resumen memorias

MEMORIAS 2012

ÍNDICE :

1.- INTRODUCCIÓN…………………………………………………… 4

2.- MEMORIA RAM…………………………………………………….. 5

2.1.- Memoria de acceso aleatorio o RAM…………………… 5

2.2.- SIMM (Single In-line Memory Module)………………….. 5

2.3.- DIMM (Dual In-line Memory Module)........................... 6

2.4.- SO-DIMM (Small Outline DIMM)………………………… 6

3.- LOS TIPOS BASICOS DE MEMORIA RAM…………………….. 6

3.1.- RAM estática o SRAM……………………………………. 6

3.2.- RAM dinámica o DRAM…………………………………... 6

3.3.- Memorias MOS…………………………………………….. 7

4.- TIPOS DE RAM ESTATICA……………………………………….. 7

4.1.- SRAM……………………………………………………….. 7

4.2.- Sync SRAM………………………………………………… 7

4.3.- PB SRAM…………………………………………………… 8

5.- TIPOS DE RAM DINAMICA………………………………………... 8

5.1.- DRAM……………………………………………………….. 8

5.2.- FPM…………………………………………………………. 8

5.3.- EDO RAM…………………………………………………... 8

5.4.- SDRAM……………………………………………………… 9

5.5.- PC100 o SDRAM de 100 MHz…………………………… 9

5.6.- BEDO RAM…………………………………………………. 9

6.- LAS MEMORIAS MÁS RECIENTES……………………………… 9

6.1.- ESDRAM……………………………………………………. 9

6.2.- SLDRAM…………………………………………………….. 9

6.3.- RDRAM…………………………………………………….. 10

6.4.- RIMM……………………………………………………….. 10

a) Características Generales de la memoria RIMM…. 11

b) Partes que la Componen…………………………….. 11

c) Capacidad de Almacenamiento……………………. 11

6.5.- DDR………………………………………………………… 12

a) Características Generales de la memoria DDR….. 12

b) Partes que la Componen……………………………. 12

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c) Capacidad de Almacenamiento…………………….. 13

6.6.- DDR-2……………………………………………………… 13

a) Características Generales de la memoria DDR-2... 13



6.7.- DDR-3………………………………………………………. 14

a) Características Generales de la memoria DDR-3… 15



6.8.- DDR-4………………………………………………………. 16

a) Características Generales de la memoria DDR-4….16



d) Usos Específicos………………………………………17

7.- MEMORIA ROM……………………………………………………... 17

• BIOS……………………………………………………………... 18

• CMOS……………………………………………………………. 18

• SETUP…………………………………………………………… 18

7.1.- Características Generales………………………………… 18

7.2.- UBICACIÓN DE LA ROM EN LA TARJETA PRINCIPAL “MOTHERBOARD”………………………………………………. 19

7.3.- Tipos Actuales de Memoria ROM………………………... 19

+ Memorias PROM………………………………………. 19

+ Memorias EPROM…………………………………….. 19

+ Memorias EEPROM…………………………………… 19

7.4.- Reinicio de una memoria ROM/RESPALDO de una

memoria ROM……………………………………………. 20

7.5.- Actualización de las memorias ROM………………….. 20

7.6.- El Software SETUP de la memoria ROM……………... 20

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7.7.- Como acceder al SETUP de la memoria ROM……….. 21

7.8.- Usos específicos de la memoria ROM…………………. 21

8.- CONCLUSIÓN………………………………………………………. 22

9.- BIBLIOGRAFÍA……………………………………………………… 23

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1.-INTRODUCCIÓN:

La memoria es uno de los componentes fundamentales de las computadoras, sin ellos no tendrían un medio de almacenamiento temporario para la ejecución de Programas. La memoria es el medio de almacenamiento temporal en el que la CPU (Microprocesador) puede escribir, leer o modificar información.

