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FUJITSU SEMICONDUCTORDATA SHEET DS411-00005-3v0-J

ASSPISO/IEC 18000-6 Type-C 準拠FRAM 搭載 UHF 帯 RFID LSI

MB97R8050■ 概要

本書は , 国際規格 EPCglobal Class 1 Generation 2 -Ver.1.2.0 ( 以下 , EPC 規格と記す ) に基づき , パッシブ型 RFID タグ LSI

に関する LSI 仕様を記載します。

本書では , EPC 規格における質問器 (Interrogator) を , 通例に従って R/W( リーダ・ライタ ) と表記しています。タグ (Tag)

に関してはそのままタグと表記しています。

■ 特長

・ EPCglobal Class 1 Generation 2 (C1G2) Ver.1.2 .0 準拠

- 世界中の UHF 帯に対応 ( キャリア周波数 :860 MHz ～ 960 MHz)

- 高速データ送受信対応

R/W →タグ：26.7 kbps ～ 128 kbps ( データ 0 とデータ 1 の数が等しい場合 )

タグ→ R/W： 40 kbps ～ 640 kbps

- DSB-ASK, SSB-ASK, PR-ASK 変調 (EPCglobal C1G2 に準拠 )

- アンチコリジョン機能対応

- 周波数ホッピング対応

・高速読出し / 高速書込みが可能な不揮発性メモリ (FRAM) を搭載

- 書込み / 読出し耐性：1010 回

- データ保持特性：10 年 ( ＋ 55 °C)

TM

Copyright 2015-2016 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED2016.10

MB97R8050

■ ブロックダイヤグラム

■ 非接触通信インタフェース

非接触インタフェースは , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 ( 主に 6.3.1 項 ) に準拠しています。

■ メモリ

1. メモリアドレス指定方法

メモリの論理アドレスを , 拡張可能なビットベクタ (EBV; Extensible bit vectors) により指定します。EBV フォーマットに

ついては , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 (Annex A) に準拠しています。

2. メモリマップ

(1) メモリ領域

本 LSI の不揮発性メモリ (FRAM) は , 以下の 4 つの領域に分けられています (TID 内の FRAM は，48 bit のみ )。

・4 つのメモリ領域

（注意事項）コマンド種類凡例：

R：READ, W：WRITE, S：SELECT, L：Lock, BLW：BlockWrite, BLE：BlockErase

TID,EPC, Reserved の各領域は , EPC 規格 (6.3.2.1 項 ) で規定されたデータを格納します。これらの 3 つの各領域は , EPC

規格では “Memory Bank”, あるいは単に “Bank” とよばれます。各領域 (Bank) 内では , 00H から始まる論理アドレスを使用

します。論理アドレスには EBV-8 形式を用います。

System 領域には，メモリのロック情報などを格納します。

次ページにメモリマップを示します (System 領域は非公開です。)。

名称メモリサイズ BANK 論理アドレス範囲アクセス可能コマンド

TID 11w × 16b ＝ 176bit 10 00H ～ 0AH R/S

EPC 10w × 16b ＝ 160bit 01 00H ～ 09H R/W/S/BLW/BLE

Reserved 4w × 16b ＝ 64bit 00 00H ～ 03H R/W

System 1w × 16b ＝ 16bit ⎯ ⎯ L

VDD

R/W

FRAMアナログ RF インタフェースデジタルコントロール

整流器

クロック発生器

電源電圧制御

変調器

復調器

アンチ

コリジョン

I/O

コマンド

FRAM アクセス

クロック

データ出力

データ入力

データ出力

データ入力

アンテナ

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MB97R8050

・メモリマップ

(2) TID

本 LSI は EPC Tag Data Standard 1.6 ( 以下，TDS 1.6 と記す。) に準拠した 176bit の XTID があります。

XTID は以下の項目から構成されます。

・ EPC 規格を表す，“E2H” で固定される 8 bit データ (00H ～ 07H)。

・ TAG MDID (08H ～ 13H)

　　IC 製造者コードを表す，“810H” で固定される 12 bit データ。

・ TAG MODEL NUMBER (14H ～ 1FH)

