소재 가공 산업의 r&d 전략과...

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소재/가공 산업의 R&D 전략과 미래 박 영 세 한화첨단소재 연구소 2016. 4. 8. 공학기술과 경영 7강 소재/가공: 전자, 디스플레이, 태양광용 코팅/합지/프린팅 소재 고분자 및 고분자 composite 가공/성형

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소재/가공 산업의 R&D 전략과 미래

박 영 세

한화첨단소재 연구소

2016. 4. 8.

공학기술과 경영 7강

소재/가공: 전자, 디스플레이, 태양광용 코팅/합지/프린팅 소재 고분자 및 고분자 composite 가공/성형

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강의 순서

오늘의 강의 (내용) 소개

연구소 소개

핚화천단소재 연구소 개발 제품 설명

R&D 젂략과 기술 혁싞

기술 혁싞에 대핚 이해와 핚화천단소재 현황 비교

Converting Technology 살펴 보기

유망핚 분야 (제품) 살펴 보기

가공(공정)과 소재(제품) 관계 이해하기

핚화천단소재 연구소 개발 사례 소개

결롞

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Research Center

대전 (전자 & 태양광)

세종 경량소재복합센터 (자동차)

연구소(장)

연구기획팀

고기능성필름

센터 (젂자)

태양광소재

센터

경량복합소재

센터 (자동차)

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Front End Carrier

Concept : Steel replacement, light-weight

: Steel Pipe(1.6kg) → CFRTPC(0.7kg)

Stiffener

Material : SMC (GF 45%)

Concept : 30% weight reduction than

steel

Battery Cover

Material : SFT (PA/Ni-CF,CB 40%)

Concept : EMI Shielding Fiber/Fillers applied

: MGDC replacement,

cost reduction, light-weight

Electrical Components Housing

Concept : Steel replacement, cost reduction

Front Seat Back

Material : PP/LGF 40%

Concept : Steel replacement, mass reduction

: Item that employs plastic first in

Korea

Tail Gate

Concept : Carbon Fibers applied, steel replacement

: Steel (8kg) → Modified (5.2kg)

Front Bumper Beam

Concept : Aramid fibers applied, enhanced impact resistance

against high-speed collision, mass reduction

: Steel Inserted GMT(4.9kg) → CFRTPC+GMT(3.5kg)

Rear Bumper Beam

Material : CFRTPC (PP/CF 50% + PP/GF 60%)

Concept : Carbon Fiber applied, light-weight components

: 640g reduction compared to Aluminum alloys,

45% Mass reduction effect

Partition Panel

Concept : Functional film, 3D & Injection molding

: Automotive electronics, emotional design

Overhead Console

Concept : Steel replacement, light-weight

: Steel+LFT(5.0kg) → CFRTPC+LFT(4.2kg)

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Frame

Glass

Encapsulant (EVA)

Cell

Encapsulant (EVA)

Back sheet

Junction box

Grade : HBS-P295-01R

Concept : Weathering resistant PET film for replacing

high-cost fluorinated film

: Cost-competitiveness, improved weathering resistance

PET Type Back Sheet

Material : Bi/Sn Coated Cu Wire on EVA Sheet

Concept : Solar concentration technology, reduced Ag

: MMA (Monolithic Module Assembly) process applied

PV Electrode Sheet

Grade : HBS-M300-01

Concept : Unique raw material / processing technique

(T-Die co-extrusion)

: Cost-competitiveness, increased profit

Polyolefin Type Back Sheet

Concept : (Olefin/PET) ,(Olefin/Fluorine) Composite structure

: Cost-competitiveness, enhanced weathering resistance

Complex Structure Back Sheet

Concept : Back Sheet integrated with EVA encapsulant

: Cost-competitiveness achieved by reduced

raw materials and processing costs

EVA-encapsulated Back Sheet

Concept : Back Sheet reflectivity 95% ↑

: Increased efficiency by increased reflectivity

High-reflectivity Back Sheet

Grade : HBS-R500-01

Concept : High insulation property

: Cost reduction for Solar cell module

High Insulation Back Sheet

Grade : HBS-S330-01

Concept : Fluorinated resin coating replacing fluorinated film

lamination : (Compared to fluorinated film lami.) cost-competitive,

improved weathering resistance

Fluorinated Coating Type Back Sheet

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Material : UV Resin, Optical Film(PET, PC, TAC)

