bipolar transistors digital transistors01 バイポーラトランジスタ /...
TRANSCRIPT
Bipolar TransistorsDigital Transistorsバイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
2010
製品カタログ
01 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ
に敏速に対応することで培われています。市場のニーズに応え、省エネ・
省スペース・高信頼性を開発コンセプトとして特徴ある商品群をライン
アップしています。
世界トップクラスの生産量を誇るロームのトランジスタは時代のニーズ
に敏速に対応することで培われています。市場のニーズに応え、省エネ・
省スペース・高信頼性を開発コンセプトとして特徴ある商品群をライン
アップしています。
ロームが世界で最初に開発したデジタルトランジスタはデジタル回路
設計の分野で活用される抵抗内蔵型トランジスタです。市場のニーズに
応えた超小型実装パッケージへの展開による省スペース化と、豊富な
抵抗バリエーションにより、多彩な商品をラインアップしています。
ロームが世界で最初に開発したデジタルトランジスタはデジタル回路
設計の分野で活用される抵抗内蔵型トランジスタです。市場のニーズに
応えた超小型実装パッケージへの展開による省スペース化と、豊富な
抵抗バリエーションにより、多彩な商品をラインアップしています。
02バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
5
6
7
9
バイポーラトランジスタ 11
Contents
クローズアップ
ラインアップ
3
10
複合バイポーラトランジスタ 15
外形寸法図 19 形名の構成 20
デジタルトランジスタ 17
複合デジタルトランジスタ 18
ソレノイド・モータドライブ用トランジスタ
Low VCE(sat)トランジスタ
MPT3 高速スイッチングトランジスタ
4VMT6 パッケージ
超小型VMN3パッケージ
ミューティングトランジスタ
MPT6 複合バイポーラトランジスタ
03 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
製品ラインアップ
超小型 VMN3パッケージ実装面積60%、高さ35%低減
超小型・低背
優れたフィレット視認性・はんだ固着強度
・ 超小型・ 低背
特長
・ 小型携帯機器の汎用スイッチ 他
用途
従来品VMT3パッケージ(1.2×1.2,t=0.5mm)に
比べ、実装面積60%、高さ35%低減した超小型・
低背パッケージ(0.6×1.0, t=0.37mm)です。
概要
従来品VMT3パッケージと比べて、実装面積60%、高さ35%低減した超小型・低背シリーズです。
(単位 : mm)
1.2 0.8
1.2
t=0.50
NEW VMN3
1005サイズチップ抵抗器と同等体積
1.0x0.6x0.37 1.0x0.5x0.51.0 0.8
0.6
t=0.37
ROHM
6.05N
他 社
4.23N
フィレット構造(ROHM)フィレットレス構造(他社)
フィレット構造視認可能フィレット構造視認難あり
特長1 特長2
プレッシャーテスト(競合他社と同一パッケージで比較)
極性品名
PNP
NPN
VCEO(V)
-50
50
VCE(sat)Max.IC(mA)
-100
100
hFE
@IC / IB
120~390
120~390
-25mA / -2.5mA
25mA / 2.5mA
@VCE / IC-6V / -2mA
6V / 2mA
-0.3
0.3
(V)
極性品名
NPN
VCC(V)
50
IO(mA)
50 10
R2(KΩ)R1(KΩ)
10
GI
PNP -50 -50 10 10 30~30~
2SA2199
2SC6114
DTC114EB
DTA114EB
DTA144EB
DTC144EB
PNP
NPN
-50
50
-50
50
47
47
47
47
68~68~
1.5 倍
実装面積60% Down
厚 さ35% Down
VMT3従来品
Discrete Semiconductors
下面電極に比べフィレット構造の視認性が良い 優れた固着強度
バイポーラトランジスタ
デジタルトランジスタ
04バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
製品ラインアップ
VMT6 小型複合パッケージ実装面積43%低減
超小型・複合化
hFEのペア性を保証
・ 超小型・ 複合パッケージ
特長
・ 小型携帯機器の汎用スイッチ・ カレントミラー回路 他
用途
従来品EMT6パッケージ(1.6×1.6,t=0.5mm)と
比較して、実装面積43%低減。
また、従来品VMT3パッケージ(1.2×1.2,t=0.5mm)
を複合化して、実装面積50%低減した超小型複合
パッケージです。
2素子のhFEペア性を保証(hFE1/hFE2 0.9~1.1)
(VT6T11,VT6T12, VT6×11, VT6×12)
バイポーラトランジスタ
品名
VT6T1
VT6T2
VT6X1
VT6X2
VT6T11
VT6T12
VT6X11
VT6X12
VCEO(V)
-20
-50
20
50
-20
-50
20
50
-200
-100
200
100
-200
-20 / 20 -200 / 200
-50 / 50 -100 / 100
-100
200
100
IC(mA) hFE hFE Ratio 等価回路図
Suitable for current mirror circuit
Pc(W)
120~560
0.9 1.1
0.15
−
−VT6Z1
VT6Z2
カレントミラー回路
概要従来品EMT6パッケージと比較して、実装面積43%低減。また、従来品VMT3を複合して、実装面積50%低減した超小型複合パッケージです。
(単位 : mm)
実装面積43% Down
実装面積50% Down
EMT6従来品
VMT3×2従来品
1.2 0.92
1.2
t=0.50
1.2 0.92
1.2
t=0.50
NEW VMT6
1.2 0.8
1.2
1.2 0.8
1.2
t=0.50
Vcc
内部回路品名 内蔵トランジスタ VCEO
(V)IC(A) hFE
120~390
120~390
120~270
120~390
120~390
120~270
120~390
120~390
120~270
60
32
−32 −1
−2
−2
−3
−32
−32
−60
32
32
60
1
2
3
1
3
2SB1188
120~39032 22SD1766
120~270−3−602SA2071
DTDG14GP×2
2SC5824
120~390−1−322SB1132
2SD1664
2SB1132×2
2SB1188×2
2SA2071×2
2SD1664×2
2SD1766×2
2SC5824×2
300~60±10 1
MP6Z3
MP6T1
MP6T2
MP6T3
MP6X1
MP6X2
MP6X3
MP6Z1
MP6Z2
MP6H1
05 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
MPT6 複合バイポーラトランジスタ実装面積・員数を1/2に削減
小型・低背化パッケージ
応用回路例外観図
製品ラインアップ
・省スペース特長
・バッファ回路・コレクタ共振回路・モータドライブ回路
用途
従来のMPT3パッケージを複合化、実装面積、員数を1/2に削減。
例えば、従来2SB1132を2個使用していた場合、「MPT6」
1パッケージに集約できるため実装面積、実装コストの削減に貢献
します。
実装面積50% Down
MPT3 (MPT3×2) MPT6
高さ約 35% Down
(単位 : mm)
コレクタ共振回路 モータドライブ回路
M
バッファ回路
大チップ搭載により大電流化が可能になります。
表面 裏面