　　富士通セミコンダクターが付与する，本 LSI を表す 12 bit のデータ。

　　　TAG MODEL NUMBER [11:4] 上位 8 bit は，本 LSI を表す固定値 “07H” です。

　　　TAG MODEL NUMBER [3:0] 下位 4bit は，本 LSI の版数を表します。

・ XTID Header Segment (20H ～ 2FH)

　　XTID のサポート状態を表す，“3800H” で固定される 16bit のデータ。

・ Serial Number Segment (30H ～ 5FH)

　　富士通セミコンダクターが付与する 48bit のユニークなシリアルナンバー。

・ Optional Command Support Segment (60H ～ 6FH)

　　EPC の最大サイズ及び Optional コマンドのサポートを表す，“0CC8H” で固定される 16bit のデータ。

・ BlockWrite and BlockErase Segment (70H ～ AFH)

　　BlockWrite 及び BlockErase のサポート状態を表す，“0002_0308_0002_0302H” で固定される 64bit のデータ。

MemoryBank Name

Memory Bank

Number

MemoryBank BitAddress

MemoryBank Word

AddressData Description Size

(word)Total

(word)Total(bit)

TID 10

A0H － AFH 0AH BlockWrite and BlockErase Segment [15:0] 1

11 176

90H － 9FH 09H BlockWrite and BlockErase Segment [31:16] 1



60H － 6FH 06H Optional Command Support Segment [15:0] 1

50H － 5FH 05H Serial Number Segment [15:0] 1



20H － 2FH 02H XTID Header Segment [15:0] 1

10H － 1FH 01H TAG MDID[3:0], TAG MODEL NUMBER[11:0] 1

00H － 0FH 00H E2H, TAG MDID[11:4] 1

EPC 01

90H － 9FH 09H EPC[15:0] 1

10 160

80H － 8FH 08H EPC[32:16] 1

70H － 7FH 07H EPC[47:32] 1

60H － 6FH 06H EPC[63:48] 1

50H － 5FH 05H EPC[79:64] 1

40H － 4FH 04H EPC[95:80] 1

30H － 3FH 03H EPC[111:96] 1

20H － 2FH 02H EPC[127:112] 1

10H － 1FH 01H StoredPC[15:0] 1

00H － 0FH 00H StoredCRC16[15:0] 1

RESERVED 00

30H － 3FH 03H ACCESS-Password[15:0] 1

4 6420H － 2FH 02H ACCESS-Password[31:16] 1

10H － 1FH 01H KILL-Password[15:0] 1

00H － 0FH 00H KILL-Password[31:16] 1

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MB97R8050

• XTID の構成

• 本 LSI の XTID の構成

TDS 1.6Reference Section

TID MEM BANKBIT ADDRESS

BIT ADDRESS WITHIN WORD (In Hexadecimal)

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

16.2.4

A0H － AFH BlockWrite and BlockErase Segment [15:0]

90H － 9FH BlockWrite and BlockErase Segment [31:16]



16.2.3 60H － 6FH Optional Command Support Segment [15:0]

16.2.2

50H － 5FH Serial Number Segment [15:0]



16.2.1 20H － 2FH XTID Header Segment [15:0]

16.1 and 16.210H － 1FH TAG MDID[3:0] TAG MODEL NUMBER[11:0]

00H － 0FH E2H TAG MDID[11:4]

TDS 1.6Reference Section

TID MEM BANKBIT ADDRESS

BIT ADDRESS WITHIN WORD (In Hexadecimal)

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

16.2.4

A0H － AFH 0302H

90H － 9FH 0002H

80H － 8FH 0308H

70H － 7FH 0002H

16.2.3 60H － 6FH 0CC8H

16.2.2




16.2.1 20H － 2FH 3800H

16.1 and 16.210H － 1FH 0H 07H, TAG MODEL NUMBER[3:0]

00H － 0FH E2H 81H

4 DS411-00005-3v0-J

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(3) EPC

本 LSI 出荷時の EPC デフォルト値は，下記のように構成されます。

・ EPC Length : 96 bit

・ EPC Code : TID 領域に書き込む 48 bit のシリアルデータ

■ フラグと乱数発生器

インベントリフラグ , 選択フラグ , 乱数発生器については , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 ( 主に , 6.3.2.2 項 , 6.3.2.3 項 , 6.3.2.5

項 ) に準拠しています。

■ タグの状態とスロットカウンタ

タグの状態とスロットカウンタについては , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 ( 主に , 6.3.2.4 項 ) に準拠しています。

