ARGUMENT

Tranzistorul cu efect de câmp a apărut pe piaţă în anii ’60, după tranzistorul bipolar cu joncţiuni, deoarece tehnologia lui de fabricaţie a fost mai greu de pus la punct. Până în 1970 tranzistoarele cu efect de câmp realizate abia puteau comanda curenţi de câteva zeci de mA la tensiuni de zeci de volţi. Apoi, o nouă tehnologie a permis realizarea tranzistoarelor MOS de putere (cu nume depinzând de companie, VMOS, TMOS, HEXFET, etc.). Aceste noi tranzistoare sunt capabile să opereze la tensiuni de ordinul a 1000 V şi să vehiculeze curenţi medii de până la 70 A. Pentru durate scurte, ele pot conduce curenţi de până la 280 A (curenţi de vârf). În plus, tranzistoarele MOS de putere sunt mult mai stabile termic decât corespondentele lor bipolare, la acelaşi tip de capsulă putând opera la puteri disipate mai mari. Aavantajul esenţial al tranzistoarelor cu efect de câmp este acela că intensitatea curentului în terminalul porţii este practic nulă. Din acest motiv, la tranzistoarele cu efect de câmp, curentul între terminalul de drenă şi cel de sursă este controlat de tensiunea dintre poartă şi sursă.Conducţia între drenă şi sursă are loc printr-o regiune limitată a semiconductorului, numită canal.În cazul tranzistoarelor TEC-J, între poartă şi canalul conductor există o joncţiune semiconductoare invers polarizată. Astfel, curentul de poartă are valori de ordinul zecilor de nanoamperi. Curenţii de poartă, de o mie de ori mai mici, se obţin în cazul celuilalt tip de tranzistoare cu efect de câmp.La tranzistoarele TEC- MOS (Metal Oxide Semiconductor ) poarta este izolată prin intermediul unui strat de oxid de siliciu şi curentul de poartă este de ordinul zecilor de picoamperi. Tehnologia acestor tranzistoare este simplă, dispozitivul ocupă puţin loc, au o rezistenţă de intrare mult mai mare decât tensiunea bipolară (tipic de ordinul MW), un zgomot mai redus comparativ cu tranzistoarele bipolare, iar dependenţa de temperatură a parametrilor tranzistorului este mai slabă decât a tranzistorului bipolar. Lucrarea isi propune studierea tranzistoarelor TEC-J si TEC-MOS. Se pun in evidenta simbolurile si notatiile terminalelor, parametrii specifici precum si principiul de functionare. Sunt tratate diferentiat caracteristicile statice si circuitele de polarizare pentru TEC-J si TEC-MOS.

1

Tranzistoare cu efect de camp

CAPITOLUL I

1.Introducere

Tranzistoarele cu efect de câmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect Transistor) fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde conducţia electrică este asigurată de două categorii de purtători, electroni şi goluri, la tranzistoarele unipolare conducţia electrică este asigurată de un singur tip de purtător de sarcină, fie electroni, fie goluri. Funcţionarea lor se bazează pe variaţia conductivităţii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale cărui dimensiuni transversale sau concentraţii de purtători de sarcină mobili pot fi controlate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat între un electrod de comandă numit poartă (gate) situat în vecinătatea canalului şi masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.

2.Clasificare

In funcţie de tipul de purtători care produc curentul electri tranzistoarele cu effect de camp se impart in doua categorii:

- TEC cu canal de tip n, în care purtătorii sunt electroni;- TEC cu canal de tip p, în care purtătorii sunt goluri.

După modul de realizare a controlului conductanţei canalului, TEC se împart în:

- TEC cu joncţiuni (TEC–J sau J-FET);- TEC cu grilă (poartă izolată), având la bază structura metal – oxid –

semiconductor (MOS), numit prescurtat TEC–MOS sau TEC–MIS (metal – izolator – semiconductor)

Tranzistorul cu efect de câmp este un dispozitiv cu trei terminale active, fiind format din următoarele domenii : canalul, sursa, drena, poarta şi substratul.Canalul – este o regiune semiconductoare a cărei conductibilitate poate fi comandată şi prin care circulă curentul tranzistorului cu efect de câmp.Drena (D) – este regiunea semiconductoare către care migrează purtătorii de sarcină majoritari, prin canal.

