Исследование оптических свойств наноструктур методом...

Post on 21-Aug-2015

195 Views

Category:

Technology

8 Downloads

Preview:

Click to see full reader

TRANSCRIPT

26 “Оптический журнал”, 78, 1, 2011

РАСЧЕТ, ПРОЕКТИРОВАНИЕИ ПРОИЗВОДСТВО СВЕТОВЫХ МИКРОСКОПОВ

Введение

В настоящее время методы интерференци-онной микроскопии успешно применяются для исследования оптических свойств широкого круга микрообъектов. Основными преимуще-ствами интерференционной микроскопии яв-ляются высокое пространственное разрешение, неинвазивный характер измерения, отсутствие специальных требований к среде измерения (вакуум, красители). Исходя из этого, интерфе-ренционные микроскопы с успехом применя-ются в материаловедении, микроэлектронике и биомедицинских исследованиях.

Созданный в МИРЭА в 1984 г. когерент-ный фазовый микроскоп (КФМ) “Эйрискан” впервые подтвердил возможность сверхразре-шения в фазовых изображениях [1]. Данный микроскоп представляет собой модифициро-ванный микроинтерферометр МИИ-4 (ЛОМО), оснащенный фазовым модулятором в опорном плече и диссектором ЛИ-620 в качестве фото-приемной системы. Фаза отраженной от объ-екта волны измеряется методом временных интервалов [1]. Большинство работ, выполнен-ных в МИРЭА, посвящено исследованию кле-

УДК 681.723.26

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУР МЕТОДОМ МОДУЛЯЦИОННОЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ МИКРОСКОПИИ

© 2011 г. П. С. Игнатьев; А. В. Лопарев; К. В. Индукаев; П. А. Осипов

ООО “Лаборатория Амфора”, Москва

Е-mail: ips@amphoralabs.ru

Разработан модуляционный интерференционный микроскоп с рекордно высоким латеральным разрешением (10–100 нм) и высокой (до 250 кад ров в секунду) скоростью получения изображений. Приводятся описания оптической схемы прибора, принципов работы и проблем сверхвысокого оптического разрешения в фазовых изображениях. Обсуждаются возможные пути развития метода модуляционной интерференционной микроскопии, а также области применения метода для исследования наноструктуриро-ванных материалов, топологии интегральных микросхем и морфологии биологических объектов.

Ключевые слова: модуляционная интерференционная микроскопия, сверхразреше-ние, оптическая анизотропия, топология ИС, нанодинамика.

Коды OCIS: 180.3170, 170.1650

Поступила в редакцию 19.04.2010

точной морфологии с высоким пространствен-ным разреше нием [2]. Высокое вертикальное разрешение “Эйрискана” сделало возможным исследование динамики внутриклеточных про-цессов [3]. Серьезным ограничением, затруд-няющим применение КФМ в биомедицинских исследованиях, стало то, что время получения кадра варьировалось от 14 секунд до 15 минут в зависимости от его размера. Кроме того, интер-фейсная плата КФМ “Эйрискан” для ПК позво-ляет работать только с операционной системой DOS, что также ограничивает его применение в составе современных программно-аппарат-ных комплексов.

Разработанный во ВНИИОФИ томографи-ческий микроскоп Линника удачно сочетает в себе возможности методов вычислительной томографии с методами фазовых шагов, что дает возможность измерения микрогеометрии, двулучепреломления и динамических характе-ристик измеряемых объектов [4]. Высокое бы-стродействие, возможность измерения двулу-чепреломления и томографическая реконструк-ция изображений предопределили его успешное применение в области оптических измерений, а также позволили внедрить эталон двулучепре-

27“Оптический журнал”, 78, 1, 2011

ломления. Однако реализация метода фазовых шагов не позволила достичь сверхразрешения, что также ограничило область его применения для исследования наноразмерных структур.

Развитие вычислительной техники позволи-ло разработать ряд интерференционных мето-дов, в которых изображения строятся по одной интерферограмме. К таким методам относится метод Гильберт Фазовой Микроскопии (ГФМ) [5]. Благодаря “одношаговой” природе мето-да достигнуто быстродействие 600 кадров в се-кунду и показана возможность воспроизведения изображений в реальном времени. На ос нове ГФМ разработан оригинальный метод измере-ния показателя преломления однородных мик-рообъектов, например эритроцитов, получив-ший название интерференционная рефракто-метрия [6]. Разрешение метода ГФМ ограни-чено числом интерференционных полос в поле зрения объектива, строго подчиняющимся за-конам дифракции, следовательно, такой под-ход принципиально не позволяет достичь опти-ческого сверхразрешения.