■ アンチコリジョン・アルゴリズム

アンチコリジョン・アルゴリズムについては , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 ( 主に 6.3.2.6 項 , 6.3.2.7 項 , 6.3.2.8 項 , 6.3.2.9 項 )

に準拠しています。

EPCWord

EPC BANKBIT ADDRESS

BIT ADDRESS WITHIN WORD (In Hexadecimal) Description

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F

9 90H － 9FH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

8 80H － 8FH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

7 70H － 7FH Serial Number (TID [15:0]) EPC[15:0]



4 40H － 4FH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 EPC[63:48]

3 30H － 3FH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 EPC[79:64]

2 20H － 2FH 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 EPC[95:80]

1 10H － 1FHLength UMI XI T Attribute Bits

StoredPC0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

0 00H － 0FH (CRC-16) StoredCRC

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MB97R8050

■ コマンド

本 LSI は , 下表に示すように , EPC 規格の必須 (Mandatory) コマンドの全てと , 任意 (Optional) コマンドの一部をサポー

トしています。必須 (Mandatory) コマンドと , 任意 (Optional) コマンドの仕様については , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 ( 主に

6.3.2.11 項 ) に準拠しています。

ただし，任意 (Optional) コマンドの BlockWrite コマンド，BlockErase コマンドについては，EPC 規格と一部異なる点があ

りますので，以下の「(1) BlockWrite (Optional コマンド ; 一部対応 )」,「(2) BlockErase (Optional コマンド ; 一部対応 )」を参照

してください。

・コマンド

・ CRC-16 について (EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 との相違点 )

R/W がタグの PC または EPC 全体 , あるいはその一部の書込みを行うと , ACK コマンドを受信して , トランケートされ

ない応答 (PC, EPC, CRC-16) を返信するまで , タグの EPC メモリ 00H から 0FH に記憶されている CRC-16 は有効になりま

せん。ACK に対する返信完了後に , 返信中に計算した正しい CRC-16 の値が EPC メモリ (00H ～ 0FH) にも書き込まれます。

CRC-16が有効になる前に , ACKコマンドに対するトランケートされた応答が要求された場合は , 有効になっていないEPC

メモリ中の CRC-16 の値がそのまま返信されます。

(1) BlockWrite (Optional コマンド ; 一部対応 )BlockWriteコマンドのフォーマットを下表に示します。本チップは , BlockWriteコマンドの仕様を制限してサポートしま

す。以下に , EPC 規格との違いを記します。

・ MemBank ：EPC バンクのみサポートします。Reserved バンクを指定した場合 , タグは領域エラーのエラーコードを

返信します。

・ WordCount ：指定可能な値 1 (01H) 及び 2 (02H) のみサポートします。3 (03H) 以上を指定すると , タグは領域エラーの

エラーコードを返信します。

・BlockWrite コマンド

分類コマンド名コマンドコード

Mandatory

QueryRep 00

ACK 01

Query 1000

QueryAdjust 1001

Slect 1010

NAK 11000000

Req_RN 11000001

Read 11000010

Write 11000011

Kill 11000100

Lock 11000101

Optional

Access 11000110

BlockWrite 11000111

BlockErase 11001000

Command MemBank WordPtr WordCount Data RN CRC-16

ビット数 16 2 EBV 8 WordCount ×16 16 16

内容 1100 0111 01：EPC

Starting

Address

Pointer

Number of

word to write

Data

to be writtenHandle

6 DS411-00005-3v0-J

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(2) BlockErase (Optional コマンド ; 一部対応 )BlockEraseコマンドのフォーマットを下表に示します。本チップは , BlockEraseコマンドの仕様を制限してサポートしま