2

Sursa (S) - este regiunea semiconductoare din care îşi încep migraţia lor purtătorii de sarcină majoritari, în interiorul canalului.Poarta (G sau P) - este o regiune semiconductoare sau metalică, care este folosită pentru comandarea intensităţii curentului prin canal.Substratul (B) – este un domeniu pasiv, pe care se construieşte tranzistorul cu efect de câmp.

3. Utilizari

Tranzistoarele cu efect de câmp sunt larg utilizate în prezent, datorită avantajelor:

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv comandat în curent, iar TEC, un dispozitiv comandat în tensiune;

Impedanţa de intrare emitor-bază a tranzistoarelor bipolare este mică – de ordinul x (0.1 … 1) kW - reprezentând impedanţa unei diode polarizate direct. Tranzistoarele unipolare au impedanţă de intrare foarte mare – de ordinul x 100 MW. La TEC-J, această impedanţă corespunde unei joncţiuni polarizate invers (în circuitul de intrare grilă-sursă);

Tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o capacitate de intrare şi ieşire mai redusă, comparativ cu cele bipolare, ceea ce le conferă avantaje la amplificarea semnalelor de frecvenţe înalte;

Structurile TEC-MOS se obţin cu o tehnologie mai simplă decât tranzistoarele bipolare (circuitele integrate TEC-MOS se formează prin utilizarea a numai 2/3 din numărul de operaţii necesar circuitelor integrate bipolare) şi implicit, au un preţ de cost mai redus;

TEC prezintă unele dezavantaje faţă de tranzistoarele bipolare, cum ar fi: viteză de comutaţie mai redusă; tensiune de saturaţie mai mare; pericol de distrugere în prezenţa câmpurilor electrice, prin

străpungerea instalaţiei dintre grilă şi substrat (la tranzistoarele TEC-MOS).

Protecţia internă a dispozitivelor TEC-MOS împotriva străpungerii prin câmp electric se realizează prin diode înglobate în capsulă, iar protecţia externă prin scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel) şi respectarea unor tehnologii speciale de testare, montare şi depanare.

3

CAPITOLUL II

4.Tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune (TEC–J)

4.1.Constructie si functionare

Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) funcţionează cu purtători majoritari (electroni în canalul n, respectiv goluri în canalul p). Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) a fost propus de Schockley în 1952 şi este în esenţă un rezistor a cărui secţiune este controlată de grosimea regiunii sarcinii spaţiale a unei joncţiuni pn. Termenul de efect de câmp este legat de existenţa câmpului electric în zona de sarcină spaţială, câmp a cărui intensitate este determinată de tensiunea aplicată pe terminalul poartă (gate).

Structura unui TEC-J cu canal n

Conducţia are loc într-un canal n între contactele sursă (care emite electroni) şi respectiv drenă (care îi colectează). Electrodul denumit poartă contactează zona difuzată p+ care împreună cu substratul p+ delimitează canalul n. Joncţiunea pn poartă-canal este polarizată invers, iar grosimea

4

regiunii de sarcină spaţială asociată acestei joncţiuni face ca secţiunea conductivă a canalului (regiunea n neutră) să fie mai mică decât distanţa dintre cele doua joncţiuni. Această secţiune este controlabilă electric prin diferenţa de potenţial care există între poartă şi canal.

Pe de altă parte TEC-J nu amplifică în curent, iar amplificarea în tensiune este mai mică. De obicei în circuitele electronice discrete se întâlneşte şi în combinaţie cu tranzistorul bipolar (se exploatează avantajele ambelor tipuri de tranzistoare).

Pe o anumită porţiune a caracteristicii de ieşire ( la UDS mici) dispozitivul se comportă ca o rezistenţă comandată în tensiune. Ca aplicaţii tipice pentru TEC-J în rol de rezistenţă variabilă se menţionează atenuatoarele controlate prin tensiune şi circuitele pentru reglarea automată a amplificării. La UDS mari tranzistorul TEC-J se comportă faţă de drenă ca un generator de curent comandat de tensiunea UGS. Dacă punctul de funcţionare al TEC-J este stabilit pentru un curent de drenă maxim IDmax, pentru o variaţie destul de mare a tensiunii UDS vom obţine o variaţie neglijabilă a lui ID. TEC-J sunt folosite şi în etaje de amplificare de semnal mic la joasă şi înaltă frecvenţă.Tranzistoarele cu efect de câmp nu oferă câştiguri mari în tensiune ,dar câştigurile sunt foarte mari în curent şi în putere. Oferă de asemenea impedanţă mare la intrarea amplificatorului şi distorsiuni de neliniaritate reduse . Se mai pot utiliza ca şi comutatoare de semnal analogic folosite în circuite de eşantionare şi memorare sau multiplexarea şi demultiplexarea semnalelor analogice .

