공정 및 장비운영 보고서

기간( ; '90. 1. 1-'90. 12. 31)

머 리 말

현대산업의 쌀로 불리는 반도체집적회로는 정보 통신산업 발전의 핵으로서 그 위치를 굳힌,

지가 오래고 이제 날로 치열해 가는 국가간 기술경쟁에 있어서도 반도체기술의 승패는 산,

업기술의 우열을 가늠하는 중요한 기술분야가 되고 있습니다.

특히 반도체기술 중 미세 회로 제작 및 원자단위의 재료가공기술을 핵으로 하는 반도체집,

적회로 개발은 회로설계 제작 시험테스트에 이르기까지 많은 연구인력과 첨단 연구장비를, ,

동시에 필요로 하고 하나의 집적회로가 제작되기까지는 오염원이 완벽하게 배제된 공정조,

건에서 여 단계의 개별공정 과정을 연속적으로 정확하게 수행되어야 하는 가공수준100-150

과 실험공간으로써 먼지가 제거된 상태에서 온도 및 습도 등이 항상 일정한 수준으로 유지

되어지는 청정실 그리고 유틸리티 공급을 위한 부대 지원시설을 갖추어야 합니다, .

이와 같이 막대한 연구개발비가 소요되는 반도체 기술개발의 특수성을 감안하면 우리 연구

소와 같이 제한된 연구인력과 시설 그리고 연구재원으로 다양한 연구과제목표 달성을 위한

실험실 운영방법은 연구생산성 향상이란 의미에서 중요한 요소가 된다고 하겠습니다.

반도체실험실을 운영하고 있는 반도체기술지원센터에서는 이러한 연구생산성 향상이란 목표

에 부응하여 공정운영개발실을 중심으로 수행하여온 년도 공정 및 장비운영 결과를 정리'90

하여 금번 보고서를 발간하게 되었습니다 본 보고서가 반도체 관련 각 연구업무 참여 연구.

원들에게 조금이나마 도움이 되길 바라며 아울러 이번 보고서 작성에 수고하신 임태영 실,

장 이하 공정운영개발실원 여러분과 특히 편집에 많은 수고를 아끼지 않은 박종문 연구원의

노력이 있었음을 알려드립니다.

1991. 9

한국전자통신연구소 반도체 연구단

반도체기술지원센터장

목 차

머 리 말

제 장 서 론1

제 장 공정운영 및 유지업무2

공정운영 및 유지업무의 목표2.1

공정운영 및 유지업무 수행 체제2.2

공정운영 지침 및 공정규격 확립2.3

공정운영 유지내용 및 결과2.4

제 장 장비유지 및 보수업무3

장비유지 및 보수업무의 목표3.1

장비유지 및 유지업무 수행 체제3.2

분야별 장비 특성3.3

주요장비 및 보수업무 수행내용3.4

장비개조 및 운용개선 사례3.5

제 장 재고관리 업무4

재고관리 업무의 목적4.1

원부재료 수불업무 수행체제4.2

주요부품 및 재료의 사용현황4.3

제 장 안전관리 업무5

안전관리 업무의 목적5.1

안전점검5.2

안전관리용 장비 설치5.3

안전교육5.4

제 장 관리업무6 RUN

관리업무의 목적6.l RUN

실험실 작업의뢰 절차6.2

실험실 작업종료 절차6.3

진행 현황6.4 RUN

수행결과 및 분석6.5 RUN

제 장 실험실 관리업무7

실험실 관리업무의 목적7.1

실험실에서의 각종 준수사항7.2

반도체 실험실 청정현황7.3

청정관리용 재료사용 현황7.4

정상근무시간외 실험실 이용절차7.5

실험실 방문 및 견학 절차7.6

제 장 결 론8

서 론1.

한국전자통신연구소 내에는 각종 반도체소자 개발에 관련된 기술들을 연구하기 위해 약 220

평으로 구성된 반도체 실험실을 운영하고 있고 이곳에서는 정도의 설계 규격을 갖는1.2um

반도체소자를 개발할 수 있는 각종 공정장비 약 억원 가 년 말경에 설치 완료되어 소( 70 ) 1987

자 개발업무에 활용 중에 있다.

반도체 산업을 혹자는 장비산업이라고 칭할 정도로 소자를 설계 가공 시험하는 과정에는, ,

수많은 장비와 이에 관련된 기술들이 게재되어 있으며 특히 소자의 고집적화에 따른 반도,

체 공정용 장비는 전자동화 고정 화 고생산성화 추세로 개발 생산되고 있는 실정으로 이, , ,

를 운영하는데 있어서도 더욱 전문적인 지식이 요구된다 이러한 반도체 공정장비를 이용한.

각종 반도체 소자를 개발하는데 있어 장비의 특성 파악 등 장비에 관련된 운용기술을 바탕,

으로 한 정상적인 장비 동작상태 유지와 적정 공정조건 설정 그리고 정확하고 재현성 있는,

공정운영이 필수적으로 뒷받침되어야 한다 즉 이러한 반도체 장비 및 공정의 운영 유지업.

무는 제반 반도체 소자개발사업의 주춧돌로서 기초가 튼튼할수록 그 위에 쌓여지는 제반 개

발사업이 의미 있게 이루어질 수 있는 중요성을 갖는다.

이 보고서는 년도 공정장비운용실에 주어진 공정 및 장비의 운영기술 개발에 관한 업무'90

의 수행 내역 및 결과를 정리한 것이며 이는 일일업무일지 장비운영일지 작업진행표, , , (RUN

등에서 관련 자료를 발췌 참조한 것이다 먼저 장에서는 기 확립된 공정조건의 유Sheet) , . 2

지업무와 확립된 공정조건을 이용하여 웨이퍼를 직접 가공하는 공정운영업무 분야를 다루었

으며 장에서는 정상적인 장비가동을 위한 일련의 예방정비 고장수리 장비개조 개선 등, 3 , ,

장비유지 보수업무 분야를 장에서는 실험실 운영에 사용되는 각종 재료 및 부품을 적정수4

준으로 확보 및 관리하는 업무인 재고관리 업무분야를 장에서는 실험실내에서 사용되는 각5

종 연구장비 및 특수가스 화학약품 등의 안전운영을 위한 안전관리 업무분야를 그리고 장, 6

에서는 효과적인 실험실운영을 위해 각종절차를 확립하여 운영한 작업관리 업무분야와 장7

에서는 실험실의 청정을 유지하기 위한 실험실관리 업무분야를 마지막으로 장에서는 결론8

을 각각 나타내었다.

끝으로 본 보고서를 통하여 공정 및 장비의 운영기술 확립은 반도체 관련 사업의 토대가 되

는 업무로써 그 중요성을 인식하는 계기가 되기를 바라며 또한 단외 및 소외에서 반도체,

실험실을 이용함에 있어 많은 참고가 되길 바란다.

공정운영 및 유지업무 분야2.

공정운영 및 유지업무의 목표2. 1

반도체 연구 장비가 설치 가동됨에 따라 개별 연구 장비의 특성 조사를 통하여 균일성 및,

재현성 있는 공정이 이루어질 수 있도록 공정변수인 가스량 온도 압력 시간 등을 변화시, , , ,

키면서 최적의 공정조건을 찾아야 한다 이러한 최적 공정조건 하에서 연구 장비를 가동함.

으로써 신뢰성 있는 연구개발을 수행할 수 있으며 아울러 반도체 소자제조 과정의 부분 공,

정 및 종합 공정을 연구개발을 수행할 수 있으며 궁극적으로는 높은 수율을 갖는 반도체,

소자의 제작이 가능하다 년도에는 와 소자제조를 위한 공정. '89 1.25um CMOS 2.0um SSA

조건 확립으로 개별소자의 제작실험이 가능하게 되었고 이를 바탕으로 년도에는 의, '90 IC

제작이 이루워질 수 있도록 필요한 공정조건의 추가 개발 및 이의 안정화에 주안점을 두어

정도의 수율을 얻도록 하는 것을 목표로 하였다10% .

공정운영이란 개별 반도체 연구 장비를 이용하여 기 설정된 공정조건을 활용한 반도체 소자

제조작업을 직접 수행하는 일련의 행위 과정을 말한다 하나의 연구장비에서 완료되는 공정.

을 공정수라 할 때 년도에는 공정 수를 수행할 것을 목표로 하였다1 '90 7500 .

공정 운영 및 유지업무 수행 체제2. 2

년도에는 공정운영 인력의 주체가 반도체 연구단에 소속된 공정관련 연구원 약 명으로'89 50

구성된 이였다 일정기간 동안 교대로 공정운영을 수행하는 과정에서 각 소속Expert group .

부서가 다름에 기인한 지휘체계와 정보전달 측면에 있어서 효율적인 운영에 어려움이 있었

으나 년도 반도체 기술지원센터의 수탁사업 감축 방침에 따라 수탁사업에 관련된 일부, '90

인원을 공정장비운용실의 공정 및 장비의 운영 유지업무에 배치되면서 표준공정개발실원과

함께 기술분야별로 팀 운영체제를 갖출 수 있었다.

새로 개편된 이 체제에서는 소속 부서가 달라 발생되었던 지휘체계 및 정보전달에 있어서의

비효율성을 개선할 수 있었으며 또한 일정기간을 교대로 공정운영업무를 수행했던, Expert

체제보다도 실험실에 상주하여 공정운영업무를 수행함으로서 사용장비에 대한 공정Group , ,

원리와 장비기술을 이해하는데 훨씬 효율적이었다 따라서 장비수리 측면의 업무에 있어서.

도 더욱 효과적으로 수행할 수 있는 바탕이 되었고 또한 운영 업무를 수행하는데 있어 많,

은 기여를 한 것으로 사료된다.

그림 공정 및 장비운영유지를 위한 조직체계도 기술 분야별 팀제( 2-1) ( )

공정운영 지침 및 공정규격 확립2. 3

공정운영 지침 확립2. 3. 1

공정장비운용실원들은 대부분 반도체 연구장비를 직접 운영하는 업무를 주로 수행하기 때문

에 좀더 효과적이고 정확한 공정운영이 되도록 하는데 있어서 경험을 바탕으로 한 기반적인

인력이라고 할 수 있다 이러한 공정방비운용실의 주축이 되어 운용지침을 준비하고 이에.

준해 작업을 수행하였으며 에는 이를 여 페이지의 공정운영수칙 이라는 제목으로, '90.10 200 " "

책자화 하였다.

공정운용지침을 확립함으로써 관련연구업무 수행시 작업수행에 많은 도움을 줄 수 있게 되

었을 뿐만 아니라 공정운영의 재현성 및 정확성을 기여할 수 있으리라 사료된다.

그리고 신입소원을 위한 반도체 공정 및 장비작동법 이라는 책을 제작하여 반도체 실험실" "

내에서 이루어지는 반도체 공정 및 장비 작동법을 처음 배우는 사람들에게 도움이 될 수 있

도록 하였다.

공정규격 확립2. 3. 2

년도에 어느 정도 공정결과를 나타낸 각종 공정조건들을 정리하여 각 공정조건들에 대해89

고유번호를 부여한 내용을 담은 반도체 공정규격 종합 이라는 책을 년 월에 발간하" (I)" '90 6

였다 이것은 차로 확립한 공정규격으로 모든 실험 의 공정단계에는 해당 공정의 고유. 1 Run

번호를 기재하게 함으로서 정확하고 효율적인 작업수행이 이루어지는데 도움이 되도록 하였

다 또한 공정규격서에 등록되지 않는 공정조건을 이용한 작업을 수행하고자 할 경우에는.

적용장비에 이상을 발생시킬 수 있는 공정수행을 사전에 방지하기 위한 작업의뢰 절차시 관

련 분야의 기술담당자와 충분한 협의를 거치도록 하는 제도를 확립운영 함으로써 다수를 위

한 장비의 안정화를 도모하였다 또한 기 등록된 공정조건보다도 더욱 좋은 결과를 나타내.

는 공정조건에 대해서는 언제든지 등록 개정할 수 있도록 하였다 아무튼 이러한 공정규격, .

을 확립하여 운영함으로써 안정되고 효과적인 반도체 소자제작 업무를 수행하는데 많은 기

여를 한 것으로 사료된다.

공정운영 유지 내용 및 결과2. 4

반도체 장비별 용도 및 사용률2. 4. 1

현재 본 연구소 반도체 실험실에는 표 에서 볼 수 있는 것과 같이 외< 2-1> stepper Sys.

여종의 주요 장비가 있으며 고가의 장비들임을 알 수 있다40 , .

또한 본 장비들은 모두 대로 구성되어 있어 개별공정의 종합으로 이루어지는 반도체 소자1

제작작업 특성상 한대의 장비에 이상이 발생시에는 전체의 공정흐름에 영향을 끼침으로 장

비의 가격에 관계없이 모든 장비가 중요성을 갖는다.

표 은 반도체 실험실내의 주요 공정장비에 대한 공정사용 율을 나타낸 것이다 이는< 2-2> .

