rhythm rus

RHYTHM Optoelectronics

KHALUS - Electronics


2002


www.khalus.com.ua «KHALUS – Electronics»

2

Открытое акционерное общество "ЦКБ РИТМ" специализируется на разработке и серийном изготовле-нии фотоприемников (ФП), фотоприемных устройств (ФПУ), оптронов, оптоэлектронных пар. Все эти изде-лия изготовляются на основе следующих полупроводниковых материалов: кремний, германий, халькогениды свинца, соединения А2В6, А3В5, А4В6, которые позволяют нашим изделиям охватывать диапазон длин волн оптического излучения от ультрафиолетовой (от 0,2 мкм) до инфракрасной (до 5,0 мкм) областей спектра электромагнитного излучения. Кроме того, предприятие занимается выращиванием монокристаллических со-единений CdTe, CdZnTe, InSb. Общая номенклатура изделий составляет более 200 наименований.

Изделия применяются в медицине, кино-, фотоаппаратуре, аудио-, видеотехнике, авиационном и кос-

мическом приборостроении, волоконно-оптических системах связи, военной технике, метрологии и разнооб-разных научных исследованиях.

Суммарно номенклатура изделия нашего предприятия составляет более 200 наименований. Наше предприятие имеет полный замкнутый технологический цикл изготовления ФП, ФПУ и оптопар,

в состав которого входят: !" технологический комплекс изготовления фоточувствительных структур по планарно-диффузионной тех-

нологии; !" технологический комплекс изготовления фоточувствительных слоев методом осаждения; !" комплекс сборки фотодиодов и фоторезисторов (ФР), фотоприемных устройств и оптопар; !" комплекс изготовления корпусных деталей и обработки полупроводниковых материалов; !" участок выращивания монокристаллических полупроводниковых материалов; !" участок очистки полупроводниковых материалов и металлов; !" участок нанесения интерференционных фильтров; !" комплекс по изготовлению нестандартного технологического, измерительного и испытательного оборудо-

вания; !" аттестованный комплекс для измерения параметров ФД-, ФР- структур, ФПУ, оптопар и полупроводнико-

вых материалов; !" аттестованный комплекс для механических, климатических и надежностных испытаний ФД-, ФР- струк-

тур, ФПУ и оптопар; !" участок проектирования и изготовления фотошаблонов; !" автономный комплекс обеспечения энергоносителями. !" участок защитных покрытий для корпусов.

Наличие уникального технологического комплекса, а также широкое использование оргтехники в раз-работках позволяет нашему предприятию быстро и на высоком уровне разрабатывать и внедрять в серийное производство новые изделия.

Общая площадь производственных помещений, которые занимает наше предприятие, составляет 8578 м2.

Перечень условных обозначений и символов

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения (фотоприемник (ФП) – фоточув-ствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике. Фоторезистор – фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия ко-торого основан на эффекте фотопроводимости.



3

Фотодиод – полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или по-лупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, которое происходит непосредственно около перехода, вызывает фотогальванический эффект. Лавинный фотодиод – фотодиод с внутренним усилением, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителей в сильном электрическом поле.

Оптопара - фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического по-лупроводникового приемника излучения (фотодиод или фототранзистор) и полупроводникового излучателя (светоизлучающего диода или инжекционного лазера). Фотоприемное устройство (ФПУ) - фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосиг-нала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию. Охлаждаемый фотоприемник – фотоприемник, работающий со специальной системой охлаждения для снижения температуры фоточувствительного элемента (ФЧЭ). ФОТОДИОДЫ Принцип действия

На рис.1 изображено сечение кристалла фотодиода. Слой p-типа – соответствует типу проводимости активный области. Слой n-типа соответствует типу проводимости исходного материала. Формирование слоя p-типа создает p-n-переход, который служит для разделения оптически генерированных носителей заряда. Обычно слой p-типа для кремниевого фотодиода создается с помощью селективной диффузии бора, глубина залегания которого составляет 1 - 3 мкм, а нейтральная область между p- и n-слоями известна как обедненный слой или область объемного заряда. Изменяя толщину p-слоя, n-слоя и слоя n+-типа с тыльной стороны кри-сталла фотодиода, возможно регулировать спектральную и частотную характеристики фотоприемника.

После попадания света на фоточувствительный элемент фотодиода, происходит возбуждение электро-

нов в объеме кристалла фотодиода. Если энергия света больше, чем энергия запрещенной зоны Eg, то элек-троны втягиваются в зону проводимости, оставляя дырки в валентной зоне (рис. 2). Такие пары электрон-дырка генерируются в объеме слоев p- и n- типа, а также в обедненной области, в которой электрическое поле ускоряет движение электронов к n-слою, а дырок к p-слою. Электроны из электронно-дырочных пар, генери-рованные в n-области, вместе с электронами, которые генерированы в p-слое, остаются в n-слое зоны прово-димости. В то же время дырки диффундируют, из n-слоя к обедненной области, в которой они ускоряются электрическим полем, и собираются в p-слое валентной зоны. Таким образом, пары электрон-дырка, генери-рованные светом пропорционально его количеству, накапливаются в n- и p-слоях. В результате, в p-области создается положительный заряд, а в n-области - отрицательный. Если к p- и n-слоям подсоединить внешнюю

-+

+ +

+

+-

-

-

-

-

-

+ n n+ p

8

1

6

7

5

9

2 3

10

4

Рис.1. Cхематическое изображение сечения фотодиода 1- положительный электрод (анод); 2 - обедненная область; 3 – n- слой; 4 - отрицательный электрод (катод); 5 - падающий свет; 6 - коротковол-новое оптическое излучение; 7 - длинноволновое оптическое излу-чение; 8 - слой изоляции; 9 - p-слой; 10 - n+- слой.



4

электрическую схему, то электроны будут стекать со слоя n-типа, а дырки – со слоя p-типа в направлении про-тивоположном соответствующим электродам.

Фотодиод может быть использован в двух режимах: фотодиодном и в фотогальваническом (режиме генерации фото-ЭДС). В первом случае, на фотодиод подается обратное смещение, а ток через p-n переход является функцией интенсивности света. В другом случае, p-n переход используется в качестве источника фо-то-ЭДС, у которого напряжение холостого хода измеряется при бесконечной нагрузке, а ток короткого замы-кания при нулевой нагрузке.