4.2.Simboluri, notatii

Simboluri grafice pentru TEC – J

5

Trebuie remarcat faptul că săgeata din simbolul grafic şi în acest caz desemnează o joncţiune pn (sensul săgeţii de la plan). Curentul de poartă este foarte mic (de ordinul nA) şi va fi considerat practic nul. Curentul de drenă iD este normal pozitiv intră în drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacuează electroni) şi iese din drena tranzistorului cu canal p. Curentul de sursă este egal cu cel de drenă.

4.3.Caracteristicile statice ale TEC-J

    TECJ are urmatoarele tipuri de caracteristici statice: - caracteristicile de iesire ID = ID(VDS) cu VGS = ct.; - caracteristicile de transfer ID = ID(VGS) cu VDS = ct.

a. Caracteristicile de ieşire iD = iD (uDS ) cu uGS = constant numite şi caracteristici de drenă.

Caracteristici de ieşire ale TEC-J

TEC-J este folosit în zona liniară la tensiuni mici drenă-sursă ca rezistenţă controlată în tensiune. Aici conductanţa drenă-sursă este identică cu conductanţa canalului şi rezistenţa drenă-sursă este funcţie liniară de tensiunea poartă-sursă aplicată.

Pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniară, o zona de saturaţie a curentului de drenă (aici curentul de drenă depinde foarte slab de tensiunea drenă-sursă), după care urmează o zonă de creştere abrupt (străpungere) a curentului, nemarcată pe grafic.

Zona neliniară este caracterizată de uDS < uDS,sat, unde uDS,sat este tensiunea la care apare saturaţia curentului de drenă.

6

Zona de saturaţie este caracterizată de faptul că ID nu mai creşte cu uDS.

uDS < uDS,sat, iD = iD,sat

Saturaţia corespunde momentului în care canalul este strangulat lângă drenă. Această strangulare apare la rândul ei atunci când diferenţa de potenţial între poartă şi extremitatea de lângă drenă a canalului este egală cu tensiunea de prag.

b. Caracteristicile de transfer sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator în zona de saturaţie caracterizată de uDS >uDS,sat , unde iD este practic independent de uDS.

Caracteristicile de transfer ale TEC-J

Zona preferată de lucru este cea de la curenţi mari, acolo unde şi panta caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creşterea temperaturii (la UGS = const) dar problema ambalării termice nu se pune în cazul TEC-J.

Conexiunile TEC – J sunt:- sursa comună - sursa fiind legată la masă , intrarea este pe grilă (între grilă şi sursă) iar ieşirea este pe drenă (între drenă şi sursă)- drena comună - drena fiind legată la masă, intrarea este pe grilă (între grilă şi drenă) iar ieşirea este pe sursă (între sursă şi drenă)- grila comună - grila fiind legată la masă, intrarea este pe sursă (între sursă şi grilă) iar ieşirea este pe drenă (între drenă şi grilă)

7

4.4. Polarizarea TEC-J

Polarizarea automata a portii

Polarizarea automata a portii fata de sursa este asigurata de caderea de tensiune data de curentul de sursa IS = ID pe rezistenta RS. Aceasta tensiune este aplicata pe poarta prin rezistenta RG, care are valori de ordinul MΩ .

Punctul static de functionare (PSF), in planul caracteristicii de transfer poate fi determinat prin intersectia caracteristicii de transfer cu dreapta de polarizare a carei ecuatie este: VGS = – RSID, asa cum se arata in figura de mai jos

  Determinarea punctului static de functionare al TECJ, folosind caracteristica statica de transfer

8

Observatie. Punctul static de functionare al TECJ poate fi determinat grafo-analitic folosind si caracteristicile statice de drena, prin intersectia cu dreapta statica de sarcina. Datorita dispersiei caracteristicilor, caracteristica ID = ID(VGS) este insa nesigura. In figura de mai jos sunt reprezentate caracteristicile de transfer extreme, care au in vedere atât dispersia de la un exemplar la celalalt, cât si variatia cu temperatura pentru un anumit tip de tranzistor. Sa presupunem ca variatia lui ID corespunzator punctului static de functionare nu este tolerata decât intre IA si IB care determina punctele A si B pe caracteristicile limita. Ca urmare, linia de polarizare trebuie sa treaca printre A si B, asa cum se vede in figura de mai jos.