す。以下に , EPC 規格との違いを記します。

・ MemBank ：EPC バンクのみサポートします。Reserved バンクを指定した場合 , タグは領域エラーのエラーコードを

返信します。

・ WordCount ：指定可能な値は 8 (08H) 以下でかつ , 0 (00H) 以外のみサポートします。9 (09H) 以上を指定すると , タグは

　　　　　　領域エラーのエラーコードを返信します。

・BlockErase コマンド

(3) エラーコード

タグのエラーコードについては , EPCglobal C1G2 Ver.1.2.0 (Annex I) に準拠しています。

Command MemBank WordPtr WordCount RN CRC-16

ビット数 16 2 EBV 8 16 16

内容 1100 1000 01:EPC

Starting

Address

Pointer

Number of

word to eraseHandle

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MB97R8050

■ 電気的特性

1. 絶対大定格

＊ ESD 測定条件：QFN40 パッケージにダイチップをマウントして測定した結果です。

＜注意事項＞絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ

ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。

2. 推奨動作条件

＜注意事項＞推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値は , すべて

この条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると ,

信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。

データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載されて

いる以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。

項目記号定格値

単位条件 / 備考小標準大

最大入力電圧 VMAX ⎯ ⎯ 3.0 V PWRP-PWRM 間

静電耐圧 * VESD

－ 2 ⎯ ＋ 2 kV Human Body Model

－ 100 ⎯ ＋ 100 V Machine Model

－ 750 ⎯ ＋ 750 V Charged Device Model

保存温度 TSTG － 40 ⎯ ＋ 85 °C FRAM データのリテンション保証を除く

項目記号規格値


動作周囲温度 Ta － 40 ⎯ ＋ 55 °C

リテンション保証温度 Trtn1 － 40 ⎯ ＋ 55 °C リテンション保証期間：10 年

非接触通信

アンテナ入力周波数 Fclk 860 ⎯ 960 MHz 電波法に基づく

受信変調度 (A-B)/A 80 90 100 ％

データ 0 シンボル転送時間 Tari 6.25 ⎯ 25 μs

受信波形立上り時間 Tr 1 ⎯ 500 μs

受信波形安定時間 Ts ⎯ ⎯ 1500 μs

受信波形立下り時間 Tf 1 ⎯ 500 μs

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3. 非接触通信特性

項目記号規格値


最小動作電力 PMIN ⎯ － 12 ⎯ dBm

Query コマンドで測定 Tari ＝ 25 μs, BLF ＝ 41kbps, FM0, DSB-ASK, 変調度＝ 90％, Ta ＝ 25 °C

最大動作電力 PMAX ⎯ 20 dBm

等価入力容量 CP ⎯ 0.66 ⎯ pF 入力電力＝－ 12 dBm, 並列モデル 920 MHz

等価入力抵抗 RP ⎯ 2.7 ⎯ KΩ 入力電力＝－ 12 dBm, 並列モデル 920 MHz

受信時通信速度 F_fwd 26.7 ⎯ 128 kbps PIE 符：マーク率＝ 1/2 の場合

返信時通信速度 F_rtrn 40 ⎯ 640 kbps

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■ ウェーハ形状品の推奨実装条件

FRAM データ保持特性を維持するため , チップを実装する際には , 以下に示すような条件で実装されることを推奨しま

す。

- 実装温度＋ 175 °C 以下 , 高温印加時間 120 分以下　あるいは

- 実装温度＋ 200 °C 以下 , 高温印加時間 60 秒以下

温度

[ °C

]

時間 [s]

温度

[ °C

]

時間 [min]

+175

+25

120

+200

+25

60

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■ オーダ型格

オーダ型格出荷形態ウェーハ厚備考

MB97R8050-DIAP15ウェーハ

（ダイシング済 )150 μm±25.4 μm

DS411-00005-3v0-J 11

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■ 本版での主な変更内容

変更箇所は , 本文中のページ左側の｜によって示しています。

ページ場所変更箇所

1 - 書込み / 読出し耐性 108 から 1010 へ変更。

12 DS411-00005-3v0-J

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MEMO

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MEMO

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MEMO

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富士通セミコンダクター株式会社〒 222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜 2-100-45 新横浜中央ビル

http://jp.fujitsu.com/fsl/

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を負いません。

本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい

ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における

核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムにおけるミサイル発

射制御など）, または極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星など）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。し

たがって , これらの用途へのご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。ご相談なく使用されたことにより発生した損

害などについては , 当社は責任を負いません。

半導体デバイスには , ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は , 当社半導体

デバイスに故障や誤動作が発生した場合も , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害などを生じさせないよう , お客様の責任において , 装置の冗長

設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。

本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規などの規制

をご確認の上 , 必要な手続きをおとりください。

本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。

編集　システムメモリ事業部

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