transmisores y receptores opticos 1....

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Capitulo IV TRANSMISORES Y RECEPTORES OPTICOS 1. INTRODUCCION En un sistema óptico, el transmisor consta de un generador de portadora y un modulador. Los pulsos de información modulan a la portadora que es un haz de luz que se enciende y apaga. El transmisor básico es, en esencia, una fuente de luz. Las fuentes de luz más comunes son los diodos LED y laser, que se conmutan a velocidades muy altas, lo cual permite transmitir pulsos digitales a velocidad alta. El receptor consta de un detector de pulsos de luz que los convierte en señal eléctrica. Esta señal se amplifica y se reforma para obtener la señal original. Los fotodetectores más comunes son los diodos PIN y APD Para formar un sistema bidireccional funcional, se implementa un segundo grupo idéntico de dispositivos de modulación y detección en sentido opuesto. 1.1. Interacción electro-óptica La energía E de un fotón puede encontrarse como hv E h Donde: h es la constante de plank ν es la frecuencia del fotón v es la velocidad de la luz en el medio λ es la longitud de onda

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Capitulo IV

TRANSMISORES Y RECEPTORES OPTICOS

1. INTRODUCCION En un sistema óptico, el transmisor consta de un generador de portadora y un modulador. Los pulsos de información modulan a la portadora que es un haz de luz que se enciende y apaga. El transmisor básico es, en esencia, una fuente de luz. Las fuentes de luz más comunes son los diodos LED y laser, que se conmutan a velocidades muy altas, lo cual permite transmitir pulsos digitales a velocidad alta. El receptor consta de un detector de pulsos de luz que los convierte en señal eléctrica. Esta señal se amplifica y se reforma para obtener la señal original. Los fotodetectores más comunes son los diodos PIN y APD Para formar un sistema bidireccional funcional, se implementa un segundo grupo idéntico de dispositivos de modulación y detección en sentido opuesto.

1.1. Interacción electro-óptica La energía E de un fotón puede encontrarse como

hvE h

Donde:

h es la constante de plank ν es la frecuencia del fotón v es la velocidad de la luz en el medio λ es la longitud de onda

En un semiconductor un electrón puede pasar de la banda de valencia a la banda de conducción o de la banda de conducción a la banda de valencia. la energía absorbida o liberada por el electro es igual a:

Ec E

Donde: Ec es la energía de un electrón, cuando este se encuentra en la banda de conducción Eν es la energía de un electrón, cuando este se encuentra en la banda de valencia.

En la transición de un electrón entre las bandas de conducción y de valencia, este puede absorber o liberar energía.

Al pasar el electrón de la banda de conducción a la banda de valencia, este libera energía igual a la diferencia de energías de las bandas de conducción y de valencia.

E Ec E

Esta energía puede liberarse en forma de fotones. Para que se libere en forma de fotones la transición de la banda de conducción a la banda de valencia tiene que ser directa esto es, que el electrón no debe de cambiar su momento. Cuando el electrón cambia su momento, se dice que se tiene una transición indirecta, y la energía se libera en forma de calor.

Cuando la transición es directa, la longitud de onda del fotón emitido es:

1.2398 ( )( )

hv umE E eV

La energía E es una característica del material y se puede cambiar como función del tipo contaminante empleado en el semiconductor.

Cuando se libera un fotón, este proceso puede hacerse de dos maneras espontanea o estimulada. En la emisión espontanea no existe ningún medio externo que induzca al electrón pasar de la banda de conducción a la banda de valencia. En la emisión estimulada un fotón induce a que el electrón pase a su estado de reposo liberando un fotón.

La fase y la frecuencia del fotón estimulante y del fotón liberado son las mismas en este caso se dice que existe amplificación. Si además de la amplificación se logra que exista un mecanismo de retroalimentación y un elemento de selectividad, se lograra tener emisiones coherentes. La retroalimentación se lograra poniendo dos espejos y también estos espejos formaran una cavidad resonante.

