pd1 curvas caracteristicas diodos

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PD1 Curvas Carecteristicas de Diodos

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  • eLab, Laboratorio Remoto de Electrnica

    ITESM, Depto. de Ingeniera Elctrica

    - 1 -

    PRCTICA PD1

    CARACTERSTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE

    DIODOS SEMICONDUCTORES

    OBJETIVOS

    Determinar tericamente y de manera experimental los parmetros de funcionamiento de diferentes tipos de diodos semiconductores y graficar sus curvas caractersticas de voltaje contra

    corriente.

    Conocer e interpretar los parmetros de funcionamiento que los fabricantes de diodos semiconductores presentan en sus hojas de especificaciones.

    1.1 INTRODUCCIN

    Principio de funcionamiento del Diodo Semiconductor

    El diodo es un dispositivo que permite el flujo de corriente en una sola direccin. Su

    funcionamiento puede ser comparado al de una vlvula de agua de las llamadas vlvulas "check".

    Observe en la Figura 1.1(a) como la presin de agua es aplicada en el extremo derecho de dicha vlvula

    de tal forma que provoca que esta se abra, permitiendo el flujo de agua en una direccin (en este caso

    de izquierda a derecha). Por otro lado, en la Figura 1.1(b), se observa como la presin de agua es

    aplicada en direccin opuesta, lo que mantiene la vlvula cerrada evitando el flujo de agua.

    Esta analoga sirve para explicar el funcionamiento de un diodo, ya que idealmente el diodo se

    comporta como una vlvula electrnica. Cuando se aplica un voltaje entre las terminales de un diodo, la

    polaridad del voltaje aplicado provoca que el diodo se encuentre en uno de dos estados posibles:

    Estado 1. El diodo conduce la corriente en una determinada direccin. Este estado tambin es llamado

    de polarizacin directa. Se dice que el diodo se encuentra polarizado directamente cuando aplicamos un voltaje positivo de nodo con respecto al ctodo. En la Figura 1.2 (a) y (b), se observa como el

    comportamiento del diodo es similar al de un interruptor cerrado permitiendo la circulacin de

    corriente.

    (a) Vlvula abierta (b) Vlvula cerrada

    Figura 1.1 En estas figuras se compara el funcionamiento de un diodo con el de una vlvula de agua tipo check.

    Flujo de agua

    Presin

    Vlvula abierta

    Vlvula cerrada

    Presin

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 2 -

    Estado 2. El diodo bloquea el flujo de la corriente en sentido inverso. Este estado tambin es llamado

    de polarizacin inversa. Se dice que el diodo se encuentra polarizado inversamente cuando aplicamos un voltaje negativo de nodo con respecto al ctodo. En la Figura 1.3 (a) y (b), se observa como el

    comportamiento del diodo es similar al de un interruptor abierto, y por lo tanto, no permite el flujo de

    corriente. Observe que en este caso la polaridad de la fuente de voltaje se ha invertido en comparacin

    con el circuito de la Figura 1.2(a).

    (a) (b) Figura 1.2 a) Representacin de un circuito con diodo en polarizacin directa. b) Circuito equivalente simplificado

    Carga

    -- +

    Diodo

    1N4007

    Fuente de

    voltaje

    I

    V

    Direccin de la corriente

    CargaCarga

    -- +

    Diodo

    1N4007

    Fuente de

    voltaje

    I

    V

    Direccin de la corriente

    Carga

    -- +

    Diodo como

    interruptor cerrado

    Fuente de

    voltaje

    I

    V

    Direccin de la corriente

    CargaCarga

    -- +

    Diodo como

    interruptor cerrado

    Fuente de

    voltaje

    I

    V

    Direccin de la corriente

    (a) (b)

    Figura 1.3 a) Representacin de un circuito con diodo en polarizacin inversa. b) Circuito equivalente simplificado

    Carga

    + --

    Diodo

    1N4007

    Fuente de

    voltaje

    V

    CargaCarga

    + --

    Diodo

    1N4007

    Fuente de

    voltaje

    V

    Carga

    + --

    Diodo como

    interruptor abierto

    Fuente de

    voltaje

    V

    Corriente bloqueada

    I=0 A

    CargaCarga

    + --

    Diodo como

    interruptor abierto

    Fuente de

    voltaje

    V

    Corriente bloqueada

    I=0 A

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 3 -

    Construccin y smbolo del diodo

    Un diodo se construye uniendo dos capas de materiales semiconductores, una capa de material

    semiconductor tipo P y una capa de material tipo N. En la Figura 1.4(a) se representa la estructura

    bsica de un diodo. La terminal conectada a la regin N es llamada ctodo (K), y la terminal conectada

    a la regin P, se conoce como nodo (A). Por otro lado, en la Figura 1.4(b) se ilustra el smbolo

    elctrico usado para representar el diodo.

