. Arata, H. Nishinaka, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto

Kyoto Institute of Technology

P2-7 9:52 (2min+poster) Comparison of Microstructures in alpha-Ga2O3 and alpha-In2O3 Films Grown on alpha-Al2O3 Substrates by

Mist CVD

Mist CVD 法による α-Al2O3基板上 α-Ga2O3, α-In2O3の微細構造比較

Y. Hayakawa*, S. Ohno*, T. Yamaguchi*, T. Kiguchi**, S.Takahashi*, H. Yokoo*, T. Onuma*, and T. Honda* *Kogakuin University, **Tohoku University

P2-8 9:54 (2min+poster) Elimination of Threading dislocations in alpha-Ga2O3 Grown by Double-layered Epitaxial Lateral

Overgrowth

二重 ELOによる α型酸化ガリウムの貫通転位の除去

K. Kawara*,**, Y. Oshima***, M. Okigawa*, and T. Shinohe* *FLOSFIA Inc., **Kyoto University, ***National Institute for Materials Science

P2-9 9:56 (2min+poster) In-plane Anisotropy in the Direction of the Dislocation Bending in alpha-Ga2O3 Grown by Epitaxial Lateral

Overgrowth

ELOによる α型酸化ガリウムにおける転位屈折方向の面内異方性

K. Kawara*,**, T. Oshima*, M. Okigawa*, and T. Shinohe* *FLOSFIA Inc., **Kyoto University

P2-10 9:58 (2min+poster) P-type alpha-(Ir,Ga)2O3 with a band gap of more than 4 eV

バンドギャップ 4 eV 以上の p 型 α-(Ir,Ga)2O3

K. Kaneko*, Y. Masuda*, S. Kan*, I. Takahashi**, Y. Kato**, R. Kanno**, M. Sugimoto**, T. Shinohe**, and S.

Fujita* *Kyoto University, ** FLOSFIA Inc.

P2-11 10:00 (2min+poster) Band alignment of MgZnO alloys and the related band offset calculations

MgZnO混晶のバンドアライメントとバンドオフセット計算

Y. Ota*, K. Kaneko**, T. Onuma***, and S. Fujita** *TIRI, **Kyoto University, ***Kogakuin University

P2-12 10:02 (2min+poster) Structural and electronic properties of 2-dimensional GaN on van der Waals substrates

van der Waals基板上の 2次元窒化ガリウムの構造と電子状態

T. Yayama*, A. K. Lu**, T. Nakanishi**, and T. Morishita** *Kogakuin University, **AIST

P2-13 10:04 (2min+poster) Raman study of the phase transition in VO2 ultrathin films on hexagonal-boron nitride

六方晶窒化ホウ素上の VO2超薄膜における相転移のラマン分光研究

B. Yu*, S. Genchi*, M. Yamamoto**, K. Watanabe***, T. Taniguchi***, H. Tanaka* *Osaka University, **Kansai University, ***National Institute for Materials Science

P2-14 10:06 (2min+poster) Topological phase transformation of transition metal dichalcogenides via contacting electron donor

molecules

電子ドナー性分子の接合による遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル相への転移

K. Matsuyama, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, and D. Kiriya


P2-15 10:08 (2min+poster) Formation of periodic nanostructures by circularly polarized laser

円偏光レーザーによる周期的ナノ構造の形成

H. Matsuura, R. Miyagawa, and O. Eryu

Nagoya Institute of Technology

P2-16 10:10 (2min+poster) Removal of polymer residues from PMMA-protected transferred graphene PMMA

保護により転写されたグラフェンからのポリマー残渣除去

K. Niwa, T. Fukami, T. Maruyama, and S. Naritsuka

Meijo University

P2-17 10:12 (2min+poster) First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN

r 面 AlN上半極性深紫外 LED の初のデモンストレーションとその特性

R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami

Kyoto University

P2-18 10:14 (2min+poster) Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device

AlN導波路型微小共振器第二高調波発生デバイスの設計と作製

S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P2-19 10:16 (2min+poster) Evaluation on formation energies of point defect in group III nitride semiconductors for space-use solar cells

