NJW4118-T1

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±2.0A 出力ターミネーション電源 IC 特長

標準アプリケーション

ターミネーション用シンク・ソースレギュレータ ±2A の電流ソースおよび電流シンクに対応 電源電圧範囲 2.7 to 5.5V VREF 電圧精度 VDDQ×0.49 to 0.51 VTT 電圧精度 VREF±40mV EN Low 時 VTT 出力: OFF(Discharge)

VREF 出力: ON VREF の外部入力に対応 セラミックコンデンサ対応 サーマルシャットダウン回路内蔵 Power Good 機能内蔵 過電流保護回路内蔵 低電圧誤動作防止回路内蔵 VTT ディスチャージ機能内蔵 パッケージ EQFN16-JE

概要 NJW4118は、DDR-SDRAMに対応したNch-MOSFET

内蔵、最大 2A の電流をシンク･ソースすることが可能なタ

ーミネーションレギュレータです。 内部に高速オペアンプを搭載し、負荷の変動に対する優

れた過渡応答特性を実現しています。 VREF は内部生成もしくは外部から入力する 2 通りに対

応しており、VREF を外部から入力した場合においても、

VTT を追従させることが可能です。外部入力時には VREF部の内部回路を完全に停止することができるため低消費

電力に貢献します。 EN信号がLow時にVREFはON、VTTはOFFとなり、

ディスチャージ機能により残留電荷を速やかに放電するこ

とができます。

アプリケーション 車載アプリケーション 産業機器 その他

NJW4118

VBIAS1

VBIAS2

VDDQ

VTT_IN

VTT

VSENSE

PGOOD

VREF

VREF_IN

EN PGND SGND

C VTT_IN

1.5V

3.3V

CBIAS EN

High:VTT ActiveLow:VTT OFF

PGOOD

VTT

VREF CVTT

C VREF

NJW4118-T1

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ブロック図

端子配列

端子番号 端子名 機能 端子番号 端子名 機能

1 N.C. 未接続 9 VREF リファレンス電圧出力端子

2 N.C. 未接続 10 SGND 接地端子

3 VTT VTT Output 11 VBIAS1 リファレンス回路駆動用電源入力端子

4 N.C. 未接続 12 VBIAS2 ターミネーション回路駆動用電源入力端子

5 PGND 接地端子 13 PGOOD パワーグッド機能の出力端子

6 VSENSE VTT 電圧フィードバック入力端子 (CVTTまたは負荷の+端子に接続してください)

14 EN イネーブル端子

7 N.C. 未接続 15 VDDQ VDDQ の入力端子

8 VREF_IN リファレンス電圧入力端子 16 VTT_IN ターミネーション回路出力段用電源入力端子

1 2 3 4

5

6

7

8

9+

10+

11+

12+

13+ 14+ 15+ 16

N.C

.

N.C

.

VTT

N.C

.

PGND

VSENSE

N.C.

VREF_IN

VREF

SGN

D

VBIAS1

VBIAS2

PGOOD

EN

VDDQ

VTT_IN

Exposed PAD on backside connect to GND

TOP VIEW

NJW4118-T1

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製品名構成

オーダーインフォメーション

製品名 パッケージ 車載 仕様

RoHS Halogen- Free めっき組成 マーキング 製品重量(mg)

最低発 注数量 (pcs)

NJW4118MJE-T1(TE1) EQFN16-JE ○ ○ ○ Sn2Bi 4118T1 17 1500

NJW4118 MJE - T1 (TE1)

品番 パッケージ MJE: EQFN16-JE

テーピング仕様 仕様 T1: 車載仕様

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絶対最大定格 項目 記号 定格 単位

VTT_IN 端子電圧 VTT_IN -0.3 to +4 V VBIAS1 端子電圧 VBIAS1 -0.3 to +7 V VBIAS2 端子電圧 VBIAS2 -0.3 to +7 V VDDQ 端子電圧 VDDQ -0.3 to +7 V EN 端子電圧 VEN -0.3 to +7 V VREF_IN 端子電圧 VREF_IN -0.3 to +7 V 消費電力 (Ta=25°C) EQFN16-JE

PD 720(1)

mW 1800(2)

