Скачать ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые ... · 2017. 7....
TRANSCRIPT
Группа ЭОО
М Е Ж Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы Й С Т А Н Д А Р Т
ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Semiconductor diodes.Terms, definitions and letter symbols
MKC 01.040.31 31.080.10
ОКСТУ 6201
ГОСТ25529-82
Взамен ГОСТ 18216-72, ГОСТ 18994-73, ГОСТ 20004-74, ГОСТ 20005-74, ГОСТ 20331-74, ГОСТ 21154-75
Постановлением Государственного комитета СССР но стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 дата введения установлена
01.01.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.
Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп*.
Установленные определения можно. при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
В стандарте имеется 2 приложения. I !риложение 1 содержит термины и определения общих понятии полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит водьт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы — курсивом.
(Измененная редакция. Изм. № 1).
Издание официальное *
Перепечатка воспрещена
9—25ft
Издание с Изменением Л$> /. утвержденный в октябре 1986 г. (ИУС 1—87).
93
болеро купить
С. 2 ГОСТ 25529-82
Т ерм инБуквенное о бозн ачен и е
О п редел ен и ерусское м еж дународное
О БЩ И Е ПОНЯТИЯ
I. Постоянное прямое* напряжение диодаD. Durchlassgleichspan-
nung der DiodeE. Forward continuous
voltageF. Tension dircctc
continue
" я р и . Постоянное значение прямою напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода
2 Импульсное прямое напряжение .диодаD. Spitzcndurchlassspan-
nung der DiodeE. Peak forward voltageF. Tension dircctc dc cretc
^FM Наибольшее мгновенное значение прямого напряж ения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения
3. Постоянное обратное напряжение .диодаD. Sperrglcichspan-
nung der DiodeE. Reverse continuous
voltageF. Tension inverse
continue
" к
4. Импульсное обратное напряжение .диодаD. Spitzcnspcrrspan- nung der DiodeE. Peak reverse voltageF. Tension inverse dc ercte
« л и Наибольшее мгновенное значение обратного напряжении диода
5. Среднее прямое напряжение диодаD. Mittlcrc Durchlassspan-
nung der DiodeE. Average forward voltageF. Tension dircctc moycn-
ne
^пр.ер «Р (AV) Среднее за период значение прямого напряж ения диода при заданном Среднем прямом токе
6 l Пробивное напряженке.диодаD. Durchbruchspannung
der DiodeE. Breakdown voltageF. Tension dc claquagc
" п р й ^(BR) Значение обратного напряж ения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
7. Постоянный прямой ток.диодаD. Durchlassglcichstrom
der DiodeE. Forward continuous
currentF. Courant direct continu
'пр А
* В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод* или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».
94
ГОСТ 25529-82 С. 3
Термин Буквенное обозначение Определениерусское международное
& Импульсный прямой ГОК диодаD. Spitzendurchlassstrom
dcr DiodeE. Peak forward currentF. Courant direct de erSte
*np. и 4 м Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповгориюшисся переходные ГОКИ
9. Средний прямой ток диодаD. Mittlercr Durchlass-
strom dcr DiodeE. Average forward currentF. Courant durcct moycn
4p.«* 4 <AV) Среднее за период значение прямого тока диода
10. Постоянный обратный ток диодаD. Spcrrglcichstrom dcr
Diode0. Reverse continuous
currentF. Courant inverse
continu
Ayip и
11. Импульсный обратный ток диодаD. Spitzensperrstrora dcr
DiodeE. Peak reverse currentF. Courant inverse dc crete
W и 4 м Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением
12. Прямая рассеиваемаямошноегь днодаD. Durchlassvcrtustlci-
stung der DiodeE. Forward power dissi
pationF. Dissipation de puis
sance cn direct
P"P Ру Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока
13. Обратная рассеиваемая мощность диодаE. Reverse power
dissipationF. Dissipation dc puis
sance cn inverse
Л)0р Pr Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока
14. Средняя рассеиваемая мощность диодаD. Mittlcrc Vcrlustlcistung
dcr DiodeE. Average power dissi
pation
'cp Р Среднее за период значение мощности. рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов
15. Импульсная рассеиваемая мощность диодаD. Spitzcnverlustlcistung
dcr DiodeL Peak power dissipation
p . РМ Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом
16. Общая емкость диодаD. Gcsam tkapa/itat dcr
DiodeE. Terminal capacitanceF. Capasite aux homes
Ca Значение емкости между выводами диода при заданном режиме
V 95
С. 4 ГОСТ 25529-82
Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е
О пределениерусское м еж дународное
17. Емкость перехода диодаD. Spcmchichtkapazitiit
dcr DiodeЕ Junction capacitance F. Capacity dc jonction
с'-пер с, Общая емкость диода бел емкости корпуса.
П р и м с ч а н и е. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Сс1р»
IS. Емкость корпуса диодаD. Gchuusekapa/iiit der
DiodeE Case capacitance
^Чор Значение емкости между вы ш лам и корпуса диода при отсутствии кристалла
19. Дифференциальное сопротивление дио.таD. Diflcrentiellcr Widcr-
stand dcr Diode E Diftercntial resistance F. Resistance dilTeirnticllc
Гдиф г Отношение малого прирашения напряжения диода к малому прирашению тока в нем при заданном режиме
20. Последовательное сопротивление потерь диодаD. Serienwiderstand dcr
DiodeE Total series equivalent
resistanceF. Resistance sine totale
equivalent
гп Л Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода
21. Тепловое сопротивление диодаD. WSrmcwiderstand E Thermal resistance F. Resistance thermique
я» К Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме
22. Импульсное тепловое сопротивление диода
^ и Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода
23. Тепловое сопротивление переход — окружающая среда дно да
^Воер-окр Тепловое сопротиатснис диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды
24. Тепловое сопротивление переход — корпус диодаЕ Thermal resistance
junction to ease
^ В и р -ю р ^ h )t Тепловое сопротиатснис диода в случае. когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.