Concept : Nano Imprint Coating technique applied

: High-Definitions & Antireflection(<0.5%)

Application : Display(TV, PC, Mobile, Navigation)

: Solar Cell(Front Sheet)

Ultra-low Reflectance Film Without AR Coating With AR Coating

Material : Inorganic/Organic, Optical Film(PET, PEN, COP, etc)

Concept : Moisture barrier film with Inorganic/Organic composite structure

: Block Water Vapor & Oxygen, High Transmittance

Application : Display(QDEF, OLED), Solar Cell(OPV), Light (OLED)

Barrier Film

Application : Barrier film for ITO Film processing / shipments

Concept & Material

Heat-resistant Protective Film

Application : Protecting film for COP-ITO Film Processing &

Shipments

Concept & Material

COP Protective Fim

Base Film(B/F) PSA Release Film(R/F)

Material Detail

B/F PET Base Film / thickness tuning possible

PSA Acryl Low adhesive strength (< 3gf/in.), No residue, high heat resistance

R/F PET Silicon-based

Material

Detail

A/B Acryl Anti Blocking Coating, Si Bead

B/F COP substrate

PSA Acryl Heat-resistant, Peel strength after

heating < 5gf/in.

R/F PET Silicon-based

Base Film(B/F)

PSA

Release Film(R/F)

Anti Blocking(A/B) Coating

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Material : Cu Printed Film

Application : Mobile Phone, RFID Tag, IoT Sensor Tag

Concept : Cu paste printing, light-induced sintering

cost-reduction, raised productivity

NFC/RFID Antenna

Material : SCF

Application : Mobile Phone

Concept : Rigid-Flex PCB

: Traditional sub-Board = PCB+FPCB

: With new SCF,

Antenna-integrated Coaxial Cable

Rigid Flex (USB 3.0, etc) possible

Sub Module(Flash lamp, USB 3.0)

Material : RCC, *SCB, low dielectric Bonding Sheet(B/S)

Application : Mobile phone, Network Board

Concept : Heat-dissipative, low dielectric, slim material for

replacing traditional FR4

High thermal conductivity./low dielectric RCC : 3W-rated

SCB : FR4 replacement, high speed transmission/fine pitch

possible

low dielectric B/S : Df = < 0.01 @ 1GHz

Main Board

Material : *SCF, low dielectric Coverlay(C/L)

Application : Mobile Phone

Concept : LCP FCCL / LCP Coverlay replacements

: Wifi, Bluetooth Antenna

Signal loss: -2.5dB @ 5GHz

70㎛ pitch fine circuit, Hole sputter

Low dielectric C/L: Df = <0.01 @ 1GHz

External Antenna

Low dielectric C/L

Low dielectric B/S Thermally conductive/low dielectric RCC

Smart Sensor Tag

Material : Printed circuit, sensor film

Concept : RFID / NFC communication, printed sensor

*SCF: Sputtered Cu on Film SCB: Sputtered Cu on Board

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R&D 전략과 기술 혁신

기술 경쟁력 기술 혁신

사업성/시장성 충분한 구매력?

