TRANSISTOR DI POTENZA

Caratteristiche essenziali:

- bassa resistenza Ron

- elevata frequenza di commutazione

- elevata impedenza di ingresso

- stabilità termica (bassa resistenza termica)

- funzionamento ad alta temperatura

- elevata tensione di breakdown

- basse correnti di leakage nello stato off

BJT- controllato in corrente (5 < < 20)

- lo spegnimento spesso richiede la polarizzazione inversa della base (circuito di controllo complesso e costoso)

- fuga termica e difficoltà di parallelizzare più BJT (l’aumento di T riduce Ron con conseguente squilibrio delle correnti nei BJT paralleli)

- second breakdown (elevato rischio di rottura in presenza di elevate VCE e IC)

Power MOSFET (IGFET)- controllato in tensione (IG praticamente nulla in DC, e spesso trascurabile anche a frequenze dell’ordine dei 100 kHz)

- conduzione per maggioritari, nessun accumulo di minoritari e quindi nessuna necessità di liberarsi dei minoritari (semplice circuito di pilotaggio). La velocità di commutazione può essere ordini di grandezza superiore rispetto ai BJT

- coefficiente di temperatura negativo (la mobilità diminuisce con T) e dunque parallelizzabile

- elevata resistenza al second breakdown

Canale verticale (per aumentare la superficie di drain e source).

La regione P-base ha il potenziale fissato a quello del source. In assenza di polarizzazione di gate, lo svuotamento a cavallo della giunzione P-base/N-drift blocca il passaggio della corrente fra drain e source. La massima tensione VDS sopportata dal MOS (forward blocking) corrisponde alla tensione di breakdown della giunzione P-base/N-drift.

Polarizzando positivamente il drain, lo svuotamento fra P-base/N-drift aumenta (specialmente in N-drift, a causa del basso drogaggio).

L’applicazione di un potenziale positivo al gate porta la regione P-base in inversione sotto il gate, creando il cammino fra source e drain.

La velocità di spegnimento è legata alla velocità con cui le cariche positive sono rimosse dal gate. E’ possibile ottenere tempi dell’ordine di 100 ns.

DMOS

(double diffusion MOSFET)

V-MOSIl source è ricavato per diffusione nella regione superficiale P-base (che inizialmente ricopre tutto il wafer).

L’attacco a V (V-groove) è realizzato successivamente.

Il canale si forma lungo le pareti del V-groove.

Nel MOS verticale esiste un BJT parassita (source-base-channel-drain). Il BJT è mantenuto spento dal corto circuito fra source/P-base.

Nonostante ciò, la resistenza della regione P-base può determinare l’innalzamento del potenziale lontano dalla regione di corto circuito, con conseguente accensione del BJT.

In tal caso si ha comunque corrente fra source e drain, solo che essa è sostenuta dall’iniezione di minoritari (rallentamento dello switch-off).

Ron è definita come pendenza della ID-VDS nella regione lineare.

La Ron determina la potenza che si dissipa sul dispositivo quando ècompletamente acceso. Essa è prevalentemente somma della resistenza del canale e della resistenza della regione di drift. Ad elevate polarizzazioni di gate, la R del canale diventa trascurabile per cui la Ron diventa costante.

Un dispositivo che deve condurre 50 A e per il quale sia richiesta Von=0.25 V, deve avere Ron=5 m. In questo caso P = (50)2 0.005 = 12.5 W.

RN+ e Rs sono trascurabili

RCH e RA dipendono dalla polarizzazione di gate

RJ è modulata dalla VD a seguito dallo svuotamento P-base/N-channel (effetto pinch-off)

RD dipende dallo spessore del dispositivo (e dunque dalla massima tensione che esso dovrà sostenere).

P. es. la RCH può essere calcolata da:

COMPONENTI DELLA Ron

DStGoxnD VVVCLWI da cui:

L

VVCWR

G tGoxn

CHCH

1

Poiché i MOSFET di potenza sono formati da un numero elevato di celle elementari del tipo di quella a fianco, in genere si preferisce fornire la conduttanza (o la resistenza) specifica, ovvero per unità di area.