En informática, la memoria (también llamada almacenamiento) se refiere a la parte de los componentes que integran una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo. Las memorias de computadora proporcionan una de las principales funciones de la computación moderna, la retención o almacenamiento de información. Es uno de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que, acoplados a una unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en inglés, central processing unit), implementa lo fundamental del modelo de computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los años 1940.

Tipos de Memorias:

a) RAM (Random Access Memory = Memoria de Acceso al Azar o Aleatorio): es la Memoria Principal de la Computadora.

b) ROM (Read Only Memory = Memoria de Solo Lectura): también se la denomina ROM BIOS (ROM Basic Input Output System). Se graban durante su fabricación, no pueden modificarse y tampoco desaparecen al apagar la Computadora.

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2.- MEMORIA RAM:

Son los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. En un sentido más amplio, puede referirse también a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Por lo general se refiere sólo al semiconductor rápido de almacenaje (RAM) conectado directamente al procesador.

La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory, cuyo acrónimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. En otras palabras, memoria RAM es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal, porque los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.

Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con pines o contactos.

A diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho más rápida, y que se borra al apagar el computador, no como el disquete o el disco duro, en donde la información permanece grabada.

La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.

En el sentido estricto, esta memoria es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memoria FLASH, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la placa principal.

2.1.- Memoria de acceso aleatorio o RAM:

Es la memoria basada en semiconductores que puede ser leída o escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. Es un acrónimo del inglés Random Access Memory, el cual es bastante inadecuado puesto a que todas las pastillas de memoria son accesibles en forma aleatoria, pero el término ya se ha arraigado. El acceso a posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. Actualmente la memoria RAM para computadoras personales se suele fabricar en módulos inestables llamados SIMM.

2.2.- SIMM (Single In-line Memory Module):

Consta de una pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Los SIMM están diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con diferentes capacidades (4Mb, 8Mb,

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16Mb, etc.) y con diferentes velocidades de acceso. Hoy en día su uso es muy frecuente debido a que ocupan menos espacio y son más manejables y compactos que los tradicionales chips de memoria. Aparecen en dos formatos de 30 contactos los cuales manejan 8 bits cada vez, miden unos 8.5 cm ó de 72 contactos que manejan 32 bits y tienen un largo de 10,5 cm.

2.3.- DIMM (Dual In-line Memory Module):

Es otro tipo de encapsulado a diferencia del SIMM aparece con un formato de 168 conectores, de unos 13 cm de longitud, los cuales pueden manejar 64 bits.

2.4.- SO-DIMM (Small Outline DIMM):

Consiste en una versión compacta del módulo DIMM convencional, contando con 144 contactos y con un tamaño, de aproximadamente de la mitad de un SIMM. Se utiliza mucho en computadores portátiles.

3.- LOS TIPOS BASICOS DE MEMORIA RAM :

Es posible obtener memorias semiconductoras en una amplia gama de velocidades. Sus tiempos de ciclo varían desde unos cuantos cientos de nanosegundos, hasta unas cuantas decenas de nanosegundos. Cuando se presentaron por primera vez, a fines de la década de 1960, eran mucho más costosas que las memorias de núcleo magnético que reemplazaron. Debido a los avances de la tecnología de VLSI (Very Large Scale Integration – integración a muy gran escala), el costo de las memorias semiconductoras ha descendido en forma notable.

Existen dos tipos de memoria RAM: la SRAM o RAM estática; y la DRAM o RAM dinámica.

3.1.- RAM estática o SRAM:

El almacenamiento en RAM estática se basa en circuitos lógicos denominados flip-flop, que retienen la información almacenada en ellos mientras haya energía suficiente para hacer funcionar el dispositivo (ya sean segundos, minutos, horas, o aún días). Un chip de RAM estática puede almacenar tan sólo una cuarta parte de la información que puede almacenar un chip de RAM dinámica de la misma complejidad, pero la RAM estática no requiere ser actualizada y es normalmente mucho más rápida que la RAM dinámica (el tiempo de ciclo de la SRAM es de 8 a 16 veces más rápido que las SRAM). También es más cara, por lo que se reserva generalmente para su uso en la memoria de acceso aleatorio (caché).