概要
従来のMPT3パッケージを複合化、実装面積50%、高さ約35%低減した小型、低背シリーズです。
表面
裏面
品名パッケージ 内部回路 VCEO(VCC)(V)
IC(IO)(A)
hFE
(GI)
300~
300~
500~
300~
1k~10k
60±10
60±10
60±10
60±10
60±10
1
1
2
1
0.5
DTDG23YP
DTDG14GP
2SD2143
QSH29
MP6H1
MPT3Pc=0.5W
CPT3(D-PAK)Pc=1W
TSMT6Pc=0.5W
MPT6Pc=2W
06バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
製品ラインアップ
ソレノイド・モータドライブ用トランジスタモータドライブ回路の実装面積最大40%削減
高破壊耐量・省スペース
応用回路例
・省スペース・高破壊耐量・誤動作防止
特長
・モータドライブ回路・リレードライブ回路 (車載機器、プリンタ 他)
用途
内部クランプダイオードにより、モータ
ドライブ時などに発生するコイルからの逆起電
力を吸収。高い破壊耐量を誇ります。
また、入力抵抗と誤動作防止抵抗も内蔵。モー
タド ラ イ ブ 回 路 の 実 装 面 積 を 最 大
約40%削減できます。
モータドライブ回路
・省スペース、および部品点数の削減に貢献
・クランプDi内蔵により、高破壊耐量
・入力抵抗内蔵により、ICからの直接駆動が可能
・ノイズによる誤動作防止にプルダウン抵抗を内蔵
IC①
②
③
④
コイルからの逆起電圧に対して内蔵クランプDiで素子を保護
①入力抵抗(電流制限用)②プルダウン抵抗(誤動作防止用)③クランプDi
④トランジスタ
2.2k
10k
10k
3.5k 300
10k
10k
特性比較
概要
モータドライブ回路に必要なクランプダイオード、入力抵抗、誤動作防止抵抗を1チップ化。個別の部品を実装した場合に比べて、面積を約40%削減できます。
入力抵抗
入力抵抗 : R1
モータドライブ回路が1パッケージに。
1パッケージ化
実装面積
40% Down
PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN
PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN
パッケージ
構成用途
TUMT3 TUMT6 TSMT3 TSMT6
―US6T6
US6T4
―――
US6T7
US6T5
――
―US6X5
US6X3
―――
US6X6
US6X4
――
2SB1709
2SB1690
2SB1705
2SB1707
―2SB1710
2SB1695
2SB1706
2SB1708
―
2SD2674
2SD2653
2SD2670
2SD2672
―2SD2675
2SD2657
2SD2671
2SD2673
―
―QST6
QST4
―QST2
―QST7
QST5
―QST3
―QSX5
QSX3
―QSX1
―QSX6
QSX4
―QSX2
2SB1732
2SB1730
―――
2SB1733
2SB1731
―――
2SD2702
2SD2700
―――
2SD2703
2SD2701
―――
1.5
2
3
4
6
1
1.5
2
3
5
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
12
12
12
12
12
30
30
30
30
30
Pc=0.4W Pc=0.4W Pc=0.5W Pc=0.5W
シングルタイプ(面実装タイプ)パッケージ
構成用途
Low
VCE(sat)
Low
VCE(sat)
VCEO
(V)
0.5
1.5
2
0.4
1
1.5
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
IC(A)
12
12
12
30
30
30
2SA2018
―
―
―
―
―
2SC5585
―
―
―
―
―
Pc=0.15W
EMT3
2SA2030
―
―
―
―
―
2SC5663
―
―
2SD2696
―
―
Pc=0.15W
VMT3
―
2SB1689
―
―
2SB1694
―
―
2SD2652
―
―
2SD2656
―
Pc=0.2W
UMT3
2SA2119K
―
2SB1690K
―
―
2SB1695K
―
―
2SD2653K
―
―
2SD2657K
Pc=0.2W
SMT3
PNP NPN
MPT3
―2SB1697
2SB1713
―――
2SB1698
2SB1714
――
―2SD2661
2SD2678
―――
2SD2662
2SD2679
――
Pc=0.5W
VCEO
(V)IC(A)
07 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
Low VCE(sat)トランジスタVCE(sat)を約80%低減省エネに貢献
Low VCE(sat)
製品ラインアップ
・Low VCE(sat)
特長
・汎用スイッチ・DC/DCコンバータ など
用途
従来品に比べ、VCE(sat)を約80%と大幅に低減し
ているので、機器の省エネ化に貢献します。
また、VMT3からMPT3まで豊富なライン
アップを用意しており、コレクタ電流は最大6A
品までを用意。小型携帯機器をはじめ、様々な
アプリケーションに対応します。0.001
0.01
0.1
1
VC
E(s
at)(V
)
VCE(sat)-IC
IC(A)
0.001 0.01 0.1 1 10
2SA15772SB1732IC/ IB = 20
PulsedTa = 25°C
0.001
0.01
0.1
1
VC
E(s
at)(V
)
VCE(sat)-IC
0.001 0.01 0.1 1 10
IC(A)
IC/ IB = 20PulsedTa = 25°C
2SB1197K2SB1690
QST2
概要
VMT3からMPT3までの面実装パッケージをラインアップ。低消費電力が求められるポータブル機器やデジタル機器に最適です。
80%80%低減低減80%低減80%80%低減低減80%低減
08バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
PNP×2
プリアンプ
ドライバ
プリアンプ
ドライバ
NPN×2
PNP
+
NPN
プリアンプ
-
QST8
QST9
-
-
QSX7
QSX8
-
-
QSZ1
QSZ2
QSZ3
QSZ4
2SA2018×2
2SB1709×2
2SB1710×2
2SC5585×2
2SD2696×2
2SD2674×2
2SD2675×2
2SA20182SC2412K
2SA20182SC5585
2SB16902SD2653
2SB16952SD2657
2SB17052SD2670
2SB17062SD2671
-500
-1.5(A)
-1(A)
500
400
1.5(A)
1(A)
-500150
-500500
-2(A)2(A)
-1.5(A)1.5(A)
-3(A)3(A)
-2(A)2(A)
DC-DC
コンバータ
-12
-12
-30
12
30
12
30
-1250
-1212
-1212
-3030
-1212
-3030
-1230
-1220
-3020
1230
1220
3020
-500200
500200
-1.5(A)700
-1(A)700
1.5(A)700
1(A)700
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680120~560
270~680270~680
270~680270~680
270~680270~680
270~680270~680
270~680270~680
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
UMT18N
-
-
UMX18N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