П р и м е ч а н и е . Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда» или термин «тепловое сопротиатснис структура — корпус»
25. Тепловая емкость диодаЕ Thermal capacitance
се Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке
96
ГОСТ 25529-82 С. 5
Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е
О п ред ел ен и ерусское м еж дународное
26. Переходное тепловое сопротивление л иолаЕ. Transient thermal
impedance
Отношение разности изменения тем- пературы перехода и температуры в кон- трольиой точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощное - ти диода в начале этого интервала.
П р и м е ч а н и е . Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во вре- мензг
27. Переходное тепловое сопротивление переход — окружающая среда диодаЕ. Transient thermal im
pedance junction to ambient
^©лер-окр Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды
28. Переходное тепловое сопротивление переход — корпус диодаЕ. Transient thermal im
pedance junction to case
^)пср-кор ■^rhi)c Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода
29. Индуктивность диодаD. Induktvitat dcr DiodeE. Total scries equivalent
inductanceF. Inductance seric totalc
equivalent
Ln k П оследовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
30. Эффективное время жизни Т*ФФ 'и Величина, характеризующая ско-неравновесных носителей заряда диодаЕ. Effective excess minority
lifetime
рость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекозгбинации как в объеме, так гг на поверхности полупроводника
31. Накопленный заряд диодаE. Stored chargeF. Charge stockcc
<?, Заряд электронов или дырок в базе диода или /-области p-i-n структуры, накопленный при ггротсканшг прямого тока
32. Заряд восстановления диодаНдп. Заряд переключенияD. SpciTcrholladung dcr
DiodeE. Recovered chargeF. Charge rccouvrec
G.OC a Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.
П р и м с ч а н и я:1. Заряд восстановления включает
накопленный заряд зг заряд емкости обедненного слоя.
2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада
33. Время обратного восстановления диодаНдп. Время восстановления
обратного сопротивления
D. Spcrrcrholungszeit dcr Diode
E. Reverse recovery timeF. Temps dc recouvremcni
inverse
*вое, обр 4r Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток. уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
97
С. 6 ГОСТ 25529-82
Т ерм и нБуквенное обозн ачение
О пределениерусское м еж дународное
34. Время прямого восстановления диодаНдн. Время васапановяения
прямого сопротивления
D. Durchlasserholungszeit dcr Diode
E. Forward recovery timeF. Temps dc recouvremcnt
direct
■ос. ар 4 Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения. равного нулю, до заданного установившегося значения
В Ы П РЯ М И ТЕЛЬН Ы Е ДИОДЫ
35. Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода0. Working peak reverse
voltage
'оОр.И-р "*WM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющнхея переходных напряжений
36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диодаD. Pcriodische Spitzen-
sperrspannung dcr Diode
E. Repetitive peak reverse voltage
F. Tension inverse dc pointe repetitive
оОр. И. П ^RKM Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряж ения, но исключая неповгоряющиеся переходные напряжения.
П р и м е ч а н и е . Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода
37. Псповторяющссся импульсное обратное напряжение вынрнмкгелыи)- го диодаD. Nichlpcriodische Spit-
zensperrspannung dcr Diode
E. Non-repelitivc (surge) reverse voltage
F. Tension inverse dc pointe non-repetitive
оСр. и. но ^RSM Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
П р и м е ч а н и е . Неповторяющее- ся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжении
38. Пороговое напряжение выпрямительного диодаD. Schlcuscnspannung dcr
DiodeE. Tltreshold voltageF. Tension dc scuil
« и » Значение постоянного прямого напряж ения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой ли н и и , аппроксимирую щ ей волы-амиерную характеристику в области больших токов
39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диодаD. Pcriodischcr Spitzen-
durchlassstrom der Diode
E. Repetitive peak forward current
F. Courant direct dc pointe riptHitif
Ар II. II A r m Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяюшпе- ся переходные токи
98
ГОСТ 25529-82 С. 7
Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е Определение
русское международное
40. Ударным прямой ток выпрямительного диода
A p .ja As mТок. при протекании которою пре
вы ш ается м аксим ально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необы чными условиями работы схемы
41. Действующий прямой ток выпрямительного диодаL RMS forward current
Aip.a A(RMSI Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период
42. Ток перегрузки выпрямительного диодаE. Overload forward cur
rentF. Courant direct dc sur
charge p Divisible
'n p i Aov» Значение прямого тока выпрямительного диода. длительное протекание которою вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода. но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.