Determinarea PSF al TECJ in conditiile cunoasterii unor limite ale curentului de drena

Polarizare cu divizor rezistiv pe poarta Atunci când variatia Δ ID = IB – IA impusa este prea mica si nu se poate gasi o linie de polarizare care sa treaca corect printre punctele A si B si in acelasi timp prin origine, se foloseste circuitul de polarizare cu divizor rezistiv pentru a asigura:

9

VGS = VGG – IDRS

Polarizarea tranzistorului respecta conditia impusa asupra lui ID al PSF si anume, ca aceasta sa fie cuprinsa intre IA si IB.

4.5. Parametrii specifici: - curentul IDmax este curentul de drenă maxim garantat de fabricant- curentul IDSS pentru UGS=0 este curentul de saturaţie pentru tensiunea de

grilă nulă (când grila este scurtcircuitată la sursă)- tensiunea de prag UP este tensiunea dintre grilă şi sursă la care curentul

prin tranzistor se anulează, pentru o anumită tensiune VDS. Se mai numeşte tensiune de tăiere (UT).

5.Tranzistoare cu efect de câmp cu poartă izolată (Tranzistorul MOS)

Tranzistorul TEC-MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului electric la suprafaţa semiconductorului. Proprietăţile conductive ale suprafeţei semiconductorului sunt controlate de un câmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poartă). Aceste aspecte constructive definesc familia tranzistoarelor cu efect de câmp cu poarta izolată sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu efect de câmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat subţire de oxid (SiO2) crescut prin oxidarea termică a suprafeţei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adică tranzistor cu efect de câmp-metal-oxid-semiconductor). Conducţia se realizează pe suprafaţa substratului de siliciu, între doua zone cu tip de conductivitate opus celui al substratului; numite sursă (S) şi drenă (D).

10

În funcţie de modul de formare a canalului şi de tipul său, TEC-MOS – urile sunt de patru categorii:

- cu canal n, iniţial; - cu canal p, iniţial; - cu canal n, Indus; - cu canal p, Indus.

5.1. Funcţionare şi utilizări

Structura unui TEC-MOS cu canal iniţial de tip p

În figura s-a considerat un substrat de tip n. In acest caz sursa şi drena sunt de tip p. Pentru a se putea stabili un curent electric între sursă şi drenă, suprafaţa semiconductorului trebuie inversată ca tip de conductivitate, adică să devină de tip p. În acest caz, la suprafaţă apare un canal conductor, de tip p, care leagă sursa de drenă. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeţei, precum şi controlul rezistivităţii canalului se face de către poartă.

TEC-MOS sunt foarte mult utilizate în realizarea circuitelor integrate în special în circuite digitale . Ele sunt utilizate atât ca dispozitive active cât şi ca rezistenţe sau capacităţi . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un nivel mare de complexitate la preţuri de cost reduse. Creşterea gradului de integrare prin micşorarea dimensiunilor duce la reducerea capacităţilor parazite şi la creşterea vitezei de lucru. O aplicaţie importantă a tranzistorului TEC - MOS este inversorul CMOS . Acesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizează

11

tranzistoare cu simetrie complementară . Avantajul principal al familiei CMOS este consumul de putere foarte mic. Inversorul CMOS poate fi utilizat şi ca amlificator de semnal mic.

5.2. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n şi p

De obicei în aplicaţii obişnuite substratul se leagă la sursă, dar există dispozitive la care substratul apare ca un terminal separat. Se observă aceeaşi semnificaţie pentru săgeata din simbolul grafic. Pot fi folosite şi în comutaţie, un circuit CMOS important fiind comutatorul bilateral pentru semnale analogice,

12

5.3.Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leagă la sursă. Tensiunile de poartă UGS şi de drenă UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poartă mai mici de tensiunea de prag UT nu apare canal la suprafaţă şi ca urmare curentul de drenă ID este nul.Dacă tensiunea de poartă depăşeste valoarea de prag, între sursă şi drenă se formează un canal n care permite conducţia curentului electric (cu atât mai bine cu cât tensiunea UGS este mai mare). Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS reprezintă dependenţa curentului de drenă de tensiunile de poartă şi de drenă:ID = ID (UGS, UDS)Caracteristicile de drenă sau de ieşire reprezintă dependenţa curentului de drenă în funcţie de tensiunea drenă – sursă pentru diferite valori ale tensiunii grilă – sursă.