UML4N
UML6N
—
—
—
—
IMT18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
—
—
FML9
—
FML10
—
EMT18
-
-
EMX18
EMX28
-
-
EMZ7
EMZ8
-
-
-
-
EML4
EML6
-
-
-
-
—
—
QSL9
QSL11
QSL10
QSL12
-
US6T8
US6T9
-
-
US6X7
US6X8
-
-
-
-
-
-
—
—
US5L9
US5L11
US5L10
US5L12
DC-DC
コンバータ
PNP+Di
NPN+Di
パッケージ
構成構成
トランジスタ相当品
品 名用途
UMT5 / UMT6EMT5 / EMT6 SMT5 / SMT6 TSMT5 / TSMT6TUMT5 / TUMT6
VCEO(V) IC(mA) hFE
等価回路図(TOP View)
2SA2018RB521S-30
2SC5585RB521S-30
2SB1689RB461F
2SB1710RB461F
2SD2652RB461F
2SD2675RB461F
EMT5/EMT6/UMT5/UMT6/TUMT5/TUMT6/TSMT5/TSMT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、 SMT5/SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin
複合タイプ(面実装タイプ)
80%低減80%低減
高速化2倍!
09 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
MPT3 高速スイッチングトランジスタオフスピードを約35%UP省エネに貢献
高速スイッチング
製品ラインアップ
・ 高速スイッチング特長
・ バッファ回路・ モータドライブ回路・ 電源 など
用途
オフスピードを約35%UPにより、スイッチン
グロスを低減、発熱量を抑制します。
概要セル構造の最適化により、スイッチングスピードをUP。スイッチングロスを低減、発熱量を抑えることができます。
1.2Ω
0.6Ω
DTC343T
DTC643TDTC943T
DTC943TUB
2SD2704K
極性品名
PNP
NPN
VCEO
(V)
−30
−50
−80
30
50
80
IC(A)
−2
−3
−5
−2
−3
−0.7
−1.5
−2.5
2
3
5
2
3
0.7
1.5
2.5
hFE
200~500
180~450
120~390
200~500
180~450
120~390
2SAR512P2SAR552P2SAR542P2SAR553P2SAR533P2SAR514P2SAR554P2SAR544P2SCR512P2SCR552P2SCR542P2SCR553P2SCR533P2SCR514P2SCR554P2SCR544P
800ns1200ns800ns
1200ns
従来よりオフスピードが高速に!
オフスピード約35%UP!
<50V/3A品 従来比>
高速化2倍!
10バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
製品ラインアップ
ミューティングトランジスタ高hFE・高VEBO
優れたミューティング特性
・高hFE・高VEBO
特長
・ホームオーディオ・カーオーディオ 他・オーディオ機器の ミューティング回路
用途
高hFEかつ高VEBO(VEBO=12Vおよび25V)の素子に新しく40V品を
ラインアップ、優れたミューティング特性を誇ります。小型面実装の
UMT3パッケージから端子挿入タイプのSPTパッケージまで幅広い
ラインアップを用意しているので、様々なオーディオ機器に対応できます。
概要
高hFEかつ高VEBOにより、オーディオ機器のミューティング回路に最適です。
シングルタイプ
Ron(Ω)
2SD2654
EMT3
2SD2351
UMT32SD2704K2SD2226K2SD2114K
SMT32SD2705S2SD2227S2SD2144S
SPT0.7
0.9
0.8
hFE
820 ~ 2700
820 ~ 2700
560 ~ 2700
300
150
500
IC(mA)パッケージ
25
12
12
VEBO(V)
20
50
20
VCEO(V)
複合タイプ
2SD2704K2SD26542SD2114K
EMX26
EMT6
IMX25
IMX9
SMT6 内部回路図 内蔵トランジスタ IC(mA)
300150500
パッケージ
251212
VEBO(V)
205020
VCEO(V)
0.70.90.8
Ron(Ω)hFE
820 ~ 2700820 ~ 2700560 ~ 2700
抵抗内蔵タイプ
DTC623TDTC923T
DTC614T
Ron(Ω)Ic(mA)UMT3F
:パッケージ指定記号
40 20 400
12 20 600
12 20 600
パッケージ内部回路図
R1
VEBO(V) VCEO(V)
2.2
DTC643T 12 20 6004.7
DTC943T
UMT3
UUB
-
-
-
-
-
-
SMT3
K
SPT
S
0.4
0.6
0.9
0.550.640 20 400
10
R1(kΩ)
-
-
-
: 開発中
: 開発中
抵抗内蔵タイプ(複合品)
DTC614T
パッケージRon(Ω)
0.6
0.55
0.9
12 20
品名 内部回路図 内蔵トランジスタ
R1
R1
VEBO(V) VCEO(V)
US6H23
UMH33UMH32
IMH21IMH23
DTC643T
DTC923T
DTC943T
SMT6
-
TUMT6
-
--
4.7
2.2
10
R1(kΩ)
600
12 20 600
40 20 4000.6- - 40 20 400
0.55-
UMT6
--
- 12 20 600
IC(mA)
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
RO
N(Ω
)
1.21.2Ω
0.6Ω
Ron50%ダウン
1.2Ω
0.6Ω
DTC343TDTC343T
DTC643TDTC643TDTC943TDTC943T
DTC343T
DTC643TDTC943T
Vin(V)
10
100
1000
10000
1 10 100 1000Collector Current : IC (mA)
Re
vers
e D
C C
urr
en
t Ga
in :
RhF
E
1
DTC943TUB
VCE=3.0V
<Ron比較>
DTC943TUB
2SD2704K2SD2704K
11 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
バイポーラトランジスタ 面実装タイプ
PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN
—
2SA1774
—
2SA2018
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC4617
—
2SC5585
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SD2654
—
2SC4618
—
2SC4725
2SC4726
—
—
—
2SA1774EB
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC4617EB
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SA2029
—
2SA2030
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC5658
—
2SC5663
—
—
—
—
2SD2696
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SD2707
