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Un transistor Bipolar en un dispositivos de tres terminalesFormado por una capa muy delgada del tipo N o P, empareJado por otro tipo de material opuesto.
Existen dos clases de transistores un de tipo NPN y otroDe tipo PNP.
P NN
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Características eléctricas del transistor bipolar
+
-
+
-
VCE
IC
VBE
IB
IE
+
-
VCB
En principio necesitamos conocer 3 tensiones y 3 corrientes:
IC, IB, IE
VCE, VBE, VCB
En la práctica basta con conocer solo 2 corrientes y 2 tensiones.
Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE.
Por supuesto las otras dos pueden obtenerse fácilmente:
IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada
IC = f(VCE, IB) Característica de salida
Transistor NPN
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Características eléctricas del transistor bipolar
+
-
+
-
VCE
IC
VBE
IB
IB = f(VBE, VCE) Característica de entrada
Transistor NPN
VBE
IB
VCE
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.
La característica de este diodo depende de VCE pero la variación es pequeña.
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Características eléctricas del transistor bipolar
+
-
+
-
VCE
IC
VBE
IB
IC = f(IB, VCE) Característica de salida
Transistor NPN
VCE
IC
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.
IB
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Zona de saturación
Zona de corte
Zona activa: IC=·IB
Características eléctricas del transistor bipolar: linealización
Transistor NPN: linealización de la característica de salida
VCE (V)
IC (mA)
El parámetro fundamental que describe la característica de salida del transistor es la ganancia de corriente .
IB (μA)
1 2
100
200
300
400
10
20
30
40
0
+
-
+
-
VCE
VBE
IB
IC
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