宇宙用太陽電池に向けた III 族窒化物半導体の点欠陥生成エネルギーの評価

R. Suzuki, T. Yayama, and T. Honda

Kogakuin Iniversity

P2-20 10:18 (2min+poster) Impact of Cell Pitch on High-speed Switching Performance in GaN Vertical Trench MOSFETs

GaN 縦型トレンチ MOSFETのセルピッチが高速スイッチング性能へ与える効果

T. Ishida, K. Sakao, T. Kachi, and J. Suda

Nagoya University

P2-21 10:20 (2min+poster) Suppression of efficiency-droop for Eu-doped GaN using amplified spontaneous emission

自然放射増幅光を利用した Eu 添加 GaN における効率ドループ現象の抑制

A. Takeo, S. Ichikawa, S. Maeda, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara

Osaka University

P2-22 10:22 (2min+poster) Impact of fabrication errors on laser oscillation in GaN:Eu-based photonic crystal cavities

GaN:Euフォトニック結晶共振器のレーザ発振に及ぼす作製誤差の影響

T. Iwaya, S. Ichikawa, M. Murakami, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara

Osaka University

P2-23 10:24 (2min+poster) Effect of boron implantation process conditions on isolation characteristics of GaN-based micro LED arrays

GaN 系マイクロ LED アレイの分離特性に対するホウ素注入プロセス条件の影響

F. Yoshimura, K. Yamane, and A. Wakahara

Toyohashi University of Technology

P2-24 10:26 (2min+poster) Performance Analysis of an InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As Quantum Dot in well Intermediate Band Solar Cell

under Two step Photoexcitations

二段階光励起下における InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As ドットインウェル中間バンド型太陽電池の性能解析

Y. Zhu, S. Asahi, K. Watanabe, and T. Kita

Kobe University

P2-25 10:28 (2min+poster) Absolute Photoluminescence Spectroscopy on InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells: Bias Voltage

Dependence

InAs/GaAs量子ドット太陽電池における絶対値発光分光：電圧バイアス依存性

R. Tamaki*,****, Y. Shoji**, J.-F. Guillemoles***,****, and Y. Okada*,**** *The University of Tokyo, **AIST, ***IPVF, ****NextPV LIA

Break (10:30-10:40)

Poster Session 2 (10:40-12:10)

Company Introduction 2 (12:10-12:50)

Free time (Lunch) (12:50-13:40)

Session Th2 (13:40-14:10) Chair: M. Kitamura (Kobe University)

Th2 [Invited] 13:40 (30min) New ferromagnetic semiconductos and spintronics applications: Fe-doped narrow-gap III-V

ferromagnetic semiconductors and heterostructures with high Curie temperature

強磁性半導体の新展開と半導体スピントロニクス：高いキュリー温度をもつ鉄添加狭ギャップ III-V 族強

磁性半導体とヘテロ構造

M. Tanaka*, L. Anh*, K. Takiguchi*, S. Goel*, S. Ohya *, N. Tu*,**, and P. Hai*,*** *The Univsersity of Tokyo, **Ho Chi Minh City University of Pedagogy, ***Tokyo Institute of

Technology

Break (14:10-14:20)

Short Presentation 3 (14:20-15:22) Chair: T. Yayama (Kogakuin University)

P3-1 14:20 (2min+poster) Characteristics of droplet formations at the molecular beam epitaxy of GaAsBi compound nanostructures on

Si(111) and GaAs(001) substrates

Si(111)及び GaAs(001)基板上の GaAsBi 化合物ナノ構造の分子線エピタキシー法における液滴形成特

性

K. Yoshikawa*, K. Nagashima**, T. Yanagida**, and F. Ishikawa* *Ehime University, **The University of Tokyo

P3-2 14:22 (2min+poster) Controlling Bi content in low-temperature-grown GaAs1-xBix