—
2SC5659
—
2SC5661
2SC5662
—
—
2SA2199
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC6144
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25(VEBO)
32(VCES)
VMN3(0608)
VMT3(1208)
EMT3F(1608)
EMT3(1608)
VCEO
(V)IC(A) hFE∗2∗1
Pc=0.15W∗1
Pc=0.15W∗1
Pc=0.15W∗1
Pc=0.15W
50
50
120
12
15
15
12
12
300
30
30
32
32
50
80
60
20
50
300
25
6
20
11
32
注)1.∗1は推奨ランド実装時。2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。4.PNPタイプの「-」符号は省略しています。
パッケージ
項目用途
一般増幅
高速SW
ドライバ
Low
VCE(sat)
高耐圧
高周波
高hFE
・ミューティング
ダーリントン∗3
120~390
120~390
180~560
270~680
120~560
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
120~390
120~390
120~390
120~390
820~2700
820~2700
820~2700
56~120
5K~
5k~
120~270180~390
120~270120~390
82~180(fT=300MHz)
82~180(fT=1500MHz)
56~180(fT=3200MHz)
180~560(fT=800MHz)
0.1
0.15
0.05
0.5
0.5
1
1.5
2
0.4
1
1.5
0.5
0.8
0.5
0.5
0.5
0.3
0.5
0.15
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.3
0.3
12バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
PNP NPN PNP NPN PNP NPN
面実装タイプ
—
2SA1037AK
2SA1514K
2SA2119K
—
2SB1590K
—
2SB1690K
—
—
2SB1695K
2SA1036K
2SB1197K
—
2SB1198K
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SB852K
—
2SC2412K
2SC3906K
—
2SD1757K
2SD2444K
—
2SD2653K
—
—
2SD2657K
2SC2411K
2SD1781K
2SD1484K
2SD1782K
—
2SD2704K
2SD2114K
2SD2226K
2SC4061K
2SC2413K
2SC4713K
2SC3837K
2SC3838K
2SD2142K
2SD1383K
120~390
120~390
180~560
270~680
120~560
270~680
270~680
270~680
270~680
270~680
120~390
120~390
120~390
120~390
820~2700
820~2700
820~2700
56~120
82~180
180~560
82~180
56~180
5k~
5k~
25(VEBO)
32(VCES)
—
2SA1576A
2SA1579
—
—
—
2SB1689
—
—
2SB1694
—
2SA1577
—
—
—
2SA2088
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC4081
2SC4102
—
—
—
2SD2652
—
—
2SD2656
—
2SC4097
—
2SD1949
—
2SC5876
—
—
2SD2351
—
2SC4098
2SC4774
2SC4082
2SC4083
—
—
—
2SA1576UB
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SC4081UB
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
(fT=300MHz)
(fT=800MHz)
(fT=1500MHz)
(fT=3200MHz)
注)1.∗1は推奨ランド実装時。2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。4.PNPタイプの「-」符号は省略しています。
一般増幅
高速SW
ドライバ
Low
VCE(sat)
高耐圧
高周波
高hFE
・ミューティング
ダーリントン∗3
0.1
0.15
0.05
0.5
0.5
1
1.5
2
0.4
1
0.5
50
50
120
12
15
15
12
12
30
30
30
0.5
0.8
0.5
0.5
0.5
0.3
0.5
0.15
32
32
50
80
60
20
50
0.1
0.05
0.05
0.05
0.05
0.3
0.3
300
25
6
20
11
30
パッケージ
項目用途
UMT3F(2012)
UMT3(2012)
SMT3(2916)
VCEO
(V)IC(A) hFE
∗2∗1
Pc=0.2W∗1
Pc=0.2W∗1
Pc=0.2W
120~270/180~390
120~270/120~390
13 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
面実装タイプ
PNP NPN PNP NPN PNP NPN PNP NPN
パッケージ
項目用途
VCEO
(V) hFE∗2
IC(A)
高速SW
ドライバ
Low
VCE(sat)
TUMT3(2017)
TUMT6(2017)
TSMT3(2916)
TSMT6(2916)
—US6T6US6T4
———
US6T7US6T5
———————
—US6X5US6X3
———
US6X6US6X4
———————
2SB17092SB16902SB17052SB1707
—2SB17102SB16952SB17062SB1708
—2SAR543R2SAR544R2SA20902SA20922SA2094
2SD26742SD26532SD26702SD2672
—2SD26752SD26572SD26712SD2673
—2SCR543R2SCR544R2SC58682SC58652SC5866
—QST6QST4
—QST2
—QST7QST5
—QST3
—————
—QSX5QSX3
—QSX1
—QSX6QSX4
—QSX2
—————
2SB17322SB1730
———
2SB17332SB1731
————————
2SD27022SD2700
———
2SD27032SD2701
————————
1.5234611.52353.52.50.512
270~680270~680270~680270~680270~680270~680270~680270~680270~680270~680180~450120~390
121212121230303030305080606060
120~270/120~390120~270/120~390120~270/120~390
Pc=0.4W Pc=0.4W Pc=0.5W Pc=0.5W∗1 ∗1 ∗1 ∗1
PNP NPN PNP NPN
パッケージ
項目用途
VCEO
(V) hFE∗2
IC(A)
MPT3(4525) CPT3
Pc=0.5W Pc=1W
——————
2SB1316
———
2SD2318—
2SD21432SD1980
—2SB1427
—————
2SD2537—
2SD2153—
2SD1834——
高hFE
820~1800390~820820~1800560~1800