Наиболее широкое распространение полу-чили интерференционные методы, основанные на использовании некогерентных источников излучения. Эти методы легли в основу ряда приборов, производимых компаниями Wyko и Zygo, и успешно применяются в полупровод-никовой промышленности для контроля топо-логии интегральных микросхем [7, 8]. Следует отметить, что латеральное разрешение таких микроскопов не превышает 250 нм, что также ограничивает возможности их применения при переходе на новые технологические стандарты в интегральной электронике.

C помощью сканирующей гетеродинной схе-мы интерферометра была показана возможность разделения вкладов в оптическую разность хода показателя преломления и геометрической вы-соты профиля объекта благодаря возможности одновременного захвата фазового и интенсив-ностного кадров [9]. Однако латеральное разре-шение этого микроскопа ограничено дифракци-ей на объективе и составляет 0,67 мкм при ис-пользовании в качестве источника излучения He–Ne лазера (λ = 633 нм).

Из приведенного обзора следует вывод о перспективности применения методов интер-ференционной микроскопии для широкого круга исследований оптических свойств нано-структур, однако существующие методы не обе-спечивают сочетание сверхразрешения и высо-кого быстродействия.

В настоящей работе рассматривается новая модификация модуляционного интерференци-онного микроскопа МИМ-300, который позво-ляет регистрировать распределение оптических параметров изучаемого микрообъекта (коэффи-циентов преломления, отражения, анизотро-пии) и предусматривает одновременное обеспе-чение высокого пространственного разрешения и быстродействия.

Метод МИМ

В основу оригинального метода МИМ поло-жен принцип измерения локальных фаз промо-дулированной объектом световой волны [10–12].

Принципиальное отличие метода МИМ от вы-шеописанных методов интерференционной ми-кроскопии заключается в том, что модуляция световой волны проводится по двум парамет-рам (фаза и поляризация). При этом сочетание высокого разрешения и быстродействия дости-гается за счет реализации нового алгоритма обработки интерферограмм, в котором удачно сочетаются возможность сверхразрешения фа-зометрических методов интерференционной микроскопии [13] с быстродействием методов фазовых шагов. Данный алгоритм предусматри-вает оптимальный выбор стартовой точки съема кадра в зависимости от положения керамики в опорном плече, а характер ее движения опти-мизирован для увеличения частоты моду-ляции.

Оптическая схема лазерного канала пред-ставляет собой модификацию интерферометра Маха–Цандера с фазовым модулятором в опор-ном плече (рис. 1). Основное преимущество схемы Маха–Цандера состоит в возможности управления поляризацией, как в объектном, так и в опорном плечах интерферометра для по-следующей регистрации поворота плоскости по-ляризации, вносимого измеряемым образцом.

Управление поляризацией осуществляется при помощи автоматизированных поляриза-ционных модуляторов (PM), позволяющих не только вращать плоскости поляризации объ-ектного и опорного лучей интерферометра, но и изменять тип поляризации на эллиптиче-скую или круговую.

Для выбора области записи фазового изо-бражения микрообъекта в качестве источни-ка освещения используется белый светодиод (LED), а амплитудное изображение регистри-руется камерой белого света (WLC) (рис. 1а). В зависимости от типа микрообъекта и техники

28 “Оптический журнал”, 78, 1, 2011

исследования в качестве источника когерент-ного излучения могут быть использованы по-лупроводниковый (λ = 405 нм), твердотельный Nd:YVO4 (λ = 532 нм) и He–Ne (λ = 633 нм) лазеры. Измеряемый объект размещается на столе S под микрообъективом О1. Сколлими-рованный пучок от лазера L проходит через по-луволновую пластинку (1/2WP) и затем расще-пляется на поляризующем светоделителе PBS. Введение в оптическую схему полуволновой пластинки и поляризационного светоделителя позволило реализовать светоделитель с пере-менным коэффициентом деления интенсивно-сти пучка. Это позволит добиваться оптималь-ного контраста интерференционной картины в зависимости от коэффициента отражения изу-чаемого объекта и, следовательно, рациональ-но использовать динамический диапазон CMOS камеры. Один из расщепленных пучков (объ-ектный) фокусируется объективом О1 на объ-ект S и после отражения от зеркальной подлож-ки через светоделитель BS1 и телескопическую систему Т попадает на фотоприемник D. В ка-честве фотоприемника используется 12-бит-ная CMOS камера Silicon Imaging модель SI – 1280f (рис. 1б).