년도에 투입된 개의 을 대상으로 하여 각 장비에 대한 사용 율을 발췌한 것이다'90 449 RUN .

표 에 기재되어 있는 여러 항목이 의미하는 내용은 다음과 같다< 2-2> .

공정 사용시간 년도에 투입된 총 에서 추출한 해당 장비별 공정사용 시간; '90 449 RUN•

을 나타냄.

사용횟수 년도에 투입된 총 에서 추출한 해당 장비별 공정사용 횟수를 나; '90 449 RUN•

타냄 재작업의 경우도 포함된 것임. ( .)

공정 수 및 공정빈도 율 년도에 투입된 총 에서 추출한 개별 분야별 공정; ‘90 449 RUN•

수 및 전체 공정 수 에 대한 백분율 웨이퍼 장 단위로 공정수 계산(9218) ( 10 )

년간 장비 가동 율 ;•(년간장비가동시간-부품교환및수리시간 )

년간장비가동시간 ×100%

년간 공정 사용 율 ;•(RUNsheet에서추출한공정시간)

년간공정시간 ×100%

공정 수행방식 ;ㆍ 방식 웨이퍼 장을 일괄 처리하는 방식Batch 10→

방식 웨이퍼 장씩 처리하는 방식Single 1→

공정 평균시간 회 해당 장비의 공정시간 총계 사용횟수/ ; /•

표 에서 알 수 있듯이 전체 반도체 흐름공정 중에 병목 현상이 발생되리라 예상할< 2-2>

수 있는 장비로는 식각분야의 과 사진전사분야의QUAD 484 Dry Etcher sys. Coater,

등으로 다른 장비들에 비해 공정사용율이 높다developer sys, Stepper sys. .

단 확산분야의 의 경우 의 공정사용율을 나타내고 있는데 이는 공정시간이 길tube #14 86%

뿐만 아니라 웨이퍼 장 단위로 작업이 수행되기 때문에 사용빈도 수는 낮지만 공정사용율50

은 높게 나타난 것으로 사료된다 반면 급속열처리 장비 는 공정사용율이 의 사용. (RTP) 1%

률을 나타내고 있어 연구개발용 장비임을 알 수 있다.

표 반도체 공정장비 현황< 2-1>

표 반도체 연구장비별 공정사용 현황< 2-2>

분야별 공정소요시간 산출2. 4. 2

반도체 공정분야를 개 분야 즉 사진전사분야 확산분야 박막분야 식각분야로 나누어 각4 , , , ,

분야별 주요장비의 공정적용시 소요되는 공정시간을 정리하여 도표화하였다.

사진전사분야2. 4. 2. 1

표 에서 볼 수 있는 의 공정시간은 정렬작업 시행여부 웨이퍼 내에< 2-3> Stepper system ,

삽입되는 의 많고 적음 그리고 적용하는 감광막의 성분 존재여부 이 일반chip , Dye (Dyed PR

보다 약 두배정도의 노광시간이 요구됨 등에 따라 각각 웨이퍼 한 장을 처리하는데 소요PR )

되는 시간이 달라지도록 하였다.

확산분야2. 4. 2. 2

표 에서 볼 수 있는 에 적용되고 있는 공정규격 별 공정소요시간< 2-4> Furnace Sys. (Recipe)

은 주로 산화막 두께 정도에 따라 시간에서 시간까지 소요되며 다른 분야의 공정보다도3 20 ,

장시간이 소요됨을 알 수 있다 산화막 성장공정이 아닌 공정은 시간 정도 소요된다. Alloy 1 .

또한 을 사용한 이온주입 공정은 이온원의 도즈 양에 따라 공정 소요시간Implant Sys. (Dose)

이 좌우된다.

박막분야2. 4. 2. 3

표 에서 볼 수 있는 박막분야의 에 적용되는 공정규격< 2-5> LPCVD, PECVD Sputler Sys.

별 공정소요시간은 주로 증착되는 박막의 두께에 좌우되고 있다.

식각분야2. 4. 2. 4

표 에서 나타내고 있는 식각분야의 공정규격별 공정소요시간은 주로 산화막 및 실리< 2-6>

콘 식각공정에서 많은 시간을 요구하고 있다.

이는 식각되는 박막의 두께가 상대적으로 다른 박막에 비해 두껍기 때문이다 표 에. < 2-6>

서 볼 수 있는 공정규격명 는 산화막 는 질화막 는 다결성 실리콘막 식각을 각각OX , NI , PO

의미하며 그리고 는 트랜치 식각 은 평탄화 식각을 나타낸 것이다SI , PL .

표 사진전사공정< 2-3> Time Table

Stepper System

Align여부

수Chip 적용 PR 공정시간Min/EA

정리작성File 공정검색,실험

Reticle,A.운용

No 많음 Normal 4

No 많음 Dyed 6 발생시* 발생시*

No 적음 Normal 3 분 건120 / 분Reticle Align:10

No 적음 Dyed 5 평상시* 운용 분Stepper :10

Yes 많음 Normal 5 분 주120 /

Yes 많음 Dyed 7 평상시*

Yes 적음 Normal 4 분 주120 /

Yes 적음 Dyed 6

M.T.I System

항 목 N.PR Coat D.PR Coat P.E.B H.B Develop 기타 일 주(5 / )

공정시간 분 장3 / 분 장4 / 분 장3 / 분 장4 / 분 장4 / 분 일30 / PR Check

Wet Station & Spin Dryer

항 목 Power Strip 1165 Strip Manual Develop 기 타

공정시간 분 건30 / 분 건30 / 분 건30 / 분 주 자체활용180 / ;

Oven System

항 목 모든 포함 적용시 재작업포함D.H.B. HMDS, H.B , Dry Etch 기 타

공정시간 건수 분×2×50 분 주 자체활용180 / ;

표 확산공정< 2-4> Time Table

표 박막공정< 2-5> Time Table

표 식각공정< 2-6> Time Table

Dry Etcher QUAD-484

Wet Station #2, #5

WT02 OX-01 Etching Time+Cleanning Time+Drying Time+Inspection=72 Min

WT02 PR-01 Etching Time+Cleanning Time+Drying Time+Inspection=72 Min

WT05 NI-01 Etching Time+Cleanning Time+Drying Time+Temp Time+Inspection=210 Min

Dry Etcher SWE-654

DR02 AL-01 작업준비 장비준비+ +Recipe Check+Monitor Check+Etch Time+Cleanning

Time+Inspection=210 Min

PR Striper SPS-2000

PR-01 작업준비+Recipe Check+Etch Time+Inspection=20 Min

PR-04 작업준비+Recipe Check+Etch Time+Inspection=60 Min

분야별 공정운영 유지 내용2. 4. 3

사진전사분야*

사진전사분야의 공정은 감광막 도포 및 연화열처리 정렬 및 노광 노광 후 열처리 현상 경, , , ,

화열처리 등 여러 개별공정으로 이루어지는 일종의 모듈 공정이다 따라서 공정운영은 직접.

손으로 처리해야 하는 수작업이 많게 되고 공정규격유지 업무수행에 있어서도 여러 개별공,

정이 복합적으로 서로 연관되어 있기 때문에 다른 분야에 비해 상대적으로 어려움이 있는

분야이다 또한 실험실내에서 수행되고 있는 이십 종 이상의 소자별로 그리고 각 소자당 평. ,

균 십여 개의 레이어 별로 각각 적정 공정조건이 다르게 존재하는 특성이 있다 이러한 특.

성을 감안하여 사진전사 기술팀에서는 사진전사 작업 후 작업결과인 선폭 정열정도 노광시, ,

간 정렬기준 등 각종 자료를 로그시트 첨부 과 첨부 에 기록하여 다음 작업에 참, [ 1.l.1] [ 1.1.2]

조가 되도록 하였다 최종적으로는 이러한 자료를 바탕으로 소자별 공정규격서를 작성하여.

이를 작업수행에 직접 활용할 수 있도록 함으로써 재작업 발생 율을 줄일 수 있었다 그리.

고 적정공정규격을 유지하는 방안으로 공정성능에 직접적으로 영향을 주는 몇 가지 항목에

대하여 정기적인 공정 모니터링 첨부 을 실시하였으며 포토 룸 내에 보관 활용[ 1.1.8-1.1.10] , ,

되고 있는 이십 종 이상의 소자별 레티클에 대한 각종 정보를 정리하여 적절히 이용함으로

써 효율적인 작업운영이 되도록 하였다 그렇지만 현재 실험실에서 사진전사분야의 공정수.

행 결과를 확인하는 용도로 사용되고 있는 선폭 측정장비 는 실험실에서 제(CD mears. Sys)

작되고 있는 설계 규격의 선폭을 장비의 성능상 측정할 수 없는 관계로 불가피하1.25um IC

게 의 선폭을 측정하여 작업결과를 확인하고 있는 실정이다 여기서 선폭측정은 사진2.0um .

전사분야의 작업수행 결과를 확인할 수 있게 할 뿐만 아니라 사진전사분야의 공정개선 및

제작완료된 소자의 특성분석에 있어서도 기본이 되는 역할을 수행한다는 점을 감안할 때 성

능이 개선된 사진전사작업용의 선폭측정장비 확보가 요구된다.

또한 정렬 노광장비인 장비는 고유의 정렬방식에 따른 일정 규격의 각종 정렬마크, Stepper

종 개 가 규정대로 레티클 내에 삽입되는 것을 요구하고 있다 만약 이러한 규정에서 벗(5 11 ) .

어난 레티클을 적용한 작업수행은 여러 가지 문제점을 발생시키며 경우에 따라선 레티클을

재 제작하여야 할 경우도 발생된다 이러한 레티클 제작이상이 작업진행 과정에 발견되어.

효율적인 실험실운영에 있어 종종 문제점을 노출시켰던 바 이러한 문제점을 추후 새로 개,

발되는 소자부터는 실험실내에 투입 전에 반드시 레티클 점검 절차를 거치도록 하여RUN

효과적인 실험실 작업이 될 수 있도록 하는 절차를 수립하여 운영하였다.

이는 레티클 제작 상에 이상이 확인될 경우에는 재 제작에 필요한 시간을 더 많이 제공할

수 있게 할 뿐만 아니라 점검과정에서 추출되는 여러 자료 및 정보는 사진전사작업 수행과,

정에 직접적으로 활용될 수 있는 것들로 효율적인 사진전사작업이 이루어지는데 기여될 수

있기 때문이다.

레티클 제작의 이상 여부를 확인하는 절차는 다음과 같다.

레티클 점검용 작업의뢰서 작업 첨부 및 레티( 1.1.3)

클내의 각종 정보 첨부 를 작업 담당자에게 주( 1.1.4)

작업 일전 까지 제출한다10 .

작업의뢰자←

↓

레티클 점검용 작업의뢰서 및 레티클내의 각종 정

보를 확인한다.작업관리 담당자←

↓

레티클 점검용 작업의뢰서 및 레티클내의 각종 정

보를 사진전사팀의 작업 담당자에게 인계한다.작업관리 담당자←

↓

레티클 점검작업을 실시한다. 작업수행자←

↓

각종 점검내용을 정리하여 그 결과를 작업의뢰자에

게 통보한다 양식은 첨부 참조.( 1.1.6 )작업수행자←

표< 2-7> PHOTO DEVICE RECIPE LIST

일자 : 1990. 08.

공정장비운용실 사진전사팀.