接合部温度 Tj -40 to +150 °C 動作温度 Topr -40 to +125 °C 保存温度 Tstg -50 to +150 °C

(1): 基板実装時 101.5mm×114.5 mm×1.6mm(2 層 FR-4) で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用 (2): 基板実装時 101.5mm×114.5 mm×1.6mm(4 層 FR-4) で EIA/JEDEC 規格サイズ、且つ Exposed Pad 使用

(4 層基板内箔：99.5x99.5mm ,JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき,基板にサーマルビアホールを適用)

推奨動作範囲 項目 記号 値 単位

VBIAS1 端子電圧(3) VBIAS1 2.7 to 5.5 V

VBIAS2 端子電圧(3) VBIAS2 2.7 to 5.5 V

VTT_IN 端子電圧(4) VTT_IN VDDQ V

VDDQ 端子電圧(5) VDDQ 1.14 to 2.55 V

EN 端子電圧 VEN 0 to 5.5 V

VREF_IN 端子電圧 VREF_IN 0.5×VDDQ V

(3): VBIAS≧VTT+1.95Vの条件でご使用ください (4): VTT_INの電圧を1.5V未満でご使用される場合、VTTの最大出力電流が制限されます (5): DDRメモリのVDDQと同じ電圧を印加してください

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電気的特性 (指定なき場合には VBIAS1=3.3V, VBIAS2=3.3V, VDDQ=1.5V, VTT_IN=1.5V, VEN=3.3V, Ta=25 C

CBIAS=1µF, CVTT_IN=20µF, CVREF=1µF, CVTT=20µF) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

消費電流

VBIAS1 消費電流 IBIAS1 VEN=3.3V,IREF=0mA - 50 100

µA VEN=3.3V,IREF=0mA Ta=-40 C to 125 C

- - 100

VBIAS2 消費電流

IBIAS2_1 VEN=3.3V,ITT=0mA - 2 3.2

mA VEN=3.3V,ITT=0mA Ta=-40 C to 125 C

- - 3.6

IBIAS2_2 VEN=3.3V,ITT=2.0A - 3 4.2

mA VEN=3.3V,ITT=2.0A Ta=-40 C to 125 C

- - 4.6

VBIAS2 静止時消費電流 IBIAS2_STB

VEN=0V,ITT=0mA (IBIAS1含む)

- 100 140

µA VEN=0V,ITT=0mA (IBIAS1含む) Ta=-40 C to 125 C

- - 160

VTT_IN 消費電流 IVTT_IN ITT=0mA - - 1

µA ITT=0mA Ta=-40 C to 125 C

- - 5

リファレンス出力部

リファレンス出力電圧 (DDR2)

VREF2

VBIAS1=VBIAS2=5.0V VDDQ=VTT_IN=1.8V IREF= -1mA to 1mA

VDDQ

×0.49 VDDQ

×0.5 VDDQ

×0.51

V VBIAS1=VBIAS2=5.0V VDDQ=VTT_IN=1.8V IREF= -1mA to 1mA Ta=-40 C to 125 C

VDDQ

×0.49 -

VDDQ

×0.51

リファレンス出力電圧 (DDR3)

VREF3

VBIAS1=VBIAS2=3.3V VDDQ=VTT_IN=1.5V IREF= -1mA to 1mA

VDDQ

×0.49 VDDQ

×0.5 VDDQ

×0.51

V VBIAS1=VBIAS2=3.3V VDDQ=VTT_IN=1.5V IREF= -1mA to 1mA Ta=-40 C to 125 C

VDDQ

×0.49 -

VDDQ

×0.51

リファレンスソース電流 IREF_H 1 - -

mA Ta=-40 C to 125 C 1 - -

リファレンスシンク電流 IREF_L 1 - -

mA Ta=-40 C to 125 C 1 - -

VDDQ

入力インピーダンス ZVDDQ - 100 - kΩ

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電気的特性 (指定なき場合には VBIAS1=3.3V, VBIAS2=3.3V, VDDQ=1.5V, VTT_IN=1.5V, VEN=3.3V, Ta=25 C

CBIAS=1µF, CVTT_IN=20µF, CVREF=1µF, CVTT=20µF) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

ターミネーション駆動部

VTT 出力電圧 (DDR2)