Опорный пучок фокусируется объективом О2 на зеркало, закрепленное на пьезомодуля-торе РМD, и после отражения от него также по-падает на фотоприемник. Фазовое изображение формируется модернизированным трехшаговым методом. Для осуществления поляризацион-ных исследований перед камерой D устанавли-вается анализатор А.

Принципиальным конструктивным отли-чием от предыдущих приборов МИМ является конструкция интерферометра, реализованная в едином “моноблоке”. Такая реализация позво-лила достичь высокой жесткости конструкции и минимизировать воздействие внешних фак-торов на интерферометр. Новая конструкция стола вертикальных подач позволила улучшить механические характеристики прибора и дала возможность по зиционировать измеряемый объект по верти кали с дискретностью пере-мещения 5 нм и результирующей точностью 50 нм. Такие характеристики необходимы для реализации алгоритма, позволяющего изме-рять рельеф высотой до десятков микрон.

Использование встроенной памяти камеры позволило увеличить скорость получения фа-зовых изображений, что является актуальной задачей при исследовании быстропротекающих процессов, таких как колебания пьезокерамик

и динамика биологических объектов. Режим вычитания калибровочного кадра позволил ис-ключить дефекты, вызванные “битыми” пик-селами и реализовать дополнительный инстру-мент для борьбы со спеклами и другими дефек-тами изображения.

Использование вышеописанных техниче-ских решений позволило достичь разреше-ния менее 0,5 нм по вертикали и 15–100 нм – в плоскости объекта, что превышает предел раз-решения существующих методов интерферен-ционной микроскопии. Следует отметить, что разрешение при фазовых измерениях опреде-ляется характеристиками как самого сигнала, так и измерительного прибора [14].

Применение МИМ

Универсальность метода МИМ позволяет реализовать на его основе специализированные микроскопы, адаптированные под исследова-тельские задачи в области материаловедения, микро- и наноэлектроники, а также биотехно-логии.

Материаловедение

Применение МИМ в ряде исследований по-зволило создать оригинальные методики иссле-дования оптических свойств наноматериалов, тонких пленок поляризующих покрытий и фо-тонных кристаллов [15].

Одним из актуальных направлений в мате-риаловедении является анализ структуры и шероховатости сверхгладких поверхностей, на-пример, кремниевых и GaAs подложек инте-гральных микросхем. Известно, что параметры шероховатости подложек наряду с наличием дефектов кристаллической решетки во многом определяют электрические и магнитные свой-ства формируемых на них элементов тополо-гии. Применение МИМ для контроля шерохо-ватости сверхгладких подложек позволило не только определять параметры шероховатости подложек со сверхразрешением, но и выявлять ряд дефектов, недоступных другим методам микроскопии, таких как, например низкоча-стотные колебания формы поверхности и ме-ханические напряжения. На рис. 2 приведены фазовые портреты GaAs подложек интеграль-ных микросхем с шероховатостью Ra = 0,22 нм (рис. 2а), Ra = 0,6 нм (рис. 2б). Подложка, по-казанная на рис. 2б, имеет низкочастотные про-странственные колебания формы, приводящие

0

0

2

10

10

20

20

мкм

мкм

нм

(а)

0

0

2

1010

2020

мкммкм

нм

(б)

PBSPBS

PM

WLC WLC

BS1BS1

BS2

1/2 WP1/2 WP

BS2

DD AA

TT

O2O2

O1 O1LEDLED

S Sобъект объект

L L

PMPM PM

PMD PMD

(а) (б)

Uмод

Рис. 1. Оптическая схема микроскопа МИМ-300. Навигационный канал белого света (а) и лазерный из-мерительный канал (б). Пояснения к схемам в тексте.

Рис. 2. Фазовые портреты GaAs подложек интегральных микросхем. Ra = 0,22 нм (а) и Ra = 0,6 нм (б).

Рис. 3. Распределение коэффициента пропускания тонкой пленки покрытия LCD дисплея для поляризации P-типа (а) и S-типа (б), распределение коэффициента дихроизма (в).