2k~ 1k~10k1k~10k
ダーリントン∗3
12122020203030303030323250505050606080808080
16060
———
2SB14122SA1834
——————
2SB1182———
2SB1184—
2SA1952—
2SB1181——
2SB12752SA2072
———
2SD21182SC5001
——————
2SD1758———
2SD1760—
2SC5103—
2SD1733——
2SD19182SC5825
2SB1697 2SB1713 2SB1424
— —
2SB1698 2SB1714 2SAR512P2SAR552P2SAR542P
2SB1132 2SB1188 2SAR513P2SAR553P2SAR533P
— 2SB1561
— 2SAR514P2SB1260
2SAR554P2SAR544P
— 2SA2071
2SD2661 2SD2678 2SD2150
— —
2SD2662 2SD2679 2SCR512P2SCR552P2SCR542P
2SD1664 2SD1766
2SCR513P2SCR553P2SCR533P
— 2SD2391
— 2SCR514P2SD1898
2SCR554P2SCR544P
— 2SC5824 高速SW
ドライバ
LowVCE(sat)
1.2223122
2335
10 1.52235121233250.711.52.51.53
270~680270~680
120~390
270~680270~680200~500200~500200~500120~390120~390180~450180~450180~450120~390120~270120~270120~390120~390120~390120~390
120~270/120~390
120~390/180~560
180~560/120~390
82~180/120~270
注) 1.∗1は推奨ランド実装時。 2.∗2のhFEについては仕様書等を確認ください。 3.∗3の内部回路については仕様書等を確認ください。 4.PNPタイプの「-」符号は省略しています。
∗1 ∗1
25202560
60±10100
60(VCES)
: 開発中
14バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
端子挿入タイプ
PNP NPN PNP NPN
パッケージ
項目用途
VCEO
(V) hFE∗3
IC(A)
SPT ATV
Pc=0.3W Pc=1W
120
15
12
20
32
32
32
50
50
50
80
80
120
160
60
60
20
50
300
25
60±10
90±10
100
2SB1237
2SB1240
2SB1443
2SB1243
2SB1238
2SB1241
2SB1236
2SB1236A
2SA2093
2SA2073
2SD1858
2SD1862
2SD1864
2SD1859
2SD1863
2SD1857
2SD1857A
2SC5880
2SC5826
2SC4015
2SD1866
2SC5060
2SD1867
2SA1038S
2SA1585S
2SA854S
2SA1515S
2SC2389S
2SD1468S
2SD2687S
2SC4115S
2SC1741S
2SC1741AS
2SD1768S
2SD2705S
2SD2144S
2SD2227S
2SC3415S
2SC2058S
高速SW
一般増幅
ドライバ
LowVCE(sat)
高耐圧
高周波
高hFE
・ミューティング
0.05
1
5
2
0.5
1
2
0.5
3
3
0.7
1
1.5
2
3
0.3
0.5
0.15
0.1
0.05
2
1
2
ダーリントン∗4
∗1
∗5 ∗5
∗5
∗5
∗2
注)1.∗1は推奨ランド実装時。 2.∗2はコレクタ銅箔面積1cm2以上、厚み1.7mmのプリント基板実装時。 3.∗3のhFEについては仕様書等を確認ください。 4.∗4の内部回路については仕様書等を確認ください。 5.∗5の品番についてはPc=0.4Wです。 6.PNPタイプの「-」符号は省略しています。
120~270/120~390
180~560
120~390
350~680
120~390
120~390
120~390
120~390
120~390
120~270
120~390
120~390
120~390
120~390
100~200
820~2700
820~2700
820~2700
56~120
82~180
1k~10k
1k~2.5k
1k~10k
120~270/120~390
(fT=300MHz)
25(VEBO)
1.5 / 2
15 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
複合バイポーラトランジスタ 面実装タイプ
パッケージ
構 成構成
トランジスタ相当品
等価回路図(TOP View) 品 名用 途項目
UMT5 / UMT6(2012) (2012)
VMT6(1209)
EMT5 / EMT6(1612) (1612)
SMT5 / SMT6(2916) (2916)
TUMT5 / TUMT6(2017) (2017)
TSMT5 / TSMT6(2916) (2916)
VCEO(V) IC (mA) hFE
PNP×2
プリアンプ
ドライバ
カレントミラー回路
カレントミラー回路
高周波
プリアンプ
プリアンプ
ドライバ
NPN×2
PNP
+
NPN
増 幅
プリアンプ
インバータドライバ
DC-DC
コンバータ
2SA1037AK×22SA1036K×22SA2018×22SB1132×22SB1188×22SA2071×2
2SA2199×2
2SA1037AK×2
2SA1037AK×22SA1514K×22SB1709×22SB1710×2
2SA2199×22SC2412K×22SD2654×22SC5585×22SD2114K×22SD2704K×22SD2696×22SD1484K×22SD1664×22SD1766×22SC5824×2
2SC6114×2
2SC6114×2
2SC2412K×2
2SC2412K×22SC3906K×22SC4713K×22SC3837K×22SC3838K×22SD2674×22SD2675×2
2SA1037AK2SC2412K
2SA1036K2SC2411K
2SA20182SC5585
2SA20182SC2412K
-
-
2SA1037AK2SC2412K
2SA1037AK2SC2412K
2SB16902SD2653
2SB11322SD16642SB11882SD17662SA20712SC5824
2SB16952SD26572SB17052SD26702SB17062SD2671
2SA1037AK2SC2412K
-1(A)1(A)-2(A)
2(A)
-2(A)2(A)
-3(A)3(A)-2(A)
2(A)
-1.5(A)1.5(A)
-3(A)3(A)
-50-50-12-32-32-60-20-50
-50
-50-120-12-30-20-50
5050122020305032326020502050
50
50120
620111230
-5050
-5050
5050
-125020205050
6060
323232323232
1212
1212303012123030
-5050
-150 -500 -500 -1(A)-2(A)-3(A)-200 -100
-150
-150 -50 -1.5(A)-1(A)-200 -200
1501505005003004005001(A)2(A)3(A)200100200100
150
150 50 50 50 50
1.5(A)1(A)
500500500500
200200100100
150150
500150
-150 150
-150 150150150
120~120~390270~680120~390120~390120~270120~560120~560