Процесс генерации фототока и детектирования сигнала можно проиллюстрировать с помощью рис. 3 и эквивалентной схемы фотодиода, представленной на рис. 4, где ip – среднеквадратичный ток сигнала (фото-

сигнала), 2Si - ток дробового шума, Cj – емкость перехода, Rj – сопротивление перехода, RS – последователь-

ное сопротивление, 2Ti – тепловой шум, RL – внешнее нагрузочное сопротивление, Ri – входное сопротивле-

ние усилителя.

Фотодиод

Схема

согласования

Оптический сигнал

Фоновое излучение

фототок

Фоновый ток

Темновой ток

Тепловой шум

Выходной сигнал

Импульсный шум

Рис. 3.

Рис. 4. Эквивалентная схема фотодиода

2Si ip Cj Rj

RS Ri 2

Ti RL

+ + +

+ +

-

----

1 2 3

4

5

6

Eg

Рис. 2. Энергетическая диаграмма p-n - перехода фотодиода 1 - p- слой; 2 - обедненная область; 3 - n- слой; 4 - падающий свет; 5 - зона проводимости; 6 - валентная зона; Eg - энергия запрещенной зоны; EF - уровень Ферми.

EF



5

Основные параметры, характеризующие работу фотоприемников

UР - рабочее напряжение - напряжение, приложенное к фотоприемнику, при котором обеспечиваются

фотоэлектрические параметры; IТ – темновой ток - ток через p-n переход в отсутствии освещения при рабочем напряжении; IФ – фототок - ток через p-n переход, обусловленный только воздействием потока излучения с задан-

ным спектральным распределением при рабочем напряжении; RТ – темновое сопротивление – сопротивление фотоприемника в отсутствии падающего на него излу-

чения в диапазоне его спектральной чувствительности (кроме равновесного); Rd – дифференциальное электрическое сопротивление – отношение малых приращений напряжения и

тока на фотоприемнике. SІ#### - токовая монохроматическая чувствительность – чувствительность фотоприемника к монохрома-

тическому излучению; SІинт – токовая интегральная чувствительность – чувствительность фотоприемника к немонохромати-

ческому излучению заданного спектрального состава (как правило чувствительность к излучению источника типа А с цветовой температурой 2856 К);

SВ – вольтовая чувствительность – напряжение фотосигнала, генерированного единичным потоком па-дающего оптического излучения;

Рпор - поpоговая чувствительность - уровень мощности поглощаемого излучения при котором сигнал (фототок) равен шуму;

UШ - напряжение шума – средне квадратичное значение флуктуации напряжения при заданной нагруз-ке в цепи фотоприемника в заданной полосе частот;

D* - удельная обнаружительная способность – величина, обратная порогу чувствительности, определя-ет уровень светового потока, при котором сигнал равен шуму;

####макс – длина волны, соответствующая максимальной чувствительности фотоприемника; $$$$#### - область спектральной чувствительности – диапазон длин волн спектральной характеристики фо-

топриемника, в котором его чувствительность составляет не менее 10 % от своего максимального значения; ####Р – длина волны, на которую оптимизирован фотоприемник; SІ####/SІ####макс – относительная спектральная характеристика чувствительности – зависимость монохрома-

тической чувствительности фотоприемника, отнесенной к максимальному значению монохроматической чув-ствительности, от длины волны потока излучения, которое регистрируется;

Аэфф – эффективная фоточувствительная площадь - площадь фоточувствительного элемента, эквива-лентного по фотосигналу фотоприемнику, чувствительность которого равномерно распределена по фоточув-ствительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного фотоприемни-ка;

%%%%0,1-0,9 – время нарастания (время нарастания фотосигнала) - интервал времени между точками пере-ходной нормированной характеристики фотоприемника со значениями 0,1 и 0,9- соответственно;

%%%% - постоянная времени - интервал времени за который переходная характеристика фотоприемника достигает уровня 0,63;

С – емкость фотоприемника; ITEО – ток питания термоэлектрического охладителя (ТЭО);

Sстат – статическая крутизна координатной характеристики координатно-чувствительного фотодиода – отношение полного приращения фотосигнала координатно-чувствительного фотодиода к изменению коорди-наты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения; IпотрФПУ – ток потребления фотоприемного устройства;

UР ФПУ – рабочее напряжение фотоприемного устройства; UРФД - рабочее напряжение фотоприемника, работающего в составе ФПУ;

fмод – частота модуляции регистрируемого излучения; Pи – импульсная мощность оптического излучения; Iи – импульсный ток питания.



6

ФОТОДИОДЫ на основе кремния (Si) в герметичном корпусе Обозначение

ФП Кол. фчэ N

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

SІинт , мА/лм (мкА/ лк

IТ, мкА

(20 оC)

С, пФ

%%%%0,1-0,9 мкс

Uр, В

ФД-141К

УФД11

ФД-131 А

ФД-131 Б

ФД131 М Б

ФДК-157

ФД-255А, Б

ФД 309

ФД 321М-03

ФД-331

ФД-288А

ФД-288Б

ФД-288В

ФД-288-01

ФД-291*

УФД01

УФД 06

ФД 304М-01

ФД 304М-02

ФД 305М

ФД 306М ФД 325М*

4

1

1

1

1

2; 4

1

1

16

1

1

1

1

1

1

1

1

34

34

48

2

2; 6

37,0

4

0,15

0,15

0,5

0,16; 0,036

3,14

86,5

0,28

9,0

100

100

100

100

3х2

10х10

3,14

0,7х7

0,7х7

0,19х20

3,5х2,3 &0,8

0,04; 0,008

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,7-1,1

0,25-1,05

0,25-1,05

0,25-1,05

0,4-1,05

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,3-1,0

0,3 -1,0

0,4-1,1

0,34-0,75

0,4-1,1

0,9

0,85

0,85

0,85

0,85

0,78

-

0,95

-

0,85

0,88

0,88

0,88

0,75

0,85

-

0,85

-

-

-

0,55 -

1,1

-

0,65

0,9

0,65

0,63

-

0,9

0,85

0,65

0,3 0,55

0,3

0,55

0,3 0,55

0,55

0,85

0,63

0,9

0,4

0,4

0,9

-

0,78

0,2

-

0,3

0,4

0,4

0,31

-

0,5

0,5

0,35

0,04 0,24

0,04 0,24

0,06 0,27

0,24

0,5

0,26

0,3

0,1

0,1

0,4 -

0,4

-

(0,02)