低温成長 GaAsBiの Bi組成の制御

T. Umenishi*, Y. Takagaki*, Y. Tominaga*, M. Yukimune**, and F. Ishikawa** *Hiroshima University, **Ehime University

P3-3 14:24 (2min+poster) Dramatic enhancement of current and voltage in modulation-doped two-step photon up-conversion solar cells

変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電流・電圧上昇

K. Watanabe, S. Asahi, Y. Zhu, and T. Kita

Kobe University

P3-4 14:26 (2min+poster) Development of mid-infrared photodetector can operate under room temperature with high sensitivity using

intraband transition

バンド内遷移を利用した室温動作高感度中赤外光検出デバイスの開発

K. Nakabayashi, S. Asahi, and T. Kita

Kobe University

P3-5 14:28 (2min+poster) Direct growth of single-layer graphene on 2-inch a-plane sapphire substrate using low-pressure CVD without

metal catalyst

金属触媒無しの減圧 CVDによる 2 インチ a 面サファイア基板上の単層グラフェンの直接成長

Y. Ueda, T. Maruyama, and S. Naritsuka

Meijo University

P3-6 14:30 (2min+poster) Low temperature graphite growth on SiO2 substrate using Ga solution

液状 Ga を用いた SiO2基板上の低温グラファイト成長

T. Fukami, K. Niwa, Y. Kobayashi, T. Maruyama, and S. Naritsuka

Meijo University

P3-7 14:32 (2min+poster) Thermal conductivity of suspended twisted bilayer graphene

架橋積層グラフェンの熱伝導率測定

J. Doi, S. Mouri, and T. Araki

Ritsumeikan University

P3-8 14:34 (2min+poster) Seed layer technique leading to high-efficiency multi-junction solar cells on glass

ガラス上多接合太陽電池の開発に向けた Al誘起層交換 Ge 薄膜のシード応用

T. Nishida, T. Suemasu, and K. Toko

University of Tsukuba

P3-9 14:36 (2min+poster) Highly Tolerant Diamond Schottky Barrier Photodiodes for High-Power Excimer Lamp and 70 MeV Protons

真空紫外線及び 70 MeV陽子線に対して高い耐性を有すダイヤモンドショットキーバリアダイオード

M. Imura*, M. Togawa**, H. Okumura***, J. Nishinaga****, M. Miyahara**, T. Matsuki**** and Y. Koide* *NIMS, **KEK, ***Univsersity of Tsukuba, ****AIST

P3-10 14:38 (2min+poster) Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter

電界印加型導波路位相シフタのための ITO 電極の電気的・光学的特性

A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P3-11 14:40 (2min+poster) Formation and optical characteristics of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires on silicon substrates by sputtering-

assisted MOCVD

Si基板上 Tm,Yb 共添加 ZnO ナノワイヤの結晶成長と発光特性評価

N. Nishiyama, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara

Osaka University

P3-12 14:42 (2min+poster) Solution processed nonvolatile organic transistor memories based on ambipolar organic semiconductors

両極性有機半導体を用いた塗布型不揮発性有機トランジスタメモリ

M. Higashinakaya*, T. Nagase*,**, R. Hattori*, S. Tazuhara*, T. Kobayashi*,** and H. Naito*,** *Osaka Prefecture University, ** RIMED

P3-13 14:44 (2min+poster) Evaluation of carrier mobility in organic metal-oxide-semiconductor capacitors

有機 MOS キャパシタのキャリア移動度評価

Y. Kimura, Y. Hattori, and M. Kitamura

Kobe University

P3-14 14:46 (2min+poster) Influence of the Layer Number of Graphene on Remote Epitaxy of InN by RF-MBE

RF-MBE を用いた InN リモートエピタキシーにおけるグラフェン層数の効果

K. Matsushima, S. Mouri, and T. Araki

Ritsumeikan University

P3-15 14:48 (2min+poster) Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of

Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4

ScAlMgO4上の格子整合 InGaN の有機金属気相成長に対する低温バッファ層と GaN 平坦化層の役割

S. Yoshida*, N. Ryoki**, K. Miyano**, T. Tanikawa*, M. Uemukai*, and R. Katayama* *Osaka University, **Panasonic Corporation