NO. GROUP DEVICE NAME 작 성 일 FILE NAME 비 고

01

S.S.ADEVICE

565MUX((ED8803) SSA 90. 08. 03 ED83

02 4K SRAM(EP8804) SSA 90. 08. 03 EP84

03 SPACE SW(EP8805) SSA 90. 08. 03 EP85

04 TEG(ESSA5-3) SSA 90. 08. 03 TEG

05 TEG(ESSA5-4) SSA 90. 08. 03 TEG4

07 ECL 500 GT ARRY EP9001 90. 08. 03 EP90

08

CMOSDEVICE

TW-TUB CMOS GATE ARRY 90. 08. 03 GARY

09 DUAL PORT SRAM(ED8901) 90. 08. 03 DPS

10 4M(TEST PATTERN) 90. 08. 03 4M

11 4K DRAM 90. 08. 03 4K

12 STD CMOS(3UM) 90. 08. 03 STD

13 CMOS TEST(EC8801) 90. 08. 03 EC81

14 CMOS TEST(EC8901) 90. 08. 03 EC89

15 CMOS TEST(ER001) 90. 08. 03 ER01

16 U-INTERFACE(EC9001) 90. 08. 03 EC90

17 S-INTERFACE(EC9002) 90. 08. 03 EC92

18 MPWDEVICE

소내 MPW(GA8901) 90. 08. 03 MPW

19 소외 MPW8801, 8802 90. 08. 03 AMPW

20BI-CMOSDEVICE

ER-BICMOS 90. 08. 03 BIC

21 BICMOS GATE ARRY(BGAl) 90. 08. 03 BGA

22 BICMOS(BCM) 90. 08. 03 BCM

23기 타

MLM(MULTI MET) 90. 08. 03 MLM

24 DRAM CELL(DC01) 90. 08. 03 DC01

각 소자별 내용은 부록 참조( Recipe )

표< 2-8> RETICLE STOCK LIST

90. 08. 09 공정장비운용실 사진전사팀.순서 DEVICE NAME 명RETICLE 제작부서RETICLE 장수 인계자 인수자 일 자 보관장소 기타

01 TEST PATTERN SUMI 화합물소자연구실 5 이진희 박종문 87. 07 PHOTO RM

02 4M DRAM, TEST 4M 기억소자개발 실2 15 이규흥 박종문 88. 06 PHOTO RM

03 565 MUX ED8803 공정개발실 15 채상훈 박종문 88. 09 PHOTO RM

04 4K SRAM EP8804 공정개발실 17 구용서 박종문 88. 10 PHOTO RM

05 SPACE SWITCH EP8805 공정개발실 16 구용서 박종문 88. 10 PHOTO RM

06 TEG ESSA5-3 공정개발실 19 김귀동 박종문 88. 10 PHOTO RM

07 CMOS(TEST) ER001 박막기술연구실 9 노태문 박종문 88. 11 PHOTO RM

08 CMOS(TEST) EC8801 박막기술연구실 9 노태문 박종문 88. 12 PHOTO RM

09 CMOS(TEST) EC8901 박막기술연구실 11 노태문 박종문 89. 01 PHOTO RM

10 CMOS(3um) STD 통신소자개발실 9 김광수 박종문 89. 03 PHOTO RM

11 BI-CMOS ER-BICMOS 통신소자개발실 16 김광수 박종문 89. 07 PHOTO RM

12 4LAYER METAL ETRI 4LM 화합물소자연구실 8 이진희 박종문 89. 07 PHOTO RM

13 TEG ESSA5-4 공정개발실 17 김귀동 박종문 89. 07 PHOTO RM

14 소내MPW( ) GA8901 자동설계 기기연구실 12 오창준 박종문 89. 08 PHOTO RM

15 BI-CMOS BCM 통신소자개발실 11 백규하 박종문 89. 11 PHOTO RM

16 소외MPW( ) MPW8801 자동설계응용연구실 9 권종기 박종문 89.11.16 PHOTO RM

17 소외MPW( ) MPW8802 자동설계응용연구실 10 권종기 박종문 89.12.20 PHOTO RM

18 BIC GATE ARY BGA1 통신소자개발실 11 현진일 박종문 90.01.03 PHOTO RM

19 4K DRAM 4K 기억소자개발 실1 13 이규홍 박종문 90.01.16 PHOTO RM

20 CMOS GT ARRY TW-TB ARRY 박막기술연구실 20 윤용선 박종문 90.02.09 PHOTO RM

21 DL PORT SRAM ED8907 박막기술연구실 10 윤용선 박종문 90.02.09 PHOTO RM

22 MULTI LY MET MLM 박막기술연구실 10 허성익 박종문 90.02.24 PHOTO RM

23 DRAM CELL DC01 기억소자개발 실2 4(14) 강원구 박종문 90.04.02 PHOTO RM 미입

24 2.0 GATE ARY EP9001 공정개발실 14 채상훈 박종문 90. 03 PHOTO RM

24 U-INTER AIC EC9001 공정연구실 15 윤용선 박종문 90.04.02 PHOTO RM

25 S-INTERFACE EC9002 아날로그회로개발실 1(11) 이종렬 박종문 90.08.08 PHOTO RM 미입

각 별 자세한 내용은 부록 참조( Reticle )

확산 분야*

반도체 소자제작 과정에서 산화막 성장 확산 열처리 공정 등 확산분야 기술은 사용빈도가, ,

일반적으로 다른 기술분야에 비해 높으며 본 실험실내의 확산분야의 장비로는 확산 전기로,

이온 주입기 급속 열처리기(Diffusion Furnace), (Ion Implanter), (Rapid Thermal Processer)

등이 있다 이중 확산 전기로는 개의 튜브 로 구성되어 있으며 산화막 성장 공정에. 8 (tube) ,

적용시 장 최대 장 의 만 균일도 측면을 고려하여 적용되고 있다 특히 이 장25-50 ( 100 ) Wafer .

비는 주 컴퓨터 내의 키보드 만을 이용하여 미리 입력된 공정규격에 대한(PDP-II) (keyboard)

공정을 수행할 수 있도록 자동화되어 있다 한편 공정의 히정수준 유지를 위한 공정모니터.

링은 공정수행 후 공정결과를 확인하는 모드의 수시점검 첨부 과 정기적으로 주In-Situ [ 1.2.2]

요 공정 항목에 대하여 점검하는 정기점검 표 으로 나누어 실시하였으며 주로 박막< 2-9> ,

두께 측정장비와 면저항 측정기를 이용하여 공정결과를 확인하였다 그러나 이온주입기의.

공정 모니터링 방법은 현실적으로 어려움이 있어 방법을 계속 강구 중에 있는 실정이며 또,

한 용의 본 이온주입기의 특성상 이온 주입량이Medium current 10l5개 이상의 높은 도/cm2

즈 량을 요구하는 공정에 대하여서는 불가피하게 외부 관련 기업체 에서 수행하고 있(Dose) ( )

는 실정으로 근본적인 대책수립이 요구된다 그리고 특히 산화막 성장공정. (Pyrogenic

에 있어선 산소와 수소의 공급비율의 조절 실험을 통하여 기존 공정의 재현성 균oxidation) ,

일도 정확도를 개선하여 공정의 안정화에 기여한바 있으며 또한 시의 확산 전기, , Stand-by

로의 온도를 도에서 도로 낮추어 유지시킴으로서 에너지 절약에 기여한 점 등이 운영700 400

기술 측면의 주요 개선사항일 것이다 마지막으로 확산 전기로에는 여 종류의 공정규격이. 70

확립되어 운영되고 있지만 각종 반도체 소자의 개발에 있어선 부족한 실정으로 다른 기술분

야에 비해 연구업무가 좀더 활발히 진행되고 있으며 또한 좀더 많은 관심이 요구되는 기술

분야 중 하나라고 사료된다.

표 확산분야 정기 공정모니터링< 2-9>

박막 분야*

박막기술 분야는 반도체 소자제작 과정에서 각종 박막을 증착시키는 공정분야로 본 반도체

실험실내에는 저압 화학증착기 프라즈마 화학증착기 스퍼터링 장비(LPCVD), (PECVD),

등이 있다 여기서 저압 화학증착기내에는 개의 튜브가 있으며 각각(Sputtering sys.) . 4 Poly

등의 박막 증착용으로 지정하여 사용하고 있으며 앞의 확산 전기로Si, Nitride, TEOS, LTO ,

와 마찬가지로 컴퓨터의 키보드만을 이용하여 작업을 수행할 수 있도록 자동화되어 있다.

그리고 프라즈마 화학증착기는 등의 박막을 증착시킬 수 있는Oxide, Nitride, Selective W

장비이나 현재는 박막만 공정규격을 확립하여 사용 중에 있다 효율적인 장비 활용측Oxide .

면에 있어 빠른 시일 내에 나머지 박막에 대해서도 공정규격확립이 운영되어야 할 것으로

사료된다 스퍼터링 장비에서는 등의 박막증착이 가능하며 각각 공. TiSi2.6, Tiw, Al 1% Si ,

정규격이 확립되어 운영 중에 있다.

특히 박막분야의 공정규격의 종류 박막두께 별 를 살펴보면 공정시간만 변화시켜 여러 종류( )

의 공정규격을 구성하고 있는 특징이 있으며 공정의 일정수준을 유지하기 위한 공정모니터,

링은 각 장비 특성별로 방법에 있어 약간의 차이는 있지만 실험 에서 공정결과를 확인Run

하는 의 수시점검 첨부 과 표 과 같은 일정 항목에 대하여In-Situ mode [ 1.3.1-1.3.5] < 2-10>

정기적으로 점검하는 정기점검으로 구분하여 실시하였다.

표 박막분야 정기 공정모니터링< 2-10>

건식식각분야*

건식식각공정은 마스크층에 의해 정의된 박막을 선택적으로 제거하는 기술이다 이때 제거.

되고 남은 영역의 박막이 소자의 일부를 구성하게 되어 소자의 특성에 영향을 미친다 한편. ,

일단 식각 공정이 수행된 후 재작업이 불가능하므로 공정시 주의가 요구된다 생산 설비인.

경우에는 특정 장비를 이용하여 지정된 박막만을 식각하므로 장비의 상태를 일정하게 유지,

하는 것이 용이하며 이로 인해 재현성 있는 공정수행이 가능하다, .

이에 반해 현재 실험실에서는 제한된 장비로 여러 종류의 박막을 식각해야 하며 다ETRI ,

양한 소자류 개발이 진행됨에 따라 식각 특성도 다양하게 요구되고 있다 이를 만족시키기.

위하여 장비의 상태는 식각 물질에 따라 수시로 변해야하며 이로 인해 식각 재현성의 확보,

는 그만큼 어려워지는 실정이다 이는 제작된 소자특성의 재현성을 확보하기 위해서 식각공.

정시 배전의 노력이 수반되어야 함을 의미한다 이에 따라 식각이 요구되는 박막과 동일한.

시료를 먼저 식각하여 식각 특성을 확인한 후 소자 제조공정을 수행하여 재현성 있는 식각

공정확보에 주력하였다 그 결과 다양한 공정을 수행하는데 비하여 안정된 공정을 수행하였.

으나 작업 수행 시간이 증가하여 에 지장을 초래하기도 하였다 한편 사용 가능한run flow .

웨이퍼 크기의 차이에 의해 사용 중단 중이던 식각 장비를 인치 웨이퍼Balzers SWE 654 5

에서 사용이 가능하도록 개조하여 현재 수행중인 에서 막의 식각 기능Quad 484 Al(1% Si)

을 에서 수행하도록 하였다 그러나 에서 막의Balzers SWE 654 . Balzers SWE 654 Al(1% Si)

식각을 수행한 결과 식각 가스에 의해 형성된 가 감광막 제거 공정에서 제거되지polymer

않는 문제점이 야기되었으며 이를 용액을 이용한 공정을 수행하여 제, power strip wet strip

거하였다 그 결과 에서 식각하는 경우 안정적인 식각성능의 확보가. Quad 484, chamber 4

어려웠던 식각을 장비를 사용하여 좋은 식각결과를 얻을 수 있었다 한Al(1% Si) Balzers .

편 식각시 유발되기 쉬운 이 여러 장의 웨이퍼를 연속적으로 식각하Al(1% Si) PR burning

는 경우 번째 웨이퍼에서 발생하였다 이를 억제하기 위하여 현재 에 장씩 식각하여10 . 1Lot 5

전체 공정에 소요되는 시간이 상당히 증가하고 있다 이런 현상을 배제하고 를 원. run flow

활하게 하기 위해서는 감광막의 고온 열처리를 가능하게 하는 이 도입DUV curing system

되어야 한다 한편 에 집중되어 있는 를 분산하여 장비의 효율적인 운용과 미. Quad 484 load

세 선폭의 식각 기술을 확보하기 위하여 미세 선폭의 가공이 가능하고 식각 성능이 우수한

장비의 도입을 추진중이다.

분야별 공정운영 및 유지 결과2. 4. 4

공정운영 결과*

표 은 년도에 각 기술별로 수행한 작업현황을 월별로 정리한 것이다 년초 및 년< 2-11> 90 .

말의 공정수행 결과가 다른 달에 비해 상대적으로 작게 나타나고 있다 이는 공정운영 체제.

변화시점 및 과제 종료시점에 기인되는 현상으로 사료된다 분야별 공정수행 결과를 살펴보.

면 확산분야가 다른 분야에 비해 많이 수행한 것으로 나타나 있다 이는 확산분야의 주 장.

비인 확산 전기로 장비는 튜브별로 여러 가지 공정을 동시에 수행할 수 있도록 되어 있을

뿐만 아니라 확산 공정에 적용되기 전에 필수적으로 행하여야 할 세척공정이 하나의 공정,

으로 산정되기 때문이다 반면 식각분야는 상대적으로 적은 공정수행결과를 나타내고 있는.

데 이는 반도체 소자제작 공정과정에서 식각분야에 적용되는 공정수가 다른 분야에 비해,

적기 때문에 발생된 결과로 보인다.

표 각 팀별 월별 작업현황< 2-11> ,

공졍유지결과*

기술분야별 주요 공정유지 결과는 표 에서 와 같다< 2-12> <2-15> .

그림 리소그라피 표준 모듈공정 흐름 및 공정조건( 2 -2)

표 사진전사분야 공정유지 결과 단위< 2-12> ( : m)μ

표 박막분야 주요 공정유지 결과< 2-13>

표 확산분야 주요 공정유지 결과< 2-14>

표 식각분야 주요 공정유지 결과< 2-15>

장비유지 및 보수 업무3.

