В.С . Першенков
DESCRIPTION
В.С . Першенков. использование КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ. План выступления. Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний Инверсная S – образная характеристика - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
![Page 1: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/1.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
В.С.Першенков
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОНВЕРСИОННОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ
ИНТЕНСИВНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРАХ
![Page 2: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/2.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
2
План выступления
• Эффект низкой интенсивности в биполярных приборах
• Конверсионная модель встраивания поверхностных состояний
• Инверсная S – образная характеристика• Экстракция подстроечных параметров• Прогнозирование работоспообности
биполярных приборов
![Page 3: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/3.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
3
Эффект низкой интенсивности в биполярных транзисторах
• Влияние мощности дозы на радационно-индуцированную деградацию коэффициента усиления.
• Деградация коэффициента усиления значительно возрастает с уменьшением интенсивности ионизирующего излучения.
![Page 4: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/4.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Основное положение модели: эффект низкой интенсивности
связан с аномальным накоплением поверхностных
состояний
![Page 5: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/5.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Энергетическая диаграмма границы раздела окисел-полупроводник (SiO2-Si), иллюстрирующая конверсию положительного заряда захваченных дырок Qot
5
itK
ot NeQ oi
![Page 6: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/6.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Две группы ловушек: мелкие и глубокие
6
![Page 7: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/7.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Зависимость приращения плотности поверхностных состояний или приращения тока базы от интенсивности
и времени облучения
7
1Г
D
ГГМГБ eКDККI
![Page 8: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/8.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Проблема
8
Экстракция параметров модели
![Page 9: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/9.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Послерадиационный отжиг
9
![Page 10: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/10.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Постоянная времени конверсииглубоких ловушек
10
kT
EAГГ exp0
![Page 11: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/11.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Экспериментальные данные
11
EA = 0.48эВ, τГ0= 0.18·10-3 с (NPN BC817)
EA = 0.38эВ, τГ0 = 4.5·10-3 с (PNP BC807)
![Page 12: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/12.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Специфика высокой интенсивности
12
![Page 13: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/13.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Глубокие ловушки
13
Использование высокотемпературного
облучения для экстракции
концентрации глубоких ловушек
![Page 14: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/14.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Прогнозирование работы сложных ИМС
1. Экстракция подстроечных параметров. Полное описание S–образной характеристики.
2. Вычисление деградации тока базы для транзистора из состава данной ИМС при заданных условий функционирования на орбите: интенсивность и суммарная доза (возможен поэтапный набор дозы в разных радиационных поясах).
3. Расчет постоянной времени конверсии для получения прогнозируемой деградации тока базы при интенсивности, соответствующей тестовым испытаниям.
4. Расчет температуры облучения, при которой необходимо проведение тестовых испытаний.
14
![Page 15: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/15.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Прогнозирование температуры при высокоинтенсивных тестовых испытаниях
• Экстракция Nг, τг, EA
• Расчёт (ΔIб)орбита при интенсивности на орбите
• Расчёт τг при тестовой интенсивности (ΔIб)орбита
• Расчёт (Tобл)тест с использованием τг=τг0·exp(EA/kT)
15
![Page 16: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/16.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
Температура при тестовых испытанияхсложных микросхем
16
![Page 17: В.С . Першенков](https://reader035.vdocuments.net/reader035/viewer/2022062407/56812daf550346895d92d780/html5/thumbnails/17.jpg)
Стойкость-2010, 1-2 июня 2010, ФГУП НИИП, Лыткарино
Кафедра Микро- и наноэлектроники
17
Спасибо за внимание