120~560
120~560180~270~680270~680120~560120~560120~820~2700270~680560~2700820~2700270~680120~390120~390120~390120~390120~560120~560120~560120~560
120~560
120~560180~180~56056~18056~120270~680270~680
120~560
270~680
270~680120~560
120~390
120~390
120~270
120~560
270~680
270~680
270~680
270~680
120~560
120~560
180~390
120~
120~
EMT1
EMT18
EMT2
EMT3
EMX1EMX26EMX18
EMX28
EMX2
EMX3
EMX4EMX5
------
VT6T1VT6T2
----
VT6T11 VT6T12----------
VT6X1 VT6X2 VT6X11 VT6X12
-
-------
---
---
VT6Z1
VT6Z2
-
-
--
EMY1
EMZ1
EMZ7
-
---
EMZ2
EMZ8
--
-
-
--
UMY1N
UMZ1
--
---
UMZ2N
--
-
-
--
FMY1A
FMY4A
IMZ1A
-IMZ4
---
IMZ2A
--
-
-
--
---
---
--
-
-
--
---
---
--
QSZ1
QSZ2
QSZ3
QSZ4
---
MP6Z1
MP6Z2
MP6Z3
--
-
-
--
UMT1N
UMT18N
UMT2N
UMX1N
UMX18N
UMX2N
UMX3N
UMX21NUMX4NUMX5N
IMT1AIMT17IMT18
IMT2A
IMT3AIMT4
IMX1
IMX9IMX25
IMX17
IMX2
IMX3IMX8
IMX4IMX5
US6T8US6T9
US6X7US6X8
QST8QST9
QSX7QSX8
MPT6(4532)
MP6T1MP6T2MP6T3
MP6X1MP6X2MP6X3
VMT6/EMT5/EMT6/UMT5/UMT6/TUMT5/TUMT6/TSMT5/TSMT6/MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5/SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin
16バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
面実装タイプ
パワー
マネジメント
DC-DC
コンバータ
PNP+DTR
NPN+DTR
NPN+
N-ch MOS
PNP+
N-ch MOS
PNP-DTR+
N-ch MOS
PNP+Di
PNP-DTR+Di
NPN-DTR+Di
NPN+Di
NPN+Di 電圧監視
パッケージ
構 成構成
トランジスタ相当品
品 名用 途項目
UMT5 / UMT6(2012) (2012)
EMT5 / EMT6(1612) (1612)
SMT5 / SMT6(2916) (2916)
TSMT5 / TSMT6(2916) (2916)
TUMT5 / TUMT6(2017) (2017)
VCEO(V) IC(mA) hFE
等価回路図(TOP View)
—
—
—
—
QSL9
QSL11
QSL10
QSL12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
FML9
—
FML10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
UMF5N
UML1N
UML4N
UML6N
—
—
—
—
—
UML2N
UMF6N
UMF28N
—
UMF8N
UMF9N
UMF32N
—
1230
1220
3020
5030
5080
1250
1230
-1250
-5080
-1230
-1220
-3020
-1230
-5050
-5030
-5030
-1230
-1.5(A)700
-1(A)700
1.5(A)700
1(A)700
-500100
-150100
-500200
500200
100100
150100
-500100
-150100
-100100
500100
500100
-100100
-500100
270~68068~
120~—
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
270~680—
80~—
120~—
270~680—
180~39068~
68~—
270~68068~
270~680—
100~600—
140~—
EMF5
—
—
—
—
—
—
—
EML20
—
EMF6
—
EML17
EMF8
EMF9
EMF32
EMF33
—
—
—
US5L9
—
US5L10
US5L12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2SA1774DAN202K
2SA2018RB521S-30
2SC5585RB521S-30
2SB1689RB461F
2SB1710RB461F
2SD2652RB461F
2SD2675RB461F
DTC123JRB521S-30
——UML23 50Vz6.8
150Iz5
120~270—EML22 —
2SC2412KVDZ6.8B
2SC4617DAN202K
DTA144ERB520G-30
2SC5585DTC144E
2SC55852SK3019
2SA2018DTC144E
2SA20182SK3019
2SA1774DTC124X
DTA143T2SK3019
DTB513Z2SK3019
EMT5/EMT6/UMT5/UMT6/TUMT5/TUMT6/TSMT5/TSMT6/MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5/SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin
17 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
デジタルトランジスタ 面実装タイプ
注)1. ∗1の内部回路については仕様書等を確認ください。 2. 品名においてVMN3、VMT3、EMT3F、EMT3、UMT3Fの末尾にAは付記されません。 3. PNPタイプの「一」符号は省略しています。
仕様 タイプ
項目 パッケージ
R1(kΩ)
R2(kΩ)
GI(hFE)
R1=
R2分圧形
R1≠
R2リーク吸収形
100mA
200mA
100mA
500mA
500mA
200mA
1A
100mA
500mA
ミューティング用
100mA
500mA
1A
品 名PNP NPN
VMT3(1208)
EMT3(1608)
UMT3(2012)
SMT3(2916)
MPT3(4525)
Pd=150mW Pd=200mW Pd=500mW
DTA123EA
DTA143EA
DTA114EA
DTA124EA
DTA144EA
DTA115EA
DTB743EDTB543EDTB113EDTB123EDTB143EDTB114E
DTA113ZA
DTA123YA
DTA123JA
DTA143XA
DTA143ZA
DTA114WA
DTA114YA
DTA124XA
DTA144VA
DTA144WA
DTB713ZDTB723YDTB743XDTB743ZDTB513ZDTB523YDTB543XDTB543ZDTB113ZDTB123Y
DTA113TKA
DTA143TA
DTA114TA
DTA124TA
DTA144TA
DTA115TA
DTA125TA
DTB123TK
DTB143TK
DTB114TK
DTA114GA
DTA124GA
DTA144GA
DTA115GA
DTB114GK
