xis 低エネルギー側QE pc の qe 、 xis-eu のQEの測定

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XIS XIS 低低低低低低低QE 低低低低低低低QE PC PC QE QE XIS-EU XIS-EU 低低低 QE 低低低 QE 低低 低 低低低低 低低低低 低 低低低低低 低低低低低低 、、一、、、 低低 低 低低低低 低低低低 低 低低低低低 低低低低低低 、、一、、、 低 低低低低 低低低 XIS 低 低低低低 低低低 XIS

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XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定. 林田 清、勝田哲、鳥居研一、並木雅章、白庄司貴之、他 大阪大学XISチーム. X-rays. X-rays. ガス比例計数管(PC):斜入射較正実験. 異なる入射角における比例計数管のスペクトル. 45°. 0°. 30°. Counts. PH (ch). 白庄司M論 Hayashida et al., 2004 SPIE. 2004 年1月実験の 再解析. 比例計数管の窓のメッシュ 50 m m 厚、 0.5mm ピッチ 開口率 0.763 (X 線で実測) - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

XISXIS 低エネルギー側QE低エネルギー側QEPCPC のの QEQE 、、 XIS-EUXIS-EU のQEののQEの

測定測定

林田 清、勝田哲、鳥居研一、並木林田 清、勝田哲、鳥居研一、並木雅章、白庄司貴之、他 大阪大学X雅章、白庄司貴之、他 大阪大学X

ISチームISチーム

Page 2: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

X-raysX-rays

ガス比例計数管(PC):斜入射較正ガス比例計数管(PC):斜入射較正実験実験

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Cou

nts

PH (ch)

0° 30° 45°

異なる入射角における比例計数管異なる入射角における比例計数管のスペクトルのスペクトル

白庄司M論Hayashida et al., 2004 SPIE

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20042004 年1月実験の年1月実験の再解析再解析比例計数管の窓のメッシュ比例計数管の窓のメッシュ

5050mm厚、厚、 0.5mm0.5mmピッチピッチ開口率開口率 0.763 (X0.763 (X 線で実測)線で実測)断面○ではなく□を仮定断面○ではなく□を仮定

30°/0°30°/0° とと 45°/0°45°/0° を          を              同時フィット    同時フィット

X線発生装置の長期変        X線発生装置の長期変                 動を補正         動を補正

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0.2

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cou

nt

rate

ra

tio

Ex (keV)

30°/0°

45°/0°

比例計数管の検出カウントの比

今回の結果今回の結果 窓透過率測定窓透過率測定20002000年年

ポリプロ膜厚ポリプロ膜厚 0.8960.896±0.016±0.016mm 1.49±0.031.49±0.03mm

水水 0.1960.196±0.012±0.012mm 0.17±0.020.17±0.02mm

P10P10ガス不感層ガス不感層 70.0±1.270.0±1.2mm xx

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0.1

1

0.2 0.4 0.6 0.8 1

PC-QE

PC QE (2005/02/14 version)Model PCQE(Shouho)Model PCQE(Shouho extrapolation)

QE

mo

de

l

Ex (keV)

斜入射実験:今回の解析

窓透過率測定 (2000年)

比例計数管QEのモデル

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斜入射法により検出効率を求めた比例計数管を斜入射法により検出効率を求めた比例計数管をリファレンス検出器としてリファレンス検出器として XISXISの検出効率を求めた。の検出効率を求めた。

比例計数管XIS2

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0.01

0.1

1

0.2 0.4 0.6 0.8 1

XISEU-QE(2004Jul)XISEU-QE(2003Dec)XISEU-QE model(20050225version)

XIS

EU

-QE

Ex(keV)

今回の結果今回の結果

SiO2SiO2厚み厚み 0.3960.396±0.040±0.040mm

SiSi 厚み厚み 0.2290.229±0.026±0.026mm

Si3N4Si3N4厚み厚み 0.000±0.0070.000±0.007mm

定数ファクタ定数ファクタ 0.883±0.0310.883±0.031

0.277keVの点を除いて一定の相対重みでフィット

C-Kのデータ点モデルの 1/3以下

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BI1-QE(20050214 version)BI1-QE (20050225 version)

XIS

-BI1

-QE

Ex(keV)