    Bibliografa

    Libro de Texto:

    Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 1) Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3

    rd Edition, 2007

    Libros de Consulta:

    Electronic Devices (Chapter 1) Thomas L. Floyd, Prentice Hall, 6

    th Edition, 2002

    Electronic Circuits; Analysis, Simulation, and Design (Chapter 3) Norbert R. Malik, Prentice Hall, 1995

    Electronic Devices and Circuits (Chapter 1 and 2) Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7

    th Edition, 2006

    (a) (b)

    Figura 1.4 a) Estructura bsica de un diodo b) Smbolo elctrico

    nodo

    (A)

    Ctodo

    (K)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 4 -

    1.2 ACTIVIDAD PREVIA

    Instrucciones

    Siga detalladamente las instrucciones para cada uno de los puntos que se plantean en la

    presente actividad. Conteste y/o resuelva lo que se le pide en los espacios correspondientes para cada

    pregunta. Hgalo de manera ordenada y clara. En el reporte agregue en el espacio asignado grficas

    comparativas, anlisis de circuitos, simulaciones en computadora, ecuaciones, referencias

    bibliogrficas, ejemplos, aplicaciones, segn sea el caso.

    No olvide colocar una portada con sus datos de identificacin as como los datos relacionados

    con la prctica en cuestin, como nmero de prctica, titulo, fecha, etc.

    Desarrollo de la actividad previa

    I) Lea detenidamente el capitulo 1 de su libro de texto (Materiales Semiconductores y Diodos) y conteste lo siguiente:

    Utilizando una analoga diferente a la de la vlvula check describa con sus propias palabras el funcionamiento ideal de un diodo.

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    Dibuje el smbolo elctrico del diodo y especifique las terminales de nodo y ctodo. Dibuje tambin la estructura interna de las capas de semiconductor de un diodo e identifique sus

    terminales.

    Realice una comparacin entre las caractersticas de voltaje contra corriente real de un diodo y su caracterstica ideal.

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    Defina el Voltaje de Directa (Forward Voltage) VF y Voltaje de Ruptura VBR. Qu papel desempean en el comportamiento de un diodo?

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    (Agregue aqu los dibujos correspondientes)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 5 -

    Investigue el concepto de resistencia de CA o dinmica aplicada a un diodo. Proporcione una explicacin para este concepto.

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    Demuestre matemticamente que la resistencia dinmica de un diodo tambin puede calcularse como:

    D

    T

    D

    D

    DI

    V

    di

    dvr

    donde ID es la corriente que circula por el diodo en un punto de operacin especfico y VT es el

    Voltaje Trmico. Para que regiones de la curva caracterstica es vlida esta ecuacin?

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    Explique el significado de Voltaje Trmico VT (aplicado a un diodo semiconductor). Determine tambin la ecuacin con la cual se puede calcular.

    _____________________________________________________________________________

    ____________________________________________________________

    II) Hoja de especificaciones de diodos. Los datos que los fabricantes proporcionan en sus hojas de especificaciones acerca de los dispositivos semiconductores son piezas claves para la correcta

    utilizacin del dispositivo. Estas incluyen grficas, tablas, identificacin de terminales, materiales

    utilizados en la construccin del dispositivo, temperaturas de operacin, corrientes mximas

    permitidas, dimensiones, recomendaciones generales, etc..

    A continuacin se presenta una lista con los datos ms importantes que deben conocerse para una

    correcta utilizacin de un diodo. Se pide que comprendas el significado de cada uno de ellos.

    1. Tipo de diodo

    2. El voltaje de conduccin en directa VF (a una corriente y temperatura especficas)

    3. La corriente directa mxima IF (a una temperatura especfica)

    4. La corriente de saturacin inversa IR (a un voltaje y temperatura especficos)

    5. El voltaje de ruptura VBR (breakdown) (a una temperatura especificada)

    6. La capacidad mxima de disipacin de potencia a una temperatura en particular

    7. El tiempo de recuperacin inverso trr

    8. El rango de temperatura de operacin

    Otros datos adicionales que dependen del tipo de diodo que se trate son: rango de frecuencia,

    caractersticas pticas, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, los niveles de resistencia

    trmica y los valores pico repetitivos.

    III) Imprima la hoja de datos del fabricante para los siguientes modelos de diodos: 1N4001, HLMP-

    M200 y 1N5818. Estudie la hoja de datos de cada modelo. Nota, tome en cuenta que algunos

    fabricantes pueden omitir algunos parmetros.