-

-

-

-

-

-

-

(0,07)

- - - - - - -

(0,03)

-

4,5

-

-

-

0,5 -

<7,0

<0,005

<0,1

<0,1

<0,1

0,001

0,1

3,5

0,002

<0,03

<0,15

<0,15

<0,05

<0,15

<0,01

<0,01

-

<0,002

<0,002

-

0,001 0,0001

0,001

<15

-

2

2

2

10; 4

<2,7

<100

30

35

-

-

-

-

-

<180

320

650

650

-

- -

10; 4

-

0,01

-

-

-

-

-

0,05

-

-

<10

<10

<10

-

<0,7

0,1

<3

2,5

2,5

- 1 1

0,01

120

10

135

135

135

10

250

27

12

13,5

1

1

1

1

0,05

10

0,01

1

1

0

2 2 15

Изготовление изделий, отмеченных знаком (*) возможно при объеме выпуска не менее 10 000 шт в год.



7

Продолжение Обозначение

ФП

Кол. ФЧЭ

N

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

SІ Інт, мА/Лм (мкА/ лк)

IТ, мкА

(20 оC)

С, пФ

%%%%0,1-0,9 мкс

Uр, В

ФД325М-01*

ФД325М-02*

ФД «Квант»

ФД-125К

ФДК-146А, Б

ФД-254

ФД-263-01*

ФД297М*

ФД-319*

ФД-319-01*

ФД-263*

ФД-293

ФД-295*

ФД 310

ФД-332 ФД«Паркет»

(код Грея)

6

6

1

4

4

1

1

2

1

1

1

1

1

2

1

12

0,04; 0,008 0,02;

0,0018 100

37

37

50,24

30

1,55х2

16

16

3х3

3,14

20х5

1,5х1,5

9,61

0,4-1,1

0,4-1,1

0,2-1,05

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,0

0,575-1,1

0,575-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,05

0,4-1,1

0,4-1,1

0,5-1,1

- - -

-

-

0,9

0,85

-

-

-

-

0,8

0,8

0,75

-

0,85

0,78

0,78

0,2

-

-

0,95

-

0,85

-

-

0,55

0,9

0,63

0,85

-

1,06

0,4

0,4

0,1

-

-

0,45

-

0,31

0,45

0,45

0,15

0,3

0,35

0,35

-

0,04

- - -

-

-

-

(0,12)

4,8

(0,22)

(0,73)

-

4,5

-

-

(0,12)

4,0

0,001

0,001

<4

<1

<3

<1

<0,1

<0,05

<0,03

<0,03

<0,005

0,5 1)

0,2

0,15

0,005 1

10; 4

5; 2

-

<15

<15

-

-

-

-

-

-

<320

-

75

-

-

0,01

0,01

-

-

-

-

-

-

-

-

-

<3

1

-

-

-

15

12

0,01

135

135

27

12

3

9

9

0,2

0,01

0,5

0,01

0,2

0,2

1) – измерено при температуре 150 оС. Изготовление изделий, отмеченных знаком (*) возможно при объеме выпуска не менее 10 000 шт в год.

Рис. 5. Усредненные относительные спек-тральные характери-стики фотоприемни-ков на основе фос-фида галлия (GaP), кремния (Si), герма-ния (Ge), сульфида свинца (PbS) и селе-нида свинца (PbSe).

SI# , %

SI#макс

0 0,2 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 #, мкм

100

75

50

25

0

PbSe PbS Si Ge GaP



8

ФОТОДИОДЫ на основе кремния (Si) негерметичные Обозначение

ФП Кол. фчэ,

N

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс , мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

SІ инт , мА/Лм (мкА/ лк)

IТ, мкА

(20 оC)

С, пФ

%%%%0,1-0,9 , мкс

Uр, В

ФДК-148

ФДК-149

ФДК-150

ФДК-150М

ФД-286

ФД301*

ФД302*

ФД 307

ФД 313М

ФД 327М

УФД02

УФД03

ФД«Порог2»

ФД«Альфа3»

ФД«Гранит»

ФД 321М А

ФД 321М Б

ФД 321М В

ФД321М-01А

ФД321М-01Б

ФД321М-01В

11

5

3

1

1

2

2

1

2

2

1

1

1

1

36

16

16

16

16

16

16

0,9х3

0,9х3

0,9х3

0,9х3

&8

1,9х0,7

2,5х4,5

&7

1,35х2

20x1,2

10х10

10х10

20х20

20х2,6

0,27

6,15

6,15

6,15

5,85

5,85

5,85

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,25-1,0

0,4-1,0

0,4-1,06

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,3-1,1

0,4-1,06

0,4-1,06

0,4-1,06

0,4-1,06

0,4-1,06

0,4-1,06

-

-

-

-

-

-

-

- -

0,75

0,85

-

-

-

-

-

0,85

0,85

0,85

0,85

0,85

0,85

-

-

-

-

0,85

0,9

0,9

0,3 0,55

0,85

0,63

0,63

0,63

0,63

0,63

0,4

0,63

0,63

0,63

0,64

0,64

0,64

-

-

-

-

0,4

0,5

0,5

0,06 0,27

0,35

0,4

0,3

0,3

0,3

0,4

0,15

0,38

0,38

0,38

0,39

0,39

0,39

6

6

6

6

-

-

-

- -

5,0

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

<0,1

<0,1

<0,1

<0,1

0,003

5.10-5

12.10-5

0,003 0,003

10-4 2)

<0,1

<0,1

<0,15

<0,01

<0,1

5.1011

0,050

0,100

0,010

0,050

0,100

0,010

-

-

-

-

<5

<50

<360

- -

-

600

<180

<180

<600

-

-

160

160

160

160

160

160

2,5

2,5

2,5

2,5

0,002

-

-

<10 <10

-

3

0,1

0,1

-

-

-

3

3

3

3

3

3

0,5

0,5

0,5

0,5

24

0,01

0,01

0,01 0,01

0

0,01

10

10

10

10

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

0,01

2) при Up=0,01 В. Изготовление изделий, отмеченных знаком (*) возможно при объеме выпуска не менее 10 000 шт в год.