P3-16 14:50 (2min+poster) First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure

周期的スロット構造を用いた InGaN 波長可変単一モードレーザ

A. Higuchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama

Osaka University

P3-17 14:52 (2min+poster) Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second

Harmonic Generation

230-nm帯深紫外第二次高調波発生にむけた横型擬似位相整合 2 層極性反転 AlN導波路の設計

Hiroto Honda*, Naoki Yokoyama*, Asahi Yamauchi*, Tenta Komatsu*, Kanako Shojiki**, Hideto Miyake**,

Masahiro Uemukai*, Tomoyuki Tanikawa* and Ryuji Katayama* *Osaka University, ** Mie University

P3-18 14:54 (2min+poster) Epitaxial growth of four-inch AlGaN-based deep ultraviolet LEDs by using a large-scale mass production

MOCVD tool

大型大量生産 MOCVD装置による 4 インチ AlGaN系深紫外 LEDのエピタキシャル成長

J. Yoshinaga*, Y. Yano*, T. Arimura*, S. Koseki*, and H. Hirayama** *Taiyo Nippon Sanso Corporation, **RIKEN

P3-19 14:56 (2min+poster) Growth of AlGaN on AlN Template by RF-MBE and Their Spectral Responsivity in Deep UV Spectral

Region

RF-MBE による AlN テンプレート上の AlGaN の成長とそれらの深紫外スペクトル領域でのスペクトル応答性

M. Hashimoto, N. Tachibana, M. Nakanishi, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma

Kogakuin University

P3-20 14:58 (2min+poster) Relationship between crystallinity and emission property in RF-MBE growth of GaN

GaNの RF-MBE成長における結晶性と発光特性の関係

N. Tachibana, M. Hashimoto, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma

Kogakuin University

P3-21 15:00 (2min+poster) Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-

excitation photoluminescence imaging

エッチピット法と多光子励起フォトルミネセンスイメージングによる HVPE 成長 GaN の転位分類の比較研

究

M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama

Osaka University

P3-22 15:02 (2min+poster) Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever fabricated by photoelectrochemical etching

光電気化学エッチングを用いて作製した圧電 GaN カンチレバーの共振特性

T. Yamada*, Y. Ando*, H. Watanabe**, Y. Furusawa**, M. Deki*,*****, A. Tanaka**,***, S. Nitta**, Y. Honda**,

J. Suda*,**, H. Amano**,*** *Nagoya University, **IMaSS, ***NIMS,

P3-23 15:04 (2min+poster) Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer

電界印加型 GaNマッハツェンダ干渉計へ向けた導波路型方向性結合器の設計

Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P3-24 15:06 (2min+poster) Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation

広帯域光子対発生に向けた GaN 導波路型微小共振器デバイスの設計

T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama

Osaka University

P3-25 15:08 (2min+poster) Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown

on AlN substrate

AlN 基板上 AlN/GaN/AlGaN 量子井戸チャネル電界効果トランジスタのためのエピタキシャル層構造の

設計

J. Sawada*, L. Schowalter**, and J. Suda* *Nagoya University, **Asahi Kasei Corporation

VR-1 15:10 (2min+VRposter) Anti Stokes photoluminescence caused by energy transfer in ytterbium doped yttrium aluminum perovskite

Yb添加 YAlO3におけるエネルギー移動を介した Anti-Stokes PL

Y. Nakayama, Y. Harada, and T. Kita

Kobe University

VR-2 15:12 (2min+VRposter) Development of MicroLED transfer Technology on flexible sheet

フレキシブルシート上へのマイクロ LED 転写技術の開発

R. Maeda*, K. Masuda*, A. Nishikawa**, A. Loesing**, I. Fukunaga***, and H. Sekiguchi*,**** *Toyohashi University of Technology, **ALLOS Semiconductor GmbH, ***Okinawa Institute of Science and

Technology Graduate University, ****JST PRESTO

VR-3 15:14 (2min+VRposter) Development of GaN-based MicroLED Neural Probe for Specific-Depth Optogenetic Control