Con riferimento alla metà del dispositivo a fianco:

21'

22

cmsLL

VVC

WsLGG

G

tGoxn

G

CHCH

ACCENSIONE INVOLONTARIA DEL MOSFET A CAUSA DI ELEVATI dV/dt SUL DRAIN

Considerando la capacità di svuotamento presente fra Drain e Base, a seguito dell’applicazione di una rampa sul drain, la corrente nella RB(resistenza dovuta alla distanza fra la base “reale” e il contatto di base), data da CDB d(V-VBE)/dt, può polarizzare direttamente la giunzione B-E del BJT parassita. Trascurando VBE rispetto a V, l’accensione si innesca per:

B

BEDB R

VdtdVC ,

in cui V,BE diminuisce all’aumentare della temperatura

SAFE OPERATING AREA (SOA)

La SOA definisce i limiti di utilizzabilità di un dispositivo, in termini di I e V. La massima V è definita dal breakdown mentre la massima I è dettata dalla potenza dissipabile sul dispositivo.

L’applicazione contemporanea di tensioni e correnti elevate (ma sotto i limiti massimi detti) può portare comunque il dispositivo alla rottura, anche se l’applicazione ha una brevissima durata. Si parla in questi casi di secondbreakdown.

Esistono vari meccanismi in grado di innescare il second breakdown, ma il principale è spesso il BJT parassita. Si ha:

EMSCMD IIIIII EC IMI

con M fattore di moltiplicazione a valangan

DBV

VM

1

1

n4 nei MOSFET

Per allargare la SOA, nella progettazione dei MOSFET di potenza si lavora principalmente sulla riduzione di RB. Da considerare che RBaumenta con la temperatura a causa della riduzione della mobilità.

L’ampiezza della SOA dipende anche dalla durata del picco di tensione sul drain.

Progettazione dei MOSFET di potenza

Altri semiconduttori offrono Emax più grande e dunque consentono di avere Nd più elevato.

Un MOSFET viene normalmente progettato per sostenere una assegnata VDS quando è nello stato off (Vmax). Assumendo che il breakdown avviene nella regione svuotata sotto il canale (giunzione P-base/N-drift region), ciò vuol dire che il drogaggio e la lunghezza della regione di drift devono essere scelti opportunamente (come nel diodo pin):

22max2

maxmaxEhE

NqV

d

Si

Quando il dispositivo è acceso, la regione di drift non è più svuotata e la sua conducibilità dipende dal drogaggio, che dunque non può essere troppo basso per non penalizzare la Ron.

da cui Nd deve essere basso e h grande.

Semiconduttori per MOSFET di potenza

Il semiconduttore ideale è quello che offre elevata , elevato Emax, elevata (conducibilità termica)

43

6

23

101.160

dG

BDNEV formula di Sze e Gibson

hAreaNq

hAreaG dndrift

dove Area è la sezione della regione di drift.

21' cmhNqG dn

drift

Sostituendo 2max

max2E

qVN d

max

max2EVh

si ottiene:2

max

3max

4'

VEqG ndrift

Dissipazione del calore nei dispositivi microelettronici

Il surriscaldamento può condurre alla rottura di un dispositivo elettronico.

Il problema è ugualmente presente nei dispositivi di potenza come nei dispositivi microelettronici ad elevata integrazione.

Meccanismi prevalenti di rottura:

Metallizzazioni: elettromigrazione, spiking dei contatti, fusione

Chip: frattura

Ossidi: intrappolamenti, perdita di isolamento

Dispositivo: contaminazioni ioniche, second breakdown

Interfacce ossido/silicio: elettroni caldi

kTE

O

a

eTMTTFTMTTF )(

Ea dipende dai processi, dai materiali, dalle geometrie, dalle applicazioni

Ea0.7 eV

Dipendenza dalla temperatura delle rotture per elettromigrazione

Nei dispositivi bipolari il calore si sviluppa prevalentemente in corrispondenza delle giunzioni iniettanti. Per tale motivo il limite in temperatura è spesso fornito con il parametro TJ,max.