П р и м с ч а н и с. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается
43. Защитный показатель Srdt \rd t Значение интеграла от квадрата удар-выпрямительного диода \ / *’dt \ r - d i ного прямого тока выпрямительного
диода44. Повторяющийся импуль
сный обратный ток выпрямительною диодаE. Repetitive peak reverse
currentF. Courant inverse de
pointe repilitif
Лвр. И. n AlRM Значение обратною тока выпрямительною диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением
45. Средний обратный ток выпрямительного диодаD. Mittlercr Sperrstrom
dcr DiodeE. Average reverse currentF. Courant inverse moycn
W « p Al(AV) Среднее за период значение обратною тока выпрямительного диода
46. Средний выпрямленныйток диодаD. Mittlercr Richtstrom
dcr DiodeE . Average output rectified
currentF. Courant moycn dc sortie
redress^
Ли. cp 10 Среднее за период значение прямого и обратною токов выпрями тельного диода
47. Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диодаЕ. Average forward power
dissipation
pn p . c p
pr FfAVl Произведение мгновенных значений
прямого тока и прям ою напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду
48. Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диодаЕ. Average reverse power
dissipation
POfp Cp Л«АУ> Произведение мгновенных значений
обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду
99
С. 8 ГОСТ 25529-82
Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е
О пределениерусское м еж дународное
49. Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диодаЕ. Surge (non-repetitive)
reverse power dissipation
pCrfip. И . Н П Л и м Значение мощности, рассеиваемой
выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя
50. Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительной» диодаЕ. Repetitive peak reverse
power dissipation
pобр.и, a
pккм Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов
51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановленииE. Total instantaneous
turn-off dissipationF. Dissipation totale
instantaneea la coupure du courant
Лос.оep Л * М гновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановленииЕ Peak tum-otTdissipation F Dissipation dc pointc a
la coupure du courant
P' UX oflp, II ПМ)М Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановленииЕ. Average turn-otT dis
sipationF Dissipation moycne a la
coupure du courant
pво е . о б р . e p
Р1 КО (AV) Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении
54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановленииE. Total instantaneous
tum -on dissipationF. Dissipation totale in-
stantance a F&tablis- sement du courant
p* ёос. up Л-1 М гновенное значение мощ ности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток
55. Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстаноелс- нинE. Peak turn-on dissipationF. Dissipation de pointc a
r^tablisscmcnt du courant
p* noc. np. и Л тм Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток
100
ГОСТ 25529-82 С. 9
Термин Буквенное обозначениеО пределение
русское м еж дународное
56. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановленииЕ Average turn-on dissi
pationF. Dissipation moyenne a
I'etabiisscmcnt du cou- rant
p‘ uot. np.cp ‘ F I (AV) Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом ВОССПШОВЛСН1Ш
57. Энергия прямых потерь K , К Значение энергии потерь выпрями-выпрямительного диодаЕ Forward energy loss
f np тельного диода, обусловленной прямым током
58. Энергия обратных потерь Значение Энергии потерь выпрями-выпрямительного диодаЕ Reverse energy loss
F тельного диода, обусловленной обратным током
59. Общая анергия потерь к К * Сумма средних значений энергийвыпрямительного диодаЕ Total energy loss
4 » прямых и обратных потерь выпрямительного диода
60. Энергия потерь при обрат- И'-с.оОр К Значение энергии потерь выпрями-ном воссгановлсннн диодаЕ Reverse recovery ener
gy loss
i«x.oCp тельного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
61. Динамическое сопротивление выпрямительного диодаD. Dynamise her
Widerstand dcr Diode E Slope resistance F. Resistance apparente
dircctc
Гаи и гт Сопротивление, определяемое наклоном прям ой, аппроксимирующей прямую вольт-амиерную характеристику выпрямительного диода
62. Заряд запаздывания выпрямительного диода
0 » Ос Заряд, вытекающ ий из вы прямительного диода за время запаздывания обратного напряжения
63. Заряд спада выпрямительного диода
0 , Заряд, вытекающий из вы прямительного диода за время спада обратного тока
64. Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного дио,та
К Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения
65. Время спада обратного тока выпрямительного диода
*cn
ТУННЕ
4
ЛЫ 1ЫК д и о д ы
Интервал времени между моментом, когда ток. изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного воссганоатения выпрямительного диода
66. Пиковый ток туннельного диодаD. Hockcrstrom dcr Tun-
ncldiodcE Peak point current F. Courant de pic
>n 'у Значение прямого тока в точке максимума вольт-амиерной характеристики туннельного диода, при кагором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
10- 256 101
С. 10 ГОСТ 25529-82
Т ерм и нБуквенное обозначение
О пределениерусское м еж дународное
67. Ток впадины туннельного диодаD. Talstrom der Tunnel-
diodeE. Valley point currentF. Courant de vallec
A A Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
6S. Отношение токов туннельного диодаD. Hficker-Talstrom-Ver-
hdlthis der TunncldiodcE. Peak to valley point
current ratioF. Rapport de denivcl-
lation du courant
U K А/А Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода
69. 1 laiipjuKctmc инка туннельного диодаD. Htfckcrspannung dcr
TunncldiodcE. Peak point voltageF. Tension de pic
К up Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода
70. Напряжение впадины туннельного диодаD. Talspannung dcr Tun-
ncldiodeE. Valley point voltageF. Tension de vallcc
«А 4 Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода
71. Напряжение раствора туннельною диодаD. Projezierte Hftckcr-
spannugE. Projected peak point
voltageF. Tension isohypse
6‘pp Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амнер- иой характеристики туннельного диода, при котором ток ранен пиковому
72. Отрицательная проводимость туннельного диодаD. Ncgativcr Lcitwcrt dcr
TunncldiodcE. Negative conductance of
the intrinsic diodeF. Conductance negative
de la diode i n t r i n s i c
licp Щ Д ифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода
73. Предельная решетивная частота туннельного диодаD. Entd&mpfungs-Grenz-
frequenz dcr Tunnel- diode
E. Resistive cut-off frequency
F. Frequence de coupurc resistive
Л / , Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль
74. Шумовая постоянная туннельною диодаD. Rauschlaktor dcr
TunncldiodcE. Noise factorF. Facteur de bruit
Величина, определяемая соотношением:
= 201g-^_ .