3.2.- RAM dinámica o DRAM:

Las RAM dinámicas almacenan la información en circuitos integrados que contienen condensadores, que pueden estar cargados o descargados. Como éstos pierden su carga en el transcurso del tiempo, se debe incluir los circuitos necesarios para "refrescar" los chips de RAM cada pocos milisegundos, para impedir la pérdida de su información. Algunas memorias dinámicas tienen la lógica del refresco en la propia pastilla, dando así gran capacidad y facilidad de conexión a los circuitos. Estas pastillas se denominan casi estáticas. Mientras la RAM dinámica se refresca, el procesador no puede leerla. Si intenta hacerlo en ese momento, se verá forzado a esperar. Como son relativamente sencillas, las RAM dinámicas suelen utilizarse más que las RAM estáticas, a pesar de ser más lentas.

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3.3.- Memorias MOS:

Dos importantes ventajas de los dispositivos MOS, en comparación con los dispositivos bipolares, son que permiten mayores densidades de bits en los chips de circuito integrado, y fundamentalmente son más fáciles de fabricar. Sin embargo los transistores MOS son dispositivos de alta impedancia, lo que lleva a una disipación de potencia más baja. Su principal desventaja es su velocidad de operación relativamente lenta.

Como en el caso de las memorias bipolares, son posibles muchas configuraciones de celda MOS. La más simple es el circuito flip-flop. La operación del circuito es semejante a su contraparte bipolar. Los transistores realizan la misma función que los resistores del punto anterior. Los transistores corresponden a los dos diodos. Actúan como interruptores que pueden abrirse o cerrarse bajo control de la línea de palabras. Cuando estos dos interruptores están cerrados, el contenido de la celda se transfiere a las líneas de bit. Como en el caso de la memoria bipolar, cuando se selecciona una celda en particular, su contenido puede volverse a escribir aplicando voltajes adecuados en las líneas de bit.

Tanto la celda bipolar, como su contraparte MOS, requieren un flujo continuo de corriente de suministro de energía, a través de una de las dos ramas del flip-flop. Son capaces de almacenar información indefinidamente, siempre y cuando se mantenga este flujo de corriente. Por lo tanto se les conoce como memorias estáticas. Véase también RAM estáticas o SRAM.

La alta impedancia que se puede alcanzar en la tecnología MOS permite construir un tipo diferente de memoria conocido como memoria dinámica (DRAM). La memoria dinámica se basa en celdas simples, lo cual permite mayor densidad de bits y menor consumo de energía en relación con las configuraciones estáticas. Véase también RAM dinámica o DRAM.

4.- TIPOS DE RAM ESTATICA:

4.1.- SRAM:

Static Random Access Memory – Memoria estática de acceso aleatorio Es un tipo de memoria más rápida y confiable que la DRAM. El término estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM estática se construye con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose en cuál de los dos transistores es activado. Estas memorias no precisan no precisan de los complejos circuitos de refrescamiento como sucede con las RAMs dinámicas, pero usan mucha más energía y espacio. La misma es usada como memoria caché.

4.2.- Sync SRAM:

Synchronous Static Random Access Memory –Es también un tipo de memoria caché. La RAM sincronizada a ráfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66 MHz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente más lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos módulos están en desuso porque su precio es realmente elevado y

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sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

4.3.- PB SRAM:

Pipeline Burst Static Random Access Memory – Es un tipo de memoria estática pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como caché al igual que la SRAM, y la más rápida de la actualidad con soporte para buses de 75 MHz o superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos.