9

Продолжение Обозначение


Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

SІ Інт, мА/Лм (мкА/ лк)

IТ, мкА

(20 оC)

С, пФ

%%%%0,1-0,9 мкс

Uр, В

ФД321М-02А

ФД321М-02Б

ФД321М-02В

ФД330М

ФД337А

ФД337Б

ФД337В

ФД»Порог»

ФД-292

ФД-292А

ФД296М

ФД299М 3)

32

32

32

8

1

1

1

1

1

1

2

4

5,85

5,85

5,85

0,17

10x10

10x10

10x10

10x10

0,94x x2,29

0,94x x2,29

1,5x1,5

2x2

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,1

0,4-1,0

0,4-1,0

0,8-0,9

0,8-0,9

0,8-0,9

0,85

0,80

0,80

0,80

0,80

0,9

0,9

0,8

0,8

0,63

0,63

0,63

0,78

0,63

0,63

0,63

0,63

0,85

0,85

-

-

0,38

0,38

0,38

0,4

>0,3

>0,3

>0,3

>0,3

>0,5

>0,5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

(>0,01)

(>0,011)

-

>3,6

0,050

0,100

0,010

0,005

0,010

0,100

0,150

<0,001

<0,003

<0,003

-

-

130

130

130

-

<200

<200

<200

<150

-

-

-

60

-

-

-

<1

<0,1

<0,1

<0,1

-

<0,6

<0,6

-

2

0,01

0,01

0,01

15

10

10

10

10

1

1

-

0

3) – минимальная наработка 150000 часов. ФОТОДИОДЫ на основе германия (Ge) и фосфида галлия (GaP) Обозначение


Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

IТ, мкА 85оС

IТ, мкА 20 оC

С, пФ

%%%%0,1-0,9 , мкс

Uр, В

ФД-287 (Ge)

ФД 315 (Ge)

УФД 07 (Ge)

ФД«Призма3»*

ФД "Синева" (GaP)

1

1

1 1 1

0,96

2,7

0,08

2

3,14

0,4-1,9

0,9-1,75

0,4-1,9

0,8-1,85

0,2-0,5

1,5

1,5

1,5

1,55

0,44

1,5

1,5

1,3

1,5

0,435

0,7

0,7

0,5

0,7

0,25

<50

-

-

-

-

<4,0

<4,0

0,200

0,08

7.10-8

-

-

<5

90

5500 (Up=0В)

0,010

0,200

0,003

-

-

10

0,01

8

0,01

0,01

* фотодиод термостабилизирован термоэлектрическим охладителем на уровне 10 оС, ITEО -0,4 А.



10

ЛАВИННЫЕ ФОТОДИОДЫ на основе германия (Ge) и кремния (Si) Обозначение

ФП

Кол. фчэ N

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

SІ Інт, мА/ Лм

(мкА/лк)

IТ, мкА

(20 оC)

С, пФ

%%%%0,1-0,9 , мкс

Uр, В

УФД05 (Ge)

ФДЛ-311 (Si)

1

1

0,08

0,07

0,4-1,9

0,4-1,1

1,5

0,8-0,9

1,3

0,85

6

18

-

-

-

-

<3

<3

0,002

0,004

40

70-400

ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА специального применения

на основе кремниевых фотодиодов Обозначе-ние

Тип фото-диода

Аэфф, мм2

UР ФПУ, В

IПОТР ФПУ, мA

UР ФД, В

Область Примене-ния

Примечания

УФУО-02 p-i-n 0,16 -135 Датчик ИК излучения.

Импульсный, пороговый, термостабилизированый, ВАРУ, линейный выход.

ФУО-113 p-i-n

3,14

12,0

35 -250 Датчик ИК излучения

Импульсный, пороговый, ВАРУ, ключи, лин. выход

ФУО-127 p-i-n

4,15 15,0 10 Системы ориентации

Усиление постоянного сиг-нала, линейный выход

ФУО-134 p-n 28 12,6

Фотометрия

Термокомпенсация, усиле-ние постоянного сигнала, логарифмический выход

ФУО-135 p-n

78 13,0

5

Системы автоматики

Низкочастотный, линейный выход

ФУО-136 Барьер-ный

50

12,0

5

Датчик ИК излучения

Импульсный, линейный вы-ход

ФУО-146 p-i-n 2,2 Датчик ИК излучения

Импульсный, линейный вы-ход

УФУР-01 p-i-n 0,58 17,74

12,0

0,5

-200 Системы ориентации

8 каналов, импульсный, ключи, линейный выход.

ФУЛ-116 p-i-n

4,4 12,6 150 -250 Системы ориентации

4 канала, импульсный, поро-говый, ВАРУ, ключи, ли-нейный выход

ФУЛ-117*

p-i-n

0,93 Системы ориентации

5 каналов, импульсный, линейный выход

ФУЛ-118

p-i-n

4,1

-150/-9 150/ 9

Датчик ИК излучения

8 каналов, импульсный, линейный выход

ФУЛ-119 p-i-n

0,11 0,17

Системы ориентации

4 встроенных светодиода, пороговый, усиление посто-янного сигнала



11

ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

на основе кремниевых фотодиодов общего применения

Наименование параметра

ФУО-138А

ФУО-138Б


ФУО149

Площадь фоточувствительного элемента, мм2 Рабочее напряжение, В Диапазон спектральной чувстви-тельности, мкм Максимум спектральной характеристики, мкм Выходная энергетическая харак-теристика ФПУ, линейная в диапа-зоне выходных токов, мкА Диапазон регулирования токовой чувствительности ФПУ, А/лк Нелинейность энергетической ха-рактеристики напряжения фото-сигнала, %, не более: в диапазоне 0,01 – 0,1 лк, 0,1 – 1000 лк Температурный коэффициент напряжения фотосигнала, % / оС, не более Время нарастания (Е = 10 лк), мкс, не более Время спада (Е = 10 лк), мкс, не более Ток потребления, мА, не более Изменение величины напряжения выходного фотосигнала при изме-нении напряжения питания, % / В, не более

32,16

5,0

0,37-0,8

0,5-0,6

1–100

3.108-3.103

30,0 15,0

1,0

150,0

650,0

7,0

10,0

32,16

5,0

0,37-1,1

0,73-0,93

1–100

3.108-3.103

30,0 15,0

1,0

150,0

650,0

7,0

10,0

Рабочее напряжение, В Диапазон спектральной чувстви-тельности, мкм Рабочий диапазон мощности оп-тического импульса излучения, мкВт Минимальная длительность им-пульса оптического излучения, мкс Скважность импульсов оптиче-ского излучения, не менее Выходное напряжение (ток) ло-гического нуля, В (мА), не более Динамический диапазон, Вт Плоский угол зрения, град, не менее Фоновая засветка входного окна, лк, не более Ток потребления, мА, не более Диаметр входного окна, мм Масса, г

5

0,65-1,1

0,1-1000

10,0

8,0

0,4 (2)

10-7-10-2 120

500,0

5,0

5,0

4,0



12

КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ кремниевые фотодиоды на продольном фотоэффекте Принцип действия Обозначение

ФП Кол-во коорд.