どうがんばっても一様吸収モデルでC-Kをあわせるのは難しい

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検討課題検討課題 XIS-FMXIS-FMのの QEQE絶対値の精度は比例計数管の絶対値の精度は比例計数管の QEQEの精度で決まっている。の精度で決まっている。

ガス不感層の厚みはエネルギーによらないか?ガス不感層の厚みはエネルギーによらないか?厚みはもっともな値か?厚みはもっともな値か? PENELOPEPENELOPEによるシミュレーションをする予定によるシミュレーションをする予定

メッシュの斜入射透過率のよりよいモデルは?メッシュの斜入射透過率のよりよいモデルは?反射は効かないか?反射は効かないか?

打ち上げ後打ち上げ後 BI0BI0について斜入射実験ができればについて斜入射実験ができればベスト。ベスト。

FI-CCD,BI-CCDFI-CCD,BI-CCDともにともに 0.3keV0.3keV以下のレスポン以下のレスポンスに関してはスに関しては QEQEモデルの検討必要。モデルの検討必要。

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バッドコラム その1バッドコラム その1 (1) 転送不良 Trail Column

PH22 PH7 PH0 PH2 PH11 ACTX ACTY V 25 55 381 271 1 / 668 325V 27 61 1029 4 -1 / 668 336V 30 64 1490 -2 -1 / 668 239V 24 54 1471 1 1 / 668 729V 22 62 1043 164 -2 / 668 239V 22 44 1672 1 1 / 668 221V 32 145 1316 3 0 / 668 570

<PH[7]-PH[2]> で判別可能 (e.g. >8AU)

Page 12: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

バッドコラム その2バッドコラム その2(2) 上下漏れ出し Column

PH22 PH7 PH0 PH2 PH11 ACTX ACTY V 189 393 551 486 6 / 238 897V 4 6 1565 7 0 / 238 97V 179 353 549 346 3 / 238 798V 0 5 1548 3 2 / 238 171V 109 293 498 335 4 / 238 610V 204 394 565 459 8 / 238 919

PH[7]>SplitTH(e.g.20) && PH[2]>SplitTH(e.g.20) のイベントの割合( e.g. >0.2) で判別可能

Page 13: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

バッドコラムその3バッドコラムその3(3) Flickerging Pixel

PH22 PH7 PH0 PH2 PH11 ACTX ACTY V 26 74 81 42 17 / 51 879V 1 5 58 1 -3 / 51 262V -1 -2 54 2 3 / 51 262V -1 3 75 1 1 / 51 262V 0 671 945 2 0 / 51 272V 1 2 1779 1 2 / 51 717

ピクセル毎のイベントの頻度で判別可能 (e.g.>0.1c/frame)

Page 14: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

xisDLxisDL    //    xisreadxisread

XIStrailCorrectionXIStrailCorrectionXIStrailCheckXIStrailCheckXISareaSelectXISareaSelect

Page 15: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

バッドコラムの数バッドコラムの数EU= 21EU= 21FI0=14, FI1=12, FI2=17,FI3=24FI0=14, FI1=12, FI2=17,FI3=24BI0=23, BI1=50BI0=23, BI1=50探す探す module=XIStrailCheckmodule=XIStrailCheck除外する除外する module=XISselectAreamodule=XISselectArea

Page 16: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

A/IA/I

電荷もれ補正したデータで解析しなおす電荷もれ補正したデータで解析しなおす(( 京大)京大)

QEQE

Page 17: XIS 低エネルギー側QE PC の QE 、 XIS-EU のQEの測定

やらなければいけない多くのこやらなければいけない多くのことと

打ち上げ前の試験@相模原&鹿児島打ち上げ前の試験@相模原&鹿児島鹿児島運用準備、相模原運用準備鹿児島運用準備、相模原運用準備マイクロコードの準備と管理(試験は?)マイクロコードの準備と管理(試験は?)相模原と鹿児島の相模原と鹿児島の QLQLソフトソフトバッドコラム、ホットピクセル、CTI、ゲイン管バッドコラム、ホットピクセル、CTI、ゲイン管理。そのための体制理。そのための体制

応答関数作成応答関数作成 BIBIの解析法、の解析法、 P-sum P-sum の応答、電荷漏れ補正、の応答、電荷漏れ補正、 CTICTI補正、補正、

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