где /р — ток в рабочей точке туннельного диода,
gnjр — отрицательная проводимость туннельного диода
102
ГОСТ 25529-82 С. 11
Т ерм инБуквенное обозначение
О пределениерусское международное
75. Энергия импульсов туннельного диола
к
и
W
АРИКАПЫ
Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод
76. Добротность варикапаD. Giitcl'aktor tier Kapazi-
tatsdiodcE. Quality factor
0 . <?е« Отношение реактивною сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или образного напряжения
77. Температурный коэффициент емкости варикапаD. Tcmpcraturkocffizicnt
dcr Kapazitat dcr Ka- pazitiitsdiode
E. Temperature coefficient o f capacitance
« с . Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружаюшей среды
78. Предельная частота варикапаD. Giitcfrequcnz dcr Ka-
pazitStsdiodeE. Cut-oft' frequencyF. Frequence dc coupure
/|ред в / со Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях
79. Гемпературный коэффициент доброгносги варикапаD. Tcmpcraturkocffizicnt
dcs Gulcfdktors dcr Ka- pazitiitsdiode
E. Temperature coefficient o f quality factor
“ г . “ УсПОтношение относительного измене
ния добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
SfJ. Коэффициент перекрытая no емкости варикапа
СТА
К
БИ ЛИ ТРО Н Ы
Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения
SI. Напряжение стабнлиэа- цнн стабилитронаD. Z-Spannung dcr
Z-DiodeE. Working voltage (of
voltage regulator diode)F. Tens on dc regulation
V, Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации
82. Ток етабили raiwH стабилитронаD. Z-Strom dcr Z-DiodeE. Continuous current
within the working voltage range
F. Courant continu inverse pour la gamme dcs tensions dc regulation
ь /д Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации
S3. Импульсный ток стабилизации етабилитрона
иг
4l. И (гм
103
Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона
С. 12 ГОСТ 25529-82
Термин Буквенное обозначение Определениерусское международное
S4. Дифференциальное сопротивление стабилитронD. Z-W idcrstand der
Z-DiodeE. Differential resistance
within the working voltage range
F. Resistance differen- tiellc dans la zone des tensions dc regulation
Гст Дифференциальное сопротивление мри заданном значении тока стабилизации стабилитрона
85. Температурный ко >ффи- ««_ «(/, Отношение относительного измене-циент напряжения стабилизации стабилитронаD. Tcmpcraturkoeffizient
der Z-Spannung der Z-Diode
E. Temperature cocflicicnt o f working voltage
F. Coefficient dc temperature de la tension dc
regulation
сх Z иия напряжения стабилизации стабилитрона к абсолю тному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации
S6. Время включения стабилитронаD. Einschaltzeit der
Z-DiodeE. Turn-on time
V I *оп Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
S7. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитронаD. Zeitliche Instabilitat
der Z-Spannung der Z-Diode
E. Working voltage longterm instability
F. Instability a long terme dc la tension dc regulation
ч . *0* Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени
88. Время выхо.та стабнлитро- на на режимD. Stabilisicrungszcit der
Z-DiodcE. Transient time o f wor
king voltage
'■U* Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации нс выходит за пределы области, ограниченной 28„
X9. Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона
Нс, Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона
89а. Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона
лив Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации
896. Нелинейность температурной зависимости напряжения стабили зации стабилитрона
Рь Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабили зации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации
104
ГОСТ 25529-82 С. 13
Т ерм инБуквенное обозначение
О пределениерусское м еж дународное
89в. Раш ах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона
Цвет Чы Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации
90. Спектральная плотность шума стабилитрона
■11 п* Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫ E ДИОДЫ
91. Выпрямительный ток СВЧ диода
L Ат П остоян ная составляю щ ая тока СВЧ диода в рабочем режиме
92. Постоянный рабочий ток Л П Д
A>ЛПД Ат Значение постоянного тока лавин- но-иролетн ого диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность
93. Импульсный рабочий ток ЛПД
А>.р.Л1Д *WM Мгновенное значение тока лавинно- нролстного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность
94. Постоянный пусковой ток ЛПД
мтуск Avmin Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности
95. И м п у л ьс н ы й пу ско во й ток ЛПД
At. пуск AvMmui Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возни кает генерация СВЧ мощности
96. Пороговый ток диода Ганна
Аюр А ГО) max Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольтам мерной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю
97. Постоянный рабочий ток диода Ганна
К Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении
98. Импульсный рабочий ток диода Ганна
At. р i A m Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении
99. Постоянное пороговое напряжение .диода Ганна
^пор 1 Ч г О ) Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна
100. Постоянное рабочее напряжение диода Ганна VP и * Значение постоянного напряжения
диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность
101. Импульсное рабочее напряжение диода Ганна
Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность
102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода
E. R. F. с. w. power dissipation
F. Dissipation dc puissance dans lc cas d'une ondc R. F. entretenue
Л) Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы
105
С. 14 ГОСТ 25529-82
Т ерм инБуквенное обо«ничейне
О пределениерусское м еж дународное
103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диодаЕ Pulse г. f. power dissi-
pfUL II Л ) Гм Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы
pa I ionF. Dissipation de puissan
ce dans la cas de train d'ondcs R. F.
104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диодаЕ. Average г. f. power
pР*ч> ^AD Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всехИСТОЧНИКОВ
F. Puissance К. F. moyen-nc
105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода
P1 шик Л * Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме
106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода
p* ших. M * oulM Значение импульсной СВЧ мощности. отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме
107. Мощность ограничения СВЧ диодаЕ Clipping power
^orp Л . Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи. при которой выходная мощность достигает заданного значения
108. Тангенциальная чувствительность СВЧ диодаЕ Tangential sensitivity
TSS Значение импульсной мощ ности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство — видеоусилитель* наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сиш ала с нижней границей полосы шумов мри его наличии
109. Граничная мощность детекторного диода
Ляс Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется o r линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки
ПО. Минимально ратличн- мая мощность сигнала детекторного диода
pл min N D S Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал — шум равно единице
111. Время тепловой релаксации СВЧ диода
Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме
112. Энергия одиночного им- И.ОД К Значение анергии одного воздсйсгву-пульса СВЧ диодаЕ Single pulse energy F. Encrgic d 'unc im
pulsion
Ци.аа К ющего на СВЧ диод короткого импульса.