Caracteristicile de ieşire ale unui TEC- MOS

Pentru toate tipurile de TEC caracteristicile de ieşire sunt asemănătoare şi se pot deosebi trei regiuni:

Regiunea liniară, pentru valori mici ale tensiunii drenă – sursă, curentul de drenă creşte proporţional cu tensiunea;

Regiunea de saturaţie, curentul de drenă rămâne aproape constant chiar la creşteri relative mari ale tensiunii de drenă – sursă;

Regiunea de străpungere, creşterea tensiunii drenă- sursă peste o anumită valoare produce o multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină.

13

Caracteristicile de transfer reprezintă variaţia curentului de drenă în funcţie de tensiunea grilă – sursă pentru diferite valori ale tensiunii de drenă – sursă.

tip n tip p Caracteristicile de transfer pentru TEC-MOS cu canal indus În cazul TEC-MOS cu canal indus dacă acesta este de tip p, ambele tensiuni UGS, UDS sunt negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea unei tensiuni UGS mai mari decât valoarea de prag.

Unele tranzistoare prezintă canal chiar la tensiuni poartă-sursă nule (UGS = 0) şi se numesc tranzistoare MOS cu canal iniţial. Această situaţie se întâlneşte în special la tranzistoare cu canal n. Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poartă. Dacă tensiunea de poartă este pozitivă UGS > 0, regimul se numeşte regim de îmbogăţire datorită creşterii concentraţiei de electroni în canal. Dacă tensiunea de poartă este negativă UGS < 0, regimul poartă denumirea de regim de sărăcire şi duce la scăderea concentraţiei de electroni din canal până la dispariţia lui (la UGS = U T).

tip n tip p

Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal iniţial

Din punctul de vedere al dependenţei de temperatură, tranzistorul MOS prezintă avantaje deosebite faţă de tranzistoarele bipolare. La creşterea temperaturii, curentul de drenă scade, dar dependenţa este foarte slabă. Ca

14

urmare tranzistoarele MOS nu prezintă fenomenele de străpungere secundară şi ambalare termică.

5.4.Polarizarea tranzistorului MOS

Circuitelele de polarizare ale tranzistoarelor MOS au rolul de a impune funcţionarea tranzistoarelor MOS, în regim de curent continuu, în regiunea de saturaţie (singura în care tranzistorul MOS poate amplifica liniar semnalele). Din acest motiv, tensiunile electrice CONTINUE, stabilite între terminalele tranzistorului MOS prin polarizarea sa, trebuie să satisfacă următoarele condiţii:

Dacă aceste condiţii nu sunt satisfăcute atunci tranzistorul MOS nu funcţionează în regiunea de saturaţie.

Pentru tranzistoarele MOS, perechea de mărimi electrice care defineşte PSF-ul este: - curentul continuu din drenă ID

- tensiunea continuă drenă-sursă VDS

Polarizarea tranzistorului MOS cu canal indus

Circuit elementar de polarizare cu divizor rezistiv în grilă

15

Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus este preferat circuitul de

polarizare cu divizor rezistiv în grilă. Tranzistorul MOS funcţionează în

regiunea de saturaţie dacă valorile tensiunilor VGS si VDS calculate

satisfac conditia:

Polarizarea tranzistorului MOS cu canal iniţial

Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniţial, este utilizat şi un circuit de polarizare special, denumit circuit cu autopolarizare a grilei. Acest circuit de polarizare este mai simplu şi poate fi utilizat numai în cazul tranzistoarelor MOS cu canal iniţial, deoarece utilizarea acestuia se bazează pe faptul că tranzistoarele MOS cu canal iniţial au tensiunea de prag VTH de semn contrar tensiunii de prag a tranzistoarelor MOS cu canal indus (de exemplu, pentru tranzistoarele cu canal de tip N, cele care au canal indus au valoarea VTH>0V, iar cele care au canal initial, au valoarea VTH<0V).

Circuit cu autopolarizare a grilei – valabil numai pentru tranzistoarele MOS cu canal iniţial.