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####макс мкм

####р, мкм

SІ####, А/Вт

Sстат , мВ/мм

Rd, кОм

IТ, мкА

%%%%0,1-0,9 мкс

Uр, В

ФД «Веер-1»

ФД «Веер-2»

1

2

34,8

90

0,4-1,1

0,4-1,1

0,8-0,9

0,8-0,9

0,53 0,84 1,06

0,53 0,84 1,06

0,2

0,45 0,15

0,2

0,45 0,15

0,55

0,6

5.103

10

0,005

0,01

2

2

5

5

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ фотодиодов и ФПУ на основе кремния и германия

Область применения Обозначение изделия

Системы ориентации

Датчики ИК-излучения

Системы считки информации

Системы спектрофотометрии (в том числе рентге-

новской и гамма), колориметрии и метрологии

Системы ВОЛС

Координатные датчики

Экспонометрия

Датчики температуры лопастей турбин

Системы «сцинциллятор-фотодиод»

ФД-141К, ФДК-142-01

ФД-131, ФД-255, ФД-309, ФД-331, ФУО149

ФДК-157, ФД 321

ФД-287, ФД-288, ФД 304, ФД«Гранит», ФД 315,

ФД«Квант», УФД01, УФД02, УФД03, ФД“Порог-2”,

ФД "Синева"

УФД05, УФД07, ФД-286

ФД-291, ФДК-148, ФДК-149, ФДК-150, ФДК-150М,

ФД 305, ФД 313, ФД «Паркет»

ФД 306, ФУО-138А, ФУО-138Б

УФД 06

ФД«Альфа», ФД 321М, ФД 327М

При локальном освещении координатного фотодиода (КЧФ), использующего продольный фотоэффект, носителигенерируются и разделяются p-n переходом в области свето-вого пятна и растекаются вдоль базы коллектора, создавая вэтих областях продольное падение напряжения вдоль оси Х.Измеряя это напряжение с помощью пары контактов, возмож-но судить об одной координате светового пятна (Х). Размес-тив еще одну пару контактов на краях фоточувствительнойплощадки перпендикулярно имеющимся, можно измеритькоординату светового пятна не только по оси Х но и по оси У.

Ниже приведены характеристики координатно-чувствительных фотодиодов.

60

50

40

30

20

10

0

Uc, мВ Рис. 6.

Координатнаяхарактеристика

однокоординатногоКЧФ «Веер-1»

0 1 2 4 5 6 7 8 9

X, мм



13

ФОТОРЕЗИСТОРЫ на основе халькогенидов свинца (PbS, PbSe) Принцип действия Регистрация оптического излучения фоторезистором основана на изменении электропроводности ма-териала при воздействии оптического излучения. Для регистрации изменения фотопроводимости фотоприемника его включают в электрическую цепь, которая состоит из источника напряжения постоянного тока и нагрузочного резистора. Фотосигнал в такой схеме регистрируется как изменение напряжения на нагрузочном резисторе. В большинстве случаев фотосиг-нал, генерированный таким образом, очень мал и его необходимо усилить, обеспечив при этом максимальное соотношение сигнал/шум. Достигнуть этого возможно соблюдая следующие рекомендации: !" сопротивление резистора нагрузки должно быть равно темновому сопротивлению фоторезистора; !" полоса пропускания региструющего электронного тракта должна быть минимальной; !" напряжение шума региструющего электронного тракта должно быть меньше напряжения шума фоторези-

стора не менее чем в три раза. Ниже приведены параметры и характеристики серийно выпускаемых фоторезисторов:

Обозначе-ние ФП

Кол. фчэ,

N

Аэфф, мм2

Δλ, мкм

####р, мкм

SВ , В/Вт не менее

Rt, МOм 20 оC

D*, cмГц1/2 Вт-1 не менее

fMOД, Гц

%%%%, мкс

UP, В

ITEО, А

ФР-127А

ФР-127Б

ФР-188А

ФР-188Б

ФР-188В

ФР-188Г

ФР-188Д

ФР193А

ФР193Б

ФР193В

ФР193Г

ФР193Д

УФРО21)

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

1

0,25

0,25

1,3х1,3

0,7х0,7

0,5х0,5

0,35х0,35

0,18х0,18

1,3х1,3

0,7х0,7

0,5х0,5

0,35х0,35

0,18х0,18

1x1

3,0-4,8

2,6-4,8

1,8-4,4

1,8-4,4

1,8-4,4

1,8-4,4

1,8-4,4

0,8-3,3

0,8-3,3

0,8-3,3

0,8-3,3

0,8-3,3

2,6-4,8

3,7

3,7

3,7

3,7

3,7

3,7

3,7

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

3,7

3000

3000

600

2400

2400

2400

6000

2000

4000

7000

10000

10000

2.105

0,2-3,5

0,2-3,5

<1

<1

<1

<1

<1

<1,2

<1,2

<1,2

<1,2

<1,2

0,2-5,0

109

109

4.108

4.108

4.108

4.108

4.108

2.109

2.109

2.109

2.109

2.109

3.1010 2)

1200

1200

400

400

400

400

400

400

400

400

400

400

1200

<15

<15

<15

<15

<15

<15

<15

<300

<300

<300

<300

<300

<50

10

10

10

10

10

3

3

10

10

10

3

3

30

0,5

0,5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

1,0

1) – фоторезистор оборудован датчиком температуры; 2) – значения вольтовой чувствительности и удельной обнаружительной способности приведены в максимуме спек-тральной чувствительности.