П р и м е ч а й )1 с. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью нс более 10-8 с
ИЗ. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диодаЕ Repetitive pulse energy
К . иК .Ш
£**р|гср) Значение энергии серии воздейству
ющих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов
F. Encrgic d 'unc impulsion repetitive
106
ГОСТ 25529-82 С. 15
Т ерм инБуквенное обозначение
О пределениерусское м еж дународное
114. 'Энергия выгорания СВЧ К ш «"м Мшшмалыюс значение энергии оди-диода *м ночного короткого импульса СВЧ дно-Е. Bum-out energy Ет м да. после воздействия которою элскт-F. Encrgic dc claquage рические параметры СВЧ диода изме
няются на заданные значения115. '.Энергия СВЧ импульсов
СВЧ диодаИ'еВЧи ^HFP Значение энергии воздействующих
на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3-10"9 с
116. Полное входное сопротивление СВЧ диода
2 * З п Полное сопротивление, и змеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме
117. Прямое сопротивление потерь переключательного диода
гпр Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе
118. Обратное сопротивление потерь переключательного диода
го0р «к Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении
119. Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности
Ги т я. Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода нс изменяется
120. Сопротивление отраничн- тслыгаго диода при высоком значении СВЧ мощности
Лше я „ Сопротивление потерь ограничительного диода. измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется
121. Сопротивление диода Ганна
Г1 Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового
122. Выходное сопротивление смесительного диода
гаих г * Активная составляю щ ая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме
123. Выходное сопротивление детекторного днода на видеочастоте
Гшял * Активная составляю щ ая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в -заданном режиме
124. Постоянная времени СВЧ диода
Т т Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода
125. Время выключения СВЧдиода
ЮМ 'off Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное но уровню 0.1 и 0.9 установившегося значения обратного напряжения
126. Полоса частот СВЧ да- AL A fТ
Интервал частот, в котором СВЧода / диод, настроенный на заданную часто
ту. обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме
107
С. 16 ГОСТ 25529-82
Т ерм инБуквенное обозначение
О пределениерусское м еж дународное
127. Предельная частота ум- -/прел А Значение частоты, на которой доб-ножитслыюго диода ротность умножитсльною диода равна
единице.П р и м е ч а н и е . Предельная час
тота определяется по формуле
г - 1
где Спс{> — емкость перехода:га — последовательное сопротив-
лен не потерь128. Критическая частота пе
реключательного диодаи L Обобщенный параметр переключа
тельного диода, определяемый по фор-муле
, 1А р 2 к С J r ■ г .ст» у яр сор
129. Добротность СВЧ диода Q <?с«Отношение реактивною сопротив
лении СВЧ диода на ладанной частотек активному при ладанном значении обратного напряжения
130. Потери нреобра ювания “ прв Ас Отношение мощности СВЧ с и т а -смесительного диода да на входе диодной камеры к мощное-Е Conversion loss тн сигнала промежуточной частоты вF. Perte dc conversion нагрузке смесительного диода в рабо
чем режиме131. Коэффициент полетного л л О тнош ение выходной мощ ности
действия СВЧ диода СВЧ диода к потребляемой им мощно-сти
132. Выходное шумовое отно- N . Отношение мощности шума СВЧшсиие СВЧ диода диода в рабочем режиме, отдаваемой вЕ Output noise ratio согласованную нагрузку, к мощностиF. Rapport de tcmp£ra- тепловых шумов согласованного актив-
turc dc bruit ною сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот
133. Нормированный котф- гв пор VI Рш Значение коэффициента шума при-ф иш киi шума смеси- г‘ «.(iiv) емного устройства со смесительнымтельного дио.та диодом на входе при коэффициентеЕ Standard overall avc- шума усилителя промежуточной часто-
rage noise figure F. Factcur dc bruit total
ты равном 1,5 дБ
moyen normal134. Коэффициент стоячей ^стО -Sv
Коэффициент стоячей волны но на-волны no напряжении) пряжению в линии передачи СВЧ. на-СВЧ диода груженной на определенную диоднуюКСВН камеру с СВЧ диодом в рабочем режи-Е Voltage standing wave мс
ratioV.S.W.P.
F. Taux d 'ondes station-naircs T.O.S (R.O.S.)
135. Чувствительность no р, Р.Отношение приращения выпрями-
току СВЧ диода тельного тока диода к вызвавшей этоE Total current sensitivity приращение СВЧ мощности на входеF. Sensibilite totalc cn диодной камеры с СВЧ диодом и рабо-
со u rant чем режиме при заданной нагрузке
108
ГОСТ 25529-82 С. 17
Т ерм инБуквенное о бозн ачен и е
О пределениерусское м еж дународное
136. Чувствительность по напряжению СВЧ диода
к Рп Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме
137. Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода
‘Ч м , а р ои«Отношение относительною измене
ния выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды
13S. Температурный коэффициент частоты СВЧ диода
«3 «.• Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды
Ш УМ ОВЫ Е ДИОДЫ
139. Спектральная плотность напряжения шумового диода
5 S
1*10. Спектральная плотность мощности шумового .ад- ода
О G
141. Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода
142. Температурный коэффн- %а , г
«ли- «лицие1гг спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода
143. Граничная частота шумового диода
/гр Апс
144. Диапазон частот шумового диода
•У f
145. Постоянный рабочий ток шумового диода
4
146. Постоянное напряжение шумового диода
Ош <4
Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот
Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот
Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) ш умовою диода к их среднему значению, выраженное в децибелах
Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолю тному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода
Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения иди мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения
И нтервал частот, заклю ченны й между верхней и нижней граничной частотой шумового диода
Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода
Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода
(Измененная редакция. Изм. .\е 1).
