Моделирование полупроводникового диода

42
Моделирование полупроводникового диода П.В. Корякин Научный руководитель: к.ф.-м.н. Е.А. Альшина 21.10.2009

Upload: keene

Post on 13-Jan-2016

65 views

Category:

Documents


3 download

DESCRIPTION

П.В. Корякин. Моделирование полупроводникового диода. Научный руководитель: к.ф.-м.н. Е.А. Альшина. 21 . 10 .200 9. План доклада. Введение Диффузионно-дрейфовая модель Бикомпактные схемы и слоистые среды Диагностика особенностей при численном решении диф. уравнений - PowerPoint PPT Presentation

TRANSCRIPT

Page 1: Моделирование полупроводникового диода

Моделирование полупроводникового диода

П.В. Корякин

Научный руководитель: к.ф.-м.н. Е.А. Альшина

21.10.2009

Page 2: Моделирование полупроводникового диода

План докладаI. ВведениеII. Диффузионно-дрейфовая модельIII. Бикомпактные схемы и слоистые средыIV. Диагностика особенностей при

численном решении диф. уравненийV. Расчёты статических и динамических

характеристик полупроводникового диода

VI. Основные результаты

Page 3: Моделирование полупроводникового диода

np

Полупроводникиlo

g ко

нцен

трац

ии

x

дырки электроны

E

Page 4: Моделирование полупроводникового диода

Кремневая пластина• S=1e-3 кв. см.• d=8 мкм

Рассматриваемый прибор

8 мкм

легирование электронамилегирование дырками

Page 5: Моделирование полупроводникового диода

Рассматриваемый прибор

Page 6: Моделирование полупроводникового диода

Процесс легирования

Свет

SiO2

Si

Фоторезист

HF

Page 7: Моделирование полупроводникового диода

Диффузионно-дрейфовая модель

Page 8: Моделирование полупроводникового диода

Модель

p

n

p

n

J

J

E

- концентрация дырок

- концентрация электронов

- плотность дырочного тока

- плотность электронного тока

- напряженность поля

1( ) | | ( ) | |n n p pG E J E J

e

22( )( )

( ) ( )ie

ie n pn p n i p i

n pnR pn n c n c p

c n c p p n n n

6 6( ) 3,80 10 exp 1,75 10 / | |n E E

6 6( ) 2,25 10 exp 3,26 10 / | |p E E

22

0

20

)/(

)/(

]/)[(1

B

E

KAE

AE

MNNN

NN

da

da

Page 9: Моделирование полупроводникового диода

Модель

0

1, , ,

1, , ,

( )

pp n

np n

p p p

n n n

p JG E J J R p n

t e x

n JG E J J R p n

t e xE e

p n Nx

pJ e pE kT E

xn

J e nE kT Ex

Граничные условия

1

1

0

0

0

N

N

w

p p

p p w

n n

n n w

Edx U

Page 10: Моделирование полупроводникового диода

Бикомпактные разностные схемы и слоистые среды

Page 11: Моделирование полупроводникового диода

Основная идея

nn-1 n+1

'' 1 12

2n n nn

u u uu

h

' 1 1

2n n

n

u uu

h

hСреда 1 Среда 2

В точке, где свойства среды меняются скачкообразно, приходится делать аппроксимацию через разрыв коэффициентов, что приводит к локальному понижению точности аппроксимации и как следствие к понижению точности всего расчета

Идея бикомпактных схем заключается в том, чтобы использовать лишь двухточечный шаблон.

Page 12: Моделирование полупроводникового диода

Пример построения бикомпактных схем

, ( ( , ) ) ( , )u u

C x t k x t f x tt x x

1,

( , )

, ( , )

uw x t

x k x t

w uC x t f x t

x t

0

;

( ,0) ( );

( , ) ( );

( , ) ( ).a

b

a x b

u x x

u a t t

u b t t

1( ,0) ( )w x x

Page 13: Моделирование полупроводникового диода

Пример построения бикомпактной схемы

1

1

1

1

,

,

,, ,

n

n

n

n

x

n n x

x

n n x

w x tu u dx

k x t

u x tw w C x t f x t dx

t

Задача построения схемы заданного порядка точности по пространству сводится ко взятию интегралов в правых частях с нужной точностью

Page 14: Моделирование полупроводникового диода

Полученную систему можно непосредственно интегрировать по времени, однако придется решать систему уравнений довольно непривычного вида; кроме того, потребуется задавать начальный профиль не только для температуры, но и для потока. Чтобы избавиться от необходимости задавать начальный профиль потока и одновременно привести систему к привычному виду, проведём ряд преобразований, в результате чего получив следующую систему уравнений:

Схема 2-го порядка точности по пространству

1 11/2

1/2 11 1/2

2

2

nn n n n

n

n n nn n n n

hu u w w

k

C du duw w h f

dt dt

Page 15: Моделирование полупроводникового диода

Схема 2-го порядка точности по пространству

1 11 1/ 2 1/ 2

1/ 2 1 1/ 2 11

1 1/ 2 1/ 2

1

2

1 12 ;

n n n nn n n n

n n n n n nn n

n n n n

du du du duh C h C

dt dt dt dt

k u u k u uh h

h f h f

duM udt

Спектр схемыХотя полученная схема очень похожа на классическую схему для теплопроводности, её незначительные отличия приводят к очень интересному результату: спектр пространственного оператора бикомпактной схемы существенно лучше спектра классической схемы! Подробное исследование устойчивости всех схем будет проведено ниже.