장비유지 및 보수 업무의 목표3.1

반도체 실험실내에서 사용되는 각종 공정 및 측정장비의 가동률을 이상 유지하여 장비90%

의 효율적인 운영을 유도함과 아울러 궁극적으로는 각종 소자개발업무에 있어 필수적으로

확립되어야 할 공정의 안정화에 기여하는 것을 목표로 한다.

장비유지 및 보수업무 수행 체제3.2

반도체 실험실내의 각종 장비의 비정기적인 고장발생시 신속하고 효과적인 고장수리가 될

수 있도록 장비보수 및 유지에 관한 체제를 확립하는 것이 중요하다 따라서 개의 기술분. 4

야별로 해당장비를 운영하는 인원이 고장발생시 차적으로 수리업무를 수행하고 여기서 수1

리가 안되면 차 보수팀인 공정장비운용실의 장비관리팀이 수리를 하도록 하였다 여기서도2 .

해결을 못하면 차 보수로 수리용역 전문업체에 수리를 의뢰하는 체제를 확립 운영하였다3 .

이러한 장비유지 보수체제를 확립하여 운영함으로서 장비가동율을 이상으로 유지하는90%

데에 있어 많은 기여가 되었을 것으로 사료된다.

개의 기술분야별 팀원4 차 보수1

↓

공정장비운용실 장비 관리팀 차 보수2

↓

수리용역 전문업체 의뢰 차 보수3

↓

그림 장비보수 및 유지업무 수행 체계도( 3-1)

분야별 장비특성3. 3

사진전사분야의 장비특성3. 3. 1

웨이퍼에 마스크의 형상대로 회로를 구성하기 위한 계통으로 웨이퍼에 감광막을 도포시키는

감광막 도포기 정렬노광장비 현상장비(MTI TARGE tack sys.), (NSR 1505G3A), (MTI

기타 건조장비 및 선폭측정장비 현미경 등으로 되어있다TARGE track sys.), , .

이중 정렬노광장비는 반도체 공정에 있어 가장 핵심 되는 장비로 본 실험실에는 해상도

및 정렬정확도 정도의 성능을 갖는 스테퍼 장비를 갖추고 있다 이 장비는1.0um 0.15um .

정렬 및 노광작업을 위한 각종 렌즈들의 정교한 조합으로 이루어진 본체 부와 각종 동작을

제어하는 제어부 그리고 일정 온도로 유지하고 을 차단할 목적으로 구성된 쳄버 등, Particle

으로 이루어져 있어 보수업무에는 상당한 경험과 전문적인 기술이 요구된다.

특히 예방정비를 목적으로 하는 각종 정기적인 장비점검이 요구되며 정렬정도에 크게 영향

을 주는 스테이지 에 관련된 예방정비업무는 가장 중요한 요소이다(Stage) .

확산분야의 장비특성3. 3. 2

웨이퍼 표면에 산화막을 입히거나 불순물을 확산시키는 공정에 적용하는 장비들로 산화막을

성장시키는데는 전기로가 사용되지만 불순물을 주입하는데 있어 열적인 방법으로 적용되는

전기로와 고전압을 이용하여 불순물 이온을 강제적으로 주입시키는 이온 주입(Ion

장비가 있다 전기로는 웨이퍼가 장입되는 석영관과 공정온도 도 및 시Implanter) . (900-1200 )

간 그리고 각종 동작을 제어하는 제어 부로 나눌 수 있다 석영관의 경우 보수를 요하는 부, .

품은 아니지만 정기적인 세척이 요구된다 이는 제작되는 각종 소자의 품질에 결정적인 영.

향을 미칠 수 있기 때문이다 또한 이온 주입장비는 수만 볼트의 고전압을 발생하는 부위가.

있기 때문에 각종 안전규칙을 철저히 준수해야 하며 장비유지 및 보수작업에 세심한 주의를

요한다.

박막분야의 장비특성3. 3. 3

웨이퍼 표면에 각종 박막 을 화학적으로 증착시키는 장비들로(Oxide, Nitride, Poly Silicon)

써 주로 가스를 외부로부터 반응실로 인입하여 적용하는데 저압고온을 이용한 화학증착 장,

비 와 프라즈마를 이용하여 저온에서 박막을 형성시키는 프라즈마 화학증착 장비(LPCVD)

가 있다 장비의 구성면에 있어 저압화학증착장비는 고진공을 유지하기 위한 진공(PECVD) .

모듈이 추가되는 점만 제외하고는 앞의 확산분야에서 언급하였던 전기로와 비슷한 구조를

가지만 프라즈마 화학증착장비는 열적인 방법에 의해 박막을 증착시키지 않고 프라즈마를

이용하기 때문에 프라즈마를 발생시키는 모듈이 있다는 구조상의 특성이 있다 이들 장비의.

동작 면에서의 특징은 고 진공과 제어의 정 성이라 할 수 있다 그리고 박막분야에서 빼어.

놀 수 없는 것이 금속막 증착장비 이다 이 장비도 고 진공을 요하는 면에서는 위에서 언급.

한 화학증착장비와 비슷한 특성을 가지지만 증착하고자 하는 금속박막의 소스 를 직(Source)

접 장비 내에 부착하여 물리적인 방법으로 금속박막을 증착하는 면에서는 많은 차이점을 가

진다 특히 이 장비의 유지 보수 면에서는 금속증착챔버 부품 등의 세척 등에 많은 시간을. ,

요하며 세척 후 재조립 과정에서 고 진공의 누출문제에 주의를 요한다.

식각분야의 장비특성3. 3. 4

대부분이 프라즈마 화학반응 장치들로써 활성화된 이온 프라즈마를 이용하여 식각을 수행하

는 장비이다 동작 면에서의 특징은 고 진공과 제어의 정 성이라고 할 수 있다 프라즈마를. .

형성시키기 위해 기계적인 연결 부위의 기 유지가 중요시되고 있으며 등의 취급에, O-ring

특별한 관리를 요하고 있다.

그리고 이 부분의 장비는 특수가스를 많이 사용하고 있어 그 취급 및 배관 연결상태 점검

등 안전관리에 주의를 요한다.

주요 장비유지 및 보수업무 수행내용3. 4

당 연구소의 반도체 실험 내에는 현재 약 여종의 공정 및 측정장비가 실험실 규모로 운영20

되고 있기 때문에 장비고장시 고장장비를 대신하여 공정을 진행시킬 수 있는 보조장비가 전

혀 준비되어 있지 않은 실정이다 따라서 장비의 가동 율을 극대화하여 운영하는 것이 중요.

하다 이를 위해 고장발생 전에 정기적으로 각종 정비 및 점검을 통하여 고장발생을 예방하.

는 예방정비 및 정기점검을 실시하는데 주력하였고 또한 장비수리시 필요한 각종 예비부품,

을 사전에 확보하여 적정수준을 유지하는 것 역시 장비 가동 율을 향상시키는데 있어 중요

한 요소이므로 이에 관련된 업무에 주력하였다 그리고 비 활용 건식식각장비를 개조하여.

활용 가능하게 함으로서 병목현상 상태를 나타내었던 건식분야의 작업물량을 분산시켜 생산

성 향상 및 장비 가동율 향상에 기여하였다.

예방정비 및 일상점검3. 4. 1

대부분의 반도체 연구장비가 서로 다르고 정 화 자동화가 됨에 따라 장비의 특성 및 동작,

원리를 파악하는데 많은 노력이 요구되며 고장 시 수리 및 보정 업무를 수행하는데 있어서,

도 더욱 어려워지므로 가능한 사전에 고장을 방지하는 것이 중요하다.

이를 위해 각 장비별로 특성에 따라 고장발생 가능성을 줄여 줄 수 있는 예방정비 및 일상

정기점검이 요구된다 각 기술 분야별 예방정비 및 일상 정기점검 내역은 다음 표 과. < 3-1>

같다.

표 분야별 장비 예방정비 및 점검내용< 3-1> .

분야 장 비 주 기 주요 예방정비 및 점검내용 사용양식

사진전사분야

Stepper

일1주1주2월1월4

진공압 점검의 종o 4촛점 점검 및 조정o스테이지 정확도 점검o웨이퍼 정렬신호 점검의 종o 6왜곡 현상점검의 종o 5

첨부< >2.1.1-2.1.8

Track 일1 전원 점검의 종o 2 2.1.1

확산분야

IonImplanterStepper

일1주1월1월3년1

진공상태 점검의 종o ACCEL 12웨이퍼 점검 외 종o Clamps 14

의 종o Beam Shutter 11의 종o Ion Source 16

의 종o Tilt Cam 19

2.2.3-2.2.7

Furnace 일1월4-6

상태점검 외 종o Main circuit breaker 20o Tube Cleaning

2.2.1-2.2.2

박막분야

Sputter일1주1월3

상태점검 외 종o Interrup 9의 점검 외 종o Vac Gauge Set point 11

교체o Target2.3.5-2.3.6

PECVD일1주1월1

압 점검 외 종o Dry Air 18외 종o Water box 5의 종o T/C Gauge 8

2.3.2-2.3.4

LPCVD일1주1

비정기

제어상태 외 종o P.N2 12점검 외 종o Change part 1박막증착 종류별o Tube cleaning( 10-20um )

2.3.1

식각분야

Quad 484

일1주1월1월2월6

압 점검 외 종o Comp.Air 17작동상태 외 종o Robot cham.drive 10

외 종o Laser alignment 5외 종o V-Belt tension 1교환 외 종o Chiller tubing 8

2.4.1-2.4.2

Balzers 일1 압 점검 외 종o OFA 20 2.4.3

장비 가동율 현황3. 4. 2

반도체 실험실내의 주요 장비에 대한 년 연간 평균 장비가동율은 였으며 이에 대'90 91.8% ,

한 구체적인 장비별 가동율 현황은 표 에 나타내고 있다 여기서 의미하는 가동율은 총(3-2) .

장비가동시간에서 고장수리 및 예방정비에 소요된 시간을 제하고 남은 시간을 총 가용 장비

가동시간에 대한 백분율로 나타낸 것이다 대부분의 장비가동율은 이상을 나타내고 있. 90%

지만 고 진공을 요하는 장비 계통은 일률적으로 이하의 장비 가동율을 나타내고 있다90% .

이는 고 진공을 요하는 장비일수록 고장수리에 소요되는 시간이 상대적으로 길기 때문이며,

또한 이러한 고 진공을 요하는 장비일수록 장비유지 보수업무가 어렵다는 것을 나타내고 있

는 좋은 예이다 그리고 대부분의 장비가 월 평균 번 정도 고장발생에 따른 고장수리 및. 2-5

예방정비를 수행한 것으로 나타났으며 표 에 나타내고 있는 월별 각 장비에 대한 가< 3-3>

동율 현황을 보면 사용빈도가 적은 장비 예 일수록 월별에 관계없이 높은 장비 가동( , RTP)

율을 보이고 있음을 알 수 있다.

표 연간 평균 장비 가동율< 3-2>

표 월별 장비가동율 현황< 3-3>

예비부품 확보3. 4. 3

장비수리 및 유지에 필요한 각종 장비부품 및 재료들에 대한 필요한 물량을 사전에 파악하

여 적정수준의 부품 및 재료를 확보 유지하는 것 역시 장비운영유지업무 수행에 있어 중요

한 부분이다 이는 장비고장시 고장장비를 대용할 장비가 없는 반도체 실험실운영 현실상.

한장비의 고장은 전체 공정진행에 영향을 주는 결과를 초래하기 때문이다 그리고 장비 고.

장발생이란 비정기적으로 예상부위를 예측할 수 없는 형태로 나타나기 때문에 이에 소요되

는 각종 부품을 모두 사전확보 및 유지할 수 없는 현실적인 측면을 고려할 때 필요부품에

대한 정확한 판단 및 적정수준을 확보 유지하는 것은 각종 장비고장수리에 앞서 선결되어야

할 업무 중 하나이다 이러한 필요부품 확보는 주로 장비가동 후 년 동안에 사용된 소모. 1-2

성 재료 및 부품의 소모율 그리고 장비제작사에서 추천하는 부품을 근거로 하여 이루어졌,

으며 이러한 부품은 전체 부품의 일부일수 밖에 없다 따라서 반도체 장비운영분야의 특수, .

성을 감안할 때 일부 예상치 못한 장비고장 발생시 필요 부품의 긴급구매를 위한 제도적 방

안수립이 필요하다 표 는 년도 반도체 연구장비 운영유지에 필요한 각종 재료 및. < 3-4> '90

부품에 대한 구매현황을 나타낸 것이다.