0

10

10

10

15

5

20

20x, мкм

y, мкм

Kd

(в)

(б)

0

10

10

20

40

60 20

20

x, мкм

y, мкм

T , %

(а)

10

3,33,3

10

70

80

90

20

x, мкмy, мкм

T||, %

0

0

0,4

0,4

0,80,8

1,2

20

y, мкмx, мкм

h, нм

дефект

140

70

00,2 мкм

нм

(а) (б)

0

60

120

0,03 мкм

0,2 0,4 0,6 0,8 мм

h, нм(в)

(г)

0 20

20

40 60

60

80 100

100

120

0,5

0

6000

0

200

200

400

400

800

1000

1,5

1,0

2,0

2,5

мкм

(а)

(б)

(в)

(г)

Время, с

h, нм

h, нм

Час

тота

, Г

ц

0

0

10

10

1

2

Рис. 5. Исследование динамики нервных волокон. Микрофотография (а), фазовый портрет (б), профили сечений фазовых портретов вдоль линий 1 и 2 (в), скалограмма, полученная с помощью вейвлет-пре-образования (г).

Рис. 4. Топологический элемент интегральной микросхемы. Микрофотография (а), фазовый портрет (б), профиль поперечного сечения фазового портрета (в) и дефект в структуре флэш-памяти, находящийся под слоем SiO2 (г).

29“Оптический журнал”, 78, 1, 2011

к нарушению свойств наносимых элементов то-пологии.

Еще одним важным применением МИМ яв-ляется неразрушающий контроль качества многослойных диэлектрических покрытий при производстве лазерных зеркал. Разработанные методики позволяют метрологически досто-верно измерять шероховатость поверхности на уровне 0,2–0,3 нм.

Полный контроль поляризации, реализован-ный в МИМ, позволяет проводить уникальные эллипсометрические исследования тонких пле-нок оптически анизотропных материалов с раз-мером пятна менее 100 нм. Практически важ-ным применением таких исследований являет-ся контроль качества покрытий LCD дисплеев. На рис. 3 приведен пример определения коэф-фициента дихроизма поляризующего покрытия.

МИМ позволяет локализовать оптически ак-тивные области кристаллических нанострукту-рированных материалов, таких как фотонные кристаллы. Подобные исследования позволяют оценить размеры структурных элементов, что во многом определяет свойства кристалла.

Полупроводниковые технологии (микро- и наноэлектроника)

В настоящее время для анализа тополо-гии интегральных схем (ИС) производители используют микроскопы на основе интерфе-рометров белого света, однако латерального раз-решения таких приборов недостаточно для ана-лиза структур с вертикальными стенками, в то время как этот показатель (угол верти кальности стенки) весьма информативен и позволяет полу-чать важную информацию о качестве элементов топологии на различных стадиях технологиче-ского процесса. Важно отметить, что в прибо-рах МИМ на структурах с большим градиентом фазы между соседними точками изображения (например, граница раздела проводящего слоя и подложки) достигается латеральное разре-шение до 10 нм. На рис. 4 показан топологиче-ский элемент интегральной микросхемы: изо-бражение, полученное с помощью камеры бе-лого света (рис. 4а), его фазовое изображение (рис. 4б) и фазовый профиль (рис. 4в) вдоль ли-нии сечения. По профилю сечения была опреде-лена вертикальность стенки: ее ширина соста-вила 30 нм при перепаде фазовой высоты про-филя 150 нм.

Важным параметром при оценке качества изготовления ИС является шероховатость Ra

вертикальной стенки. В настоящее время для решения этих задач применяются атомно-силовые микроскопы (АСМ) с кантилевером специальной формы, однако вследствие низкого быстродействия его применение в технологиче-ских линиях весьма проблематично. МИМ по-зволяет определять шероховатость вертикаль-ной стенки с приемлемой для производителей точностью 0,3–0,5 нм.

Еще одним применением МИМ в микро-электронике является поиск дефектов ИС, нахо-дящихся под слоем оптически прозрачного SiO2. Применение АСМ для решения подобных задач ограничено необходимостью послойной шли-фовки поверхности образца. На рис. 4г показан приповерхностный дефект (размером 300 нм) в структуре флэш-памяти.

Биомедицинские исследования

В настоящее время в биологии и медицине актуальны задачи неинвазивного исследования морфологии клетки и ее метаболических про-цессов. Высокое пространственное разрешение, количественный характер получаемой инфор-мации и отсутствие необходимости применения дорогостоящих красителей позволяют исполь-зовать МИМ в качестве универсального инстру-мента для исследования оптических и динами-ческих свойств живой клетки [16].