5.- TIPOS DE RAM DINAMICA:

5.1.- DRAM:

Dynamic Random Access Memory – Memoria dinámica de acceso aleatorio. Usada en PC como el 386 su velocidad de refrescamiento típica es de 80 ó 70 nanosegundos. Físicamente aparece en forma de DIMMs o de SIMMs. Opera de la siguiente manera, las posiciones de memoria están organizadas en filas y columnas. Cuando accedemos a la memoria empezamos especificando la fila, después la columna y por último decimos si deseamos escribir o leer en esa posición. En ese momento la memoria coloca los datos de esa posición en la salida si el acceso es de lectura o toma los datos y los almacena en la posición seleccionada si el acceso es de escritura.

5.2.- FPM:

Fast Page Memory - Memoria en modo paginado. También es llamada FPM RAM, FPM DRAM o DRAM puesto que evoluciona directamente de ella es algo más rápida ya que su velocidad es de 70 ó 60 nanosegundos. Físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos. Con el modo página, la fila se selecciona una sola vez para todas las columnas dentro de la fila, dando así un rápido acceso. Usada en sistemas con velocidades de bus de 66 MHz, generalmente equipos con procesadores Pentium de 100 a 200 MHz y en algunos 486.

5.3.- EDO RAM:

Extended Data Output Random Access Memory – Memoria de acceso aleatorio extendida de salida de datos. Evoluciona de la Fast Page Memory mejorando el rendimiento en un 10% aproximadamente. Con un refrescamiento de 70, 60 ó 50 nanosegundos. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque también se puede encontrar en forma de DIMMs de 168 contactos. El secreto de la memoria EDO radica en una serie de latchs que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la CPU, o sea mientras la FPM puede acceder a un único byte la EDO permite mover un bloque completo de memoria. Muy común en los Pentium, Pentium Pro, AMD K6 y los primeros Pentium II.

5.4.- SDRAM:

Synchronous Dynamic Random Access Memory – Memoria de acceso aleatoria sincronizado. Es casi un 20 % más rápida que le EDO RAM. La SDRAM entrelaza

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dos o más matrices de memoria interna de tal forma que mientras se está accediendo a una matriz, la siguiente se está preparando para el acceso, es capaz de sincronizar todas las señales de entrada y salida con la velocidad del reloj de sistema. Es capaz de soportar velocidades de bus de 100 MHz por lo que su refrescamiento debe ser mucho más rápido alcanzando las mismas velocidades de 10 nanosegundos. Se encuentra físicamente en módulos DIMM de 168 contactos. Este tipo de memoria es usada generalmente en los Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.

5.5.- PC100 o SDRAM de 100 MHz:

Teóricamente es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a la calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidos por Intel para el correcto funcionamiento de la memoria, o sea para que realmente funcionen a esos 100 MHz. Es usada en los AMD K6-2, Pentium II a 350 MHz y micros aún más modernos. La memoria PC100 es la más usada en la actualidad. Hay todavía realmente una gran confusión con respecto al módulo PC100, no se sabe de qué consta. Hay varios módulos que se venden hoy como PC100 pero desgraciadamente, todavía no se opera fiablemente a los 100 MHz.

5.6.- BEDO RAM:

Burst Extended Data Ouput Memory Random Access – Es una evolución de la EDO RAM la cual compite con la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.

6.- LAS MEMORIAS MAS RECIENTES:

6.1.- ESDRAM:

Enhanced SDRAM – Para superar algunos de los problemas de latencia inherentes con los módulos de memoria DRAM standar, varios fabricantes han incluido una cantidad pequeña de SRAM directamente en el chip, eficazmente creando un caché en el chip. Permite tiempos de latencia más bajos y funcionamientos de 200 MHz. La SDRAM oficia como un caché dentro de la memoria. Existe actualmente un chipset que soporta este tipo de memoria, un chipset de socket 7.Una de las desventajas de estas memorias es que su valor es 4 veces mayor al de la memoria DRAM.