R&D R&BD C&D ∙ ∙

투자 (결정)

제조/생산

기업 조직 욲영 [기획, 재무, 금융, 읶사(HR) ∙∙∙]

영업(매출) 마케팅

기술개발 기술혁신 기술변화

기술진보

- Technology push - Demand pull

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과학과 기술

과학 (Science) 기술 (Technology)

- 여러 가지 현상을 설명하는 지식의 체계

- 체계적 방법(실험과 관찰) 구비핚 설명

- 과학자가 수행하는 모듞 읷

(실첚으로서의 과학)

- 물질적 재화나 서비스를 맊들어 내는 것

- 읶공물 및 지식으로서의 기술;

기술지식의 체계화 = 공학

- 기졲의 과학을 실제 상황에 적합하도록

변형하고 체계화하려는 적극적읶 실첚

- 과학과 기술은 별개읶가? 과학에 대핚 이해가 기술 홗동의 필수조건으로 작용

- 과학자는 학계에 있고 기술자는 산업계에 있다?

- 과학의 동기는 지적 호기심이고 기술의 동기는 유용성읶가?

- 기술은 과학에 비해 저평가? 과거, 상류에 속핚 사람들이 학문탐구의 읷홖으로 과학에 관심을

기욳였던 반면 기술은 실제 생산 홗동에 종사하는 낮은 계층의 사람들이 담당, 읶공적읶 것은

저급핚 것으로 갂주.

- 과학이 기술혁싞에 본격적으로 홗용되기 시작핚 것은 19 세기 후반: 기업체가 연구소를 설립하여

산업적 연구를 수행함으로써 과학과 기술이 상호 작용핛 수 있는 제도적 공갂 마렦: 독읷 Bayer,

미국 GE: 과학 연구에 입각핚 기술 개발의 보편화

- 과학과 기술은 원래 다른 의미를 가지고 있었지맊 현대 사회에 들어와 매우 긴밀핚 관계를 형성

하게 되어 양자의 구분이 어렵게 됨.

송성수 (부산대 물리교육과) “기술혁싞이란 무엇읶가”

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기술 혁신

▷ OECD 정의 1971년: 과학과 기술을 (최초로) 새로욲 방식으로 적용하여 상업적 성공을 거둔 것 (1992년: 읷회적 행위가 아닌 읷렦의 과정이나 홗동, 혁싞과정/혁싞홗동) ▷ 슘페터 “경제발젂의 이롞” - 발명은 기술 개발에 해당, 혁싞은 기술 상업화에 해당 - 창조적 파괴라는 혁싞을 통해 경제가 발젂핚다. - 혁싞의 주요 유형: 새로욲 제품, 새로욲 생산 방법, 새로욲 시장의 개척 새로욲 원자재 공급원의 정복, 산업의 새로욲 조직화 ▷ 피터 드러커 창의적 기업가의 특유핚 수단으로 그 것을 통해 다른 사업이나 서비스에 대핚 기회를 맊듞다. 혁싞은 훈렦으로 나타날 수 있고 학습 가능하다. ▷ 기술혁싞의 다양핚 유형 제품혁싞/공정혁싞/서비스혁싞, 급짂적혁싞/점짂적혁싞, 연속적혁싞/불연속적혁싞,

개방형혁싞/폐쇄형혁싞

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기술 혁신이 중요한 이유

▷ 기술 혁싞은 매우 복잡하고 어려욲 과정이며, 맋은 노력과 시갂 요구. ▷ 기술혁싞은 기업의 성공 (및 국민경제 성장)에 필수적읶 요소. ▷ 기업이 성공하기 위해서는 혁싞적이라는 것맊으로는 부족하고 경쟁기업 보다 더욱 혁싞적이어야 핚다. (Schilling 2008) ▷ (최귺, 선짂국) 기술혁싞의 경제성장에 대핚 기여도가 높아지는 경향 (innovation driven wealth driven 우려)

저성장의 세계 경제는 기술혁신으로 돌파 가능한가? 새로운 기술 혁신 시대가 도래할 수 있는가? - 로버트 고든: 저성장 필연롞, 경제 성장은 정점을 찍었다. 새로욲 기술혁싞이 가능해도 노동시장, 교육 시스템 불평등, 가계 및 정부 부채 등의 문제점으로 성장 어려움. - 조엘 모키르: 혁싞 영역은 고갈되지 않았다. 로봇, 읶공지능, 싞소재, 자료/통계처리, 생명시스템/의료 - 피케티: 자본수익율이 경제성장율 보다 높다, 불평등 심화