2. DIODO EMISOR DE LUZ Dispositivo de semiconductor, formado por la unión pn polarizada en directa, que genera luz incoherente en todas direcciones mediante el mecanismo de emisión espontánea al recombinarse los electrones y los huecos inyectados en la zona de deplexión. Adecuados para la primera ventana Velocidades < 100 – 200 Mb/s Con fibras multimodo ηi 50-80 % Geometría y patrón de radiación aptos para acoplo con fibra (emisión lateral) Generalmente bajo coste Fiables / no degradación catastrófica / duraderos Electrónica de control sencilla Psalida≈ IEntrada: muy lineal, adecuados para transmitir señales analógicas.

2.1.Inconvenientes

Escaso porcentaje que de la potencia óptica generada en su interior puede acoplarse a una fibra óptica monomodo. Anchura de línea >> anchura de línea del láser

2.2.Excepción LED de InGaAsP: en 2ª ventana y fibras monomodo. Parámetro de dispersión cromática D mínimo Velocidades moderadas, 50-200 Mb/s La radiación se produce del material tipo P y alrededor de la unión. Se diseña para permitir el color de la luz deseada. Para la transmisión por fibra se utiliza los colores de 850 y 1310 nm no visibles, ubicadas el infrarrojo cercano. Violeta 390nm Azul 455nm Verde 577nm Amarillo 597nm Naranja 622nm Rojo 780 nm

2.3.Características de los leds Altos valores de eficacia cuántica interna (50%-80%).

Su geometría y patrón de radiación es apto para el acoplo de luz a la fibra óptica, especialmente en los LEDs de emisión lateral

Son de fácil fabricación (no llevan espejos) Pueden ser modulados hasta 100-200 Mbps y en algunos casos hasta 1-2 Gbps. Su coste es bajo Son fiables Circuitería de control es muy sencilla (bajos niveles de corriente) Característica potencia óptica de salida vs corriente eléctrica de entrada es bastante

lineal (adecuados para transmitir señales analógicas). Los fotones son emitidos internamente en todas las direcciones

2.4.Eficiencia interna Facilidad con la que el dispositivo convierte corriente en luz

0 20 40 60 80 1000

0.5

1

1.5

2

2.5

3

Corrente em mA

Pot

enci

a ot

ica

em m

W

Potencia otica de saida por corrente de entrada

intnr

r nr

2.5.Potencia interna emitida inth cPin I

e

2.6.Eficiencia de acoplamiento La potencia irradiada de las fuentes de luz (LED y diodo láser) tienen que ser acoplada en la fibra óptica eficazmente y establemente. Dos tipos de acoplamiento son posibles:

(a) Acoplamiento directo - Para las fuentes de emisión por la superficie, la distribución de la intensidad óptica radiada, por unidad de anglo sólido y por unidad de superficie de área de emisión (W/cm2.sr), es dado por (emisión Lambertiana):

I(θ,Ω)=I0 cosθ

Donde I0 es la intensidad de radiación, en la dirección del normal a la superficie de radiación. En general: LED de emisión superficial ~1%; diodo láser ~10%.

(b) Acoplamiento por lente - Las lentes pueden ser usada para mejorar el acoplamiento si: (1) La abertura numérica de la fibra óptica (N.A) es mayor que la abertura numérica de la fuente de luz. (2) La área de emisión de la fuente de luz es menor que el núcleo de la fibra óptica. (3) La anchura

espectral de la fuente de luz es estrecha. En general: LED de emisión lateral ~10%; diodo láser ~70%

2( )c NA

Solo un pequeño porcentaje de la potencia emitida se logra acoplar a la fibra óptica.

2.7.Potencia externa La potencia externa es menor que la potencia interna

intextP P F

Donde F= transmitividad desde el emisor hasta el medio dado por:

221 1 ( )

4medio emisor medio

emisor emisor medio

n n nFn n n

2.8. Ancho espectral del diodo Diferencia relativa en nm entre los puntos donde la potencia emitida se reduce al 50% con relación a la máxima.