1 1 -3 5 6 109
С. 18 ГОСТ 25529-82
АЛФАВИТНЫ Й УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА РУССКОМ ЯЗЫ КЕ
Время восстановления обратного сопротивления 33Время восстановления пряного сопротивления 34Время включения стабилитрона 86Время выключения СВЧ диода 125Время выхода стабилитрона на режим 88Время житии неравновесных носителей та ряда диода эффективней.' 30Время запаздывания обратного напряжения выпрямительною диода 64Время обратного восстановления диода 33Время прямого восстановления диода 34Время спада обратного тока выпрямительного диода 65Время тепловой релаксации СВЧ диода 111Диапазон частот шумового диода 144Добротност ь СВЧ диода 129Добротность варикапа 76Емкость диода обитая 16Емкость диода тепловая 25Емкость корпуса диода 18Емкость перехода диода 17Заряд восстановления диода 32Заряд диода накопленный 31Заряд запаздывания выпрямительного диода 62Заряд переключения 32Заряд спада выпрямительною диода 63Индуктивность диода 29Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный 137Коэффициент добротности варикапа температурный 79Коэффициент емкости варикапа температурный 77Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный 85Коэффициент перекрытия по емкости варикапа 80Коэффициент полезного действия СВЧ диода 131Коэффициент спектральной плотности мощности шумовою диода температурный 142Коэффициент спектральный плотности напряжения шумовою диода температурный 142Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода 134Коэффициент частоты СВЧ диода температу рный 138Коэффициент шума смесительного диода нормированный 133КСВН 134Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся 50Мощность выпрямительною диода рассеиваемая обратная средняя 48Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя 47Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая 51Мощность выпрямительного .диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная 52Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя 53Мощность выпрямительного .диода при прямом восстановлении рассеиваемая 54Мощность выпрямительною диода при прямом восстановлении импульсная 55Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя 56Мощность детекторною диода граничная 109Мощность диода рассеиваемая импульсная 15Мощность диода рассеиваемая обратная 13Мощность диода рассеиваемая прямая 12Мощность диода рассеиваемая средняя 14Мощность лавинною выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная 49Мощность ограничения СВЧ диода 107Мощность СВЧ диода выходная импульсная 106Мощность СВЧ диода выходная непрерывная 105Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая 102Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная 103Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя 104Мощность сипзала детекторного диода минимально различимая 110Напряжение впадины туннельного .диода 70Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное неповторяющееся 37
110
ГОСТ 25529-82 С. 19
Напряжение выпрямительного липла обратное импульсное повторяющеесяНапряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочееНапряжение выпрямительного диода пороговоеНапряжение диода Ганна пороговое постоянноеНапряжение днола Ганна рабочее импульсноеНапряжение днола Ганна рабочее постоянноеНапряжение диода обратное импульсноеНапряжение диода обратное постоянноеНапряжение диода пробивноеНапряжение диода прямое импульсноеНапряжение диода прямое постоянноеНапряжение диода прямое среднееНапряжение ника ту ннельного диодаНапряжение раствора туннельного днолаНанряжсниие стабилизации стабилитронаНапряжение шумового днола постоянноеНелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитронаНесимметричность напряжения стабилизации стабилитронаНестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временнаяНеравномерность спектральной плотности мощносттз шумового диодаНеравномерность спектральной ззлотности напряжения шумовозо .днолаОтношение СВЧ диода шумовое выходноеОтношение токов туннельною диодаП лотность мощности шумового диода спектральнаяПлотность напряжения шумового диода спектральнаяПлотность шума стабилитрона спектральнаяПоказатель выпрямительного диода защитныйПолоса частот СВЧ диодаПостоянная времени СВЧ .диодаПостоянная туннельного диода шумоваяПотери преобра зования смесительного днолаПроводимость тунззельного .диода отрицательнаяРа змах низкочастотных шумов стабилизации стабилитронаСопротивление выпрямительного диода динамическоеСопротивление детекторного диода на видеочастоте выходноеСопротивление диода ГаннаСопротивление диода .дифференциальноеСопротивление диода тепловое импульсноеСопротивление диода тепловое переходноеСопротивление диода тепловоеСопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощностиСопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощностиСопротивление переход — корпус диода тепловоеСопротивление переход — корпус диода тепловое переходноеСопротивление переход — окружающая среда диода тепловоеСопротивление переход — окружающая среда .диода тепловое переходноеСопротивление потерь диода последовательноеСопротивление потерь переключательного диода обратноеСопротивление потерь переключательного диода прямоеСопротивление СВЧ .диода входное полноеСопротивление смесительного диода выходноеСопротивление стабилитрона дифференциальноеТок впадины туннельного диодаТок диода выпрямленный среднийТок выпрямительною диода обратный импульеззый повторяющийсяТок выпрямительною .диода обраттзый среднийТок выпрямительного диода прямой действующийТок выпрямигсльззозо диода прямой импульсный повторяющийсяТок выпрямительного диода прямой ударныйТок диода Ганна зюроговыйТок диода Ганна рабочий импульсныйТок диода Ганна рабочий постоянный
36353899101100
4362I
45697181
1468968987
14114113268
1401399043
12612474
13072
89i361
12312119222621
1201192428232720
1181171161228467464445413940969897
II* III
С. 20 ГОСТ 25529-82