脳組織の光遺伝学操作に向けたマイクロ LED プローブの開発

D. Shinko*, H. Yasunaga*, T. Takagi*, Y. Nakayama*, K. Mizuguchi*, A. Nishikawa***, A. Loesing***, M.

Ohsawa**, and H. Sekiguchi*,**** *Toyohashi University of Technology, **Nagoya City University, ***ALLOS Semiconductor GmbH, ****JST

PRESTO

VR-4 15:16 (2min+VRposter) Correlation between photo excited carrier and spin order of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin

films

強相関強誘電体 YMnO3薄膜の光励起キャリアと磁気秩序の相関

K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura


VR-5 15:18 (2min+VRposter) Growth of GaN Crystal with Low Oxygen Concentration and Low Dislocation Density by Na-flux PS

Method with Li Addition Technique

Na フラックスポイントシード法における Li 添加技術を用いた低酸素不純物かつ低転位な GaN 結晶の成

長

T. Nakajima, T. Yamada, K. Murakami, M. Imanishi, M. Yoshimura, and Y. Mori

Osaka University

VR-6 15:20 (2min+VRposter) Formation of the metastable phase of HfxZr1-xO2 ferroelectric films deposited by atomic layer deposition

method

原子層堆積法により作製した HfxZr1-xO2強誘電体薄膜の準安定相形成

K. Takada, S. Takarae, T. Yoshimura, and N. Fujimura



Break (15:52-16:02)

Session Th3 (16:02-16:32) Chair: H. Isshiki (The University of Electro-Communications)

Th3 [Invited] 16:02 (30min) Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization

III-V族半導体を用いた電子ビーム源デバイスが切り拓く微細領域の産業技術

T. Nishitani*,**, Y. Honda*, M. Araidai*, H. Amano*, M. Tabuchi*, A. Narita*, H. Yasuda***, F.

Ishikawa****, T. Meguro*****, A. Koizumi**, D. Sato**, and A. Honda** *Nagoya University, **Photo electron Soul Inc., ***Osaka University, ****Ehime University, *****Tokyo

University of Science

Break (16:32-16:40)

Poster Session 3 and VR Poster Session (16:40-18:10)

Core time (Odd: 10:40-11:40, Even: 11:10-12:10)

Core time (Odd: 16:40-17:40, Even: 17:10-18:10)

Free time (18:10-19:00)

Online Party (19:00-20:00) and Free Banquet

【October 9th, Friday】

Session Fr1 (9:00-9:30) Chair: K. Watanabe (National Institute for Materials Science)

Fr1 [Invited] 9:00 (30min) Deep-learning-assisted robotic assembly of two-dimensional crystals to build van der Waals

superlattices

深層学習を活用したファンデルワールス超格子の自動作製

S. Masubuchi and T. Machida

University of Tokyo

Break (9:30-9:40)


Tutrial (11:00-11:50) Chair: R. Katayama (Osaka University)

Turorial 11:50 (50min) Quantum Annealing: Progress and Prospects

量子アニーリングの現状と展望

H. Nishimori

Tokyo Institute of Technology

Free Time (Lunch) (11:50-12:40) Company Introduction 5 (12:40-13:40)

Special Session (13:40-16:15) Chair: Y. Otoki (SCIOCS Co. Ltd.)

13:40 (5min)

“Forefront of 5G technology and business” 「5Gはどこにいくのか？」 Y. Otoki

SCIOCS Co. Ltd.

SP-1 [Invited] 13:45 (30min) 5G system trends and requirements for materials and devices

5Gシステムの全体動向と材料・デバイスへの要求

K. Watanabe

Fujitsu Labolatories

Break (14:15-14:25)

SP-2 [Invited] 14:25 (30min) 5G Device market Trend and Examples of RF Fronend

5Gスマートフォンにおける RF回路及び RF部品・モジュールの動向

Y. Ando

Navian Inc.