표 구매현황 내 외자< 3-4> ( / )

표 계속< 3-4> ( )

표 계속< 3-4> ( )

장비개조 및 운용개선 사례3. 5

장비 개조 개선3. 5. 1 SWE 654

건식식각 장비는 년 월 장비제작사의 생산중단을 계기로 제작사로부터 무상SWE654 1986 8

으로 기증 받은 인치 웨이퍼 가공용 장비이다 그러나 인치 웨이퍼를 사용하여 공정실험4 . 5

을 수행하고 있는 현 반도체 실험실에서는 적용할 수 없는 장비임으로 본 장비 활용을 위해

선 인치 웨이퍼를 가공할 수 있도록 하는 장비 개조작업이 필요하게 되었다 이를 위해 장5 .

비제작사내에 남아있는 부품 중 개조작업에 필요한 부품을 년 월부터 구매하였으며 여88 4 ,

기서 구할 수 없는 부품에 대해서는 국내에서 제작하여 충당하였다 마침내 년 월경에. '89 10

인치용 웨이퍼 가공이 가능하도록 장비 개조작업을 차 적으로 마무리 할 수 있었으나 실5 1 ,

제 공정에 적용할 수 있는 성능을 갖는 장비로 개조하는데 있어선 공정 실험과 관련한 추가

적인 개조작업이 요구되었다 따라서 실제 공정에 적용 가능하게 된 것은 년 월 말경으. '90 6

로 인치 웨이퍼 가공용에서 개조한 까닭에 구조적인 문제점을 제외한 성능 면에서 본래의4

장비의 성능을 나타내고 있는 것으로 판명되었다 본 장비의 개조로 공정에 직접 활용이 가.

능함에 따라 그동안 다용도용 건식식각 장비인 장비에서 나타난 공정실험 물량QUAD 484

의 병목현상을 분담할 수 있게 되어 장비의 장비 가동율 향상 및 생산성 향상QUAD 484

에 기여를 하였으며 궁극적으로는 각종 반도체소자 개발사업을 효과적으로 수행할 수 있도,

록 하는데 있어 많은 역할을 한 것으로 사료된다.

기계식 진공펌프의 효율적인 운영3. 5. 2

현 반도체 실험실내에서 운영중인 반도체 연구장비에는 약 여대의 기계식 진공펌프가 주20

장비에 부착되어 사용 중에 있다 이러한 기계식 진공펌프는 어느 일정기간 동안 사용하게.

되면 성능이 저하되어 각종 정비작업을 요하게 되는데 기계식 진공펌프의 정비업무 수행기,

간 동안에는 주 장비의 운영이 약 주일동안 불가능하게 되는 모순점이 존재하였다1 .

따라서 여분의 진공펌프를 확보하여 진공펌프 정비시 이를 호환성 있게 대치할 수 있도록

함으로써 주 장비의 운영 중단시간을 단축시킬 수 있었다 이는 주 장비의 가동율을 높이는.

효과를 가져왔을 뿐만 아니라 장비보수 유지에 소요되는 시간을 단축 원가절감 등에 많은,

기여를 하였다.

특수가스 유량조절기의 단일화3.5.3

실험실내에서 운영되고 있는 반도체 연구장비 중 각종 특수가스를 사용하는 장비에는 장비

의 특성 및 사용되는 특수가스의 종류에 따라 이에 맞는 용도의 유량조절기가 있으며 유량,

조절기는 공급하는 가스의 정 제어 용도로 부착되어 운영되고 있었다.

이러한 유량조절기는 사용과정에 오차가 발생되어 간헐적으로 오차보정작업이 요구되며 이

때마다 사용되는 가스별로 오차보정작업이 이루어져야하는 비효율적인 면이 있었다 또한.

유량조절기의 수리시에는 각 사용가스별로 동일 유량조절기들을 각각 추가적으로 확보 시에

만 신속한 수리작업이 이루어질 수 있는 모순점이 존재했었다 이러한 비효율적인 면을 개.

선하기 위하여 질소용 유량조절기 한 종류만을 사용한 오차보정작업 및 수리작업이 가능하

도록 하는 방법을 강구하였다 이는 여러 종류의 가스가 질소와의 상호보정관계를 나타내는.

변환상수를 이용하고 가스 종류별로 사용되는 유량범위의 다양함을 만족시키기 위해 여러,

용량의 질소용 유량조절기를 확보함으로써 가능하게 되었다 이러한 여러 종류의 유량조절.

기를 질소용 유량기로 단일화하여 대치 사용 가능함에 따라 유량조절 보정기를 사용한 각종

오차보정작업이 더욱 효과적으로 수행될 수 있었으며 또한 여러 종류의 유량조절기를 확보,

해야 할 필요가 없게 되어 예비부품 확보 측면과 유량조절기 수리작업 수행이 한결 용이해

졌다 따라서 이러한 유량조절기의 단일화는 궁극적으로 장비가동율 향상과 공정의 안정화.

에 적지 않은 기여를 한 것으로 사료된다.

재고관리 업무4.

재고관리 업무의 목표4. 1

반도체 실험실내에서 사용되는 각종 부품 및 재료의 수불절차를 확립하고 월별 사용현황과

보유현황을 항상 파악할 수 있는 체제를 갖추었다 이를 바탕으로 각종 부품 및 재료를 적.

정수준으로 확보 유지하여 궁극적으로는 공정 및 장비의 효율적인 운영이 되도록 함을 목,

표로 하였다.

원부재료 수불업무 수행 체제4. 2

그림 원부재료 수불 절차도( 4.1)

주요 부품 및 재료의 사용현황4. 3

각종 부품 및 재료의 입고 및 불출현황은 주로 를 이용하여 관리하였으며 월별로 각종P/C ,

부품 및 재료의 주요 현황을 관련 부서에 통보함으로서 관련 부서와의 업무의 효율성을 갖

도록 꾀하였다 특히 이러한 월별 부품 및 재료의 사용자료는 궁극적으로 적정 수준의 재고.

관리를 하는데 있어 가장 중요한 근거 자료로 이용된다 이와 같은 각종 재료 및 부품에 대.

한 월별로 정리한 자료 중 한 예를 표 에 나타내었다 그리고 년도에 실행한 재고< 4-1> . '90

관리업무 수행결과 중 재고부품 및 재료의 불출 횟수를 정리한 것과 각 장비에 따라 사용되

었던 재료 및 부품 입고 사용현황에 대한 것을 각각 표 와 표 에 나타내었다. < 4-2> < 4-3> .

또한 년도 실험실에서 주로 사용되었던 화학약품에 대한 사용현황을 습식 스테이션'90 (Wet

별로 표 에 나타내었다Station) < 4-4> .

표 재고 및 소모 현황< 4-1> ION IMPLANTER

표 원부재료 입고 및 사용현황< 4-2>

현재('90. 11.30 )

표 원부재료 불출 현황< 4-3>

표 별 시약사용 현황< 4-4> Wet Station

안전관리 업무5.

안전관리 업무의 목적5. 1

반도체 실험실내에서 수행되는 각종 공정 및 장비의 운영 실험과정에는 필연적으로 각종,

특수가스 및 화학약품을 취급하게 된다 이러한 특수 가스 및 화학약품은 대부분 취급과 관.

리에 있어 세심한 주의가 요구되는 위험물질로서 이의 취급 및 관리 조치요령 등을 교육, , ,

실행 감독함으로서 사전에 각종 안전사고 발생을 방지함과 아울러 안전사고 발생시 그 피,

해를 최소화하는 것이 안전관리업무의 목적이다.

안전점검5. 2

안전관리 업무는 연구과제 수행시 결과물 달성을 위한 업무에 주로 가리워져 그 중요성을

간과하기 쉬운 업무 중 하나이다 그렇지만 반도체 소자개발 업무라는 목표수행에 있어 그.

어느 업무보다도 안전관리업무는 중요성을 갖는다 이러한 안전관리 업무 수행은 실험실 이.

용자에 대한 안전교육 실시를 하고 이를 자발적으로 지킴으로서 이루어진다 그렇지만 실험.

실 이용자의 자발적인 실천에만 의존 할 수 없는 분야가 있을 수 있으며 이러한 분야에 대,

해서는 공정장비운용실원이 순번제로 각종 실험실 안전사항을 점검하도록 함으로써 각종 안

전사고를 사전에 방지하고자 하였다.

안전관리용 장비 설치5. 3

카드 키 시스템 :•

실험실 이용자에 대하여서만 카드 키를 배부하여 실험실 출입을 시간에 관계없이 가능하게

하고 외부인의 무단출입을 금지하기 위해 설치한 장치임 특히 이 장치는 실험실 출입자별, .

출입현황 및 출입 일시도 알 수 있도록 되어 있다.

카메라 시스템 :•

실험실내의 주요 장비 및 시설물에 대한 이상 유무 특히 화재시 를 실험실 밖에서 관찰 확( )

인할 수 있도록 대의 카메라를 주요 장비 및 시설물에 설치하였다16 .

가스누출 감지기 :•

반도체 실험실내에서 사용되는 각종 특수 가스의 누출사고를 대비하여 가스누출을 실험실

내 외부에서 감지하고 조치할 수 있도록 하기 위한 장비이다.ㆍ

안전교육5. 4

반도체 실험실운영 과정에서 취급하게 되는 특수가스 및 화학약품 그리고 사용장비를 다루,

는데 있어서의 각종 안전사항과 그리고 각종 수칙들에 관한 내용을 실험실 이용자를 대상으

로 교육을 실시하였으며 여기서는 교육 내용 중 일부를 발췌하여 나타내고자 한다.

장비별 사고원인 및 준수사항*

장 비 사고유형 원 인 준 수 사 항

Furnace/CVD등/RTA

. 가스유출

. 폭발

. 화재

. 및 교환 미숙source cylinder

. 방법 미숙 내purge , tube또는 주업 부주의H2/O2 H2

. 과열

. 등 안전장구 착용Air mask

. 밸브작동순서 숙지 공정,

. 규격준수 장비 성능 규격 준수 및 차단제어 시스템 점검.

Pump/Motor . 화재. 폭발. 잔여가스흡입

. 동력 모터 과열

. 순환시스템 내압 상승oil

. 오일의 분해반응에 의한 압축,폭발.. 분해서 내 용해성 유pump oil독 대기 중 방출Gas

. 주기 점검 및 보수

. 내압 점검 및 정기교환filter

. 할로겐 가스 등 사용에 의한(cl )비분해성 강화 사용oil. 통풍이 되는 장소에서 분해필요시 방독면 고무장갑 착용,

Wet-Station류

중독. 피부손상. 폭발 화재/

. 배기 상태 불량

. 용기파손 시약접촉,

. 의 과열Heating bath

. 시약조제 방법 및 지정용기사용 불이행. 강산과 솔벤트 분리사용 배출불이행 산 솔벤트 폭발( + )→

. 배기 상태 확인Duct

. 보안경 장갑 등 안전장구 착,용. 발열반응성 시약 온도상승 고려(ex H2SO4/H2O2). 희석량이 많은 시약부터 먼저

에 충진 서서히 희석 후bath ,원하는 공정온도로 올려 고정한다. 상태Heating bath ON/OFF확인. 용기지정 사용강산 솔벤트류, ; Quanz bath

등 불산류HF, NH4F : teflenbath

및Implant발생장Beam

치

. 감전

. 중독

. 방사선 노출

. 고압 방전에 의한 감(180 Kev)전. 맹독성 소오스원에 의한 가스및 분진 유출. 차단 방벽 결함 준수사항 불,이행

. 가동상태하 점검시 장비전용접지봉 사용 장비점검절차 숙,지. 소오스 교환시 보호장구 착용. 차단 방벽 점검 정비 준수사,항 숙지 및 이행

장 비 사고유형 원 인 준 수 사 항

Microscope . 망막손상 . 사용 무시filter. 고출력 장기간 사용1amp

. 적정 선택사용filter

. 고출력 사용 습관 회피

및Stepper관련 장D.U.V

치

. 생체조직손상. 망막손상

. 고출력 자외선 방사시 눈 피부 등에 과다한 조사

. 보안경 착용

. 자외선 방사에 대한 직접적인피부 노출 회피

Tube cleaner . 시약유출및 접촉사고

. 밸브오작동 및 순환장치이상

. 다양 시약사용에 의한 취급시부주의

. 밸브 및 장비작동 상채 점검

. 안전장구 착용시약 및 사용용량 사전검토 및 확인

반도체 실험실 안전수칙※

실험실내에서 자극성 또는 마늘 냄새 감지시 즉각 바깥으로 대피 관련 부서로 연락 조치1. ,

를 취한다.

작업 시작 전 배관 장비 등에서 누수 누전 여부를 확인 후 실험을 수행할 것2. , .

장비의 작동은 운전 절차 순에 의거 작동시킬 것3. .

시약 및 가스 실린더 교환시 충분한 배기가 이루어지는 곳에서 취급하며 심호흡을 하지4.

말 것.

시약 오일 등 유동성 액체 운반시 용기의 마개가 완전히 봉인된 상태하에서 운반할 것5. , .