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 6 -

    IV) Tomando en cuenta la informacin contenida en la hoja de datos de cada modelo de diodo conteste

    lo siguiente:

    A que tipo de diodo corresponde cada modelo. Llene la siguiente tabla comparativa:

    Modelo Tipo de Diodo

    1N4001 1N5818

    HLMP-M200

    Para cada modelo indicado, llene la siguiente tabla con los parmetros que se especifican en ella. Considere los parmetros a temperatura ambiente (25C).

    Parmetro 1N4001 1N5818 HLMP-M200

    Voltaje de directa (VF)

    Para una IF=200mA

    Para una IF=100mA

    Para una IF=40mA

    Corriente directa mxima

    (IF) promedio o continua

    Corriente directa (IF) pico

    no repetitiva

    Voltaje de ruptura (VBR)

    Corriente de saturacin

    inversa IR a voltaje inverso

    VR mximo

    Disipacin mxima de

    potencia

    Rango de temperaturas de

    operacin

    Para los tres modelos de diodos, observe los valores de corriente directa (IF) promedio o continua y comprelos con los de la corriente directa pico no repetitiva. En relacin a estos

    valores de corriente Qu puede concluir? Suponga que en cada uno de los diodos mantenemos

    constante el valor de la corriente pico durante un tiempo prolongado. Qu efecto tendra esta

    accin en el dispositivo?

    _____________________________________________________________________________

    _________________________________________________________

    En que afecta la temperatura ambiente a la corriente directa IF del diodo? _____________________________________________________________________________

    _________________________________________________________

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 7 -

    1.3 PROCEDIMIENTO

    En esta seccin se construirn, de forma experimental, las curvas caractersticas de voltaje

    contra corriente para tres diferentes modelos de diodos. A partir de ellas se obtendrn varios parmetros

    de inters, tales como la resistencia interna del diodo, voltaje de umbral, corriente de saturacin

    inversa, voltaje trmico, etc. Una vez recolectados los datos para cada modelo de diodo, se pide que a

    partir de esta informacin se identifique el modelo especfico de cada uno.

    Construccin de la curva caracterstica de voltaje contra corriente. A continuacin se describe el

    procedimiento para la construccin de la curva caracterstica de voltaje contra corriente de cada diodo.

    Para ello se utiliza la interfase grfica del Laboratorio Remoto de Electrnica (eLab).

    Para la construccin de la curva caracterstica de voltaje contra corriente, ajuste el valor de voltaje de la

    batera de acuerdo a las siguientes recomendaciones: para voltajes positivos se sugieren incrementos de

    0.05 a 0.1V; mientras que para valores negativos es recomendable realizar incrementos de 0.5 a 1V.

    Observe en la Figura 1.5 como este voltaje se aplica directamente a las terminales del diodo. Una vez

    seleccionado el nivel de voltaje, presione el botn Execute. Esta accin es la encargada de aplicar el voltaje seleccionado fsicamente al dispositivo semiconductor. Para cada nivel de voltaje aplicado, el

    sistema mide la corriente que se establece en el diodo y grafica a la vez cada punto de voltaje contra

    corriente. Debe ir ajustando el valor de la fuente de voltaje, tanto para valores positivos como para

    valores negativos, de manera que vaya construyendo la curva caracterstica del diodo.

    I) Voltaje Trmico VT

    a) Temperatura de operacin del diodo. Tome la lectura de la temperatura (en C) a la cual estn

    operando los diodos, este dato se puede obtener de la interfase grfica del Laboratorio Remoto de

    Electrnica (eLab).

    Temperatura de operacin (C)

    b) Voltaje Trmico VT. Con el dato de temperatura obtenido en el inciso anterior calcule el Voltaje

    Trmico. Realice los clculos en el siguiente espacio y anote su resultado.

    Figura 1.5 Circuito para la construccin de la curva de voltaje contra corriente

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 8 -

    Voltaje Trmico VT

    II) Diodo Semiconductor 1

    a) Construya punto por punto, de acuerdo al procedimiento descrito anteriormente, la curva

    caracterstica de voltaje contra corriente del diodo 1. En el siguiente recuadro inserte la curva

    caracterstica obtenida.

    b) Mediciones de voltaje y corriente en diferentes puntos de operacin. Ajuste el voltaje aplicado

    para obtener la corriente indicada en cada caso (puede aproximar el valor de la corriente de prueba).

    Complete la siguiente tabla.