6.2.- SLDRAM:

Sysnclink DRAM - La SLDRAM es una DRAM fruto de un desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad, puede representar la competencia más cercana de Rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un grupo de 12 compañías fabricantes de memoria. La SLDRAM es una extensión más rápida y mejorada de la arquitectura SDRAM que amplía el actual diseño de 4 bancos a 16 bancos. La SLDRAM se encuentra actualmente en fase de desarrollo y se prevé que entre en fase de producción en el 2000. El ancho de banda de SLDRAM es de los más altos 3.2GB/s y su costo no sería tan elevado.

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6.3.- RDRAM:

La tecnología RDRAM de Rambus ofrece un diseño de interface chip a chip de sistema que permite un paso de datos hasta 10 veces más rápido que la DRAM estándar, a través de un bus simplificado. Se la encuentra en módulos RIMM los que conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son compatibles. Su arquitectura está basada en los requerimientos eléctricos del Canal RAMBUS, un bus de alta velocidad que opera a una tasa de reloj de 400 MHz el cual habilita una tasa de datos de 800MHz. Por motivos comerciales se la denomina PC600, PC700 y PC800 siendo sus capacidades de transferencia las siguientes:

Rambus PC600: 2x2 bytes/ciclo x 300 MHz = 1, 20 GB/s



El bus usa características de líneas de transmisión para mantener una alta integridad en la señal. El control de la temperatura se hace a través de un disipador y un elastómero térmicamente conductor.

6.4.- RIMM:

Proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo

DIMM ("Dual In line Memory Module").

Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.

Figura 2. Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung®, modelo PC800, 184 terminales, chips RDRAM, capacidad 256 MB, con ECC.

a) Características Generales de la memoria RIMM: Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se

coloca solamente un módulo de memoria.

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Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales. Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al

insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits. Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que

estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.

Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén ocupadas.

b) Partes que Componen la memoria RIMM:Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa como disipador de calor:

Figura 3. Esquema externo de una memoria RAM tipo RIMM

1.- Disipador: es una placa metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente.

2.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria RIMM.

3.- Muescas: son 2 hendiduras características de la memoria RIMM y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

Lista 1. Partes externas y funciones de una memoria RIMM.

c) Capacidad de Almacenamiento:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria RIMM es el Megabyte (MB). Se comercializaron básicamente las siguientes capacidades: Tipo de memoria RIMM 184 terminales, capacidad en megabytes (MB) 64MB, 128MB, 256MB.

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a sobrecalentarse, por lo que terminó siendo remplazado en el ámbito general por las memorias RAM tipo DDR que eran mas económicas y no necesitaban ventilación adicional.

6.5.- DDR:

Proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a

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base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module").

Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus 266 MHz. A 400 MHz.

a) Características Generales de la memoria DDR: Todas las memorias DDR cuentan con 184 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para

que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La medida del DDR mide 13.3 cm de largo X 3.1 cm de alto y 1 mm de

espesor. Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar o no

ocupadas todas sus ranuras para memoria.

b) Partes que la Componen:Los componentes son visibles, ya que no cuentan con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de partes la memoria RAM tipo DDR

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR.

Partes de la memoria DDR


La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR es el Megabyte (MB) y el Gigabyte (GB).

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Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia AMD® Athlon y por su bajo precio y eficiencia también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4.

6.6.- DDR-2:

Proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3 "Double Data Rate -3”.

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 MB, velocidad 667 MHz, tipo PC5300.

a) Características Generales de la memoria DDR-2: Todas las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para

que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras

para memoria. Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

b) Partes que Componen la memoria DDR-2:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

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Figura 3. Esquema de partes externas de una memoria DDR-2



3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR2.

Partes externas y funciones de la memoria DDR-2

c) Capacidad de Almacenamiento:La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-2 es el Megabyte (MB) y el Gigabyte (GB).Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la firma AMD®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel® se utilizan en quipos: Pentium 4, Core 2 Duo, Core 2 Quad y Core Quad.

