ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებათა ფაკულტეტის

დოქტორანტის ზურაბ ყუშიტაშვილის

მოხსენება თემაზე: ,,ინტეგრალური მიკროსქემების

ელემენტების შექმნის დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიის

დამუშავება’’ხელმძღვანელი: ასოცირებული

პროფესორი ამირან ბიბილაშვილითბილისი 2013

კვლევის მიზნები

ნანოელექტრონული ხელსაწყოები ერთელექტრონიანი ტრანზისტორი რეზონანსული ტრანზისტორი

o დიდი ინტეგრაციაo მცირე სიმძლავრე

დიელექტრიკი

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

დიელექტრიკი უნდა იყოს

zeTxeli (5-50 nm); didi dieleqtrikuli SeRwevadobiT,kulonuri blokadis Zabvis dabali mniSvnelobiთuwyveti;udefeqto, minarevebis gareSe gare faqtorebis mimarT stabiluri.

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

სტანდარტული ტექნოლოგია

მაღალი ტემპერატურა (900÷11000C)არასასურველი მინარევების დიფუზიაფორიანობის გაზრდადიფუზიური პროფილის განრთხმასაფენთან ადგეზიის გაუარესება

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

პლაზმური ანოდირების უპირატესობები

დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია (300÷4000C)მიღებული ფირები არ შეიცავენ მინარევებსოქსიდების ზედაპირი არის დაცული იონების

ბომბარდირებისაგანმიიღება მაღალი ხარისხის ფიზიკური და ქიმიური

თვისებების დიელექტრიკიმშრალი პროცესინიმუშის ზედაპირის პლაზმური გაწმენდის შესაძლებლობათხელი ფირების მიღება (5÷50ნმ)

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში,

22-26 იანვარი, თბილისი 2013

პლაზმური ანოდირების პროცესი

1-xufi;2-anodi;3-kaTodi;4-samiznis kontaqti;5-nimuSi;6-plazmis damWeri;7-Termowyvilis gamomyvanebi;8-ultraiisferi dasxivebis wyaro;9-nimuSis gamaxurebeli.

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

პლაზმური ანოდირების დანადგარი

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო მეცნიერებებში,

22-26 იანვარი, თბილისი 2013

Si როგორც საბაზისო მასალა

კარგად შესწავლილი ფიზიკური და ქიმიური თვისებები

იაფიმაღალი ხარისხის საკუთარი ჟანგიმესერის პარამეტრების კარგი თანხვედრამიღებული ოქსიდის სისქეები (5÷50ნმ)

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

ექსპერიმენტი

მეტალების თერმული დაფენა

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

ექსპერიმენტი

dasaJangi masalis zedapirze iSviaTmiwaTa elementis (Y) Txeli fenის ელექტრონულ-სხივური დაფენა

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

ექსპერიმენტი

პლაზმური ანოდირება

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

ექსპერიმენტი

Y-ის ქიმიური მოხსნა

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

მომავალი გეგმები

უნდა შეირჩეს ორმაგი ზეთხელი ოქსიდური ფირები, მაგალითად

SiO2 და SiOxNy (Ɛ ~ 4 – 7) პატარა Ɛ-ით;

HfO2, TiO2, SiHfO და SiTiO (Ɛ ~25-30) დიდი Ɛ-ით; და მათი თანაფარდობები სისქის მიხედვით

ივანე ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტი პირველი საფაკულტეტო სამეცნიერო კონფერენცია ზუსტ და საბუნებისმეტყველო

მეცნიერებებში, 22-26 იანვარი, თბილისი 2013

მადლობა ყურადღებისთვის