SPEKTROMETRIA AUGEROÝCH ELEKTRÓNOV

Použitá literatúra

L.E. Davis et. al.: Handbook of Auger Electron Spectroscopy, Physical Electronic Industries, Inc., 1994.

D. Briggs and M.P. Seah: Practical Surface Analysis – Vol. 1 Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, John Willey & Sons, 1983.

Analýza povrchu / objemu

Interakcia primárnych elektrónov s povrchom

Vznik Augerových elektrónov*

* objavené v roku 1923 Pierrom Augerom

E = EL1 – EK + EL23

KLL elektrón

Pravdepodobnosť vyžiarenia AE

Energie Augerových elektrónov

Typické spektrum sekundárne

elektróny

Augerove elektróny

odrazené elektróny

Ukážky spektier

Posun AE čiar

Analýza spektier

Koeficienty citlivosti

Analýza spektier

...koncentrácia

...intenzita

...faktor citlivosti

x

xx

a

a a

I CS

C II

SS

Hĺbkový profil

SiO2 na Si - povrch

SiO2 na Si - podložka

Hĺbkový profil

„Hĺbkový“ profil SiO2 vrstvy nanesenej na Si podložke

Hĺbkový profil

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 1100

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Ko

nce

ntr

áci

a [a

t %]

Čas [min]

Si B C Ti O Mg

Aké vzorky sa dajú analyzovať?

stabilné vo vákuu

elektricky vodivé

hladký povrch

rozumný rozmer (max. 10x15x5 mm)

Základné prvky spektrometra Vákuový systém

zakladacia komora (rotačná, turbomolekulárna a výbojová výveva)

analyzačná komora (výbojová a sublimačná výveva) tlak: 10-5 – 10-9 Torr (10-3 – 10-7 Pa)

Zdroj elektrónov + fokusačný a rastrovací systém zdroj - W vlákno

priemer elektrónového zväzku: cca 10 m energia elektrónového zväzku: 3 keV

Analyzátor elektrónov valcový zrkadlový analyzátor

Ar delo priemer Ar zväzku: 0,5 - 1 mm

energia Ar zväzku: 600 – 3000 eV