Break (14:55-15:05) SP-3 [Invited] 15:05 (30min) Technologies on RF Acoustic Devices for Wireless Communications and Challenges for 5th Generation

Systems

無線通信用弾性波デバイス技術と 5Gに向けた取り組み

M. Ueda

TAIYO YUDEN Mobile Technology Co. Ltd.

Break (15:35-15:45) Chair: K. Shiojima (University of Fukui)

SP-4 [Invited] 15:45 (30min) GaN HEMT Technologies for 5G Base Transceiver Station Amplifiers

5G基地局用 GaN HEMT技術の進展

T. Yamamura

Sumitomo Electric Industries, Ltd.

Closing Session (16:15-16:35)

【講演者へのご案内】

（プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション）

プレナリー講演，招待講演，スペシャルセッション(チュートリアルを

含む)は口頭講演です．ご発表スライドは, パワーポイントをご利用くだ

さい. WEB 会議システムを使った LIVE 配信形式で開催します. 本オ

ンライン開催では, Zoom の利用を推奨させて頂いております. 講演で

使用する Zoomは EMSにて, 時間無制限のプランにて契約しておりま

す. EMS の講演を発表・視聴するにあたり, 時間制限はなく, 発表者・

参加者の方に Zoomご利用に関する費用は発生いたしません.

なお，招待講演，チュートリアルおよびスペシャルセッションの講演

者にもオンラインポスター会場に掲示スペースを用意しておりますので，

是非ポスターあるいは講演スライドのコピーを掲示願います．ポスター

セッションの時間帯は決めておりませんが，会期中いつでも見られるよ

うにしており, 参加者の皆様との討論にご活用いただければ幸いです．

（一般講演）

一般講演は， 2 分間のショートプレゼンテーションとポスター発表か

らなります．

［ショートプレゼンテーション］

事前にビデオをご提出頂きます. 提出頂いた動画を事務局にて配

信致します. パワーポイント（16:9 サイズを推奨）を使用してご講演を

録画して頂き, 事前に EMS ホームページにて，音声付き動画を MP４

（フル HD）形式でアップロードして頂きます．詳細は EMS ホームペー

ジをご覧ください．（http://ems.jpn.org/）

［ポスターセッション］

1. ご発表をされるポスターは事前にご提出を頂きます. 提出先などの

情報は , EMS ホームページに随時アップデート致します．

（http://ems.jpn.org/）

2. ショートプレゼンテーションの番号に対応するポスターセッションで

ご発表をお願いします．著者の方は，指定された時間中は，Zoom

で待機し, ご説明をお願い致します．

3. 講演番号で指定された Zoom の URL へログインをお願いします．

ご自身の Zoom を予めログアウト頂き, 講演番号にてログインを頂

きますよう, お願いします. ポスターは会期中を通じ，掲示して下

さい．

4. ポスターは期日までに, ご提出ください.

5. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 118.4

cm×横 84.1 cm）が 1枚です．

ポスター会場では, 会期中を通して他のポス

ターをご覧になられます．

［VRポスターセッション］

1. ショートプレゼンテーションの番号に対応する VR ポスター会場でご

発表をお願いします．著者の方は，指定された時間中は VRポスタ

ー会場で待機し, ご説明をお願い致します．

2. VRポスターセッションの接続テスト・ポスター掲示は当日までに一斉

実施致します. 接続テストなどの情報は, EMSホームページに随時

アップデート致します．ポスターは会期中を通して掲示して下さい．

3. ポスターは掲示日までにご用意ください.

4. 掲示スペースは A0 サイズ（縦 84.1 cm×横 118.4 cm）に合わせて

います．通常のポスターセッションとは異なり, 横向きですのでご注

意ください.

5. 最小フォントサイズ 40pt, 画像の解像度は 300 dpi以上でご用意を

お願い致します.

6. ポスターのファイル形式は PNG としてください.