VTT2

VBIAS1=VBIAS2=5.0V VDDQ=VTT_IN=1.8V ITT= -2.0A to 2.0A

VREF - 40m

VREF VREF +40m

V VBIAS1=VBIAS2=5.0V VDDQ=VTT_IN=1.8V ITT= -2.0A to 2.0A Ta=-40 C to 125 C

VREF - 40m

- VREF +40m

VTT 出力電圧 (DDR3)

VTT3

VBIAS1=VBIAS2=3.3V VDDQ=VTT_IN=1.5V ITT= -2.0A to 2.0A

VREF - 40m

VREF VREF +40m

V VBIAS1=VBIAS2=3.3V VDDQ=VTT_IN=1.5V ITT= -2.0A to 2.0A Ta=-40 C to 125 C

VREF - 40m

- VREF +40m

VTT ソース電流制限 ITTLIM_H 2 3.5 -

A Ta=-40 C to 125 C 2 - -

VTT シンク電流制限 ITTLIM_L 2 3.5 -

A Ta=-40 C to 125 C 2 - -

High Side-MOSFET

RDS(ON) RON_H

Source, ITT=2.0A(VTT to GND)

- 260 380

mΩ Source, ITT=2.0A(VTT to GND) Ta=-40 C to 125 C

- - 380

Low Side-MOSFET

RDS(ON) RON_L

Sink, ITT=2.0A (VTT_IN to VTT)

- 260 380

mΩ Sink, ITT=2.0A (VTT_IN to VTT) Ta=-40 C to 125 C

- - 380

VREF_IN 入力電流 IREF_IN

VREF_IN=0.75V ITT=0mA

- - 4.8

µA VREF_IN=0.75V ITT=0mA Ta=-40 C to 125 C

- - 5.5

VSENSE 入力電流 ISENSE VSENSE =0.75V - - 2.6

µA VSENSE=0.75V Ta=-40 C to 125 C

- - 3.5

ディスチャージFET ON 抵抗

RDISCH VREF_IN=0V, VTT=0.3V VEN=0V

- 6 - Ω

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電気的特性 (指定なき場合には VBIAS1=3.3V, VBIAS2=3.3V, VDDQ=1.5V, VTT_IN=1.5V, VEN=3.3V, Ta=25 C

CBIAS=1µF, CVTT_IN=20µF, CVREF=1µF, CVTT=20µF) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位

EN 部

High スレッショルド電圧 VTHH_EN VEN=L→H 1.6 - -

V VEN=L→H Ta=-40 C to 125 C

1.6 - -

Low スレッショルド電圧 VTHL_EN VEN=H→L - - 0.6

V VEN=H→L Ta=-40 C to 125 C

- - 0.6

EN 電流 IEN VEN=1.6V - 3 12

µA VEN=1.6V Ta=-40 C to 125 C

- - 12

UVLO 部

UVLO1 ON スレッショルド電圧

VUVLO1_ON VBIAS1=L→H 2.2 2.35 2.5

V VBIAS1=L→H Ta=-40 C to 125 C

2.2 2.35 2.5

UVLO1 ヒステリシス VUVLO1_HYS VBIAS1=H→L - 70 - mV

UVLO2 ON スレッショルド電圧

VUVLO2_ON VBIAS2=L→H 2.2 2.35 2.5

V VBIAS2=L→H Ta=-40 C to 125 C

2.2 2.35 2.5

UVLO2 ヒステリシス VUVLO2_HYS VBIAS2=H→L - 70 - mV Power Good 部

High レベル検出電圧 VTHH_PG Measured at VSENSE pin 106 111 116

% Measured at VSENSE pin Ta=-40 C to 125 C

106 - 116

Low レベル検出電圧 VTHL_PG

Measured at VSENSE pin Rising

84 89 94

% Measured at VSENSE pin Rising Ta=-40 C to 125 C

84 - 94

Lowレベル検出電圧 ヒステリシス幅

VHYS_PG VSENSE Falling - -5 - %

OFF 時リーク電流 ILEAK

VSENSE=VREF_IN PGood=VBIAS2

- - 1

A VSENSE=VREF_IN PGood=VBIAS2

Ta=-40 C to 125 C - - 1

Power Good ON 抵抗 RON_PG IPG=4mA - 15 - Ω

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熱特性

項目 記号 値 単位

接合部－周囲雰囲気間 θja 173(6)

