Transistores Bipolares de Junção

Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de Santa Catarina Departamento Acadêmico de Eletrônica

Eletrônica I

Florianópolis, junho de 2013.

Prof. Clóvis Antônio Petry.

Bibliografia para esta aula

Transistores bipolares. 1.  Caps. 6, 7 e 8 – Transistores bipolares (Malvino).

www.ProfessorPetry.com.br

Nesta aula

Sequência de conteúdos: 1.  Introdução; 2.  Construção dos transistores; 3.  Operação dos transistores; 4.  Configuração emissor comum; 5.  Polarização; 6.  Limites de operação; 7.  Transistores Darlington; 8.  Encapsulamento de transistores; 9.  Principais características de catálogo; 10. Tipos de transistores.

Introdução

http://www.eletrica.ufpr.br/mehl/te040/historia_transistor.pdf

Histórico: •  Diodo a válvula – 1904 por J. A. Fleming; •  Triodo a válvula – 1906 por Lee De Forest; •  Transistor – 1947 por Walter H. Brattain e John Bardeen. •  Posteriormente: Mosfet, Igbt, Silicon Carbide, etc.

Amplificador com transistor bipolar.

Introdução

Oscilador controlado a cristal.

Introdução

Regulador de tensão com transistor bipolar.

Introdução

Construção do transistor

BJT – Transistor Bipolar de Junção: Lacunas e elétrons formam as correntes.

Construção do transistor

http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html

Construção do transistor

Operação do transistor

Relembrando os diodos:

0DV V=

Relembrando os diodos:

0DV V<

Operação do transistor

Operação do transistor

Relembrando os diodos:

0DV V>

Junção Base – emissor polarizada diretamente.

Transistor PNP:

Operação do transistor

Junção Base – coletor polarizada reversamente.

Transistor PNP:

Operação do transistor

Transistor PNP:

Correntes no transistor bipolar de junção.

Operação do transistor

Configuração emissor-comum

A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional) através do dispositivo.

PNP NPN

Na região ativa, a junção base-coletor é polarizada reversamente, enquanto a junção base-emissor é

polarizada diretamente.

Configuração emissor-comum

Aproximação linear das características de base:

0BEV V>

Configuração emissor-comum

E B CI I I= +

C EI Iα= ⋅

Ccc

B

II

β =

Ganho CC

Cca

B

II

β Δ=Δ

Ganho CA

Configuração emissor-comum

2,7 10825

Ccc

B

I mI

βµ

= = =

2 1

2 1

C C Cca

B B B

I I II I I

β Δ −= =Δ −

3,2 2,2 10030 20cam mβµ µ−= =−

Exemplo:

Configuração emissor-comum

http://hebergement.ac-poitiers.fr/l-cc-angouleme/coulomb-exos-phy/applets/transist_fonct/transist_fonct.htm

Configuração emissor-comum

Polarização

C BI Iβ= ⋅

( )1E BI Iβ= + ⋅

0,7BEV V≅

Polarização

Cmax CE CP V I= ⋅

CEO C CmaxI I I≤ ≤

CEsat CE CEmaxV V V≤ ≤

CE C CmaxV I P⋅ ≤

Transistores Darlington

1 2totalβ β β= ⋅

CB

total

IIβ

=

Encapsulamento de transistores

Características de catálogo

Exemplos:

BC548

2N3055

Tipos de transistores

Transistores de uso geral:

Tipos de transistores

Transistores de uso geral:

Pare

s co

mpl

emen

tare

s

Tipos de transistores

Transistores de uso geral:

Tipos de transistores

Transistores de média potência:

Transistores de média potência:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores SMD:

Tipos de transistores

Transistores de alta potência:

Tipos de transistores

Transistores de alta potência:

Tipos de transistores

Transistores de rádio freqüência:

Tipos de transistores

Transistores integrados:

Tipos de transistores

Tarefas

•  Capítulo 6, 7 e 8 – Atividades para o estudante.

Referência de páginas e numeração para Malvino 4ª Edição.

Próxima aula

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Transistores bipolares de junção: 1.  Características e testes.