산 과 솔벤트는 반듯이 분리하여 취급 및 보관토록 하며 지정된 용기와 작업대를 이용토6. ,

록 할 것.

사용중인 시약은 용기에 색인표 표시 후 사용토록 하며 취급용기 및 기구물 등은 순수로7. ,

세척 후 지정된 장소에 보관토록 할 것.

시약 및 가스 운반시 운반 전용 수레를 사용토록 하며 인 이상 작업에 참여할 것8. , 2 .

이동식 보조물 공구 및 집기류 등을 사용한 후에는 지정된 장소에 보관하며 통로 중앙에9. ,

방치하지 말 것.

실험실 바닥판을 임의로 옮기거나 개방 상태로 방치하지 말 것10. .

밸브 개폐 및 스위치 조작시 무리한 힘을 금하며 임의로 작동치 말 것1L .

젖은 손으로 배전판 및 전기기기의 조작을 일체 금함12. .

시약 가스 및 장비가동을 위한 작업 중 자리를 비울시에는 주변의 입실자에게 제반 안13. ,

전사항을 알릴 것.

실험실 바닥에 유독성 액체를 홀리지 않도록 주의할 것14. .

기타 안전에 위배되는 행위를 일체 금함15. .

시약취급 안전수칙※

산 과 솔벤트는 이상 이격시켜 분리 보관할 것1. 2m .

충분한 배기 및 통풍이 이루어지는 곳에 보관할 것2. .

취급시 고무장갑 앞치마 등 보호장구를 착용할 것3. , .

운반시 시약 운반 전용 수레를 사용하며 산과 솔벤트를 따로 운반할 것4. .

보관 및 운반시 마개 봉입 및 용기 상태 등을 확인할 것5. .

보관대 또는 바닥에 누출 현상 상태를 점검할 것6. , .

한번에 많은 시약을 운반하지 말 것7. .

다층선반 활용시 상층은 용기 하층은 유리용기로 배치 보관할 것8. PVC , .

용기 또는 부대자재의 불안전한 안착상태 및 넘어질 요소를 배제할 것9. .

보관 창고 내 발열성 기구 및 전기제품 사용을 금할 것10. .

시약 취급시 부착 라벨을 반드시 확인 후 취급할 것11. .

보관 및 운반 시 과중한 적층을 금할 것12. .

선반 받침대 이음매 등 부식 손괴된 부위 유무를 확인할 것13. , , .

소화기 및 안전기구물의 위치를 정 위치에 둘 것14. .

가스취급 안전수칙※

전도 전락 방지를 위해 밴드 로프 로 고정하고 항상 이하에서 보관할 것1. , ( ) 40 .℃

용기는 용기보관소에 보관하고 충전용기 빈 용기를 구분하여 통풍이 잘되는 곳에 보관할2. ,

것.

빗물을 맞거나 다습한 곳에 보관하지 말 것3. .

용기 보관 장소는 관계자외 출입을 금하고 출입시 인화 발화 폭발성 물질을 휴대하지4. , , ,

말 것.

용기 취급은 안전한 자세에서 행하고 운반시 운반전용수레를 사용하고 무리한 힘을 주지5.

말 것.

충격 마찰 정전기를 일으키지 않고 전기배선 어스 부근에 놓지 말 것6. , , , .

인화성 발화성 물질은 용기보관소로부터 이내 놓지 말 것7. , 2m .

가스캐비넷 밸브조작은 순서에 의거 작동시키며 무리한 힘을 주지 말 것8. .

사용 전에 필히 가스 누설 여부를 확인할 것9. .

가스캐비넷 밸브조작은 가능한 투시창을 내리고 작동하도록 한다10. .

사용 중지한 경우 매인 밸브를 닫고 라인내의 잔류가스를 불활성 가스로 충분히 치환11.

할 것.

가스라인내 잔류가스 방출시 한 종류 이상의 가스에 대하여 동시 방출 밸브조작을 금한12.

다.

용기 교환시 배관 내 불활성 가스로 완전히 치환 후 행할 것13. .

누설을 방지하는 작업시 필히 보호 장구를 착용할 것14. .

보호구는 기능이 양호한 상태로 관리 용이한 장소에 비치할 것15. .

가스 대량 누설시는 인원을 긴급 대피하도록 연락하고 즉시 관계자에게 연락할 것16. .

용기 밸브 배관의 기온 방법은 이하의 온수 또는 열습포를 이용할 것17. , 40 .℃

사고시 조치요령※

화재시1.

국소적인 화재발생시 차 발견자는 우선 상황을 판단 가까운 소화기로 초기화재 진압을1) 1

하면서 인접동료에게 알린다.

가 인접장비 전원 비상차단 실험실내 분전반 전원차단) , .

나 발생구역 장비의 특수가스 공급차단) .

다 발생구역 장비의 공급차단) Utility

라 상황보고) .

지역적인 화재발생 시 차 발견자는 상황을 판단 연구소 보고체계에 따른다2) 1 .

조치단계)

가 상황보고 및 지시사항 조치) .

나 가열로 인한 폭발 위험물 고압가스 시약 등 냉각조치) , ( , ) .

다 특수가스 시약 유틸리티 등 차사고 발생요소 제거 차단 이동) , , 2 ( , )

라 폭발 독성가스 대량 유출 예상시 주위인원을 안전구역으로 대피 가스의 대량유출에 따) , ,

른 대피방향은 바람이 부는 쪽으로 이동케 한다.

가스 누출시2.

차 확인자는 주위 인원에게 가스누출을 알리고 실내에서 대피토록 한다1) 1 .

이때 이동시 되도록 심호흡을 삼가며 양팔을 교차시켜 수하신호로 가스누출사실을 알린다( .)

가스담당 책임자 또는 관리자에게 연락조치 및 상황보고2)

사고 조치시 인 이상 에어 마스크 및 보호장구를 착용 후 작업에 임한다3) 2 .

조치단계)

가 가스의 용기 밸브 차단)

나 사용장비 가동중단 조치)

다 실험내 잔존가스의 충분한 배기조치 실시)

라 사고 설치물 보수작업)

중독자 발견시 항이 조치를 취하되 우선 환자를 옮겨 신선한 공기를 흡입토록 응급조치* 3(

를 취한 후 의료조치를 받는다, .

시약 접촉시3.

눈 피부 등 시약 접촉시 비비거나 문지르지 말고 즉시 다량의 물로 오염부위를 충분히1) ,

세척한다.

적절한 응급조치후 의료조치를 받도록 한다2) .

조치단계)

가 접촉부위의 오염된 의복 장구를 신속하게 벗는다) , .

나 세척기구물 등을 이용 세척을 행한다) eye shower, .

다 주위동료에게 알리고 필요시 후속조치 사항을 인계한다) .

라 대량유출에 따른 실험실 오염 시엔 관련 부서장에게 연락조치를 취하고 실험실내 인원) ,

을 대피토록 한 후 오염제거를 위한 조치를 취한다.

관리 업무6. RUN

관리 업무의 목적6. 1 RUN

실험실내에서 수행되어야 할 각종 작업의 의뢰절차 및 종료절차를 확립하여 실험실 통제기

능을 확보하도록 하고 또한 작업진행중인 모든 의 진행 현황 및 발생되는 정보를 파악, RUN

하여 관련 부서에 이의 내용을 전달하는 일련의 체계를 확립 운영함으로서 궁극적으로는,

효과적인 실험실운영 및 유지가 되도록 하기 위함이다.

실험실 작업의뢰 절차6. 2

반도체 실험실내에 투입되는 모든 은 그림 과 같은 작업의뢰 절차를 거치도록 하Run ( 6-1)

였다 이러한 과정에서 가능한 적정 수준의 작업물량이 실험실내에서 수행되도록 투입. RUN

물량을 통제함과 아울러 의뢰한 작업내용에 대해서도 일련의 기술검토 과정을 거치도록 하

여 작업내용에 관련되어 발생될 수 있는 문제점들을 사전에 방지할 수 있었다 특히 작업의.

뢰 절차 과정에서 부여되는 는 실험실내의 각종 의 작업진행 정보를 파악하여Run No. Run

전달하는 일련의 관리업무 수행에 있어 기본 자료가 되는 것이다Run .

작업의뢰자는 작업의뢰서 첨부 와 첨부 을[ 3-5] Run sheet[ 3-4]

작성하여 소속부서장 및 계정책임자의 확인 날인을 받는다.

↓

기술분야별 팀장은 작업의뢰 내용에 대한 공정규격에 위배

되는 사항 유무와 기타 사항에 대한 기술검토를 한다.

↓

관리 담당자에게 작업의뢰 접수를 하며 관리 담당Run Run

자는 아래의 내용에 대하여 점검하도록 한다.

각종 확인 날인 실시여부-

기술검토 실시 여부-

개별 작업내용에 대한 공정규격번호 기재 여부-

기타 및 확보 여부- Wafer Reticle

↓

관리 부서장의 작업승인Run

↓

부여 장 단위Run NO. (Wafer 10 )

↓

작업의뢰서 복사본을 작업 관리철에 보관하고 RFS Program

에 작업의뢰 내용을 입력한다.

↓

실험실내로 투입Run

그림 실험실 작업의뢰 절차도( 6-1)

실험실 작업 종료 절차6. 3

반도체 실험실내에서 실험 이 완료되어 되면 아래 그림 와 같은 작업 종료Run Lab. out (6-2)

절차를 거치도록 하여 원활한 관리업무 수행이 되도록 하였다Run .

작업의뢰자는 상의 모든 작업이 완료되어Run sheet

되면 작업관리 담당자에게 이를 통보함과 아울러Lab.out

복사본 부를 제출토록 한다Run sheet 1 .

↓

관리 담당자는 해당 를 에 입력하Run Run No. RFS Program

여 매일 보고 되는 진행 현황표에 사항을 나타나Run Lab.out

도록 한다.

↓

작업의뢰자는 의뢰한 작업의 결과를 요약하여 일Lab.out 15

이내에 관리 담당자에게 제출토록 한다 첨부Run [ 3-6]

↓

관리 담당자는 실험결과 요약서를 보관철에 보관하고Run

이의 내역을 에 입력한다RFS Program .

↓

작 업 종 료

그림 실험실 작업종료 절차( 6-2)

작업 진행현황6. 4

관리 담당자는 기술분야별 담당 운영요원으로부터 전일의 작업진행 상황을 통보 받게Run

되는데 이는 주로 별 작업진행 현황 및 장비상태 공정의 이상여부 의뢰자의 일시Run No. , ,

작업중지요청 내용 등이다 경우에 따라선 좀더 정확한 정보를 파악하기 위해 관리 담. Run

당자가 실험실내에서 직접 파악하기도 하였으며 이렇게 파악된 정보들은 별 공정, Run No. ,

분야별 관련사업별 작업진행현황 등을 담은 일일 진행 현황표 를 작성하는데 근거 자, " Run "

료로 사용되며 작성된 일일 진행현황표 는 관련 부서에 배포토록 하였다 따라서 이, " RUN " .

러한 진행 현황표는 작업수행자 및 의뢰자가 실험실 밖에서도 작업 진행현황을 파악하Run

고 시간계획을 수립하는데 활용 가능하게 되어 궁극적으로는 효율적인 실험실 운영에 많은

기여를 한 것으로 사료된다 표 은 이러한 각종 정보를 담은 일일 진행 현황표. < 6-1> " Run "

를 나타내고 있다.

표 일일 작업진행 현황표< 6-1>

작업수행 결과 및 분석6. 5

년도 반도체 실험실에서 수행되었던 소자개발을 위한 각종 웨이퍼 가공작업에 대한 작업'90

의 특성별 기술분야별 사업별로 작업결과를 분석하였다 이는 매일 작성되는 일일 진, , . " Run

행 현황표 를 취합 분석한 것으로써 표 은 년도 종합공정에 대한 사업별 작업수" , < 6-2> '90

행 현황을 나타내고 있으며 표 은 앞의 표 의 내용을 좀더 자세하게 분석한, < 6-3> < 6-2>

것이다 표 에서 알 수 있는 것은 사업관련 작업과 기억소자사업관련 작업의. < 6-3> Custom

작업 당 의뢰된 공정 수는 비슷하였지만 작업소요일수와 일 수행한 공정수에 있어서는 차1

이를 보이고 있다 이는 사업 관련 공정실험은 개발을 위한 공정으로써 기 표준. Custom IC

화된 공정규격을 이용한 반면 기억소자 관련 공정실험은 선행요소 기술로서 상대적인 실험,

소요 기간이 길었던 것에 기인한 결과로 사료된다.

표 연간 작업현황< 6-2> Full Run

표 연간 의 작업결과 분석< 6-3> Full Run

또한 표 는 사업별 부분공정에 대한 작업수행 결과를 나타내고 있으며 이를 바탕으< 6-4> ,

로 구체적인 분석결과를 표 에서 볼 수 있다 앞의 종합공정에서와 마찬가지로 단위[ 6-5] .