6.7.- DDR-3:

Proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan.

Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales, capacidad para 2 GB, latencia CL 9, voltaje 1.5V.

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a) Características Generales de la memoria DDR-3: Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales. Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con

disipadores de calor. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para

que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo. Con los sistemas operativos Microsoft® Windows mas recientes en

sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.

b) Partes que Componen la memoria DDR-3:Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

c) Capacidad de Almacenamiento:La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-3 es el Gigabyte (GB). Actualmente se comercializan módulos independientes y también por Kit; es importante mencionar que las memorias de mas de 8 GB no vienen en un sólo módulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 3 memorias de 4 GB, dando resultado 12 GB), por lo que al momento de decidir como comprar la memoria, hay que tomar en cuenta el número de ranuras con que cuenta la tarjeta principal y cuál es su máxima capacidad en caso de que después queramos escalarla. DDR-3 240 Terminales en un solo módulo, capacidad de gigabytes (GB) 1GB, 2GB, 4GB, 8GB.

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Figura 3. Esquema de partes de la memoria DDR-3



3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR3.


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Los DDR-3 de 240 terminales se utilizan en equipos con el procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador AMD® Phenom y AMD® FX-74.

6.8.- DDR-4:

Proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el remplazo del estándar de memorias RAM tipo DDR-3 ("Double Data Rate - 3 ").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR-4, marca Samsung®, voltaje 1.2V.

a) Características Generales de la memoria DDR-4: Cuentan con 240 terminales para la conexión a la Motherboard. Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para

que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación. Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a las anteriores

por lo que según la firma, es más ecológica.

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b) Partes que Componen la memoria DDR-4:Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de partes de la memoria DDR-4



3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.



La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-4 es el Gigabyte (GB). El modelo presentado es el siguiente: DDR-4 240 terminales en un solo módulo, capacidad en gigabytes (GB) 2GB.

d) Usos Específicos:Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015 aproximadamente

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7.- MEMORIA ROM:

ROM es la sigla de ("Read Only Memory") ó memoria de solo lectura. Se trata de un circuito integrado que se encuentra instalado en la tarjeta principal -Motherboard, dónde se almacena información básica referente al equipo, lo que se denomina BIOS que integra un programa llamado POST encargado de reconocer inicialmente los dispositivos instalados como el teclado, el monitor CRT, la pantalla LCD, disqueteras, la memoria RAM, etc., y otro programa llamado Setup para que el usuario modifique ciertas configuraciones de la máquina.

Actualmente se está buscando eliminar por completo el uso de chips ROM y utilizar sólo chips de memoria flash NAND, para evitar el uso de baterías, ya que este último tipo de memoria es capaz de almacenar datos hasta por 10 años sin necesidad de una pila eléctrica.

Figura 2. Memoria ROM M919, con el software AMIBIOS 486PCI-ISA de American Megatrends®, ubicada en una tarjeta principal ("Motherboard") marca P&Q®, modelo L-9645-8 ML-1 94V-0.

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Otros nombres muy utilizados son los siguientes, aunque cada uno es parte de la ROM, no significa que sean sinónimo de ROM como la mayoría lo deduce:

• BIOS: proviene de las siglas ("Basic In Out System") ó sistema básico de entrada y salida. Se le llama así al conjunto de rutinas que se realizan desde la memoria ROM al encender la computadora, permite reconocer los periféricos de entrada y salida básicos con que cuenta la computadora así como inicializar un sistema operativo desde alguna unidad de disco o desde la red.

• CMOS: proviene de las siglas de ("Complementary Metal Oxide Semiconductor") o semiconductor complementario óxido-metálico. Es el tipo de material con el que está basada la fabricación de un circuito especial llamado del mismo nombre "CMOS", el cual tiene la característica de consumir un nivel muy bajo de energía eléctrica cuando está en reposo. En este material está basada la construcción de la memoria ROM.