    Voltaje aplicado V Corriente ID

    V1= ID1= (10 mA)

    V2= ID2= (8 mA)

    V3= ID3= (6 mA)

    V4= ID4= (4 mA)

    V5= ID5= (2 mA)

    V6= ID6= (1.5 mA)

    V7= ID7= (1 mA)

    V8= ID8= (0.5 mA)

    c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en

    varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos

    y llene la siguiente tabla.

    Tipo de diodo Resistencia promedio

    Con ID2=8 mA y

    mA2 DI

    31

    31

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID4=4 mA y

    mA2 DI

    53

    53

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID7=1 mA y

    mA5.0 DI

    86

    86

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Diodo 1 rAV = rAV = rAV =

    (Agregue aqu la curva caracterstica correspondiente al diodo 1)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 9 -

    d) Clculo de la resistencia dinmica utilizando la definicin. Utilizando la formula

    D

    T

    I

    Vdr

    calcule la resistencia dinmica para los siguientes casos:

    Tipo de diodo Resistencia dinmica con ID2=8 mA

    Resistencia dinmica

    con ID4=4 mA Resistencia dinmica con

    ID7=1 mA

    Diodo 1 rd = rd = rd =

    e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)

    del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se

    recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin

    de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.

    Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral

    VTh del diodo.

    Para el presente diodo, a continuacin, anote el valor de voltaje de umbral obtenido:

    Voltaje de Umbral del Diodo VTh

    f) Corriente de Saturacin Inversa. Empleando la ecuacin de Shockley que describe la relacin

    terica entre el voltaje y la corriente del diodo, utilice los puntos de medicin de voltaje y corriente

    obtenidos en el inciso (b) del procedimiento y calcule la Corriente de Saturacin Inversa IS del diodo.

    Corriente de prueba ID Voltaje de prueba V Corriente IS

    (10 mA)

    (6 mA)

    (2 mA)

    III) Diodo Semiconductor 2

    a) Construya punto por punto, de acuerdo al procedimiento descrito anteriormente, la curva

    caracterstica de voltaje contra corriente del diodo 2. En el siguiente recuadro inserte la curva

    caracterstica obtenida.

    (Agregue aqu la curva caracterstica correspondiente al diodo 2)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 10 -

    b) Mediciones de voltaje y corriente en diferentes puntos de operacin. Ajuste el voltaje aplicado

    para obtener la corriente indicada en cada caso (puede aproximar el valor de la corriente de prueba).

    Complete la siguiente tabla.

    Voltaje aplicado V Corriente ID

    V1= ID1= (10 mA)

    V2= ID2= (8 mA)

    V3= ID3= (6 mA)

    V4= ID4= (4 mA)

    V5= ID5= (2 mA)

    V6= ID6= (1.5 mA)

    V7= ID7= (1 mA)

    V8= ID8= (0.5 mA)

    c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en

    varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos

    y llene la siguiente tabla.

    Tipo de diodo Resistencia promedio

    Con ID2=8 mA y

    mA2 DI

    31

    31

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID4=4 mA y

    mA2 DI

    53

    53

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID7=1 mA y

    mA5.0 DI

    86

    86

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Diodo 2 rAV = rAV = rAV =

    d) Clculo de la resistencia dinmica utilizando la definicin. Utilizando la formula

    D

    T

    I

    Vdr

    calcule la resistencia dinmica para los siguientes casos:

    Tipo de diodo Resistencia dinmica con ID2=8 mA

    Resistencia dinmica

    con ID4=4 mA Resistencia dinmica con

    ID7=1 mA

    Diodo 2 rd= rd= rd=

    e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)

    del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se

    recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin

    de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.

    Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral

    VTh del diodo.

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 11 -

    Para el presente diodo, a continuacin, anote el valor del voltaje de umbral obtenido:

    Voltaje de Umbral del Diodo VTh

    f) Corriente de Saturacin Inversa. Empleando la ecuacin de Shockley que describe la relacin

    terica entre el voltaje y la corriente del diodo, utilice los puntos de medicin de voltaje y corriente

    obtenidos en el inciso (b) del procedimiento y calcule la Corriente de Saturacin Inversa IS del diodo.

    Corriente de prueba ID Voltaje de prueba V Corriente IS

    (10 mA)

    (6 mA)

    (2 mA)

    IV) Diodo Semiconductor 3

    a) Construya punto por punto, de acuerdo al procedimiento descrito anteriormente, la curva

    caracterstica de voltaje contra corriente del diodo 3. En el siguiente recuadro inserte la curva

    caracterstica obtenida.

    b) Mediciones de voltaje y corriente en diferentes puntos de operacin. Ajuste el voltaje aplicado

    para obtener la corriente indicada en cada caso (puede aproximar el valor de la corriente de prueba).