공정에서도 작업 당 의뢰공정 수 작업완료 일수 일 수행한 공정수를 보면 기억소자사업, , 1

관련작업이 상대적으로 사업관련 작업보다 작업소요 일수는 긴 반면 일 수행한 공Custom 1

정 수는 적게 나타나고 있다 이러한 단위공정의 작업결과 분석에서도 앞의 종합공정 작업.

결과 분석과 마찬가지로 기억소자사업 관련작업이 상대적으로 복잡하고 작업수행에 어려웠

다는 것을 알 수 있다.

표 연간 단위 작업현황< 6-4> Run

표 연간 단위 의 작업결과 분석< 6-5> Run

표 은 년도 실험실에서 각 사업별 공정수행 목표치에 대한 공정수행 결과를< 6-6, 6-7> '90

정리한 것이다 사업 관련작업은 공정 수 그리고 기억소자사업 관련작업은. Custom 6000 ,

공정 수 전체적으로 공정 수를 년도 반도체 실험실에서의 실행하고자한 공정1500 7500 '90

수행 목표치였지만 최종적으로는 공정 수를 수행하여 목표 공정 수에 대해 약 로8414 112%

초과 달성하였다 사업별 목표 공정 수에 있어선 사업에는 공정 수를 수행한. Custom 5841

것으로 나타나 목표치의 약 를 달성한 반면 기억소자사업에는 공정 수를 수행하97% , 2291

여 목표치의 약 로 초과 수행하였다 또한 위의 두 사업과 관련이 없는 다른 사업이나153% .

외부기관에서 공정 수를 의뢰하여 수행한 것으로 나타났고 특히 본 연구소 반도체 실282 ,

험실에서 일 수행되는 공정 수는 공정수 정도로 기술 분야별로 일 평균 약 공정수를1 29 1 7

수행하였음을 알 수 있다 또한 공정 수를 가지는 실험 을 완료하는데는 평균 약 보. 25 Run

름정도 소요되는 것으로 나타났다 표 은 각 단위공정별 공정단가를 정리하여 놓은. < 6-8>

것으로 타 단이나 외부에서 본 반도체 실험실 이용하고자 할 때 참고가 될 수 있는 자료이

다.

표 연간 공정운영 현황분석< 6-6>

표 사업별 공정운영 현황 분석< 6-7>

표 단위공정 지원 단가표< 6-8>

실험실 관리 업무7.

실험실 관리업무의 목적7. 1

당 연구소의 반도체 실험실은 반도체 소자를 연구 실험하는 고 청정도의 실험실 분위기가,

요구되는 특수한 지역이다 고 청정도의 실험실 분위기를 유지하기 위해 각종 장치 및 시설.

물이 매일 가동되고 있으며 이에 소요되는 비용은 막대하다 따라서 실험실을 이용하고자, .

하는 모든 사람들 외부인의 방문 견학 포함 이 준수해야 할 여러 가지 사항들에 대해 각종( , )

준수내용 및 절차를 확립 운영함으로서 좀더 청결한 실험실 분위기를 조성하여 궁극적으로,

는 각종 반도체 소자연구 및 실험업무의 효과적인 수행에 기여함을 목적으로 한다.

실험실에서의 각종 준수사항7.2

고 청정도의 실험실을 유지하기 위하여 실험실내에 각종 안내 지시판을 설치하여 이용자들,

이 자발적으로 각종 준수사항을 지킬 수 있도록 유도하였다 실험실에서 준수해야 할 각종.

내용은 다음과 같으며 이는 에 발간한 공정운영수칙 의 일부 내용을 발췌한 것이다, '90. 10 " " .

실험실 출입순서※

실험실은 청정실과 통로 및 보수 구역으로 나뉘어져 있으며 실험실 입실 순서는 다음과 같,

다.

그림 실험실 출입순서( 7-1)

퇴실시는 위 순서의 역순이다.

출입자 준수사항※

실험실 내에서는 절대 금연할 것1) .

출입 시는 반드시 방진복 방진모 방진화 마스크 장갑을 규정대로 착용할 것2) , , , , .

반입자재 및 비품 공구 장비는 반드시 잘 닦아서 먼지가 없도록 한 후 반입하여야 함3) , , .

얼굴 및 손톱화장을 한 사람은 청정실 출입을 금함4) .

불필요한 대화를 금함5) .

외에는 어떠한 종이도 사용을 금함6) Clean paper

모든 설비 및 비품에 기대거나 손을 대는 행위를 금함7)

이외의 필기구는 사용하지 말 것8) Ball pen

및 기타 화공약품은 취급허가를 받은 자 외에는 절대 손대지말 것9) Chemical, gas

수리 및 보수를 위한 용접 절단 연마작업등 먼지가 발생하는 모든 작업을 시행하고자10) , ,

할 때는 사전에 허가를 받아야 함.

최초의 입실시 실내화 착용위치 의 행동요령( )※

카드키로 문을 열고 들어가면 평상화를 벗고 좌측의 신발 보관함에 있는 실내화로 갈아1)

신도록 한다.

방진복을 입기 전에 상의는 옷걸이에 걸어 두는 것이 행동하기에 좋다 옷걸이는 입실2) .

통로 우측에 있다.

상의에 있는 귀중품은 반드시 휴대하도록 한다3) .

이곳에서 실내화를 신고 최초의 문을 통과하면 청정실이 시작되며 방진복 보관장소가4) ,

나타난다.

방진복 착용시 주의사항※

마스크와 장갑을 반드시 먼저 착용해야 한다1) .

방진 모자를 먼저 쓰고 옷을 착용하도록 한다 이때 모자 깃이 옷 속에 잘 덮였는가 확2) .

인해야 한다.

방진덧신은 옷 위로 덮였는가 확인하도록 한다3) .

옷걸이에서 떨어져 있는 방진복이 있으면 다른 사람의 것이라도 잘 걸어놓도록 한다4) .

옷걸이의 좌측 어깨 상단에 반드시 명찰을 부착한다 명찰은 신청에 의해 공정장비운용5) .

실에서 발급한다.

방진복은 수시로 세탁을 위해 수거하므로 자기 것이 없으면 입구의 방진복 보관함에서6)

명찰을 찾고 알맞은 옷을 선택하여 착용하도록 한다.

벗을 때는 역순이다7) .

통과요령Air Shower※

는 가급적 명씩 통과하도록 하고 부득이한 경우 명까지 허용한다1) Air Shower 1 2 .

시 나가는 문이 완전히 닫혀 있어야 가 동작한다2) Air Shower Shower .

문이 완전히 닫혀 있어도 동작이 안 될 경우 무릎 부근 벽에 있는 를 가리면 동작- Sensor

한다.

퇴실시는 가 작동하지 않는다- Air Shower .

실험실 밖으로 나올 때의 주의사항※

옆 옆문을 이용하여 보수 구역으로 나갔다가 재 입실할 때는 다시1) Furnace , Implantor

를 거쳐 청정실로 들어가도록 한다Air Shower .

더러워진 방진복은 방진복 수거함에 넣도록 한다 이때 명찰은 위에 놓아2) .( Working table

두고 재 입실시 새 방진복에 부착하도록 한다.

물자 절약을 위해 마스크나 장갑은 한두 번 더 사용할 수 있도록 자기가 벗어놓은 방진3)

복의 옷걸이나 옷소매에 보관하도록 한다.

더러워진 면장갑은 세탁용 수거함에 두도록 한다4) .

마스크 폐기함에 넣어서는 안 된다( ).

방진복 옷걸이에 방진복을 잘 걸어 놓도록 하며 다른 방진복이 떨어져 있는 것도 다시5)

잘 걸도록 한다 별도로 관리 인원이 없으므로 출입자 모두가 정리 정돈에 주력하도록 한다. .

카드키문을 통과하여 퇴실할 때는 문이 완전히 당겨졌는가 확인하도록 한다6) .

장비 정비시의 준수사항※

청정유지를 위해 가능한 실험실 밖이나 보수 구역에서 정비를 하도록 한다1) .

진공오일이나 휠타 교체작업은 반드시 보수 구역에서 수행하도록 한다2) .

정비중인 공구나 부품 등은 통행에 지장이 없도록 정리하면서 사용하고 항상 청결하게3)

보관하도록 한다.

실험실 안에서 준수사항※

장비나 재료 등 실험실내 모든 물품에 관계자 이외에는 손대지 않도록 한다 임의로 이1) .

동시켜서도 않도록 한다.

방진복을 착용한 채 바닥에 앉지 않도록 한다2) .

에 앉거나 기대지 않도록 한다3) Work tab1e .

청정실 안에서는 절대로 뛰어다니지 않도록 한다4) .

관계자 외에는 특수 기체 에 출입하지 않도록 한다5) Room .

비상전등용 충전식 랜턴은 장비보수 시나 다른 목적 등에 조명용으로 사용치 않도록 한6)

다.

출입시의 준수사항Photo Room※

사진전사 공정을 수행하고 있는 은 실험실내에서 가장 많이 파티쿨 의Photo Room (particle)

영향을 받게 되는 지역이므로 실험실 안에서도 또 한번 출입을 제한하는 지역이다.

내의 인원제한1) Photo Room

작업자를 포함하여 인을 초과할 수 없다 따라서 현재의 작업인원 명을 제외한 명에 대5 . 3 2

해서만 작업자외 출입할 수 있으며 만약 작업자 외의 인원 명이 출입해야 될 경우에는 작, 3

업자 인은 밖으로 나가야 한다1 Photo Room .

휴대품 제한2)

규정된 복장을 착용해야 하며 특히 비닐장갑 마스크를 엄격히 착용해야 하며 무진지 이외, ,

의 용지는 절대로 휴대해서는 안 된다.

장비의 사용제한3)

내에 있는 장비는 작업을 위해서만 사용해야 한다Photo Room Photo .

현미경 등의 측정장비도 타 공정의 확인을 위해 사용하지 않도록 한다.

견학 제한4)

은 견학도 금한다 다만 반도체 기술지원센터장의 허락을 득한 경우는 예외로Photo Room . ,

한다.

반도체 실험실 청정 현황7. 3

반도체 소자의 연구 개발을 위해 실험실내의 구역별 유지하고 있는 청정도 현황은 그림(

와 같으며 이를 위해 설치 운영되고 있는 각종 시설물은 그림 에 도식적으로 나타7.2) , ( 7. 3)

내었다 또한 년도 반도체 실험실에서 사용된 각종 유틸리티의 사용현황은 표 에. '90 < 7. 1>

나타내었다.

그림 반도체 실험실 청정도( 7-2)

그림 반도체 실험실 운용을 위한 지원시설역활( 7-3)

표 년도 반도체 유틸리티 사용현황< 7-1> ’90

청정관리용 재료 사용현황7. 4

반도체 실험실의 청정관리를 위해 사용된 각종 재료 및 사용현황을 표 에 나타내었< 7-2>

다.

표 청정 관리용 재료 사용현황 현재< 7-2> ('90. 10. 31 )

품 명 사용액 단위 원'90. 1. 1-'90. 10. 31 ( : ) 비 고

일회용 마스크 원100 × 16200EA = 1,620,000

LATEX GLOVE 원 족660 × 4400 = 2,904,000

일회용 장갑 원 족100 × 6500 = 650,000

POLY GLOVE 원1900 × 14./PKG = 271,700

CLEAN MAT 원27500 × 27PKG = 742,500

방진복 세탁 원 벌660 × 1989 = 1,312,740 세척 후 재사용

방진모 세탁 원110 × 956EA = 105,160 ″

방진덧신 원 족220 × 840 = 184,800 ″

계 7,790,900

정상근무시간외 실험실 이용절차7. 5

정상근무시간외 실험실내에서 실험업무를 수행하고자 할 경우에는 그림 와 같은 절차( 7-4)

를 거치도록 하여 실험실 이용자의 지속적인 연구업무 수행이 가능하도록 함과 아울러 효율

적으로 실험실 관리업무가 수행될 수 있도록 하였다.

휴일 및 야간작업 신청서 부 첨부 작성 작업내2 ( 4.1)

용 및 목적 등을 기재하여 소속 부서장과 실험실

관리부서장의 승인을 각각 득한다.

실험실 이용자

↓

정상 근무시간내에 신청서를 실험실 관리 담당자에

게 제출한다.실험실 이용자

↓

실험실 관리 담당자는 해당일의 실험실 안전점검

담당자에게 신청 내용을 전달하고 관련물품 기록(

서류 을 인계한다, Run sheet) .

실험실 관리 담당자

↓

실험실 이용자의 야간 실험업무 수행 실험실 이용자

↓

실험실 정돈 및 안전점검 실험실 소등.실험실 이용자 또는 실험실

안전점검 담당자

↓

익일 실험업무 수행내역을 실험실 관리 담당자에게

이상여부 사항을 보고하도록 한다.실험실 이용자

그림 일과외 실험실 이용절차( 7-4)

실험실 방문 및 견학 절차7. 6

단외 및 소외의 인원이 실험실을 방문 또는 견학하고자 할 경우 다음과 같은 절차를 거치도

록 함으로서 실험업무수행에 지장이 없도록 함과 아울러 제한적이나마 실험실을 개방하여

공적인 기관으로서 역할을 수행하도록 하였다 년도 본 연구소 실험실을 방문 또는 견학. '90

한 인원은 약 여명에 여 차례 정도였다210 80 .

