prinsipp for transistor i d = (15 v)/(1000 Ω) =15 ma i d = (0 v)/(1000 Ω) = 0 ”load line”
TRANSCRIPT
Prinsipp for transistor
iD = (15 V)/(1000 Ω) =15 mA
iD = (0 V)/(1000 Ω) = 0
”load line”
JFET (Junction Field Effect Transistor)
x x+dx
JFET (Junction Field Effect Transistor)
Figure 6.7
MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET
Ulike typer av MOSFET
Likevekt
Ansamling av hull
Deplesjon av hull
Ansamling av elektroner
V=0 V>0
V<0 V>>0
Qm = | Qd + Qn |
V = VG = Vi + Φs
Figure 6.17 Figure 6.18
Terskelspenning VT i virkeligheten; m s
m < s
VT i virkeligheten; ladninger i gate-oksiden
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Ei∞
qΦ(x) = Ei∞ - Ei(x)
MOSFET
VT i virkeligheten
Figure 6.20Influence of materials parameters on threshold voltage.
(a) the threshold voltage equation indicating signs of the four contributions.
(b) variation of VT with substrate doping for n-channel and p-channel n+ poly-SiO2-Si devices.
VT år 1990 vs 2009
2009
n+ poly-SiO2-Si devicesAl-SiO2-Si devices
19901990
C-V for n-kanale MOS-kapasitanse
(~100 Hz)
(~106 Hz)
Figure 6.16: Capacitance-voltage relation for a n-channel (p-substrate) MOS capacitor. The
dashed curve for V > VT occurs for high measurement frequencies.
y(x)
Påvirken av elektriskt felt (Ex og Ey) på kanalmobilitet
y(x)
Sammenlikning av likning 6:49 og 6:50
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
N-MOSFETL = 1 µmZ = 10 µmd(SiO2) = 10 nm
Na = 1x1015 cm-3
VT = 0.54 V
Eq. (6:49)
Eq. (6:50)
VD (Volt)
VG = 2 V
VG = 3 V
’Typical feature size’ vs tid for Si-DRAM (Moore’s lov)
Figure 9.3