2.9.Estructuras Es posible mejorar las propiedades de emisión empleando heteroestructuras, en general, tres tipos principales: LED de emisión superficial LED de emisión lateral LED superluminiscente (SLD)

2.10. LED de emisión superficial (SLED)

Emisión de luz perpendicular al plano de la unión pn Región activa suele ser circular para adaptarse a la geometría de una fibra multimodo: 50 µm diámetro y 2,5 µm anchura

Radiación isótropa: anchura del haz a 3 dB es de 120º en ambos planos perpendiculares a la unión pn Fuente Lambertiana Baja velocidad de datos 250Mbps (0 a 35Km)

2.11. Led de emisión lateral

Luz generada en la zona activa se emite en el plano de la unión pn Zona activa ≈ guía onda dieléctrica plana que encamina la luz generada en su interior hacia las superficies laterales del dispositivo Estructura parecida a la de un láser de inyección Debido a la guía onda, el patrón de radiación no es isótropo (ver figura) 2-3 veces menos potencia al exterior que el LED de emisión superficial debido a que existe reabsorción de la luz generada y recombinación superficial Para fibras con AN < 0.3, acopla más potencia que el de emisión superficial debido a la mayor directividad de su patrón de radiación Electrodo superior más pequeño, aumenta la densidad de corriente de inyección para la misma corriente I polarización = 0.5 A → Potencia inyectada ≈ 1 mW en fibras multimodo Velocidades de modulación mayores que los LEDs de emisión superficial para la misma corriente de polarización

Aplicación: LEDs a sistemas monomodo en segunda ventana para su posible aplicación al bucle de abonado Vmod ≈ 600 MHz – 1 GHz 4-6 µW a fibra monomodo con I pol = 100 – 240 mA Intermedio entre LED y láser Genera luz mediante emisión estimulada pero no hay realimentación de señal en la zona activa, no es un oscilador coherente En una de las caras de salida del SLD se provocan pérdidas >> para que no exista señal reflejada que realimente la cavidad, la señal óptica generada se amplifica por la emisión estimulada en su propagación (sólo una vez) en la zona activa y sale al exterior por la otra cara 1 mW a fibra monomodo para 150 mA Δλ = 30 nm < LED normal (80 – 100 nm) Inconvenientes: más complicados de fabricar Característica P óptica – I no lineal P salida depende mucho de T

2.12. Diodos superluminiscentes o SLDs

Intermedio entre LED y láser Genera luz mediante emisión estimulada pero no hay realimentación de señal en la zona activa, no es un oscilador coherente En una de las caras de salida del SLD se provocan pérdidas >> para que no exista señal reflejada que realimente la cavidad, la señal óptica generada se amplifica por la emisión estimulada en su propagación (sólo una vez) en la zona activa y sale al exterior por la otra cara

1 mW a fibra monomodo para 150 mA Δλ = 30 nm < LED normal (80 – 100 nm)

Inconvenientes: más complicados de fabricar Característica P óptica – I no lineal P salida depende mucho de T

La relación entre la Potencia óptica de salida y la corriente eléctrica de entrada es una de las propiedades más importantes para caracterizar una fuente óptica de semiconductor:

Los leds son capaces de generar niveles de potencia de 10 a 50uW (-15 a -30dBm).

Para lo cual se necesita una corriente de polarización de 50 a 200 mA, también hay leds con especificaciones de 600 a 2500uW.

3. TRANSMISOR DE LED Consta de un LED y su circuito excitador. Los pulsos de datos se aplican a una compuerta lógica que opera un transistor interruptor Q1, colocando al LED en apagado y encendido, a una velocidad del orden décimas de ns. Cuando la entrada es un pulso positivo (1 binario), la salida de la compuerta NAND es cero; por tanto, Q1 está apagado y el LED se polariza a conducción a través de R2 y se pone a encendido.

Cuando la entrada es cero, Q1 se enciende y puentea al LED, el cual cambia a pagado Los transmisores LED se utilizan a distancias cortas y transmisiones de baja velocidad.

Los leds son capaces de generar niveles de potencia de 10 a 50uW (-15 a-30dBm), para lo cual se necesita una corriente de polarización de 50 a 200mA. También hay leds con especificaciones de 600 a 2500uW.

4. LASER Láser es un acrónimo para light amplification by stimulated emission of radiation (amplificación de luz por emisión estimulada de radiación). El dispositivo láser consta de un medio activo capaz de generar un haz láser. En la generación intervienen 4 procesos: absorción, bombeo, emisión espontánea y estimulada.