• SETUP: es un software integrado en la memoria ROM, desde el cuál el usuario puede acceder y modificar ciertas características del equipo antes de que cargue la interfaz de usuario, es decir, el sistema operativo.

7.1.- Características Generales:

Hace algunos años, la ROM era una memoria para una sola escritura de datos, en la fábrica se grababa la información y ya no era posible modificarla.

Almacena configuraciones básicas de la tarjeta principal ("motherboard"), tales como la información del fabricante, la fecha de manufactura, el número de serie, el modelo, etc.

Integra un programa denominado POST que se encarga de realizar una revisión básica a los componentes instalados en el equipo antes de que se visualice algo en pantalla.

Integra otro programa llamado SETUP, que contiene una serie de menús sobre las configuraciones avanzadas del equipo, las cuáles pueden ser modificados por el usuario (forma de arranque, dar de alta discos duros, disqueteras, unidades de CD/DVD, velocidad del microprocesador, etc.).

Para almacenar los datos que el usuario modifica, cuenta con una memoria llamada CMOS alimentada constantemente desde una batería integrada en la tarjeta principal.

Actualmente es posible borrarlas e incluso actualizarlas vía Internet.

7.3.- Tipos Actuales de Memoria ROM:

Hay actualmente 3 tipos principales:

+ Memorias PROM: son las siglas de ("Programable Read Only Memory") ó memoria programable de sólo lectura. Esta memoria permite una única programación con un programador PROM, una vez concluida esta equivale a una ROM.

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+ Memorias EPROM: son las siglas de ("Erasable Programable Read Only Memory") ó memoria borrable y programable de sólo lectura. Es una variante que permite el borrado por medio de rayos ultravioleta sobre una ventana que tiene el circuito integrado y la reprogramación electrónica por medio de un programador PROM.

+ Memorias EEPROM: son las siglas de ("Electrically Erasable Programable Read Only Memory") ó memoria eléctricamente borrable y programable de sólo lectura. Es la variante que permite alterar el contenido mediante señales eléctricas sin necesidad de programadores o borradores. Este tipo de memorias se pueden actualizar con un software de la misma computadora.

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7.2.- UBICACIÓN DE LA ROM EN LA TARJETA PRINCIPAL “MOTHERBOARD”

Figura 3. Localización de la memoria ROM en la tarjeta principal marca P&Q®, modelo L-9645-8 ML-1 94V-0, para microprocesador 486DX.

La memoria ROM se puede localizar de muy diferentes formas, tamaños y lugares dentro de la tarjeta principal. Sin embargo es importante destacar que la mayor parte de las veces se localiza cerca de la batería y junto a la ROM se encontrará un "jumper", ó algunos "microswitches" para reiniciarla.

Figura 4. Batería de respaldo marca KTS®, tipo CR2032. Para la memoria ROM.

Al apagarse la computadora, todos los elementos dejan de recibir el suministro de corriente excepto la memoria ROM, la cual continúa alimentándose de electricidad por medio de una batería montada en la tarjeta principal, por ello es que se sigue conservando la fecha y horas actuales aunque el equipo esté apagado.

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7.4.- Reinicio de una memoria ROM/RESPALDO de una memoria ROM :

En caso de ser necesario, una memoria ROM puede volver a sus estado original con los datos de fábrica y borrar las modificaciones del SETUP, esto con solo cambiar de posición un pequeño puente ("Jumper"), que se encuentra en la tarjeta principal ó en algunos casos un ("Microswitch"). Pero hay que ser cuidadosos, este puente es específico para ello y viene ilustrado en el manual de la tarjeta, ya que si no se elige el adecuado, se puede cambiar la configuración de otros elementos.

Como se mencionaba, la memoria ROM cuenta con una pequeña memoria CMOS que guarda las configuraciones que hace el usuario, y para mantener alimentada esta última, la tarjeta principal integra una batería.