DTC123EA
DTC143EA
DTC114EA
DTC124EA
DTC144EA
DTC115EA
DTD743EDTD543EDTD113EDTD123EDTD143EDTD114E
DTC113ZA
DTC123YA
DTC123JA
DTC143XA
DTC143ZA
DTC114WA
DTC114YA
DTC124XA
DTC144VA
DTC144WA
DTD713ZDTD723YDTD743XDTD743ZDTD513ZDTD523YDTD543XDTD543ZDTD113ZDTD123Y
DTDG23YP*1
DTC123TKA
DTC143TA
DTC114TA
DTC124TA
DTC144TA
DTC115TA
DTC125TA
DTD123TDTD143TK
DTC614TDTC623TDTC643T
DTC114GA
DTC124GA
DTC144GA
DTC115GA
DTD114GK
DTDG14GP*1
2.2
4.7
10 22 47
100 4.7
4.7
1 2.2
4.7
10 1
2.2
2.2
4.7
4.7
10 10 22 47 47 1 2.2
4.7
4.7
1 2.2
4.7
4.7
1 2.2
2.2
1 2.2
4.7
10 22 47
100 200
2.2
4.7
10 10
2.2
4.7
2.2
4.7
10 22 47
100 4.7
4.7
1 2.2
4.7
10 10 10 47 10 47 4.7
47 47 10 22 10 10 10 47 10 10 10 47 10 10 10 10 22 47
100 10 10
DTAのみ
DTCのみE
DTCのみ
DTDのみDTBのみ
DTCのみU
UMT3F(2012)
K
P
Io(Ic)(mA)
50
50
50
50
50
50
30
12
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
30
30
30
30
12
12
12
12
50
50
60±10
50
50
50
50
50
50
50
50
40
40
40
20
20
20
50
50
50
50
—
60±10
Vcc(VCEO)(V)
100
100
50
30
30
20
200
500
500
500
500
500
100
100
100
100
100
100
70
50
100
30
200
200
200
200
500
500
500
500
500
500
1(A)100
100
100
100
100
100
100
100
500
500
500
600
600
600
100
100
100
100
500
1(A)
20~20~30~56~68~82~120~120~33~39~47~56~33~33~80~30~80~24~68~68~33~56~140~140~140~150~140~140~140~150~56~56~300~
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
100~600
820~2700
820~2700
820~2700
30~68~68~68~56~300~
M
EMT3F(1608)
EB
UB
VMN3(0608)
B
R1のみ入力抵抗形
R2のみ
ブリーダ抵抗形
:パッケージ指定記号
R1
R2
R1
R2
18バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
複合デジタルトランジスタ 面実装タイプ
パッケージ
構成
等価回路図 (TOP View) 品 名用途項目
EMT5 / 6(1612)
UMT5 / 6(2012)
SMT5 / 6(2916)
TUMT5 / 6(2017)
EMT5/EMT6/UMT5/UMT6/TUMT5/TUMT6/TSMT5/TSMT6/MPT6パッケージは等価回路図の右上が1pin、SMT5/SMT6パッケージは等価回路図の右下が1pin
TSMT6(2916)
UMA1N
UMA2N
UMA9N
UMA5N
UMA3N
UMA4N
UMB2N
UMB11N
UMB10N
UMB6N
UMB3N
UMG1N
UMG2N
UMG9N
UMG3N
UMG4N
UMG6N
UMH1N
UMH2N
UMH11N
UMH9N
UMH5N
UMH6N
UMH3N
UMH4N
—
—
—
UMD2N
UMD3N
UMD4N
UMD12N
UMD5N
UMD9N
UMD22N
—
UMD6N
—
—
—
—
UMH8N
UMH14N
—
—
EMA2
—
EMA5
EMA3
EMA4
EMB2
EMB11
EMB10
EMB6
EMB3
EMG1
EMG2
EMG9
EMG3
EMG4
EMG6
EMH1
EMH2
EMH11
EMH9
—
EMH6
EMH3
EMH4
EMH15
—
—
EMD2
EMD3
EMD4
EMD12
EMD5
EMD9
EMD22
EMD38
EMD6
EMD29
EMD30
—
—
—
—
—
FMA1A
FMA2A
FMA9A
FMA5A
FMA3A
FMA4A
IMB2A
IMB11A
IMB10A
—
IMB3A
FMG1A
FMG2A
FMG9A
FMG3A
FMG4A
FMG6A
IMH1A
IMH2A
IMH11A
IMH9A
IMH 5A
IMH6A
IMH3A
IMH4A
IMH15A
IMH21
IMH23
IMD2A
IMD3A
—
—
—
IMD9A
—
—
IMD6A
—
—
IMD10A
IMD16A
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
IMH8A
IMH14A
—
— ———
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
US6H23
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
QSH29
—
DTA124E×2
DTA144E×2
DTA114E×2
DTA123J×2
DTA143T×2
DTA114T×2
DTA144E×2
DTA114E×2
DTA123J×2
DTA144E×2
DTA143T×2
DTC124E×2
DTC144E×2
DTC114E×2
DTC143T×2
DTC114T×2
DTC144T×2
DTC124E×2
DTC144E×2
DTC114E×2
DTC114Y×2
DTC124E×2
DTC144E×2
DTC143T×2
DTC114T×2
DTC144T×2
DTC614T×2
DTC643T×2
DTC114T×2
DTC144T×2
DTDG14GP×2
DTDG14GP×2(500mA)
DTA124EDTC124E
DTA114EDTC114E
DTA114YDTC144E
DTA144EDTC144E
DTA143XDTC144E
DTA114YDTC114Y
DTA143ZDTC143Z
DTA113ZDTC114Y
DTA143TDTC143T
DTB513ZDTC114E
DTB713ZDTC114E
—DTC114T
—DTC115T
PNP×2
分圧型
リーク吸収型
入力抵抗型
分圧型
リーク吸収型
分圧型
入力抵抗型
分圧型
入力抵抗型
分圧型
リーク吸収型
分圧型
入力抵抗型
ドライバ
分圧型
リーク吸収型
入力抵抗型
パワーマネージメント
NPN×2
PNP+NPN
構成トランジスタ相当品
MPT6(4532)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MP6H1
19 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
外形寸法図
注)1.パッケージ名の下の( )は、JEITA No.また〈 〉はJEDEC No.です。 2.寸法の詳細は、仕様書等でご確認ください。
1.2 0.5
0.130.16
0.8 0.10.4 0.4
6 5 4
1 2 3
1.2
0.92