4.1.Absorción El sistema atómico contiene cantidades de energía discretas. Si contiene la más baja energía disponible, nivel E1, se dice que está en estado fundamental y no libera energía. Si el átomo absorbe energía adicional (p.ej. un fotón), pasa a un estado excitado, nivel E2, o superexcitado, nivel E3, saltando un electrón a un estado metaestable o inestable respectivamente. Los átomos permanecen corto tiempo en niveles inestables, y cuando caen a niveles de más baja energía, liberan el exceso de energía que contienen

4.2. Bombeo

Un electrón que se encuentra en un estado bajo de energía E1, absorbe un fotón que viene con una frecuencia v, elevándose a un estado de energía que es h.v joules mayor. Un mecanismo de bombeo (descarga eléctrica, excitación térmica o descarga en un gas) expulsa algunos átomos al estado excitado.

4.3.Emisión espontanea

Un átomo en estado excitado es inestable regresa al estado fundamental liberando energía espontáneamente. La energía liberada aparece como un fotón de luz, que es un quantum de energía que tiene características de longitud de onda y energía. “Se produce cuando un electrón que se encuentra en un estado alto de energía E2, cae en un estado inferior E1, liberando un fotón con una frecuencia:

푣 =퐸 퐸ℎ

4.4.Emisión estimulada

La emisión estimulada no solo produce luz coherente y monocromática, si no también amplifica la emisión de luz, ya que por cada fotón que incide sobre un átomo, excitado se genera otro fotón, duplicando el numero. “La emisión estimulada se produce cuando un electrón en un estado excitado es impactado por un fotón, provocando la caída de este a un estado inferior de energía, liberando un fotón de igual frecuencia y fase que el fotón que impacto al electrón”

4.5.Componentes del dispositivo láser

Consta de un medio activo, un mecanismo de bombeo para generar el fotón inicial y 2 espejos, uno totalmente reflector y el otro parcialmente. La radiación oscila entre los espejos, pero parte de ella sale al exterior por el espejo parcialmente reflector, como un haz coherente.

De esta manera se ha producido una amplificación de luz a través de una emisión estimulada de radiación. Este es el efecto láser. Así también se llama el dispositivo El dispositivo láser o diodo láser también se conoce como diodo de inyección láser ILD. Puede producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja) en la segunda (1310 nm) y en la tercera ventana (1550 nm). El haz que emite un diodo láser es monocromático, direccional y coherente.

Monocromático. De una sola longitud de onda. En realidad, de un ancho espectral bastante estrecho.

Direccional

Patrón de radiación contenido en una región angular pequeña, haciendo el acople con fibras monomodo más fácil y eficiente. Coherente Todas las ondas individuales están en fase una con otra en cada punto. La coherencia es el término usado para describir la propiedad de fase de las ondas de radiación óptica del haz.

0 20 40 60 80 1000

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Corrente de entrada (mA)

Pote

ncia

de

Sai

da (m

W)

Caracteristica Corrente x Potencia do LASER

Fig. 2 Características de transmisión de los diodos láseres (a)- curva potencia óptica versus corriente inyectada, (b) Espectro de emisión: láser multimodo y láser monomodo

5. Transmisor láser Consta de un diodo láser y su circuito excitador. Los pulsos de datos se aplican a una compuerta lógica que opera un transistor interruptor Q1, colocando al láser en apagado y encendido a una velocidad muy alta, del orden de ps Cuando la entrada es cero, la salida de la compuerta AND es cero; por tanto, Q1 está apagado y el láser también. Entonces C2 se carga a través de R3 al voltaje alto (HV). Cuando la entrada es un pulso positivo (1 binario), Q1 se enciende y conecta C2 al láser, que le descarga un pulso de corriente muy alta, poniéndolo en encendido por un tiempo muy corto, generando un pulso de luz intensa.