68(7) °C /W

接合部－ケース表面間 ψjt 20(6)

10(7) °C /W

(6): 基板実装時 101.5mm×114.5 mm×1.6mm(2層 FR-4) でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用 (7): 基板実装時 101.5mm×114.5 mm×1.6mm(4層 FR-4) でEIA/JEDEC規格サイズ、且つExposed Pad使用

(4 層基板内箔：99.5x99.5mm ,JEDEC 規格 JESD51-5 に基づき,基板にサーマルビアホールを適用)

消費電力－周囲温度特性例

NJW4118 (EQFN16 Package) Power Dissipation vs. Ambient Temperature

(Topr=-40°C to +125°C Tj=to 150°C)

Pow

er D

issi

patio

n PD

(mW

)

Ambient Temperature (°C)

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特性例

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特性例

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端子説明

端子番号 端子名 機能 1 N.C. 未接続 2 N.C. 未接続 3 VTT ターミネーション電圧（VTT）出力です。 4 N.C. 未接続 5 PGND 接地端子

6 VSENSE VTT 電圧フィードバック入力端子です。 (CVTTまたは負荷の＋端子に接続してください)

7 N.C. 未接続 8 VREF_IN VTT のリファレンス電圧を入力します。

9 VREF 内蔵リファレンス電圧出力端子です。出力される電圧は VDDQ 端子に入力した電圧の 1/2 と

なります。 10 SGND 接地端子 11 VBIAS1 リファレンス回路用電源を入力します。 12 VBIAS2 ターミネーション回路駆動用電源を入力します。 13 PGOOD パワーグッド出力端子です。プルアップ抵抗を接続して使用します。 14 EN イネーブル端子です。 15 VDDQ VDDQ 電圧を入力します。 16 VTT_IN VTT 出力段用電源を入力します。

Technical Information

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アプリケーション情報

VREFの入力方法 NJW4118は、VTTの基準電圧を選択することができます。 内蔵されたVREF回路によるもの、または、外部で生成されたものを使用できる様にVREF_IN端子を設けています。

入力コンデンサ CVTT_IN,CBIASについて

入力コンデンサ CVTT_IN及び CBIASは、電源インピーダンスが高い場合や、各端子*1

又は GND の配線が長い場合の発振を

防止する効果があります。 そのため、推奨値(CVTT_IN=20μF,CBIAS=1µF)以上の入力コンデンサCVTT_IN及びCBIASを各端子

*1- GND端子間にできるだけ

配線が短くなるように接続してください (*1 各端子：VTT_IN,VDDQ,VBIAS1,VBIAS2) 。 CVTT_INについては、VTT 端子の急速な過渡変動に対応するため、ESR/ESL の小さなコンデンサを選定ください。Murata 社

製 10μF セラミックコンデンサ GRM21BR70J106KE76L を 2 個並列に接続して使用することを推奨します。

出力コンデンサ CVTT,CVREFについて 出力コンデンサ CVTT 及び CVREF はレギュレータ内部のループゲインの位相補償を行うために必要であり、容量値と

ESR(Equivalent Series Resistance: 等価直列抵抗)が回路の安定度に影響を与えます。 推奨容量値未満の CVTT 及び CVREF を使用すると内部回路の安定度が低下し、出力ノイズの増加、レギュレータの発

振等が起こる可能性がありますので、安定動作のために推奨値(CVTT=20μF,CVREF=1µF)以上のコンデンサを、VTT 端

子－GND 端子間、VREF 端子－GND 端子間に最短配線で接続して下さい。尚、CVTT 及び CVREFは容量値が大きいほど

出力ノイズとリップル成分が減少し、出力負荷変動に対する応答性も向上させることができます。 CVTT については、ループ安定性及び急速な過渡変動に対応するため、ESR/ESL の小さなコンデンサを選定ください。

Murata 社製 10μF セラミックコンデンサ GRM21BR70J106KE76L を 2 個並列に接続して使用することを推奨します。 また、コンデンサ固有の特性変動量(周波数特性、温度特性、DC バイアス特性)やバラツキを充分に考慮する必要