0.14
0.14
20バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
形名の構成
hFEランク
記号 hFE範囲
A 16~ 32
B 25~ 50
C 60~ 120
D 100~ 200
E 160~ 320
M 39~ 82
N 56~ 120
P 82~ 180
Q 120~ 270
R 180~ 390
S 270~ 560
E 390~ 820
U 560~ 1200
V 820~ 1800
W 1200~ 2700
パッケージ 記号 包装仕様 方 向 基本発注単位(pcs)
VMN3 T2L エンボステープエンボステープ
エンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープエンボステープ
送り穴側に電極1本 8,000
VMT3 T2L 送り穴側に電極1本エンボステープVMT6 T2R 送り穴側に1pin電極
8,000
8,000
EMT3F TL 送り穴側に電極1本 3,000
EMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000
EMT5 T2R 送り穴側に電極3本 8,000
EMT6 T2R 送り穴側に1pin電極 8,000
UMT3F TL 送り穴側に電極1本 3,000
UMT3 T106 送り穴側に電極1本 3,000
UMT5 TR 送り穴側に電極3本 3,000
UMT6TR 送り穴側に1pin電極 3,000
TN 無方向 3,000
WEMT6 T2R 送り穴側に1pin電極 8,000
TUMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000
TUMT5 TR 送り穴側に1pin電極 3,000
TUMT6 TR 送り穴側に1pin電極 3,000
SST3 T116 送り穴側に電極1本 3,000
SMT3 T146 送り穴側に電極1本 3,000
SMT5 T148 送り穴側に電極3本 3,000
SMT6T108 送り穴側と反対方向に1pin電極 3,000
T110 無方向 3,000
TSST8 TL 送り穴側に電極1本 3,000
TSMT3 TL 送り穴側に電極1本 3,000
TSMT5 TR 送り穴側に1pin電極 3,000
TSMT6 TR 送り穴側に1pin電極 3,000
TSMT8 TR 送り穴側に1pin電極 3,000
SOP8 TB 送り穴側に1pin電極 2,500
MPT3 T100 送り穴側に電極3本 1,000
MPT6 TR 送り穴側に1pin電極 1,000
CPT3 TL 送り穴側にフィン 2,500
TCPT3 TL 送り穴側に電極1本 2,500
LPT TL 送り穴側にフィン 1,000
SPT TP ラジアルテープラジアルテープ
つづら折りボックス 5,000
ATV TV2 つづら折りボックス 2,500
TO-220FN - バルクバルク
箱詰め 500
TO-220FM - 箱詰め 50
バルクTO-3PF - チューブ詰め 360
0
例) 2 CS 2 4 1 2 K T 1 4 6 R
品名(基本形名) 包装記号
例)
2.2
1.0
4.7
6.8DNPN
B
A
C
PNP
6
2
4
1
D
デジタルトランジスタDT 素子仕様
AT
極性
1
R1抵抗値の基本
5
7
Low VCE sat 12V
6 20V
Low VCE sat 30V
1 5
1 1
1 20
1 10
1 2RRX 1 2
R
1RT
G R2
J R1 2
2 1RW R1 2
5 1RV R1 2
R
R
R
1RY
Z R1
E 1R
2
2
2VMN3, VMT3, EMT3F, EMT3,UMT3Fを除く
2 4
R1抵抗値の乗数
E K
抵抗比率R1/R2
3
4
310
104
5 105
A
付記
パッケージ
T 1 64
包装記号
3 15V
1
2.2 10
注)1.④⑤をあわせてR1抵抗値を示します。
4.7 10
24
43
例
Ω 4.7kΩ
Ω 22kΩ
3
4
SMT3
MPT3P
K
UMT3
UMT3FUB
U
EMT3
EMT3FEB
E
VMN3B
VMT3M
( )
バイポーラトランジスタの品名(基本形名)について
包装仕様
デジタルランジスタの品名(基本形名)について
21 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
MEMO
22バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ
Discrete Semiconductors
MEMO
Catalog No.52P6215J 10.2009 ROHM ©
本資料の記載内容は 2009年 10月 1日現在のものです。本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ずご請求のうえ、ご確認ください。本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮していただきますようお願いいたします。本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームはその責任を負うものではありません。本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、アミューズメント機器など)への使用を意図しています。本資料に掲載されております製品は、「耐放射線設計」はなされておりません。ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。ローム製品が故障した際、その影響により人身事故、火災損害等が起こらないようご使用機器でのディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えたご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を及ぼすおそれのある機器・装置・システム(医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など)へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際は、事前にローム営業窓口までご相談願います。本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。
R0079A
〈海 外〉
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品 川 (03)5783-7305
西東京 (042)648-7821
仙 台 (022)295-3011
いわき (0246)25-4301
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上 海 +86-21-6279-2727
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香 港 +852-2-740-6262
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シンガポール +65-6332-2322
フィリピン +63-2-807-6872
タイ +66-2-254-4890
マレーシア +60-3-7958-8355
ドイツ +49-2154-9210
フランス +33-1-5697-3060
イギリス +44-1-908-272400
サンディエゴ +1-858-625-3630
アトランタ +1-770-754-5972
ダラス +1-972-473-3748
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2010 バイポーラトランジスタ / デジタルトランジスタ