Los transmisores láser desarrollan potencias de salida desde unos cuantos mW a algunos W. Debido a estos niveles de alta intensidad, sumado al hecho de que su velocidad de

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.40

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

Comprimento de onda (microns)

Am

plitu

de d

o m

odo

Saida de potencia do LASER

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.40

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

Comprimento de onda (microns)

Am

plitu

de d

o m

odo

Saida do LASER

cambio es muy rápida, los transmisores láser se utilizan para distancias largas y transmisiones de alta velocidad, del orden de cientos de Gbps. Los láser disipan una cantidad tremenda de calor, por lo que deben conectarse a un difusor de calor para su operación correcta

5.1.Diagrama del transmisor láser Diagrama de conexiones de un transmisor láser común, Capaz de operara a 10 Gbps y una potencia de salida es de 4 mW mínimo

• Si bien la pastilla del Laser es el componente más sofisticado del dispositivo transmisor, El costo mayor del dispositivo corre por cuenta de los dispositivos auxiliares:

– El substrato – El Enfriador termoeléctrico: para mantener la temperatura constante. – El termistor: Sensor para medir la temperatura. – Un photodiodo: Mide la potencia del laser. – Lentes colimadores. – Aislador óptico: previene de reflexiones u otros haces hacia el laser. – Lentes acopladores: Acoplan la luz dentro de la fibra. – Soporte de la fibra

Vista interna del encapsulado del laser

Vista externa del encapsulado del laser

Comparación laser vs led

• Mayor Potencia ~100 mW • Una menor divergencia del rayo, que se traduce en una mejor acoplamiento a

la fibra ~50% • Una ancho espectral pequeño que permite operaciones a mas altas frecuencias,

debido a una menor dispersión en la fibra

Y además tienen la capacidad de poderse modular directamente.

• Los Láser son muy sensitivos con la temperatura. Se necesita ocupar enfriadores termoeléctricos o un control de compensación usando realimentación óptica para mantener una operación a temperatura estable.

• El tiempo de vida de un diodo laser es menor que la de un LED, en gran parte debido al hecho que la densidad de corriente en la región activa es mucho mayor para crear la acción del Laser.( La tasa de fallo está directamente relacionado con la temperatura ).

• Tiempo de vida :

Leds: 107 a 10

8 horas

Laser: 106

horas • Potencia de salida:

En fibras multimodo con radio de 50 m de núcleo. – Láser: 0.5 a 5 mW – Leds : 0.01 a 1 mW

En fibras multimodo con radio de 50 m de núcleo. – Láser: 0.25 a 1 mW

Leds: 0.003 a 0.06 mW • Características de Transferencia:

• Led Característica Lineal, Entre la corriente de entrada y la Luz de salida.

• ILD o Láser Característica No Lineal

A baja potencia la característica de transferencia es parecida al Led, pero cuando alcanza cierto punto (I

tresh, donde comienza la emisión estimulada), La pendiente cambia

(aumenta) y una pequeña variación en la corriente de entrada y resultará en una gran variación de potencia lumínica de salida Características de Transferencia

Tiempo de Respuesta: Led

– 10 a 100 veces más lento que un ILD ILD o Láser

– Con modulación digital pueden llagar hasta los 4.8 Gb/s.

Espectro de emisión: Led

– Tienen un gran ancho espectral. ILD o Láser

Fuente espectral muy angosta

6. Detectores de luz

EEll rrooll ddee llooss rreecceeppttoorreess óóppttiiccooss eess ccoonnvveerrttiirr llaass sseeññaalleess óóppttiiccaass aa sseeññaalleess ffoorrmmaa eellééccttrriiccaa yy rreeccuuppeerraarr eell ddaattoo ttrraannssmmiittiiddoo aa ttrraavvééss ddee llooss ssiisstteemmaass ccoommuunniiccaacciióónn óóppttiiccaa..

EEll pprriinncciippaall ccoommppoonneenntteess eess eell FFOOTTOODDEETTEECCTTOORR eessttee ccoonnvviieerrttee llaa lluuzz eenn eelleeccttrriicciiddaadd aa ttrraavvééss ddeell EEFFEECCTTOO FFOOTTOOEELLEECCTTRRIICCOO..

6.1.Fotodiodo Es un diodo de unión PN de Si, sensible a la luz, polarizado a la inversa. La única corriente que fluye por él es una corriente de fuga en inversa bastante pequeña. Cuando la luz incide en el diodo, la corriente de fuga se incrementa. Al fluir a través de R1 produce una caída de voltaje. El resultado es un pulso de voltaje.