14

ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА на основе фоторезисторов

Наименование Параметра

ФПУ «Спектр»

Материал Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной чувствительности (#MAКС, f=1200 Гц, $f=1, '), см.Гц-1/2.Вт-1, не менее Вольтовая чувствительность, В/Вт Коэффициент вариации вольтовой чувствительности работающих каналов Постоянная времени, мкс Рабочее напряжение, В Сопротивление нагрузки, кОм Диапазон спектральной чувствительности, мкм Количество фоточувствительных элементов, шт Размеры фоточувствительного элемента, мм Шаг, мм Количество параллельных сигнальных каналов, шт Рабочая температура, К Охлаждение в космическом пространстве

PbSe

7.1010 - - -

10-15 -

1,0-4,8 1

0,7x0,7 - -

293 -


ФПУ «Планета»

Материал Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной чувствительности (#MAКС, f=1200 Гц, $f=1, '), см.Гц-1/2.Вт-1, не менее Вольтовая чувствительность, В/Вт Коэффициент вариации вольтовой чувствительности работающих каналов Постоянная времени, мкс Рабочее напряжение, В Сопротивление нагрузки, кОм Диапазон спектральной чувствительности, мкм Количество фоточувствительных элементов, шт Размеры фоточувствительного элемента, мм Шаг, мм Количество параллельных сигнальных каналов, шт Рабочая температура, К Диапазон температур охлаждения, К

PbSe

1.1010 -

0,1-0,2 50 15 10

1,8-4,7 128

0,1x0,1 0,12 16 240 65


ФПУ «Стяг-Ч»

Материал Удельная обнаружительная способность в максимуме спектральной чувствительности (#MAКС, f=1200 Гц, $f=1, '), см.Гц-1/2.Вт-1, не менее Вольтовая чувствительность, В/Вт Коэффициент вариации вольтовой чувствительности работающих каналов Постоянная времени, мкс Рабочее напряжение, В Сопротивление нагрузки, кОм Диапазон спектральной чувствительности, мкм Количество фоточувствительных элементов, шт Размеры фоточувствительного элемента, мм Шаг, мм Количество параллельных сигнальных каналов, шт Рабочая температура, К Диапазон температур охлаждения, К

PbSe

1.1010 105 -

50 - -

1,0-4,7 (16x4) 64 0,5x0,5

0,7 -

240 65



15

ОПТОПАРЫ Оптоэлектронную пару, состоящую из фотоприемника и светодиода, смонтированных в одном корпусе, называ-ют оптопарой. В качестве источника света в ней может быть использован светодиод или полупроводниковый лазер, а в качестве фотоприемника – фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и другие фотоприемники.

Обозначение. Наименование параметра

Режим измерения Типичное min max значения

УАОТ01(фототранзистор-излучатель) Входной ток фототранзистора

Rсд = 147 Ом, мА 0,4 – 5,0 - -

Выходной ток фототранзистора при вве-денном имитаторе модулятора, мкА

При включенном напряже- нии питания светодиода 60,0 - -

Время нарастания выходного импульса тока, % наp , мкс

Ток светодиода 10 мА 80,0 - -

Время спада выходного импульса тока, % сп , мкс

Ток светодиода 10 мА 80,0 - -

Коэффициент передачи по току, % - « - 1,3 – 83,0 - -

прямое падение напряжения на светодио-де, В

- « - 1,1 – 2,0 - -

Hапpяжение питания, В - 5 ( 10 % - -

Длина оптического канала между излучателем и приемником, мм

- 2,0 - -



УАОТ-03 (транзисторная оптопара) Коммутируемый ток, мА

UВЫХ = 8 В, IВХ = 3мА - - 5,0

Напряжение насыщения, В IВЫХ=0,2 мА, IВХ=3 мА 0,3 - 0,4 Максимальное выходное напряжение, В IВЫХ=0,2 мкА, IВХ= - - 15,0 Коэффициент передачи по току, % IВХ=1…5 мА, UВЫХ=8 В 100,0 80,0 150,0 Коэффициент передачи между каналами, % IВХ=10 мА 0,0 - 0,1 Выходной ток в закрытом состоянии, мкА IВХ= 0; UВЫХ=8 В 0,05 - 1,0 Прямое падение напряжения на светодиоде, В IВХ=10 мА, 1,4 1,3 1,6 Время нарастания импульса выходного тока, мс

RН = 50 кОм 0,5 - 1,0

Время спада импульса выходного тока, мс RН = 50 кОм 0,5 - 1,0 Напряжение изоляции «вход-выход» IУТЕЧКИ < 1 нА 500,0 - 500,0 Напряжение изоляции между каналами IУТЕЧКИ < 1 нА 500,0 - 500,0

1 3 5 7

2 4 6 8

Схема включения УАОТ01 Схема включения УАОТ03

6 5 4 3 2 1

9 10 11 12 13 14



16




UУПР = 5 В - - 150

Напряжение насыщения, В IВЫХ = 150 мА 1,6 1,2 2 Максимальное выходое напряжения, В UУПР = 0 75,0 - 120,0 Коэффициент передачи по току, % IВХ = 10 мА 2500,0 1500,0 - Ток потребления по управляющему входу, мА UУПР = 5 В 0,5 0,3 0,8 Выходной ток в закрытом состоянии, мкА UУПР = 0; UВЫХ = 75 В 1,0 - 500,0 Прямое падение напряжения на светодиоде, В IВХ = 10 мА 1,4 1,3 1,6 Время нарастания импульса выходного тока, мс

RН = 500 Ом 0,1 - 0,5

Время спада импульса выходного тока, мс RН = 500 Ом 0,3 - 0,5 Напряжение изоляции «вход-выход» IУТЕЧКИ < 1 нА 500,0 - 500,0 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт - - 0,3

Обозначение.