장기파동 기간 핵심산업 주도국가 비고

1차 1770-1830 섬유 영국 산업혁명

2차 1830-1880 첛도 영국 빅토리아 번영기

3차 1890-1940 화학, 젂기 독읷, 미국 대기업 출현

4차 1940-1990 자동차 미국

5차 1980 ~ 젂자, 정보 읷본, 미국 정보사회의 도래

Long wave theory: 호황-침체-불황-회복

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기술혁신 모형

Vannevar Bush “Science, the Endless Frontier” 연방정부의 지원 기초연구 응용연구 개발 기술 응용 사회적 이득

기술 혁싞에 관핚 커플링 모형

새로운 필요

아이디어 창출

새로운 기술

사회와 시장의 필요

연구 설계 개발

시제품 생산

제조 마케팅 판매

기술과 생산의 최근 동향

시장

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HAMC 연구과제 진행 프로세스

■ Stage & Gate 시스템

G1

G3

G2

G4

G5

S1

S2

S3

S4

S5

S6

과제 계획 수립

Lab 연구

Pilot 연구

양산 연구

양산 이관

신규과제 발굴

싞규과제 제안/검토

과제 타당성 검토 과제 계획 수립

S2

S3

S4

S5

S6

S4 S5

S5 S6

S6 각 Stage 완료후, Next Stage 짂행 여부 결정

사업성 검토

기업의 연구개발 관리

1 세대: 과학기술자 주도, 관리대상이 연구개발 부문에맊 국핚, 초보적 관리

2 세대: 프로젝트 관리기법, 개별 프로젝트 효율화 지향

3 세대: 젂사적 기술개발, 생산과 마케팅 통합적 고려, 연구개발 포트폴리오 및 기술로드맵 홗용

4 세대: 내부 조직 및 외부의 고객 참여, 불연속적 혁싞 창출

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기술 혁신

▷ 화학, 생명공학 영역에서의 기술혁신 패턴

과학 기반, 가격 및 성능에 민감(혼합), 공정 및 제품 혁싞(혼합)

기술의 원첚은 내부 R&D 및 생산/엔지니어링, 기업 규모는 대기업 및 벤처기업

▷ 개방형 혁신과 폐쇄형 혁신의 원칙 (Chesbrough, 2009)

폐쇄형 혁신의 원칙 개방형 혁신의 원칙

회사 내부이건 외부이건 함께 읷핛 사람이 필요하다. 우리 분야에서 가장 똑똑핚 사람들이 우리를 위해

읷핚다.

외부의 연구개발은 중요핚 가치를 창조핛 수 있다. 내

부의 연구개발은 그 가치의 읷정 부분을 주장하기 위

해 필요하다.

우리는 연구개발에서 이익을 얻기 위해 반드시 스스

로 연구하고, 개발하고, 시장에 내놓아야 핚다.

그것으로부터 수익을 얻기 위해 우리가 꼭 연구를 시

작핛 필요는 없다.

맊약 우리가 스스로 뭔가를 개발핚다면 그것을 가장

먼저 시장에 출시핛 것이다.

더 나은 비즈니스 모델을 확립하는 것이 시장에 먼저

출시하는 것보다 낫다.

시장에 처음으로 혁싞 제품을 내놓는 회사가 승리핛

것이다.

맊약 우리가 내부와 외부의 아이디어를 가장 잘 홗용

핚다면 우리는 승리핛 것이다.

맊약 우리가 그 업종에서 가장 좋은 아이디어를 창

출핚다면 우리는 승리핛 것이다.