16

5.5.Defecte

Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate faţă de apariţia unor tensiuni accidentale pe poartă. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul sutelor care pot distruge tranzistorul . Din această cauză la utilizarea TEC-MOS trebuie luate precauţii speciale de punere la masă a tuturor elementelor cu care iau contact ( mâna operatorului, ciocanul de lipit) . Pentru a evita distrugerea componentelor MOS - pinii acestora vor fi scurtcircuitaţi printr-un fir conductor până după introducerea în circuit - toate intrările neutilizate vor fi conectate la masă , la ES sau la ED - utilizatorul va evita folosirea în îmbrăcăminte a unor materiale care favorizează acumularea de sarcini electrice - este indicată folosirea unei brăţări metalice prin care mâna operatorului să fie conectată la potenţialul de referinţă

Trebuie precizat că unele dispozitive MOS sunt prevăzute cu circuite de protecţie încapsulate.

17

NORME DE TEHNICA SECURITĂŢII MUNCII ŞI DE PREVENIRE ŞI STINGERE A INCENDIILOR ÎN LABORATORUL DE ELECTRONICA

Respectarea normelor de tehnica securităţii muncii contribuie la asigurarea condiţiilor de muncă nornale şi la înlăturarea cauzelor care pot provoca accidente de muncă sau îmbolnăviri profesionale. În această direcţie responsabilitatea pe linie tehnică a securităţii muncii şi prevenirea şi stingerea incendiilor, revine atât celor care organizează, controlează şi conduc procesul de muncă, cât şi celor care lucrează direct în producţie.

Conducătorul laboratorului trebuie să ia măsuri pentru realizarea următoarelor obiective:

• Să se asigure iluminatul, încălzirea şi ventilaţia în laborator; • Să se asigure expunerea vizuală prin afişe sugestive, privitoare atât la protecţia muncii, cât şi la prevenirea şi stingerea incendiilor; • Maşinile şi instalaţiile din laborator să fie echipate cu instrucţiuni de folosire; • Să se asigure legarea la pământ şi la nul a tuturor maşinilor acţionate electric; • În laborator să se găsească la locuri vizibile mijloace pentru combaterea incendiilor; • Să se efectueze instructaje periodice pe linie de protecţie a muncii, de prevenire şi stingere a incendiilor; • Înainte de începerea orei se va verifica dacă atmosfera nu este încărcată cu vapori de benzină sau cu gaze inflamabile; • Dacă s-a utilizat benzină sau alte produse uşor inflamabile pentru spălarea mâinilor, acestea trebuie din nou spălate cu apă şi săpun şi şterse cu un prosop; • Machetele sau exponatele trebuie să fie bine fixate în suport, iar utilizarea lor se va face numai în prezenţa inginerului sau laborantului; • Materialele utilizate se vor manevra cu grijă, pentru a nu se produce accidente precum: răniri ale măinilor, răniri ale ochilor, insuficienţe respiratorii, etc. • Manevrarea instrumentelor, a mijloacelor de lucru, a machetelor mai grele se va face cu atenţie pentru a evita riscul de lovire.

18

Elevii:• Vor utiliza materialul didactic doar sub supravegherea profesorului, iar în timpul pauzelor vor aerisi sala de clasă pentru a păstra un microclimat corespunzător de lucru;• Nu vor folosi în joacă instrumentele puse la dispoziţie;• Nu vor introduce obiecte în prizele electrice;• Vor avea grijă de mobilierul şi mijloacele didactice din dotarea laboratorului;• Vor efectua lucrările de laborator în prezenţa profesorului sau laborantului;• Vor păstra o atmosferă de lucru în timpul orelor, în linişte şi cu seriozitate.

Nerespectarea regulilor mai sus menţionate poate conduce la accidente nedorite, de aceea, abaterile vor fi sancţionate conform prevederilor legale şi ale regulamentului de ordine interioară.

19

Bibliografie

1.Thomas L. Floyd “ Dispozitive electronice” Editura Teora, Bucuresti 2003

2.Adrian Bitoiu , Gheorge Baluta, Edmond Nicolau “Practica electronistului amator” Editua Didactica si Pedagocica, Bucuresti 1984

3.Theodor Danila , Monica Ionescu-Vlad “ Componente si circuite electronice”Editua Didactica si Pedagocica, Bucuresti 1984

4.www.regielive.ro

5.Bitoiu Adrian – “Practica electronistului amator “Editura Albatros

Bucuresti 1984

20