UВЫХ = 5 В; IВХ = 30 мА - - 5,0

Напряжение питания фотоприемника, В 5,0 - 16 Рабочий ток излучателя, мА 30,0 - 50,0 Коэффициент передачи по току, % 100,0 80,0 150,0 Темновой ток фотоприемника, мкА UВЫХ = 6 В 0,05 - 1,0 Время нарастания импульса выходного то-ка, мс

RН = 1,0 кОм 0,02 - 0,1

Время спада импульса выходного тока, мс

RН = 1,0 кОм 0,05 - 0,1

Напряжение на излучателе, В IИЗ = 30 мА 5,5 - 7,0 Обратное напряжение пробоя излучателя, В - - 7,0 Рабочая температура, оС - - 10 + 70 Температура хранения, оС - - 40 + 85

ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ InxGa1-xAs

Обозначение $$$$#### , мкм ####р , мкм Ри , мВт Iи , А fмод , Гц %%%% , нс $$$$#### , мкм

ИП-4 1,055-1,065 1,06 ( 0,05 4 20 1000 50 1,055-1,065

ИП-4-01 1,055-1,065 1,06 ( 0,05 40 20 1000 50 1,055-1,065

11

10

12 13

6

7 5

Схема включения УАОТ04 Схема включения УАОТ05

1

2

4

3



17

ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ «ТОК-НАПРЯЖЕНИЕ» Преобразователь «Ток-напряжение» (ПТН) предназначен для преобразования тока в диапазоне от 1.10-11 до 1.10-2 А в пропорциональную величину напряжения. Основные технические характеристики

1. Диапазон преобразования тока, А ……………………….. 1.10-11 - 1.10-2 2. Входное сопротивление, Ом, не более ………………….. 1 3. Коэффициент преобразования, В/А ………………………1.102 – 1.108 4. Нестабильность коэффициента преобразования, %, не более …………………………………...( 1 5. Нелинейность коэффициента преобразования во всем диапазоне, %, не более ………………………………..( 1 6. Основная относительная погрешность преобразователя, %, не более ………………………………… ( 3 7. Время непрерывной роботы преобразователя, час, не более ……………………………….. 8 8. Потребляемая мощность, Вт, не более ……………………10 9. Габаритные размеры, мм …………………………………..280 х 250 х 125

ФОТОМЕТР-РАДИОМЕТР “Кварц-01” (ФР “Кварц-01”) ФР «Кварц-01» предназначен для измерения освещенности от источников с непрерывным спектром и потоков монохроматического излучения в спектральном диапазоне 250 – 1100 нм.

Основные технические характеристики 1. Диапазон измеряемых освещенностей, лк …………………..………. 2.10-3 – 2.105 2. Диапазон измерения потоков излучения, мкВт……………………... 2.10-3 – 2.103 3. Основная относительная погрешность измерений, %, не более …… ( 5 4. Основная относительная погрешность измерения потоков излучения, %, не более ……………………………………………………. ( 7 5. Питание, В (Гц) …………………………………………………………220 (50) 6. Потребляемая мощность, Вт, не более ………………………………..15 7. Масса, кг, не более ……………………………………………………...4

ОТРАЖАТЕЛЬНЫЙ КОЛОРИМЕТР ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ БЕЛИЗНЫ САХАРА Колориметр предназначен для определения белизны сахара по шкале, установленной Международной комиссией методов анализа сахара (ICUMSA).

Основные технические характеристики. 1. Цифровая индикация измеряемых величин. 2. Пределы измерений …………………………………… 0,00 – 6,00 3. Точность измерений …………………………………... ( 0,01 4. Нестабильность показаний, не более ………………… ( 0,01 5. Время непрерывной роботы, ч ………………………... 8 6. Питание, В (Гц) ………………………………………… 220 (50) 7. Масса, кг, не более ……………………………………... 8



18

ФОТОМЕТРИЧЕСКАЯ ГОЛОВКА Фотометрическая головка (ФМГ) предназначена для измерения освещенности, которая формируется естествен-ными и искусственными источниками света с произвольным спектром излучения, которые расположены произвольно относительно измерительной головки.

Основные технические характеристики

1. Диапазон измерения освещенности от точечного источника, лк …………………………………………………………… 1.10-4 – 2.106 2. Диапазон измерения освещенности от неточечного источника, лк …………………………………………………………… 1.10-3 – 2.104 3. Относительная спектральная характеристика чувствительности Sотн(#) фотометрической го-

ловки соответствует относительной спектральной характеристике видности глаза для дневно-го зрения V (#).

4. Погрешность коррекции Sотн(#) фотометрической головки относительно V (#) в видимом диапазоне спектра, %,

головка первого класса, не более ………………………………… 3 головка второго класса, не более ………………………………… 5

5. Погрешность коррекции Sотн(#) фотометрической головки относительно V (#) за пределами видимого диапазона, %,

головка первого класса, не более ………………………………… 0,5 головка второго класса, не более ………………………………… 1

6. Основная относительная погрешность измерения освещенности, %, не более …………………………………………….. ( 3 7. Косинусная погрешность при углах, %, не более: ………..……… 30о - ( 2

60о - ( 7 80о - ( 15

8. Нестабильность чувствительности, %, не более …………………. ( 1 9. Нелинейность чувствительности в диапазоне излучения, % не более, …………………………………………………. ( 1 10. Время непрерывной роботы, ч, не менее…………………………... 8 11. Время выхода на рабочий режим, с, не более …………………….. 1 12. Коэффициент ослабления косинусной насадки, раз ……………… 10 ( 1 13. Габаритные размеры: высота, мм, не более .…………………………………………… 45 диаметр, мм, не более ……………………………………………55

1,0 0,5 0,0

Sотн(#)

0 380 550 760 #, нм

Рис. 7. Относительная спектральная характеристика чувствительности фотометри-

ческой головки



19

РАДИОМЕТРИЧЕСКАЯ ГОЛОВКА ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА Радиометрическая головка (РМГ) предназначена для измерения энергетической освещенности в диапазоне от 1.10-2 до 1.104 Вт/м2 от произвольно расположенных от головки источников излучения.