6.2.Diodo PIN

La sensibilidad de un fotodiodo aumenta y su tiempo de respuesta disminuye si se le añade una capa sin impureza o intrínseca (I) entre las capas P y N. El resultado es un diodo PIN La luz penetra a la unión a través de la capa delgada P, generando un flujo de electrones proporcional a ella que incrementa la corriente de fuga de manera Significativa.

6.3.Diodo de avalancha

Es el más rápido y sensible, pero caro y su circuito complicado. Igual que el fotodiodo, el APD se polariza en inversa. Es de Ge. Se aplica un voltaje en inversa de miles de V, justo antes del punto de operación o umbral de avalancha. Cuando la luz incide en la unión, se produce la ruptura y fluye una corriente grande, debido al efecto avalancha

7. Receptor óptico Consta de un PIN o APD y de circuitos de amplificación. El diodo convierte los pulsos de luz en corriente eléctrica que amplifica el amplificador. El voltaje de salida del amplificador es la corriente amplificada por el resistor Rf. El comparador forma los pulsos La compuerta de habilitación asegura niveles de voltaje binarios correctos, obteniéndolos para asegurar tiempos de subida y de caída muy rápidos. datos digitales originales.

Receptor óptico con todos sus componentes

La mayoría de los fotodiodos usan Indium-Gallium-Arsenide (InGaAs) que produce un ancho de banda entre 1000 y 1700nm.

Desde el punto de vista de la potencia que llega al receptor óptico, todos tienen un rango dinámico bien especificado denotando sus valores máximos y mínimos. Si la potencia supera el valor máximo el receptor podría sufrir daños, y si es inferior al mínimo no es posible diferenciar los bits de entrada y aumenta la tasa de bits errados BER

La amplificación óptica está basada en el principio de emisión estimulada empleado en el laser. En efecto, un amplificador óptico no es más que un laser sin realimentación. Su característica más importante es la ganancia óptica la cual es obtenida cuándo el amplificador es bombeado con energía externa por medio de un laser, y como consecuencia la cantidad de electrones en estado excitado supera los de los estados de baja energía, esto se conoce como population inversión.

Fotocorriente I

p = R P

in

R: Responsividad, capacidad de generar electrones P

in: Potencia óptica incidente

SSii hhvv >> EEgg ssee ggeenneerraa uunn PPaarr eelleeccttrróónn -- aagguujjeerroo

EEgg :: bbaannddggaapp

Responsividad ≈ /1.24 : eficiencia cuántica, tasa de electrones generados con relación a la tasa de fotones incidentes. Notemos que la responsividad es directamente proporcional al , simplemente ya que hay mas fotones para la misma potencia eléctrica Ancho de Banda: Esta determinado por la velocidad con que responde a las variaciones en la incidencia de la potencia óptica.

Rise Time (Tr), tiempo que demora el fotodetector en ir desde el 10% al 90% de su

valor final.

Tr = (ln 9) (

tr +

RC)

tr : tiempo que tarda un electrón en cruzar la zona de absorción

RC : cte de tiempo del circuito RC equivalente

Dark Current (I

d): Corriente de sombra, corriente que genera un fotodetector en

ausencia de potencia óptica.

Nivel aceptable : Id < 10 nA

DDiisseeññoo ddee ffoottooddeetteeccttoorr Existen dos tipos:

Fotoconductivos: generan flujo de corriente en presencia de luz Fotovoltaicos: Generan un voltaje en presencia de luz en recepción óptica se

usan principalmente del tipo fotoconductivos, como por ejemplo paneles solares.

88.. RRUUIIDDOO EENN RREECCEEPPTTOORREESS OOPPTTIICCOOSS Ruido es algo inherente en los sistemas de comunicaciones; y los sistemas ópticos no están libres de ello. Para una misma potencia de señal, la magnitud de la potencia del ruido nos permite medir la calidad de nuestro enlace, en cuanto a la recepción correcta de bits. A continuación se tocarán los siguientes tópicos:

• Fuentes de Ruido; • Relación SNR en receptores; • Sensibilidad en Receptores.