    Complete la siguiente tabla.

    Voltaje aplicado V Corriente ID

    V1= ID1= (10 mA)

    V2= ID2= (8 mA)

    V3= ID3= (6 mA)

    V4= ID4= (4 mA)

    V5= ID5= (2 mA)

    V6= ID6= (1.5 mA)

    V7= ID7= (1 mA)

    V8= ID8= (0.5 mA)

    c) Calculo de la resistencia promedio. Ahora se calcular la resistencia promedio para este diodo en

    varios puntos de operacin. Utilizando los resultados del inciso anterior, realice los clculos respectivos

    y llene la siguiente tabla.

    (Agregue aqu la curva caracterstica correspondiente al diodo 3)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 12 -

    Tipo de diodo Resistencia promedio

    Con ID2=8 mA y

    mA2 DI

    31

    31

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID4=4 mA y

    mA2 DI

    53

    53

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Resistencia promedio

    Con ID7=1 mA y

    mA5.0 DI

    86

    86

    DDd

    d

    AVII

    VV

    I

    Vr

    Diodo 3 rAV = rAV = rAV =

    d) Clculo de la resistencia dinmica utilizando la definicin. Utilizando la formula

    D

    T

    I

    Vdr

    calcule la resistencia dinmica para los siguientes casos:

    Tipo de diodo Resistencia dinmica con ID2=8 mA

    Resistencia dinmica

    con ID4=4 mA Resistencia dinmica con

    ID7=1 mA

    Diodo 3 rd = rd = rd =

    e) Voltaje de umbral. Con la curva caracterstica de voltaje contra corriente obtenida en el inciso a)

    del procedimiento realice los trazos adecuados para calcular el voltaje de umbral del diodo. Se

    recomienda que realice el siguiente procedimiento: primero, trace una lnea recta tangente a la regin

    de plena conduccin del diodo, enseguida, extienda esta lnea hasta que sta cruce el eje horizontal.

    Finalmente, el voltaje en el cual la lnea recta corta el eje horizontal corresponde al voltaje de umbral

    VTh del diodo.

    Para el presente diodo, a continuacin, anote el valor del voltaje de umbral obtenido:

    Voltaje de Umbral del Diodo VTh

    f) Corriente de Saturacin Inversa. Empleando la ecuacin de Shockley que describe la relacin

    terica entre el voltaje y la corriente del diodo, utilice los puntos de medicin de voltaje y corriente

    obtenidos en el inciso (b) del procedimiento y calcule la Corriente de Saturacin Inversa IS del diodo.

    Corriente de prueba ID Voltaje de prueba V Corriente IS

    (10 mA)

    (6 mA)

    (2 mA)

  • PD1 - Caractersticas V-I de Diodos

    - 13 -

    1.4 ACTIVIDADES Y CONCLUSIONES FINALES

    1.- Para cada tipo de diodo, observe la tabla obtenida en el inciso (c) del procedimiento qu sucede

    con su resistencia promedio a medida que disminuye la corriente que circula por l? Proporcione una

    explicacin para estos resultados.

    ___________________________________________________________________________________

    ___________________________________________________________________________________

    __________________________________________________________

    2) Para cada tipo de diodo, observe los datos obtenidos en el inciso (d) del procedimiento. Qu sucede

    con la resistencia dinmica a medida que disminuye el punto de operacin? Justifique su respuesta

    ___________________________________________________________________________________

    ___________________________________________________________________________________

    __________________________________________________________

    3) Para cada diodo compare los resultados obtenidos en el inciso (c) y (d) del procedimiento. Explique

    el motivo de las diferencias en los resultados de ambos incisos.

    ___________________________________________________________________________________

    ___________________________________________________________________________________

    __________________________________________________________

    4) Para los modelos de diodos analizados en la presente prctica realice una comparacin entre sus

    voltajes de umbral. Complete la siguiente tabla.

    Diodo 1 Diodo 2 Diodo 3

    Voltaje de umbral VTh

    A continuacin, mencione cuales son las causas que dan lugar a las diferencias en los resultados de la

    tabla anterior.

    ___________________________________________________________________________________

    ___________________________________________________________________________________

    _____________________________________________________

    5) De los modelos de diodos analizados en el punto IV de la actividad previa y en base a las mediciones

    efectuadas en el procedimiento Determine el modelo correspondiente para cada tipo de diodo

    analizado en el procedimiento de la practica?

    Modelo Tipo de Diodo

    Diodo 1

    Diodo 2

    Diodo 3