우리는 다른 사람이 우리의 지적재산을 이용하게 하여

이익을 얻고, 우리의 비즈니스 모델에 도움이 되는 다

른 사람들의 지적재산을 도입해야 핚다.

우리의 지적재산을 잘 통제하여 경쟁자들이 우리의

아이디어로부터 이익을 내지 못하게 해야 핚다.

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C&D (connect and development)

▷ 저성장 시대, 대규모 R&D 센터 없애고 C&D 하라. ▷ 선짂국들의 혁싞 기법은 막대핚 R&D 예산과 천단 시설 ▷ 미래를 바꿀 혁싞 기술 개발에 예산을 쏟아 붓는 것이 아니라 다른 기업이 가짂 기술을 맊들려고 핚다면 돆, 읶력, 시갂의 낭비 ▷ 적은 투자로 맋은 사람이 쓸 수 있는 효율적읶 제품 맊들 것: 검소핚 혁싞 Low tech과 High tech의 결합 ▷ 기업과 기업, 기업과 대학들이 각자가 필요핚 연구를 협업하는 체제로 기업갂 공유 경제 시대 고객들의 의견 마저 R&D의 읷부로 ▷ 꼭 필요핚 제품을 제때 공급하는 시스템과 소비자들과의 끊임 없는 소통 필요

Radjou, 케임브리지대

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개발 아이템 도출 Opportunities mapping, mind mapping 활용

Flexible Display

0

5 세대 이동통신

자동차 전장화

Wearable 기기/장비

IoT

구조재료

카본 composite

Flexible

Flexible Battery

R2R Process

OCA

Flexible TSP

Touch Tech.

Coating Tech.

Hard Coating Film

Cover Plastic

LOCA

OLED

Organic TFT

Sensor

ITO Film

Printing Tech. Printable Sensor

(Force) Sensor

(Fast) Internet

고싞뢰성 반도체

Barrier Tech.

Barrier Film

경량화 구조재

Sensor

Substrate

QD-TV

고속젂송 중계 기지

고속젂송 (회로)소재

카본섬유

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Converting Technology 살펴 보기

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유망핚 분야 (제품) 살펴 보기

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핚화천단소재 연구소 개발 사례 소개

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QD film 용 Barrier Film

√ 수분/산소 Barrier: 수분, 산소에 취약핚 유기, 무기나노 재료 보호

√ Barrier 성능 지표: WVTR (Water Vapor Transmission Rate, g/m2/day)

10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 1 10

WVTR (g/㎡·day)

Ultra High Barrier High Barrier Polymer

OLED QD Film Solar Cell

(OPV, CIGS) Food

Material WVTR (~ 40 ℃)

PET 3.9 - 17

PEN 7.3

PP 1.2 – 5.9

PI 0.4 - 21

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√ QD Film: Nanocomposite film

- QD는 고효율 나노 형광체

Narrow spectral distribution, Peak wavelength tuneability

- LCD 의 color gamut 확장

on the UV lamp

350 450 550 650 750

QD film 용 Barrier Film

Source: 3M

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QD film 용 Barrier Film

▷ (LCD-TV) QD Film

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QD film 용 Barrier Film

▷ 상용제품 분석: 참고

Input

Output Blue LED BackLight

RGB White Backlight

중심파장 반치폭 CIE (x, y)

Blue 450 nm 22 nm (0.1539, 0.0340)

Green 543 nm 34 nm (0.2691, 0.6700)

Red 611 nm 37 nm (0.6630, 0.3320)

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QD film 용 Barrier Film

▷ Barrier 원리

∙ Metal, Glass WVTR < 10-6

∙ 고분자 WVTR PET 3.9 ~ 17, PE 1.2 ~ 5.9, PI 0.4 ~ 21 ∝ solubility, diffusivity

∙ 무기 (산화물) 코팅 박막 WVTR: (10-3) ~ 수 g, 박막 두께 반비례?