Основные технические характеристики 1. Спектральные характеристики:

- коротковолновый предел чувствительности (по уровню 0,5), нм ………….. 380 ( 5 - длинноволновый предел чувствительности (по уровню 0,5), нм …………… 760 ( 10 - неравномерность вершины спектральной характеристики чувствительности в диапазоне 400 – 700 нм, %, не более ……………………….. ( 10

2. Токовая интегральная чувствительность, А.м2/Вт, не менее ……………………. 5.10-6 3. Основная относительная погрешность измерения, %, не более ………………… ( 10 4. Нелинейность энергетической характеристики в динамическом диапазоне d = 106, %, не более ……………………………………… ( 1 5. Кратковременная нестабильность чувствительности, %, не более ……………… ( 1 6. Коэффициент ослабления косинусной насадки, раз ……………………………… 10 ( 1 7. Косинусная погрешность при углах, %, не более: ……..………………………… 30о - ( 2 60о - ( 7 80о - ( 15 8. Время непрерывной роботы, час, не менее……………………….……………….. 8 9. Коэффициент ослабления косинусной насадки, раз ……………………………… 10 ( 1 10. Габаритные размеры: высота, мм, не более .………………………………………………………….. 45 диаметр, мм, не более ………………………………………………………….. 55

1,0 0,5 0,0

Sотн(#)

0 380 550 760 #, нм

Рис. 8 Относительная спектральная характеристика чувствительности радиометрической головки



20

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ ФОТОПРИЕМНИКОВ

ФД309 ФД-255А, Б

ФД337 ФД-293, УФД06

1,2 max 12,4

1,5 max

15,2

17,4 max

7,4

3

2,3-0,3

& 20-0,092

& 20

& 23,5 max

& 11,28 ( 0,01

ФД-288А, Б, В

16,5 max

7,7 max

1

20,2 2,4

&38-0,064

ФД305М

40(3 80(10 9,5 max

& 8

18 max

8 max

& 20

& 23,2 max

13,2 max

8,8 max

& 12 & 14 max & 12-0/055

& 9,5 max

24 ( 3

4,4 max

2,9-0,35

& 5,8 & 5

& 8,15

ФДК-157

& 32,-0,25 & 11,25

- +

ФД-288-01



21

ФД297 ФД296

ФД304

38,3-0,2

5 24,5-0,6

5,8-0,4 2-0,1

0,45 max

11,2 max

3,5

ФД306

34,7-0,17

18,5±0,15

2 max

ФДК-148

1,15 max

1,6 max

32

2,6

ФД-286

7

0,8 ( 0,08

3,8

1,2 max 1,1 max

ФД313

& 6

3,7 max

6,7 max

& 7,2

& 6

3,3 max

6,5 max

12 max

ФД «Квант-1» 17,4 max

7,4

3

2,3-0,3

& 20-0,092

& 20

& 23,5 max

& 11,28 ( 0,01



22

ФР-127А, Б ФПУ «Спектр»

ФД321М-01

2,5

5

11 max

2,6 max

26 max

15

15 max 13 ( 0,5

0,8 8 ( 0,2

5 min

&9-0,4

&10,8

УФД05, УФД07

64 ( 1

24,2

2 max

ФД «Гранит» ФД311Л

6(0,2 0,8 max

13 max

&6-0,03

& 8,2 max

& 0,32

16,3 81 max 9,5 max

& 8

20(5

130(5 11,5

& 8-0,03

5,5+0,07

& 6,8

20(2

50(5

ФД327М

3,2

2,5

0,7

30

12 3,4



23

ФР-188А, Б, В, ФР-193А, Б, В

ФПУ «Планета»

ФПУ «Стяг-Ч»

ФУО-149 ФД 131

& 6

8 max 40 max

4,7 & 7,5 max

70 max

35

& 58 & 76

13,5 max

5,3

& 15,7

& 5,4

20(5 130(5 11,5

& 8-0,03

5,5+0,07

& 6,8

20( 2

50(5

65 max

43 max

& 58

& 63



24

ФУО-138А, Б УАОТ-05 УАОТ-01

ФД-254 ФД-263-01

2 ± 0.5

12.2

10.5 max

16 ± 0.1 9.2 ± 0.1

2.2 ± 0.2 6.25 ± 0.2 Оптическая ось

& 0,6

2 ( 0,125 4,85 ( 0,35

6,5 -0,2 17 -0,27

12 ( 0,5

4,5 ( 0,1

12,7 ( 0,1 Место маркировки

Фоточувствительная или излучающая поверхность

6

2

10

6 x 1.25=7.5

14 8

7 1 16 ( 0.5

УАОТ-03, УАОТ-04

Розетка BLD-8 (4x2)

& 18 & 23

& 2 8

& 3,1

80 ( 5 21 3

УФРО2

11,6

29 max 6,7 9,4 max

3,8 max

18 max

8 max

& 20

& 23,2 max 36 max

7,3 max

& 9,5 max



25

ФД-291

ФД-287

ФД-292 ФД-295

ФД301 ФД299М ФД310 ФД307

& 14 max

13,2 max

8,8 max

& 12

2,6

1,25 0,6 max

14,2 max

5,5 max

2,9 max

2 max

18,4 max

10

23

16,25

2,6 max

0,9 max

5

5,4

& 7,3 max 6 max

4,4 max

& 6 16,5 max

& 7,0

8,6 max 2 max

2 max

1,1 max

12 max 12 max 10,8 max



26

ФД302 ФД313 ФД319 ФДК-146 ФД321

УФД01

ФДК-141 ФД332

7

4

1,2 max

10

40

& 11,5

2,5

5

12 max

2,6 max

27,2 max

15

20 max

) 10

20,7 max

14,4 max 1,4 max

33,4

5

& 9,5 max

& 28

7,2

17,2 max & 31 max

12 max 12 max 9,4 max

2 max

6,1 max

& 28

7

17 max & 31 max



27

УФД02 УФД03 ФД «Паркет» УФД11

14,6 max

2,7 max

) 10

& 28 max

14,6 max

2,7 max ) 10

& 20 max

& 24-0,02

-0,013 & 24-0,02

-0,07

& 35

12 фоточувствительных элементов, расположенных в соответствии с кодом Грея

12

6,9

ИП-4

10,6 ( 0,5

26,6 ( 1

& 4,5

3-0,04

ИП-4-01

10,6 ( 0,5

26,6 ( 1

& 4,5

3-0,04

& 4

8,1

4 мах

7



28

Производство:

Открытое акционерное общество "ЦКБ РИТМ"

Украина, 58032, г. Черновцы, ул. Головна, 246

Manufacturing:

RHYTHM Optoelectronics Inc.

Golovna Street, 246, Chernivtsi, Ukraine, 58032

Департамент реализации:

“KHALUS - Electronics” оф.224, ул. Урицкого 35, Киев, 03035, Украина

тел: +38-044-4909259 факс: +38-044-4909258

www.khalus.com.ua [email protected]

Sales Headquarter:

“KHALUS - Electronics” of.224, 35 Uritskogo st., Kiev, 03035, Ukraine

тел: +38-044-4909259 факс: +38-044-4909258

www.khalus.com.ua [email protected]

rhythm rus

Technology