Normalmente la TJ,max è fornita con riferimento ad una temperatura del case(contenitore) del dispositivo, TC. Occorre quindi garantire che il case sia alla temperatura indicata. A ciò si provvede dimensionando il sistema di raffreddamento (alette, ventole, …) in modo tale da estrarre la quantità di calore che occorre.

metallo del case

Si

TJ

TA

RSi

RAl

convezione

contattoTC

dispSiSi A

dkR 1cont

AlAl AtkR 1

KmWkSi 170

KmWkAl 240

A regime si deve avere CJAlSi TTRRWQ 1

in cui hc è il coefficiente di convezione, che dipende dal sistema di raffreddamento utilizzato.

Poiché TC e TA sono indicate dal costruttore, e Q è la potenza dissipata dal componente (Ron I2), è possibile calcolare l’ hc e quindi dimensionare il sistema di raffreddamento.

ACC TTh 1coincidente con il calore che si estrae dal case

CONFRONTO FRA BJT E MOSFET DI POTENZA

Vantaggi del BJT:

- la sezione attiva del dispositivo coincide con l’area dell’emitter, mentre nel MOSFET è limitata dallo spessore della regione di inversione

- il controllo della corrente attraverso la polarizzazione della giunzione E-B garantisce elevata sensibilità della corrente di uscita dalla tensione di controllo:

mbe

c

in

out gdvdi

dvdi

T

beVv

sc eIi

ovvero è possibile passare da una corrente minima a quella massima per variazioni della tensione di controllo di pochi decimi di Volt. In un MOSFET possono essere necessari alcuni Volt (la gm è in genere molto inferiore).

In definitiva, a parità di ingombro, il BJT è in grado di gestire correnti piùelevate, e dunque è più rapido nelle operazioni di carica-scarica di carichi capacitivi.

CONFRONTO FRA BJT E MOSFET DI POTENZA (2)

Vantaggi del MOSFET:

- nessun consumo di potenza per la polarizzazione nello stato on (in un BJT il guadagno di corrente in saturazione è spesso inferiore a 10)

- non essendo necessario limitare la corrente nel terminale di controllo, la rete di polarizzazione è molto più semplice

- essendo un dispositivo a portatori maggioritari, la commutazione è più rapida

In definitiva, come regola generale si può affermare che i BJT di potenza sono preferibili per applicazioni analogiche (amplificazione), mentre i MOSFET sono preferibili per applicazioni switching

IGBT (insulated gate bipolar transistor)

Associa la capacità di gestire elevate correnti del BJT all’assenza della corrente di controllo del MOSFET (caratteristica di ingresso del MOSFET e caratteristica di uscita del BJT)

Strutturalmente è molto simile ad un D-MOS, ma la regione di drain (ora collettore) ha drogaggio di segno opposto (P+) il che crea un BJT PN-

P+ verticale.

Collettore ed emitter hanno ruoli invertiti.

Nello stato off la regione N- è floatingper cui la struttura PNP ha sempre una delle due giunzioni contro-polarizzata. Tutta la tensione esterna cade sulla giunzione PN che risulta contropolarizzata in quel momento (non è sempre un vantaggio).

N- base

P+

EMITTER

COLLECTOR

EMITTER

IGBT (insulated gate bipolar transistor) (2)

Applicando una opportuna polarizzazione di gate, il canale orizzontale collega la regione N- (base) con la regione N+ . Dunque l’emitter (che normalmente è a massa) e la base sono cortocircuitati. La giunzione collettore-base, giàpolarizzata direttamente, può ora iniettare lacune in N-, per cui il BJT entra in funzione.

Essendo un dispositivo intrinsecamente bipolare, presenta problemi di storagedei minoritari.

P+

EMITTER

COLLECTOR

EMITTER

N- base

+Vc