Figura 5. Esquema de un panel de "Jumpers".

Figura 6. "Microswitches" utilizados en algunos equipos.

7.5.- Actualización de las memorias ROM:

Hay varias formas de actualizarlas, esto es, adquirir la última versión del software para esa memoria:

Usando el programador PROM.

Borrándolas mediante rayos ultravioleta y reescribiéndolas.

En las más actuales mediante software y el uso de la Internet desde el sitio Web de la marca que la manufacturó.

7.6.- El Software SETUP de la memoria ROM:

Al encender el equipo, se realiza una serie de auto pruebas rápidas de diagnóstico llamadas "POST"; durante este, es posible acceder a una opción para acceder a un programa que permite al usuario cambiar ciertas configuraciones como el orden de arranque de las unidades de disco, cambiar la fecha, cambiar la hora, dar de baja y de alta dispositivos, cambiar la velocidad del microprocesador entre otras.

7.7.- Como acceder al SETUP de la memoria ROM:

La manera de acceder varía según la marca del equipo pero regularmente es oprimir alguna tecla como DEL, F1, F2, F12, S, o alguna combinación de teclas como Crt+Esc, Ctl+Alt+F1, entre otras formas; ello inmediatamente al encender la computadora, siendo lo más recomendable consultar el manual de la tarjeta principal (Motherboard), ya que si se modifican ciertos parámetros, es posible que el equipo no funcione de manera correcta.

7.8.- Usos específicos de la memoria ROM:

Se utilizan para el arranque de las computadoras, ya que tienen datos sobre el equipo e información que el usuario no debe modificar, por ello son de solo lectura. Estas almacenan también datos importantes como la fecha, la hora, los dispositivos

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8.- CONCLUSIÓN:

Como hemos visto, la aparición de las computadoras electrónicas es bastante reciente, y ha tenido un avance vertiginoso. Tanto es así, que hoy en día la competencia entre las empresas productoras de computadores ha provocado la aparición de nuevos modelos con períodos muy cortos de tiempo, los cuales a veces son de meses. Lo que provoca un aumento en: las velocidades de los procesadores; capacidades de almacenamiento; velocidad de transferencia de los buses; etcétera.

Lo citado anteriormente ha exigido a los fabricantes de memorias, la constante actualización de las mismas, superándose una y otra vez en velocidad, capacidad y almacenamiento.

Existen unos tipos de memoria que por tener elevados costos, han sido descartados del mercado pese a tener excelentes rendimientos.

Aunque a veces se ha estancado el mercado debido a la superproducción de memorias, como ha sucedido con la SDRAM.

Actualmente el mercado está tomando vigor nuevamente, debido a que han aparecido procesadores muy rápidos, los cuales trabajan a velocidades de 1 GHz.

Observando los hechos que han sucedido a lo largo de la evolución de la memoria, podemos suponer que la misma continuará creciendo en cuanto a velocidad, capacidad y disminuyendo el espacio físico ocupado.

9.- BIBLIOGRAFÍA:

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*Tanenbaum Andrew S. 1992. Organización de computadores Un enfoque Estructurado. México: Prentice Hall.

*Hennessey, John L. - Patterson, David A. 1993. Arquitectura de Computadores Un enfoque Cuantitativo. Madrid: McGraw Hill.

*Uranesic, Zvonko G. – Zaky, Safwat G. – Hamacher, V. Carl. 1988. Organización de computadoras. México: McGraw Hill/Interamericana de México.

*La información tomada de Internet se registra de la siguiente manera:

www.sil.edu.py/alumnos/cuartoa/ment.html

www.terra.es./personal/envarios/hard2/tiposram.html

http://www.hardside.com.ar/docs/memorias.htm

http://www.informaticamoderna.com/Memoria_ROM.htm

http://www.informaticamoderna.com/Memoria_ROM.htm#tips

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