무기 박막의 defect dust 무기 박막

기판

박막 성장 불균일 및 파티클에 의한 pin hole

박막 밀착력 부족 및 파티클에 의한 crack

기판 roughness

무기 박막

∙ 유무기 다층 효과

핀홀 입구 수분 농도 감소 Lag time 증가

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QD film 용 Barrier Film

∙ PET Film: Smoothness, 밀착력, 고光투과성

∙ 무기 박막: 재료의 barrier 性 및 밀착력

(defect ↓~ 두께, 다층 구조, 공정, 재료, 광학 특성)

∙ Under layer: Smoothness, 밀착력, 싞뢰성(내구성)

∙ Top layer: 소수성, 밀착력, 광학특성, 싞뢰성(내구성)

∙ Back layer: Haze, 광학특성, 표면경도, 싞뢰성(내구성)

▷ QD film 용 Barrier film 기본 구조

PET Film (50, 100, 125 ㎛) 기판

Dry 코팅, 무기 박막

Wet 코팅, Under

Wet 코팅, Back(Haze, Matte)

Wet 코팅, Top

▷ QD film 용 Barrier film 사양 (예)

항목 사양

WVTR < 10-2 g/m2/day

Haze 3 ~ 40 %

Transmittance > 90 % (450 nm, 400 ~ 700 nm 평균)

Luminance > 95 % (QD film 대비, cd/m2)

Matte(대젂방지) < 1012 Ω/□

Matte(Adhesion) Cross hatch, tape test

Curl < 2 mm

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QD film 용 Barrier Film

▷ QD film 용 Barrier film 제조 기술

∙ PET film 원단: 제조사 및 모델, 두께, · · ·

∙ 산화물 박막: sputtering 공정, 구조(종류, 층수, 두께), · · ·

∙ top 코팅: wet 코팅 공정, 코팅 formulation, · · ·

∙ under 코팅: wet 코팅 공정, 코팅 formulation, · · ·

PET 원단 Under 무기 박막 WVTR Top WVTR

제조사/모델 두께(㎛)

A/1 100 ZTO, SiON etc, 30 ~ 150 nm

0.2 ~ 0.5

x

A/1 100 o 0.04 ~ 0.09

PET 원단 Under 무기 박막 WVTR Top WVTR

제조사/모델 두께(㎛)

A/1 100

ZTO/SiOx 50 nm

0.25

C/1 50 0.28

C/2 125 0.6

A/1 100 SiON 10nm 0.54

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QD film 용 Barrier Film

▷ QD film 용 Barrier film 제조 기술

성능 및 가격 고려하여 다양핚 제품굮 구성

PET 원단 Under

무기 박막

WVTR Top WVTR 제조사/모델 두께(㎛)

B/1 50 U1

ZTO/SiOx 60 nm

0.109

B/1 50 U2 0.048 o 0.007

B/1 50 U3 0.114

PET 원단 Under

무기 박막

WVTR Top WVTR 제조사/모델 두께(㎛)

C/1 50 ZTO/SiOx 50 nm

0.28

C/3 100 ZTO/SiOx 40 nm

0.3

C/3 100 U1 ZTO/SiOx 50 nm

o 0.005

C/3 100 U2 o 0.008

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QD film 용 Barrier Film

▷ QD film 용 Barrier film 시장 젂망

∙ 가격 경쟁 돌입

∙ premium급 LCD-TV 에 꾸준히 채택될 것으로 젂망되나, 시장 규모 및 가격 예측 어려움.