※パワーポイントで作成したポスターを"ファイル"→"エクスポート"→

"ファイル種類の変更"より PNG として保存すると，高解像度なポスタ

ーが作成できます．VR ポスター会場では, 会期中を通して他のポス

ターをご覧になられます．

【EMS 賞】本シンポジウムでは，第 16 回(平成 9 年開催)以降，優れた研究発

表をなされた，あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた，

原則として 35才以下の若手研究者を対象として EMS賞を授与してい

ます．資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし，受賞者の発

表および授与式は最終日に行います．論文発表に加えて，formal あ

るいは informal な討論の場にも是非，積極的に参加して頂き，大いに

会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます．

【会場】 EMS39 はオンラインにて行います. 詳細は EMS ホームページをご

覧ください. （http://ems.jpn.org/）

【問い合わせ先】論文・プログラム関係

〒599-8531 大阪府堺市中区学園町1-1

大阪府立大学大学院工学研究科

藤村紀文（論文委員長）

TEL：072-254-9332

e-mail：[email protected]

参加の申込みと支払い

〒604-0031 京都府京都市中京区新町通二条

下る頭町21-5

㈱アートツーリスト EMS-39係

TEL：075-252-2234, FAX：075-252-2244


その他シンポジウム全般（事務局）

〒657-8501 兵庫県神戸市灘区六甲台町1-1

神戸大学大学院工学研究科

原田幸弘（総務委員）

TEL：078-803-6076


各種情報は，EMSホームページをご覧下さい．

http://ems.jpn.org/

84.1 cm

118.4cm

http://ems.jpn.org/

電子材料シンポジウム委員会

電子材料シンポジウム委員会運営委員長藤田静雄（京大）運営委員朝日一（阪大）荒川泰彦（東大）上田哲三（パナソニック）上野昌紀（住友電工）小田克矢（日立製作所）尾鍋研太郎（東大）河口研一（富士通研）河西秀典（シャープ）喜多隆（神戸大）纐纈明伯（東京農工大）後藤秀樹（日本電信電話）竹田美和（科学技術交流財団）手塚勉（キオクシア）冨谷茂隆（ソニー）名西憓之（立命館大）藤原康文（阪大）松本功（名大）三宅秀人（三重大）本久順一（北大）吉野淳二（東工大）若原昭浩（豊橋技科大）実行委員長喜多隆（神戸大）実行副委員長中村孝夫（東大）本久順一（北大）若原昭浩（豊橋技術大）総務委員井村将隆（物材機構）奥村宏典（筑波大）桐谷乃輔（大阪府立大）原田幸弘（神戸大）情報セキュリティ委員宇野和行（和歌山大）会計委員江端一晃（日本電信電話）西永慈郎 (産総研) 会場委員朝日重雄（神戸大）大音隆男（山形大）金子健太郎（京大）久志本真希（名大）玉置亮（東大）毛利真一郎（立命館大）

VR会場委員中山雄太（神戸大）中村健太郎（九大）企業展示委員石井良太（京大）宮川鈴衣奈（名工大）論文委員長藤村紀文（大阪府大）論文副委員長乙木洋平（サイオクス）杉山正和（東大）荒木努（立命館大）論文委員秋田勝史（住友電工）石川史太郎（愛媛大) 石川靖彦（豊橋技科大）一色秀夫（電通大）井上知也（シャープ）岩谷素顕（名城大）牛田泰久（豊田合成）生方映徳（大陽日酸）大兼幹彦（東北大）大野雄高（名大）片山竜二（阪大）金村雅仁（ﾄﾗﾝｽﾌｫｰﾑ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ）寒川義裕（九大）北村雅季（神戸大）木村大至（豊田中研）蔵口雅彦（東芝）河野俊介（ソニー）小島一信（東北大）笹倉弘理（北大）塩島謙次（福井大）末益崇（筑波大）竹見政義（三菱電機）俵毅彦（日本電信電話）反保衆志（産総研）寺井慶和（九工大）成塚重弥（名城大）西中浩之（京都工繊大）冨士田誠之（阪大）船戸充（京大）宮川鈴衣奈（名工大）村上尚（農工大）森勇介（阪大）山田明（東工大）屋山巴（工学院大）油利正昭（パナソニック）分島彰男（名工大）渡邊賢司（物材機構）

oct. 7th, wednesday oct. 8th, thursday oct. 9th,...

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