semiconductores física 1º ingeniería informática josé luis mincholé
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SEMICONDUCTORES Física 1º Ingeniería Informática José Luis Mincholé. Teoría de bandas. Conductores y aislantes. 1 . SEMICONDUCTORES . ELECTRONES Y HUECOS. silicio. 2.1 Semiconductores intrínsecos. n = p = n j (T). Banda de conducción. E F. Banda prohibida. Nivel medio de la BP. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
SEMICONDUCTORESSEMICONDUCTORESFísica 1º Ingeniería InformáticaFísica 1º Ingeniería Informática
José Luis MincholéJosé Luis Mincholé
Teoría de bandas. Teoría de bandas. Conductores y aislantesConductores y aislantes
1. SEMICONDUCTORES. ELECTRONES Y HUECOS
2.1 Semiconductores intrínsecos silicio
n = p = nj (T)
Semiconductores intrínsecosSemiconductores intrínsecosBandas de energíaBandas de energía
Nivel medio de la BP
EFBanda prohibida
Banda de conducción
Banda de valencia
n
p
n = p
Semiconductores Semiconductores intrínsecosintrínsecos n = p = nj (T)
Semiconductores tipo NSemiconductores tipo NIMPUREZAS DONANTES (grupo V)
n>p
nN
d
fósforo
arsénico
Semiconductores tipo NSemiconductores tipo NBandas de energíaBandas de energía
Nivel medio de la BP
EF
Banda prohibida
Banda de conducción
Banda de valencia
n >>p
Semiconductores tipo PSemiconductores tipo PIMPUREZAS ACEPTANTES (grupo III-A)
p>n
pN
a
Aluminio
galio
Semiconductores tipo PSemiconductores tipo PBandas de energíaBandas de energía
Nivel medio de la BP
EF
Banda prohibida
Banda de conducción
Banda de valencia
p >> n
Semiconductores tipo N y PSemiconductores tipo N y P
n>p
n<p
La unión N-PLa unión N-Pa) En equilibrio (sin polarizar)
b) Con polarización directa
c) Con polarización inversa
Unión N-P sin polarizarUnión N-P sin polarizar
EQUILIBRIO
Intensidad=0
Unión N-P sin polarizarUnión N-P sin polarizar
Carga espacial
Unión N-P sin polarizarUnión N-P sin polarizar
ddp de contacto
Unión N-P sin polarizarUnión N-P sin polarizar
Difusión de portadores mayoritariosAparición de una ddp entre N(+) y P(-)
Arrastre de portadores minoritarios
EQUILIBRIO
ddp contacto Vo
Intensidad=0
Alineación NF
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización directadirecta
Intensidad, I : de P N, creciente con V
Desalineación NF
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización directadirecta
ddp en la unión
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización directadirecta
Intensidad de P a N creciente con V Menor ddp en la unión
Se favorece la difusión Se dificulta el arrastre
Pequeña resistencia eléctrica
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización inversainversa
Intensidad, I : de N P, no depende de V
Desalineación NF
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización inversainversa
ddp en la unión
Unión N-P con polarización Unión N-P con polarización inversainversa
Intensidad de N a P no depende de V y es casi cero
Mayor ddp en la unión Se favorece el arrastre
Se dificulta la difusión Resistencia eléctrica muy grande
DIODOSDIODOSSímbolo y polarización
Modelos de diodos 1Modelos de diodos 1
Modelos de diodos 2Modelos de diodos 2
Diodo tunelDiodo tunel
Diodo zenerDiodo zener
Diodos fotoemisores: LED
Semiconductores Color
AsGa infrarrojo
PGa verde
AsPGa diferentes según proporción de As y P
Transistores de uniónTransistores de uniónN-P-NN-P-N
Transistores de uniónTransistores de uniónP-N-PP-N-P
Puerta NOT
El transistor JFET El transistor JFET
Canal N
MOSFET empobrecimientoMOSFET empobrecimiento
Canal P
Circuito básico MOSFET Circuito básico MOSFET empobrecimiento canal Pempobrecimiento canal P
MOSFET enriquecimientoMOSFET enriquecimiento
Canal N
MOSFET enriquecimientoMOSFET enriquecimiento
Canal P