Ток диода обратный импульсный 11Ток диода обратный постоянный 10Ток диода прямой импульсный 8Ток диода прямой постоянный 7Ток диода прямой средний 9Ток ЛПД пусковой импульсный 95Ток ЛПД пусковой постоянный 94Ток ЛПД рабочий импульсный 93Ток ЛПД рабочий постоянный 92Ток перегрузки выпрямительного диода 42Ток СВЧ диода выпрямленный 91Ток стабилизации стабилитрона 82Ток стабилизации стабилитрона импульсный 83Ток туннельного диода пиковый 66Ток шумового диода рабочий постоянный 145Частота варикапа предельная 78Частота переключательного диода критическая 128Частота туннельного диода резистивная предельная 73Частота умножнгсльного диода предельная 127Частота шумового диода граничная 143Чувствительность по напряжению СВЧ диода 136Чувствительность по току СВЧ диода 135Чувствительность СВЧ диода тангенциальная 108Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный 89аЭнергия выгорания СВЧ диода 114Энертмя импульсов туннельного диода 75Энергия обратных потерь выпрямительного диода 58Энертмя одиночного импульса СВЧ диода 112Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода 113Энертмя потерь выпрямительного диода общая 59Энергия потерь при обратном восстановлении диода 6<)Энертмя прямых потерь выпрямительного диода 57Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода 115
(Измененная редакция. Изм. .Yj 4).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ И Н О В НА НЕМ ЕЦКО М ЯЗЫ КЕ
Diftcrcntiellcr Widcrstand dcr Diode 19Durchbruchspannung dcr Diode 6Durchlavscrholungs/eit dcr Diode 34Durchlassglcichspannung dcr Diode IDurchlassglcichstrom dcr Diode 7Durchlassvcrlustleistung der Diode 12Dynamischcr Widcretand dcr Diode 61Einschaltzcit dcr Z-Diode 86Entddmpfungs Grcnzfrcquenz dcr Tunneldiodc 73Gchiiusckapazitiil der Diode 18Gcsamtkapazitiit der Diode 16Giitefaktor dcr KapazitHtsdiode 76Gtitefrequenz dcr Kapazitiitsdiodc 78Hdekerspannung dcr Tunneldiodc 69H6ckcrstrom der Tunneldiodc 66Hrtckcr-Talstrom-Verhaltnis dcr Tunneldiodc 68Impulsenergie dcr Tunneldiodc 75Induktivitit dcr Diode 29Miltlerc Durchlassspannung dcr Diode 5Mitllcre 4'erlustleistung dcr Diode 14Mittlcrcr Durchlassstrom dcr Diode 9Mittlcrcr Richistrom dcr Diode 46Mittlcrcr Spcnrslrom dcr Diode 45
112
ГОСТ 25529-82 С. 21
Ncgativer Leitwcrt dcr Tunncldiode Nichtpcriodischc Spitzcnsperrspannung dcr Diode Nichtpchodischer Spitzcndurchlassstrom dcr Diode Pcriodischc Spitzcnsperrspannung dcr Diode Pcriodischcr Spitzcndurchlassstrom der Diode Projezicrte Hdckerspannung Kauschiaktor dcr Tunncldiode Schleusenspannung dcr Diode Senenwiderxtand dcr Diode Spcrrcrholladung der Diode Sperrerholungszeit dcr Diode Sperrglcichspannung dcr Diode Sperrglcichstrom der Diode Spcrrschichtkapazitdt dcr Diode Spitzendurchlassspannung dcr Diode Spitzcndurchlassstrom der Diode Spitzcnsperrspannung der Diode Spitzensperrstrom dcr Diode Spitzenvcrlustleistung dcr Diode Stabilisicrungszcit der Z-Diode Talspannung der Tunneldiode Talstrom dcr TunncldiodeTemperaturkoeffizient dcr Kapazitat dcr Kapazitiitsdiode Temperaturkoeffizient dcr Z-Spannung dcr Z-Diode Temperaturkoeffizient dcs Giitcfaktors dcr Kapazit&tsdiodc Wirme wide rstandZcitlichc Instabilitat der Z-Spannung dcr Z-Diode Z-Spannung dcr Z-Diodc Z-Strom dcr Z-Diodc Z-Widerstand dcr Z-Diodc
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫ КЕ
Average forward current 9Average forward power dissipation 47Average forward voltage 5Average output rectified current 46Average power dissipation 14Average reverse current 45Average reverse power dissipation 48Average r. f. power KMAverage turn-off dissipation 53Average turn-on dissipation 56Breakdown voltage 6Burn-out energy 114Case capacitance 18Clipping power 107Continuous current within the working voltage range 82Conversion loss 130Cut-off frequency 78Differential resistance 19Differential resistance within the working voltage range 84Effective excess minority lifetime 30Forward continuous current 7Forward continuous voltage 1Forward energy loss 57Forward power dissipation 12Forward recovery time 34Junction capacitance 17Negative conductance o f the intrinsic diode 72Noise factor 74Non-repetitivc (surge) reverse voltage 37
113
7237 40 36 39 'I 7438 203233
3 10 17 2 84
II 15 88 70 67 77 85 79 -'I 87 81 82 84
С. 22 ГОСТ 25529-82
Output noise ratio 132Overload forward current 42Peak forward current 8Peak forward voltage 2Peak point current 66Peak point voltage 69Peak power dissipation 15Peak reverse current 11Peak reverse voltage 4Peak to valley point current ratio 68Peak tum-olT dissipation 52Peak turn-on dissipation 55Projected peak point voltage 71Pulse r.f. power dissipation 103Quality factor 76Recovered charge 32Repetitive peak forward current 39Repetitive peak reverse current 44Repetitive peak revers power dissipation 50Repetitive peak reverse voltage 86Repetitive pulse energy 113Resistive cul-olT frequency 73Reverse continuous current 10Reverse continuous voltage 3Reverse energy loss 58Reverse power dissipation 13Reverse recovery energy loss 60Reverse recovery time 33R.F c.w.power dissipation 102RMS forward current 41Single pulse energy 112Slope resistance 61Standard overall average noise figure 133Stored charge 31Surge (non-repetitive) reverse power dissipation 49Tangential sensitivity 108Temperature coefficient of capacitance 77Temperature coefficient o f quality factor 79Temperature coefficient o f working voltage 85Terminal capacitance 16Thermal capacitance 25Thermal resistance 21Thermal resistance junction to case 24Threshold voltage 38Total current sensitivity 135Total energy loss 59Total instantaneous turn-off dissipation 51Total instantaneous turn-on dissipation 54Total scries equivalent inductance 29Total scries equivalent resistance 20Transient thermal impedance 26Transient thermal impedance junction to ambient 27Transient thermal impedance junction to case 28Transient time o f working voltage 88Turn-on time 86Valley point current 67Valley point voltage 70Voltage standing wave ratio 134V.S.W.R. 134Working peak reverse voltage 35Working voltage long-term instability 87Working voltage (o f voltage regulator diode) 81
114
ГОСТ 25529-82 С. 23
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМ ИН ОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫ КЕ
