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  • 8/17/2019 Tema_III_3.pdf

    1/6

    tecnun

    Etapa de salida Clase ABOperación del circuito

    ETAPAS DE SALIDA

    R L

    vo

    vDD

    -vDD

    +

    -vi

    QP

    Q N

    VBB2

    VBB2

    i N

    iP

    iL

    Para vI=0 y v0=0 se tiene que:

    i N=iP=IQ=IS·e(VBB/2VT)

    Para vI=0 y >0 se tiene que:

    v0=vI+(VBB/2)-vBEN

    i N=iP+iLPor otro lado se tiene:

    vBEN+vBEP=VBB

    VT·ln(i N/IS)+ VT·ln(iP/IS)=2· VT·ln(iQ/IS)

    i N· iP=I2Q

    Combinando las dos ec. anteriores:

    i2 N-iL· i N-I2Q=0

    tecnun

    Etapa de salida Clase AB

    Curva característica de transferencia

    ETAPAS DE SALIDA

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    2/6

    tecnun

    Etapa de salida Clase ABResistencia de salida

    ETAPAS DE SALIDA

    QP

    Q N

    R out

    R out=r eN//r eP

    r eN=VTi N

    r eP=VTiP

    R out=VTi N

    //VTiP

    =VT

    i N+iP

    tecnun

    Etapa de salida Clase AB

    Polarización del circuito con el uso de diodos

    ETAPAS DE SALIDA

    R L

    vo

    vDD

    -vDD

    +

    -vi

    QP

    Q N

    I bias

    D1

    D2

    +

    -

    VBB

  • 8/17/2019 Tema_III_3.pdf

    3/6

    tecnun

    Etapa de salida Clase ABPolarización usando un multiplicador de VBE

    ETAPAS DE SALIDA

    R L

    vo

    vDD

    -vDD

    +

    -vi

    QP

    Q N

    I bias

    +

    -

    VBB Q1

    R 2

    R 1

    Si se desprecia la corriente de

     base de Q1 se tiene:IR  IC1

    IR =VBE1R 1

    VBB=IR · (R 1+R 2) =VBE1·(1+R 1R 2 )

    tecnun

    Etapa de salida Clase AB

    Quasi -complementaria

    ETAPAS DE SALIDA

    Uno de los problemas de las etapas de salida clase B y AB es la reducida

    capacidad para manejar potencia que presentan los transistores pnp. Para

    salvar dicha dificultad en gran cantidad de diseños se implementa el

    transistor pnp (QP) mediante un transistor pnp (Q3) y un transistor npn (Q4)

    capaz de manejar elevadas potencias.

    Q4

    Q3

    B

    E

    C

    +

    -VBE

    IC3

    IC

    IE

    QP

    IC

    IEVBE

    +

    -E

    C

    B

    IC3= -IS·e-(VBE /VT)

    IC=(βF4+1)IC3= -(βF4+1)· IS·e-(VBE /VT)

  • 8/17/2019 Tema_III_3.pdf

    4/6

    tecnun

    Etapa de salida Clase ABQuasi -complementaria

    ETAPAS DE SALIDA

    R L

    vo

    vDD

    -vDD

    +-vi Q

    3

    Q N

    I bias

    D1

    D2

    +

    -

    VBB

    Q4 Problemas de inestabilidad del lazode retroalimentación formado por 

    Q3  y Q4. Propenso a oscilaciones a

    alta frecuencia (~5 MHz)

    La tensión de saturación del

    transistor formado por Q3  y Q4será VCE3(sat)+VBE4. Este valor es

    superior al normal con lo que la

    excursión de señal negativa será

    menor.

    tecnun

    Etapa de salida Clase AB

    Protección contra cortocircuito

    ETAPAS DE SALIDA

    R L

    vo

    vDD

    -vDD

    +

    -vi

    QP

    Q N

    I bias

    D1

    D2

    Q3R E1

    R E2

    La excursión de señal positiva y

    negativa que podrá experimentar 

    la señal de salida será menor enun valor R E1· i N. Normalmente

    suele ser +0.5 V.

    Mejora la estabilidad térmica del

    circuito.

  • 8/17/2019 Tema_III_3.pdf

    5/6

    tecnun

    Amplificadores de potencia de circuito integradoLM380 (National Semiconductor Corporation)

    ETAPAS DE SALIDA

    tecnun

    Análisis de pequeña señal

    LM380 (National Semiconductor Corporation)

    ETAPAS DE SALIDA

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    6/6

    tecnun

    Disipación de potencia (PD) contra potencia desalida (PL) para el LM380 con R L=8 

    ETAPAS DE SALIDA