がありますので、ご使用になられる温度・負荷範囲条件での十分な確認をお願いいたします。

PGNDパターンと SGNDパターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による電圧変化が SGNDの電圧を変化させないように、セットの基準点で 1 点アースすることを推奨します。外付部品のグランド配線のパターンも変動しないように注意してください。 グランドラインの配線は、低インピーダンスになるように設計してください。

CBIAS

NJW4118 NJW4118

VBIAS1

VBIAS2

VDDQ

VTT_IN

VTT VSENSE

PGOOD

VREF

VREF_IN

EN PGND SGND

VBIAS1

VBIAS2

VDDQ

VTT_IN

PGOOD

VREF VREF_IN

ENPGND SGND

C VTT_IN

1.5V

3.3V

CBIAS EN High:VTT Active Low:VTT OFF

EN High:VTT Active Low:VTT OFF

PGOOD

VTT

PGOOD

3.3V

1.5V

VREF

VTT VSENSE

VTT

C VTT

CVREF

CVTT_IN

CVTT REF (to DDR)

内蔵する VREF を使用 外部より VREF を入力

Technical Information

NJW4118-T1

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■外形寸法図 ■フットパターン

3.0±0.05

0.10 M S A

3.0±0.05

0.10M

SB

0.075 S

0.01+0.010

-0.008

0.7±0.05

S

S0.05

0.5

1.8 +0.06-0.04

1.8+0.06

-0.04

C0.4

0.23+0.06-0.04

A

0.3±0.050.05 M S AB

0.3

0.3

B

0.5

0.23+0.06

-0.04

R0.4

EQFN16-JE Unit: mm

0.5

1.74

1.74

3.30

3.30

0.45

0.25

0.5

0.15

R0.37

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■包装仕様 テーピング寸法

Feed direction

A

BW1

P2 P0 φD0

P1

EF

W

T

φD1 K0

T2

SYMBOL

AB

D0D1

EF

P0P1

P2T

T2K0

WW1

DIMENSION3.3±0.1

3.3±0.11.5

1.51.75±0.1

5.5±0.054.0±0.1

8.0±0.12.0±0.05

0.3±0.051.3±0.07

0.9±0.0512.0

9.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10+0.10

+0.3-0.1

リール寸法

A

E

C D

B

W

W1

SYMBOLABC

DEWW1

DIMENSIONφ180φ 60φ 13±0.2

φ 21±0.82±0.513

15.4±1.0

0-3.0+10

+1.00

テーピング状態

Feed direction

Sealing with covering tape

Empty tape Devices Empty tape Covering tape

more than 160mm 1500pcs/reel more than 100mm reel more than 1round

more than 400mm

梱包状態

Put a reel into a box

LabelLabel

EQFN16-JE Unit: mm

Insert direction

(TE3)

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奨実装方法

・リフローはんだ法

＊リフロー温度プロファイル

a：温度上昇勾配 ： 1～4℃/s b：予備加熱温度 時間

： 150～180℃ ： 60～120s

c：温度上昇勾配 ： 1～4℃/s d：実装領域 A 温度 時間 e：実装領域 B 温度 時間

： 220℃ ： 60s 以内 ： 230℃ ： 40s 以内

f：ピーク温度 ： 260℃以下 ｇ：冷却温度勾配 ： 1～6℃/s

温度測定点 ： パッケージ表面 a b c

e

g

150℃

260℃

常 温

f

180℃

230℃ 220℃ d

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改定履歴

日付 改訂 変更内容

2018.04.03 Ver.1.0 新規リリース

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注意事項 １． 当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがありますので、

当社半導体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の

責任においてフェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確

保に十分留意されますようお願いします。 ２． このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うもので

はありません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、工業所有権その他

の権利の実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。 このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３． このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前

に当社営業窓口までご相談願います。 · 航空宇宙機器 · 海底機器 · 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) · 生命維持に関する医療装置 · 防災/ 防犯装置 · 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) · 各種安全装置

４． このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがあ

りますので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損

害等を生じた場合、当社は一切その責任を負いません。 ５． ガリウムヒ素（GaAs）の安全性について

対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕

いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミと

は混ぜないでください。 ６． このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書

の取り交わしが必要です。