Capacity aux bornes 16Capacity de jonction 17Charge rocouvrec 32Charge stockcc 31CoclTicieat de temperature de la tension de regulation 85Conductance negative de la diode intrinseque 72Courant continu inverse pour la gamme dcs tensions de regulation 82Courant de pic 66Courant de valine 67Courant direct continu 7Courant direct de cr6te 8Courant direct de pointc r6p6titif 39Courant direct de surcharge accidcntel 40Courant direct de surcharge previsiblc 42Courant direct moyen 9Courant inverse continu 10Courant inverse de Crete 11Courant inverse de pointc r6p6titif 44Courant inverse moyen 45Courant moyen de sortie redrcsse 46Dissipation totalc instantancc a la coupure du courant 51Dissipation de pointc i la coupure du courant 52Dissipation de pointc a I'ctabUsscmcnt du courant 55Dissipation de puissance dans le cas de train d 'ondcs R.F. 103Dissipation de puissance dans le cas d’unc onde R.F.cntrctcnuc 102Dissipation de puissance en direct 12Dissipation de puissance en inverse 13Dissipation moyenne a la coupure du courant 53Dissipation moyenne .i I'ctablissemcnt du courant 56Dissipation totale inslantancc & 1 'ctablissemcnt du courant 54Dissipation totalc instantanec a la coupure du courant 51Energie de claquage 114Energic d’unc impulsion 112Energie d 'unc impulsion repetitive 113Factcur de bruit 74Factcur de bruit total moyen normal 133Frequence de coupure 78Frequence de coupure resistive 73Inductance seric totale equivalente 29Instability 3 long terme de la tension de regulation 87Perte de conversion 130Puissance R. F. moyenne 104Rapport de denivcllation du courant 68Rapport de temperature de bruit 132Resistance apparentc directc 61Resistance dilVcrenticlk 19Resistance ditlerentiellc dans la zone des tensions de regulation 84Resistance seric equivalente 20Resistance thermique 21Sensibility totalc en courant 135Taux d’ondcs stationnaircsT.O.S.(R.O.Sl) 134Temps de recouvrcmcnt direct 34Temps de recouvrcmcnt inverse 33Tension de claquage 6Tension de pic 69Tension directc continue ITension de regulation 81Tension de seuil 38Tension de vailee 70Tension directe de cr6tc 2
115
С. 24 ГОСТ 25529-82
Tension dircctc moyenne 5Tension inverse continue 3Tension inverse dc erSte 4Tension inverse de pointc non-repetitive 37Tension inverse de pointc repetitive 36Tension isohvpse 71
ПРИЛОЖЕНИЕ IСправочное
Т ЕРМ И Н Ы , ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫ Е ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩ ИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫ Х ПРИБО РОВ
Т ерм и нБуквенное оботн ачеиие
О п редел ен и ерусское м еж дународное
1. Прямое напряжение л ноля - - Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током
2. Обратное напряженке диода
— — Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении
3. Прямой ток диода — — Ток. протекаюший через диод в прямом направлении
4. Обратный ток диода — — Ток. протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением
5. Предельно допустимое шачение параметра полупроводникового прибора
Значение парам етра, заданное в нормативно-технической документации, ограни ченное возм ож ностям и данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность.
П р и м с ч а н и я:1. Предельно допустимое значение
может быть максимально или минимально допустимым.
2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова «максимально допустимый» или «минимально допустимый*, а к буквенному обозначению добавить индекс «птах» или ®пйп»
6. Нестабильность параметра полупроводниковою прибора
Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов
7. Эффективная температура перехода полупроводникового прибора
Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе
S. Температура в контроль- Э м 1гЫ Температура, измеренная в задан-ной точке полунроводни- тв КОЙ ной точке на (в) корпусе прибора илинового прибора в среде, окружающей или охлаждающей
прибор, выбранной для контроля параметра прибора
116
ГОСТ 25529-82 С. 25
Т ерм и нБуквенное о бозн ачен и е
О п ред ел ен и ерусское м еж дународное
9. Температура корпуса по- Аир Температура в заданной конт-луироволникового прибо- ТКор рольной точке на (в) корпусе полупро-Ра « W 0 Х»С водниковою прибора
10. Температура окружающей Ажр А Температура воздуха или газа, измс-среды г,*р Англ репная вблизи полупроводникового при-
0 -Ч> amh0 штА
бора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей. излучающих тепло
II. Температура охлаждаю- 'av, Af Температура в заданной конт-щей среды г'аVI Ъ рольной точке среды, охлаждающей
полупроводниковый прибор, или сто охладителя
12. Температура хранения 'хр
%
т*
к
13. Показатель идеальности волы-амперном характеристики полупроводникового приГюра
Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый но формуле
.. -и. )----------- Г " *к Т In у -
■ггде q — заряд электрона; к — постоянная Больцмана;Т — температура в градусах Кельвина;
/2, Vu U, — точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости lg /т - / ( O f )
1 2 - 2 5 6 117
С. 26 ГОСТ 25529-82
ПРИЛОЖЕНИЕ 2Справочное
Нолы-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов
/ — п рям ая п олкт-ам перн ая характеристи ка; 2 — о б р атн ая п о л м -а м п е р н а я х ар актер и сти ка ; J — область пробои : V — п р ям о л и н ей н ая ап п р о к си м а ц и я прям ой в о л ы -а м п е р и о й х а р а к т е р и с т и к и . I / — п орогон ое ниприж смис: г — д и н а м и ч е ск о е c o n p o t моление.
б'П1Ю<1 — пробн ое нап ряж ени е
Черт.!
Вольт-амперная характеристика туннельного диода
1а — п и к овы й то к . / ж — ток впадины; Vt — н ап р яж ение ш тадины:
Un — нап ряж ен и е пика; £/>р — нап ряж ен и е раствора
Чсрг.2
118
ГОСТ 25529-82 С. 27
Вольт-ампсрная характеристика стабилитрона
В «л ы - ам мерная характеристика лнода Ганна
6 ворГ — п о сто ян н о е порогопое н ап ряж ен к е диода Г ан н а . / 1юр — пороговы й ток диода Г ан н а: Vp - п о сто ян н о е рабочее нап ряж ен и е диода Г анна:
/р — П остоянны й рабочий ток д и од а Ганна
Черт. 4
Диаграммы токов н напряжений кривые токов н напряжений при обратном и прямом восстановлении диода
Ч ерт. 6
12” 119
С. 28 ГОСТ 25529-82
Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода
От
С„ — параллельн ая ем к ое и.; #П1(1 — о три ц ател ьн ая п роводи м ое! ь; гп — сопроти вл ен и е потерь: l.f — п оследовательная и н дуктивность ;
С'П1р — ем к ость перехода
Черт. 7
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Изм. .Ne 1).
120ГОСТ 25529-82