실험실 출입허가 신청< >

실험실 이용이 가능한 자 카드 키를 지급 받은자 를 통한 견학 또는 방( )

문을 신청하여 실험실 관리 부서장의 허락을 득한다 신청 양식 첨부.[ : (4.3)

↓

실험실 출입< >

실험실 출입시 필히 안내자 카드키를 지급받은 실험실 이용자 의 안내에( )

따라 각종 준수사항을 지켜야 한다.

안내자 없는 실험실 출입은 금함( )

↓

실험실 견학< >

실험실내의 지정된 견학 코스에서 견학하도록 하여 실험업무 수행에 지

장이 없도록 한다.

↓

실험실 견학 또는 완료 통보< >

실험실 견학 또는 방문이 완료되면 실험실 관리 담당자에게 이를 통보

한다.

그림 외부인 실험실 출입 절차도( 7-5)

결 론8.

반도체 소자 개발업무는 설계기술 소자기술 시험기술 공정 및 장비의 운영기술 등이 복합, , ,

적으로 구성된다 여기서 공정 및 장비의 운영기술은 반도체 실험실내의 각종 반도체 연구.

장비를 이용한 웨이퍼 가공업무로서 반도체 소자개발을 하는데 있어 실질적인 최종결과를

좌우하는 중요성을 갖는다.

공정 및 장비운영기술의 목표는 효율적인 운영기술을 개발하고 이를 안정화함으로서 각종

반도체소자 개발을 하는데 있어 기반적인 공정 환경을 제공하는 것이라 할 수 있다 이는.

장비설치 가동에서부터 공정 및 장비의 운영기술 개발 및 개선에 이르기까지 각종 운영기술

의 축척이 바탕이 되어야만 가능하며 이를 위해선 또한 많은 시일이 소요된다는 특수성을,

갖는다 공정장비운용실의 년도 주요 업무는 이러한 공정 및 장비의 운영기술을 개발하. '90

는 것으로서 공정 및 장비의 안정화를 바탕으로 각종 반도체 소자를 직접 가공하는 것이다.

주요 업무의 수행 내역은 다음과 같은 여섯 항목의 내용으로 요약할 수 있다.

첫째 공정유지 및 운영 업무 당 과제가 시작되는 시점에 공정운영 및 유지체제를, ; Expert

체제에서 공정장비운용실원이 중심이 된 기술분야별 팀 체제로 변환되면서 각종 업group

무를 효율적으로 수행할 수 있었다 이를 바탕으로.

년도에 설정한 각종 공정규격을 보완 정리하여 공정규격을 확립한 내용을 담은 반도1) '89 "

체 공정규격서 과 웨이퍼를 가공하는데 있어 필요한 작업내용을 담은 공정운영수칙 을1” " "

책자화 하였다.

공정에 있어 년도 공정수행 목표치는 공정 수였지만 수행한 양은 공정수로2) '90 7500 8973

목표를 초과 달성하였다.

기술 분야별 각 장비에 대한 공정소요시간 공정 활용도 등을 파악하여 자료화함으로서3) ,

공정수행업무의 시간계획 수립이 가능하게 되었을 뿐만 아니라 추후 각종 업무추진에 중요

한 근거자료로써 활용될 수 있도록 하였다.

둘째 장비유지 및 보수업무 반도체 실험실에 있는 약 여종의 각종 연구장비 평균 가동, ; 20

율을 이상으로 유지하는 것이 본 업무의 목표였다 업무 수행 결과 평균 의 장비90% . 91.8%

가동율을 유지함으로서 목표를 달성하였으며 주요 세부 실행내역은 다음과 같다, .

실험실내의 각종 반도체 연구장비의 고장발생을 사전에 방지하기 위한 예방정비 및 일상1)

점검 업무수행

단계적 장비보수 유지체제 확립2)

비 활용 장비의 개조 및 개선3)

각종 예비부품의 적정수준 확보 및 유지4)

셋째 재고관리 및 안전관리 업무 반도체 실험실내에서 사용되어지는 각종재료 및 부품을, ;

적정수준으로 유지하기 위한 원부자재 수불체제 및 재고현황의 월별 보고체제를 확립 운영

하였으며 궁극적으로는 반도체 실험실을 안전하게 운영 및 유지하기 위해 각종 안전관리용,

장치를 설치하여 활용함과 아울러 실험실내에서 발생될 수 있는 각종 안전사고에 대한 교육

을 실시하여 실험실 이용자 스스로가 각종 안전사고의 예방 조치 능력을 확보하도록 하였,

다 또한 주요 취약 부분에 대해서는 매일 점검을 실시하였다. .

다섯째 관리업무 반도체 실험실을 이용하는데 있어 각종 절차를 확립하여 운영하고, Run ;

또한 매일 진행되고 있는 각종 작업의 현황을 파악하여 통보하는 체제를 확립하여 운영함으

로서 효율적인 실험실운영이 될 수 있도록 하였다.

여섯째 실험실 관리업무 고 청정도의 실험실을 유지하기 위해 각종 실험실 이용절차와, ;

준수사항을 확립하여 운영하였다.

특히 효과적인 소자제작업무는 수많은 개별 공정이 여러 작업자의 손에 의해 일관성 있게

연결될 때 가능하므로 일단 최적공정이 수립되면 이를 표준화하여 공정의 기준을 마련하고,

이에 의한 재현성 있는 작업이 이루어져야 한다.

반도체 공정규격서 및 공정 운영수칙의 책자화는 이를 위해 마련된 것으로 그 중요도는 자

못 크다고 할 수 있다 또한 장비의 안정화가 뒷받침되지 않는 공정운영은 무의미하다 이러. .

한 면에서 인치 웨이퍼용으로 제작되어 활용할 수 없었던 건식식각장비 를 인4 (SWE654) 5

치용 장비로 개조하여 활용 가능하게 한 것은 관련 건식장비들의 안정화는 물론 생산성 향

상에도 많은 기여를 하였으리라 사료된다.

끝으로 본 공정장비운용실에서 수행한 이러한 형태의 각종 업무는 각종 반도체소자 개발에

있어 밖으로 부각되어 나타나는 여러 형태의 개발업무들에 가리워져 보이지 않는 주춧돌로,

써의 역할을 담당하는 것이라 할 수 있다 따라서 그동안 이루었던 각종 소자의 성공적인.

개발 결과는 이러한 공정운영의 역할을 충실히 이행한 결과에 대한 산물이며 또한 앞으로,

쌓아 올려질 반도체 관련 각종 개발사업의 기반이 될 것이라고 믿는 바이다.

첨 부

첨 부

공정 및 장비운영 유지에 사용된 각종 양식*

공정운영 유지 분야1.

사진전사 분야1-1

1. 1. 1 Photo work in-out check sheet

1. 1. 2 Photo work log sheet

1. 1. 3 Reticle confirm run sheet

1. 1. 4 Reticle align mark position sheet

명세서1. 1. 5 Reticle

제작확인 결과 보고서1. 1. 6 Reticle

관리 대장1. 1. 7 Reticle

1. 1. 8 Photo monitoring result sheet(daily)

1. 1. 9 Photo monitoring result sheet(weekly)

1. l. 10 Photo monitoring result sheet(semi-monthly)

확산 분야1-2

접수대장1. 2. 1 Furnace run

1. 2. 2 Furnace log sheet

접수대장1. 2. 3 Implanter run

운용일지1. 2. 4 Implanter

접수대장1. 2. 5 RTP run

1. 2. 6 RTP run log sheet

박막 분야1-3

1. 3. 1 Sputter run dairy

1. 3. 2 LTO run dairy

1. 3. 3 Poly run dairy

1. 3. 4 Nitride run dairy

1. 3. 5 TEOS run dairy

식각 분야1-4

1. 4. 1 Dry etch work in-out check sheet

1. 4. 2 Wet etch work in-out check sheet

1. 4. 3 Dry etch run diary

1. 4. 4 Balzers run diary

l. 4. 5 PR stripper run diary

1. 4. 6 Wet process log sheet I

1. 4. 7 Wet process log sheet II

1. 4. 8 Dry etch experiment data sheet

기 타1-5

인수인계1. 5. 1 sheet

1. 5. 2 Problem notice sheet

1. 5. 3 Engineer change notice sheet

장비유지 보수 분야2.

사진전사 분야2-1

장비점검 일지2. 1. 1 Photo area

표준보수 점검 일람표2. 1. 2 NSR

2. 1. 3 ARB data sheet

2. 1. 4 Lamp intensity data sheet

2. 1. 5 DIS data sheet

2. 1. 6 ORT data sheet

2. 1. 7 Overlay accuracy data sheet

2. 1. 8 Reticle rotation data sheet

확산 분야2-2

2. 2. l BTU furnace daily check sheet

별 주기 일람표2. 2. 2 Tube Cleaning

2. 2. 3 P.M schedule for NV 6200 (Daily)

2. 2. 4 P.M schedule for NV 6200 (Weekly)

2. 2. 5 P.M schedule for NV 6200 (Monthly)

2. 2. 6 P,M schedule for NV 6200 (Quadly)

2. 2. 7 P.M schedule for NV 6200 (Annually)

박막 분야2-3

2. 3. l LPCVD check list

장비점검일지2. 3. 2 PECVD (Daily)

장비점검일지2. 3. 3 PECVD (Weekly)

장비점검일지2. 3. 4 PECVD (Monthly)

일일예방 점검표2. 3. 5 Sputter

주간예방 점검표2. 3. 6 Sputter

식각 분야2-4

2. 4. 1 P.M schedule for QUAD system

2. 4. 2 P.M schedule for Pump system

2. 4. 3 Balzers daily check list

기타 분야2-5

반도체 공정장비 일일 현황2. 5. 1

2. 5. 2 Repair/revision history sheet

관리분야3. Run

일일업무일지3-1

접수 관리대장3-2 RUN sheet

단위공정 기술검토서3-3

3-4 ETRI semiconductor process sheet

작업의뢰서3-5

실험결과 요약서3-6

기타4.

휴일 및 야간작업 신청서4-1

안전점검 일지4-2

실험실 방문자 안내 현황4-3

PHOTO WORK IN-OUT CHECK SHEET

PHOTO WORK LOG SHEET

RETICLE CONFIRM SHEET

RETICLE ALIGNMENT MARK POSITION

명세서RETICLE

제작 확인 결과 보고서RETICLE

분야DAILY MONITORING RESULT SHEET(LITHO. )

분야WEEKLY MONITORING RESULT SHEET(LITBO. )

분야SEMI-MONTHLY MONITORING RESULT SHEET(LITHO. )

접수대장FURNACE

FURNACE LOG SHEET

접수대장IMPLANT RUN

운용 일지Implanter

접수대장RTP RUN

RTP LOG SHEET

SPUTTER RUN DIALY

LTO RUN DIARY

POLY RUN DIARY

NITRIDE RUN DIARY

TEOS RUN DIARY

DRY ETCH WORK IN-OUT CHECK SHEET

WBT BTCH WORK IN-OUT CHECK SHEET

DRY ETCH RUN DIARY

BALZERS RUN DIALY

PR STRIPPER RUN DIALY

WET PROCESS LOG SHEET I

WET PROCESS LOG SHEET II

DRY BTCH EXPERIMENT DATA

PROBLEM NOTICE

장비점검일지PHOTO AREA

표준보수점검일람표NSR

BTU FURNACE EQUIPMENT DAILY CHECKING

별 주기 일람표TUBE Cleaning

P. M. SCHEDULE FOR NV6200 ION IMPLANTER

P. M. SCHEDULE FOR NV-6200 ION IMPLANTER

P. M. SCHEDULE FOR NV-6200 ION IMPLANTER

P. M. SCHEDULE FOR NV-6200 ION IMPLANTER

P. M. SCHEDULE FOR NV-6200 ION IMPLANTER

LPCVD SYSTEM CHECK LIST

장비점검일지PECVD

장비점검일지PECVD

장비점검일지PECVD

일일예방점검표SPUTTER3180

주간예방점검표SPUTTER 3180

P. M. SCHEDULES FOR QUAD 484 SYSTEM.

P. M. SCHEDULES FOR QUAD 484 PUMPS

BALZERS DAILY CHECK LIST

반도체공정장비일일현황

Repair / Revision History

일일 업무 일지

접수관리대장RUN SHEET

단위 공정 기술 검토서

ETRI SEMICONDUCTOR PROCESS SHEET.

작 업 의 뢰 서

실 험 결 과 요 약

휴일 및 야간작업 신청서

안 전 점 검 일지

년 방문자 안내현황199 Fab.