En sistemas ópticos, existen dos fuentes principales de ruido: • Ruido de Disparo; • Ruido Térmico. •

Algunos ejemplos prácticos de sensibilidad de receptores, para un BER < 10*10-10

(pulsos NRZ):

• El desempeño en RX

puede ser caracterizado midiendo su BER en función de la

potencia óptica promedio recibida. • La degradación de sensibilidad es más grande para sistemas operando en bit rate

altos. • La mayoría de la degradación es debido al ruido termal. 9. PLAN DE ESPECIFICACIONES

Para determinar las características de la fibra óptica del transmisor y receptor, es necesario enlistar los parámetros importantes del sistema, con el objetivo de cubrir un análisis lo más completo posible

9.1.Plan de cableado del sistema

9.1.1. Características mecánicas del cable Esto depende del medio ambiente en el que va estar el sistema, las consideraciones más importantes son: capa protectora, rigidez, tipo de conductor, número de conductores y otros.

9.1.2. Fibra óptica La selección de la fibra óptica depende de las características del sistema, las consideraciones más importantes son: tipo de fibra (plástico o silicio), dimensiones del núcleo y recubrimiento, modo de propagación (monomodo o multimodo), tipo de índice (gradual o escalonado) y otros.

9.1.3. Apertura numérica (NA) Esto depende del tipo de fibra seleccionada

9.1.4. Longitud de onda Valor nominal de operación

9.1.5. Ancho de banda Se especifica en MHz/Km

9.1.6. Tiempo de subida Tiempo de subida de un pulso óptico desde 20% al 80% de su máxima intensidad, esto lo define el fabricante

9.1.7. Perdida en el cable La atenuación se da en dB por kilometro

9.1.8. Conectores Numero de conectores y la pérdida de estos en decibeles

9.1.9. Empalmes El numero de empalmes y la atenuación en dB de cada uno de ellos

9.1.10. Distancia de transmisión La distancia entre el transmisor y el receptor

10. TRANSMISOR

10.1. Señal de entrada Tipo de señal de entrada (digital o analógica), si es digital, por ejemplo TTL. También se necesita especificar la impedancia, y el nivel de la señal en volts.

10.2. Potencia óptica emitida La potencia que emite la fuente óptica del transmisor

10.3. Máxima razón de datos o ancho de banda La máxima velocidad de transmisión en Bits/ s o la máxima respuesta en frecuencia en Hz

10.4. Tiempo de subida El tiempo de subida óptico, es el 20% al 80% de la intensidad máxima del pulso. El tiempo de subida eléctrico del 10% al 90% de la amplitud máxima de la señal

10.5. Tipo de conector Eléctrico y óptico; especificar el nivel de atenuación que se introduce

10.6. Formato de la señal o código Tipo de formato de la señal RZ o NRZ, código Manchester o mBnB

10.7. Retardo Tiempo en que tarda la señal en el transmisor en nanosegundos

10.8. Fuente de alimentación Voltaje requerido para la alimentación del transmisor

11. RECEPTOR 11.1. Sensibilidad

El nivel de potencia óptica mínima detectable por el receptor, en watts o decibeles referidos a un miliwatt. Potencia óptica minima que ha de llagar al receptor para generar una señal de magnitud suficiente para distinguirlo del ruido (La potencia óptica a la entrada del receptor debe ser superior a la sensibilidad), la sensibilidad es la que determina la calidad de un receptor

11.2. Máxima tasa de error (BER) o relación señal a ruido (SNR) Para sistemas analógicos el SNR en dB, para sistemas digitales los BER típicos son 10-9

11.3. Formato de la señal o código Tipo de formato de la señal RZ o NRZ, código Manchester o mBnB.

11.4. Tiempo de subida El tiempo de subida óptico, es el 20% al 80% de la intensidad máxima del pulso. El tiempo de subida eléctrico del 10% al 90% de la amplitud máxima de la señal.

11.5. Señal de salida Nivel del voltaje de salida e impedancia

11.6. Máxima razón de datos o ancho de banda La máxima velocidad de transmisión en Bits/seg o la máxima respuesta en frecuencia en Hz.

11.7. Fuente de alimentación Voltaje requerido para la alimentación del receptor.

12. SELECCIÓN DE LA FIBRA OPTICA Diagrama de flujo para selección de la fibra óptica