На основе метода МИМ была разработана ме-тодика исследования динамики изолированных нейронов сегментных ганглиев пиявки Hirudo medicinalis. Основная идея методики состоит в сопоставлении контрастных частот в спектрах флуктуаций фазовой высоты нейрона с функ-циональным состоянием клетки. Использова-ние МИМ для изучения нерегулярных измене-ний в нейронах позволяет расширить диапазон наблюдаемых явлений и анализировать более тонкую структуру процессов регуляции состоя-ния мембраны и цитоплазмы при генерации и проведении возбуждения в норме и при патоло-гии [17]. В сочетании с современными алгорит-мами обработки сигналов, такими как вейвлет и фонетический анализ, МИМ позволяет иссле-довать колебания миелиновой оболочки нервно-го волокна [18]. На рис. 5 приведены изображе-ния нервного волокна в белом свете (рис. 5а), фазовое изображение (рис. 5б), профили се-чения фазового изображения 1 и 2 (рис. 5в) и скалограмма, полученная с помощью вейвлет-преобразования. На скалограмме выделены ритмические компоненты с частотами 0,3, 0,5,

30 “Оптический журнал”, 78, 1, 2011

0,8 и 1,5 Гц, соответствующие определенным внутриклеточным процессам (рис. 5д). Пока-зано, что ритмы 0,8–1,0 Гц соответствуют дея-тельности K+ каналов, ритмы в районе 1,5 Гц со-ответствуют колебаниям ворсинок Швановской клетки.

Возможность регистрации слабых (до 0,01) изменений показателя преломления внутри клетки используется для изучения фазовой микромор фологии клеток крови при различ-ных воздействиях [19, 20].

Совместно с сотрудниками ВНИИВСГЭ был разработан оригинальный метод определения жизнеспособности спор микроспоридий рода Nosema по их фазовым изображениям [21]. По-казано, что при действии на споры паров мура-вьиной кислоты и при термической обработке фазовая толщина спор снижалась на 30%. Об-суждается возможность применения разрабо-танной методики для исследования спор гриб-ковых заболеваний человека.

Обсуждение и выводы

Следует отметить, что кроме вышеописан-ных преимуществ, интерференционные микро-скопы, в том числе и МИМ, имеют ряд огра-ничений, возможные варианты преодоления которых было бы интересно рассмотреть в рам-ках данной работы. В настоящей технической реализации МИМ максимальная регистрируе-мая фазовая высота рельефа микрообъекта ограничена половиной длины волны излучения используемого лазера. Это ограничение преодо-левается путем использования специаль ных программ восстановления скачков фазовой вы-соты, возникающих при исследовании рельефа с перепадом высот больше λ/2. Данное ограни-чение также преодолевается за счет реализа-ции системы сканирования по вертикали, на-пример, на основе алгоритма прецизионного перемещения предметного столика или микро-объектива в объектном плече интерферометра.

Еще одной важной проблемой интерферен-ционной микроскопии является борьба со спе-клами, когерентными шумами и паразитной интерференцией. Важно отметить, что интер-ференционные методы микроскопии, регистри-рующие фазовые изображения, принципиаль-но не чувствительны к подобного рода шумам, однако при исследовании структур на пределе разрешения, например, подложек ИС, спе-клы и когерентные шумы ухудшают качество изображений. В МИМ эта проблема решается

комплексно и включает использование высоко-качественной просветленной (R < 0,1%) опти-ки, применение оригинальных методов юсти-ровки оптической системы и использование источников излучения с малой длиной коге-рентности.

Использование источников излучения с ма-лой (менее 1 см) длиной когерентности, таких как суперлюминесцентные диоды, позволит значительно снизить уровень когерентных шумов. Здесь выявляется проблема оптималь-ного сочетания малой длины когерентности и стабильности по частоте. Уменьшение време-ни получения кадра до 0,3 с позволяет исполь-зовать полупроводниковые лазеры с шириной линии в спектре генерации 5 нм. Экспери-менты продемонстрировали возможность по-лучения качественных изображений и дости-жения уровня шумов в фазовых изображениях менее 1 нм.

Для исследования образцов полупроводнико-вой промышленности необходима точная при-вязка области измерений к координатной сет-ке, обеспечив при этом большой (до 200 мм) ди-апазон перемещений, нанометровую точность позиционирования и систему обратной связи. Такая привязка необходима, например, для ло-кализации дефектных структур на готовых вей-ферах. Для решения подобных задач разработа-на модификация МИМ, совмещенная со сверх-прецизионным координатным столом на основе бесконтактных магнито-аэростатических вин-товых передач.