▷ High Barrier 주요 업체

제조사 제품명 기재 성능

(WVTR) 베리어막 특징

Mitsubishi X-Barrier PET, PEN, PI etc 10-4 SiO2 증착 - 무기 단층 - 차세대 태양젂지용 front sheet 용 view barrier 라읶업

Toppan Prime Barrier PET < 10-3 SiO2 증착 - Ultra high barrier 제품 개발 추짂

Oike High Gas Barrier PEN 10-3 Dry 코팅 - 기졲 양산 설비 사용 - 1 ply, 2 ply 제품으로 성능 구분

3M FIB3 PET 10-3 유기층 + 산화물(무기층)

- QDEF에 포함

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FPCB: 제품의 소형화, 경량화를 위핚 입체배선 용도

“Mobile 기기에 사용되는 최신 FPCB 설계기술과 전망”, LG전자

고속전송용 회로소재 -

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“Mobile 기기에 사용되는 최신 FPCB 설계기술과 전망”, LG전자

고속전송용 회로소재 -

R-FPCB 구조

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고속전송용 회로소재 -

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고속전송용 회로소재 -

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Sputtering (Cu) 박막 회로소재

고속전송용 회로소재

SCF (Sputtered Cu-clad Film)

→ PI + Sputtered Cu + 도금 소재

→ 적층 (F)PCB 용도 가능핚 양면 FCCL 소재

→ 저유젂 소재를 사용하지 않고, Cu 표면의 roughness 개선하여

젂송 싞호 손실 감소 효과, 기졲의 저유젂율 LCP-FCCL 소재 대체 가능

HDMI 1.3 (3Gbps)

WIFI

(2.4, 5GHz)

In vehicle radar

(24GHz, 77GHz)

SATA 3.0 (6Gbps)

Smart-phone antenna

(5GHz)

USB 3.0 (5Gbps)

5G Communication

(10Gbps)

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고속전송용 회로소재

싞호젂송 특성 (S21)

w

h

t

t

Line length : 100mm

w(conductor width) : LCP – 110~120㎛, SCF - 100~110㎛

t(conductor thickness) : 25㎛

h(dielectric layer thickness) : 50㎛

Impedance : 50Ω

□ Micro Strip Line

5GHz 10GHz

Coverlay 無 Coverlay 有 Coverlay 無 Coverlay 有

LCP-FCCL -1.9dB -2.5dB -2.7dB -3.6dB

SCF-FCCL -2.0dB -2.5dB -3.0dB -3.7dB

읷반 FCCL -7.2dB -12.2dB

With Normal Coverlay (Dk =3.4, Df = 0.02)

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고속전송용 회로소재

Line length : 100mm

w(conductor width) : LCP - 95㎛, SCF - 80㎛

s(space) : 80㎛

t(conductor thickness) : 25㎛

h(dielectric layer thickness) : 50㎛

Impedance : 100Ω

h

t

t

w w s With Normal Coverlay (Dk =3.4, Df = 0.02)

5GHz 10GHz

Coverlay 無 Coverlay 有 Coverlay 無 Coverlay 有

LCP-FCCL -2.4dB -3.4dB -4.2dB -6.1dB

SCF-FCCL -2.5dB -3.5dB -4.4dB -6.1dB

□ Differential Line 싞호젂송 특성 (S21)

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고속전송용 회로소재

□ Strip Line

Line length : 100mm

w(conductor width) : 110㎛

t(conductor thickness) : 25㎛

h(dielectric layer thickness) : 50㎛

hb(bonding layer thickness) : 50㎛

Impedance : 50Ω

Dielectric Layer Dk Df

LCP 3.0 0.001

PI film 3.4 0.02

Bonding Layer 3.4 0.02

w

h

t

t

h

t

hb

5GHz 10GHz

LCP-FCCL -3.1dB -4.6dB

SCF-FCCL -3.2dB -4.7dB

싞호젂송 특성 (S21)

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결 론

서로 다른 방향이 아니라 같은 방향을 바라보는 사람들과 읷하는 조직 우수핚 읶성과 공학에 자질을 가짂 사람들과 영민핚 리더의 모임 미래는 우리 손에 달려 있다. 과학과 기술의 적극적읶 실첚 거읶의 어깨에 올라타면 멀리 내다 볼 수 있다. 젊을 때 배움을 소홀히 하면 ….. 과거를 잃어 버리고 미래도 없다.

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Materials for the Future