Page 16: Моделирование полупроводникового диода

Схема 4-го порядка точности по пространству

21

11/ 2

2

1 1 11 1/ 2 1/ 2 1/ 2

21

1 1/ 2 1/ 2 1/ 21

12

1 2 2 1;

6 12

2 26 12

n n nn n

n

n nn n n n n n

n n n n n

n n n nn n n n n

n

h du duC C

k dt dt

h hu u w w f f

k k k k C

h du du h d w d wC C C C C

dt dt dt k dt k

1 1 1/ 24 ,6

n

nn n n n n

hw w f f f

1 2 2 3 3 1 1 1 1 1 1{ , , , , ... ..., , , }i i i i i i N N NU w u w u w u w u wu w u w w

dUM Udt

Page 17: Моделирование полупроводникового диода

Исследование устойчивости

2

22

22

2 4 2

,

2

1) , 1 ;

42) sin , 1 1;

2

43) , 1 1;

2

2 4 13 2 2 3 2 18

4) 18 .

m

m

m

m

mm

Nh

k mm N

h N

k mtg m N

h N

m m mctg ctg ctg

N N Nk

h

Page 18: Моделирование полупроводникового диода

Множители роста

12

0, 1 , 1

11, , 0 1

1

1 1 2, , 1 12 1 2

1, 1 , 0 1

2 2

m m m

m mm

mm m

m

mm m m

i

22

4

2m

k mtg

h Т

22

4sin

2m

k m

h Т

Page 19: Моделирование полупроводникового диода

Иллюстрация спектра

20 40 60 800

50000

100000

150000

m

classic

o(h2)

o(h4) exact

Page 20: Моделирование полупроводникового диода

Вид сетки•Равномерная•Пилообразная, с соотношением шагов ½

Среда•Сплошная•Слоистая

Начальный профиль

•Гладкий

•Ступенька

Примеры расчётов

( ,0) sin2

xu x

'

1, 0

,0 , 0

1, 0

x

u x u x

x

Page 21: Моделирование полупроводникового диода

Примеры расчетов

Схема второго порядка точности по пространству• Слоистая среда• Разрывный начальный профиль• Пилообразная сетка

-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

U

x

u(x,0) u(x,T/2) u(x,T)

11E-6

1E-5

1E-4

1E-3

0.01

log

(err

)

log(N)

norm C (t=) norm C (t=T) norm L2 (t=) norm L2 (t=T)

Page 22: Моделирование полупроводникового диода

Примеры расчетов

2

0

( , ) 1/16

( ,0) 1 1

( ,0) 2 1 ( ,0)

x

k x t

u x x

w x x k x

Схема четвёртого порядка точности по пространству

0

( , ) 1/8

( ,0)

( ,0) ( ,0)

x

k x t

u x x

w x k x

-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0U

x

u(x,0) u(x,T/2) u(x,T)

-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.00.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

0.12

U

x

w(x,0) w(x,T/2) w(x,T)

1E-11

1E-10

1E-9

1E-8

1E-7

1E-6

1E-5

1E-4lo

g(e

rr)

log(N)

norm C (t=) norm C (t=T) norm L2 (t=) norm L2 (t=T)

Page 23: Моделирование полупроводникового диода

Диагностика особенностей точных решений при

численном решении ОДУ

Page 24: Моделирование полупроводникового диода

1

1

0; 0; 0 0du

u t u udt

* * 0( ) ; 1u t t t t u

*

0

( )u t

'

*

1 0

( )u t

Пример проблемы

Поведение решения в зависимости от значения

Page 25: Моделирование полупроводникового диода

11

0 0 ;

0,1,...; n

u u u u u

n t n

Схема Рунге-Кутта порядка точности O(ERK1)

Явные схемы

Page 26: Моделирование полупроводникового диода

0,995 1,000 1,005

-2000

0

2000

4000

6000

8000

10000

12000

14000

ERK2

ERK4ERK1

EXACT

ROS1

CROSu(t

)

t

Page 27: Моделирование полупроводникового диода

0 0 ; Re ;