ЛИТЕРАТУРА

1. Тычинский В.П. Микроскопия субволновых струк-тур // УФН. 1996. Т. 166. № 11. С. 1219–1229.

2. Тычинский В.П. Когерентная фазовая микроско-пия внутриклеточных процессов // УФН. 2001. Т. 171. № 6. С. 649–661.

3. Тычинский В.П. Динамическая фазовая микро-скопия: возможен ли “диалог” с клеткой? // УФН. 2007. Т. 177. № 5. С. 535–552.

4. Вишняков Г.Н., Закарян К.С., Левин Г.Г., Стре-лецкая Е.А. Исследование оптически прозрачных объектов при помощи томографического микро-скопа Линника // Измерительная техника. 1999. № 1. С. 46–49.

5. Ikeda T., Popescu G., Dasari R., Feld M. Hilbert phase microscopy for investigating fast dynamics in transparent systems // Opt. Lett. 2005. V. 30. P. 1165–1167.

6. Popescu G. et al. Erythrocyte structure and dynamics quantified by Hilbert phase microscopy // J. Biomed. Opt. 2005. V. 10. P. 0605031–0605033.

31“Оптический журнал”, 78, 1, 2011

7. http://www.veeco.com/promos/default.aspx?PromoID=75&gclid=COCRzdOyuqACFQw9ZgodUnxBUA

8. http://zygo.com/?/met/interferometers/pti250/

9. Kwon F.H., Kim B.S., Cho K. A new scanning het-erodyne interferometer scheme for mapping both surface structure and effective local reflection coefficient // Optics Express. 2008. V. 16. № 17. P. 13456–13464.

10. Индукаев К.В. Патент России № 2181498. 2001.

11. European Patent Application № 01922153.0-2217. 2001.

12. US Patent Application № 10/466,351. 2003.

13. Andreev V.A., Indukaev K.V. The problem of sub-rayleigh resolution in interference microscopy // Journal of Russian Laser Research. 2003. V. 24. № 3. P. 220–236.

14. Андреев В.А., Индукаев К.В. Распределение фазы Рытова-Владимирского в интерферометре Лин-ника // Bulletin of the Lebedev Physics Institute. 2000. № 5.

15. Игнатьев П.С., Индукаев К.В., Лопарев А.В., Осипов П.А. Новые аспекты применения МИМ-310 для нанометрологии // Тез. докл. “Высокие технологии XXI века”. М., 2009. С. 17–23.

16. Лопарев А.В., Игнатьев П.С., Индукаев К.В., Осипов П.А., Мазалов И.Н., Козырев А.В. Высо-коскоростной модуляционный интерференци-

онный микроскоп для медико-биологических исследований // Измерительная техника. 2009. № 11. С. 60–64.

17. Brazhe A.R., Brazhe N.A., Maksimov G.V., Igna-tyev P.S., Rubin A.B., Mosekilde E., Sosnovtse-va O.V. Phase-modulation laser interference micro-scopy: an advance in cell imaging and dynam-ics study // J Biomed Opt. 2007. V. 3. № 13. P. 034004.

18. Brazhe A.R., Brazhe N.A., Rodionova N.N., Yusipo-vich A.I., Ignatyev P.S., Maksimov G.V., Mo-sekilde E., Sosnovtseva O.V. Non-Invasive Study of Live Nerve Fibers using Laser Interference Microscopy // Phil. Trans. Roy. Soc. A. 2008. V. 366. № 1880. P. 3463–3481.

19. Игнатьев П.С., Индукаев К.В., Лопарев А.В., Оси-пов П.А. Новое поколение лазерных микроскопов для медико-биологических исследований // Тез. докл. II Московской региональной научно-практической конференции “Цитометрия в ме-дицине и биологии: фундаментальные и при-кладные аспекты”. М., 2009. С. 34–36.

20. Лопарев А.В., Кретушев А.В., Тычинский В.П. Когерентная фазовая микроскопия: новый метод идентификации внутриклеточных структур по их оптическим и морфометрическим параметрам. Биофизика. 2008. Т. 53. № 2. С. 299–304.

21. Сохликов А.Б., Игнатьев П.С. Лазерная интерфе-ренционная микроскопия при нозематозе // Пче-ловодство. 2008. № 6. С. 25–28.

top related