, 0.5

u u u u k

FE k F u t

u

Одностадийная схема Розенброка

1 i2

CROS

2точностьO( ) L2 устойчивость

Page 28: Моделирование полупроводникового диода

Схема CROS для задач с сингулярностью

2 1u

u устойчиво

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0-100

0

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

u(t)

t

128 256 512 1024

Page 29: Моделирование полупроводникового диода

0,997 0,998 0,999 1,000 1,001 1,002 1,003 1,0040,00

0,02

0,04

0,06

0,08

0,10

0,12

0,14

0,16

ERK4

ERK2

CROSERK1

ROS1

EXACT

u(t)

t

=-0.3

Page 30: Моделирование полупроводникового диода

Определение типа особенности

peff = –

Для степенной особенности можно показать, что

0 1effp , 1 0u t t t

0effp , 0u t t t

*lnu t t tДля логарифмической особенности

peff = 0

Page 31: Моделирование полупроводникового диода

11

0 0

, 0 1,

, 1;

0 , 0 1, 0

u uduF u

dt u u

u u u t

0

0 00 ln

tu t u e

t t u

*

0

u t const t t

t t t

Разрывы производных

Page 32: Моделирование полупроводникового диода

Эффективный порядок точности в контрольных точках

ROS1 CROS ERK1 ERK2 ERK4

p 1 2 1 2 4

1.000.05 2.000.04 0.990.01

1.980.02

3.980.03

1.000.05 1.980.67 0.980.03

1.970.04

1.990.02

1.323.98 -1.000.00

- - -*t t

0 *t t t

00 t t

effp

Page 33: Моделирование полупроводникового диода

Эффективный порядок точности в

контрольных точках после первого уточнения

rN rN rNu t u t t

CROS ERK2

3.030.04 2.990.04

2.000.06 1.580.63

-1.000.00 -

00 t t

*t t0 *t t t

Page 34: Моделирование полупроводникового диода

Бикомпактная схема для диффузионно-дрейфовой модели

Page 35: Моделирование полупроводникового диода

Описание схемы

11 1 1

11 1 1

1 1 1 10

1 1 1 1

1

1

2 2

1

2 2

02

02

0

p pk k k kk k k k k k

n nk k k kk k k k k k

kk k k k k k k k

p p kk k p k k k k p k k

n nk k

h p p hG G R R J J

t t e

h n n hG G R R J J

t t e

e hE E p p n n N N

hJ J e p E p E eD p p

J J

1 1 12k

n k k k k n k k

he n E n E eD n n

Page 36: Моделирование полупроводникового диода

Структура матриц 1 1 ,1 ,1 1 2 2 ,2 ,2 2 , ,, , , , , , , , , ,..., , , , ,p n p n N N p N n N Nu p n J J E p n J J E p n J J E

10

5

10

5

10

5

10

5

Page 37: Моделирование полупроводникового диода

-4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14 16

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3x 10

7

напряжение

ток

Результаты расчетов

Page 38: Моделирование полупроводникового диода

Результаты расчетов

Page 39: Моделирование полупроводникового диода

Результаты расчетов

Page 40: Моделирование полупроводникового диода

Результаты расчетов

Page 41: Моделирование полупроводникового диода

Публикации1. Калиткин Н.Н., Корякин П.В.Одномерные и двумерные бикомпактные

схемы в слоистых средах // Математическое моделирование, 2009 г., т. 21, № 8, стр. 44-62.

2. Калиткин Н.Н., Корякин П.В. Бикомпактные схемы и слоистые среды. // ДАН, 2007

3. Е.А. Альшина, Н.Н. Калиткин, П.В. Корякин Диагностика особенностей точного решения методом сгущения сеток.// ДАН, 2005 г., т. 404, №3, с.1-5.

4. Е.А. Альшина, Н.Н. Калиткин, П.В. Корякин Диагностика особенностей точного решения при расчетах с контролем точности.// ЖВМиМФ, 2005 г., т. 45, №10 с. 1837-1847.

5. Альшина Е.А., Корякин П.В. Численный метод для режимов с обострениями. // Тезисы докладов II всероссийской конференции памяти А.Ф. Сидорова «Актуальные проблемы прикладной математики и механики», Абрау-Дюрсо, 2004, с. 10-11.

6. P.V. Koryakin The singularity diagnostics in numerical solving systems of ODE, International congress for mathematicians, Madrid, 2006.

7. Е.А. Альшина, Н.Н. Калиткин, П.В. Корякин Диагностика особенностей решения при расчетах схемой CROS. Международная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных по фундаментальным наукам «Ломоносов-2005», секция физика, сборник тезисов, часть 1, стр. 107-109.

Page 42: Моделирование полупроводникового диода

Основные результаты

Построен и исследован новый тип разностных схем применительно к уравнению теплопроводности. Построены схемы разных порядков точности. Исследована устойчивость схем. Теоретические проработаны подходы построения бикомпактных схем для двумерных задач. Разработана уникальная методика диагностики особенностей точных решений при численном интегрировании обыкновенных дифференциальных уравнений. Проведены расчеты, подтверждающие возможность расширения методики для диагностики особенностей при решений систем ОДУ и уравнений в частных производных. Построенные численные методы применены к расчетам диффузионно-дрейфовой модели полупроводникового диода.