s-25c160a e2prom · spi シリアルe2prom rev.4.2_03_h s-25c160a 5 絶対最大定格表5 項目...

S-25C160A

www.ablicinc.com SPI シリアル E2PROM

© ABLIC Inc., 2009-2015 Rev.4.2_03_H

1

S-25C160Aは、高速・低消費電流、ワイドレンジ動作の SPI シリアルE2PROMです。容量は16 Kビットで、構成は2048語 8ビットです。ページライト、シーケンシャルリードが可能です。

■ 特長

・動作電圧範囲 : 読み出し 1.6 V ~ 5.5 V 書き込み 1.7 V ~ 5.5 V ・動作周波数 : 5.0 MHz (VCC = 2.5 V ~ 5.5 V) ・書き込み時間 : 5.0 ms max. ・ SPIモード (0, 0) & (1, 1) 対応・ページライト機能 : 32バイト / ページ・シーケンシャルリード機能・ライトプロテクト機能 : ソフトウェア、ハードウェアプロテクト領域 : 25%, 50%, 100% ・ステータスレジスタによるメモリ書き込み状態監視・クロックパルスモニタによる誤動作防止機能・低電源電圧時書き込み禁止機能

・ CMOSシュミット入力 ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) ・書き換え回数 : 106

回 / 語*1 (Ta = 25C) ・データ保持 : 100年 (Ta = 25C) ・メモリ容量 : 16 Kビット・初期出荷時データ : FFh, SRWD = 0, BP1 = 0, BP0 = 0 ・動作温度範囲 : Ta = 40C ~ 85C ・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー

*2

*1. アドレスごと (語 : 8 ビット) *2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。

■ パッケージ

・8-Pin SOP (JEDEC) ・8-Pin TSSOP ・TMSOP-8 ・WLP-8J

注意本製品はAV機器、OA機器、通信機器等の一般的な電子機器に使用されることを意図したものです。自動車搭

載機器 (カーオーディオ、キーレスエントリ、エンジン制御等を含む) 、医療機器用途で使用をお考えの際は

必ず事前に弊社窓口まで御相談ください。

www.ablic.com

SPI シリアル E2PROMS-25C160A Rev.4.2_03_H

2

■ ピン配置図 1. 8-Pin SOP (JEDEC)

2. 8-Pin TSSOP

3. TMSOP-8

備考形状については「外形寸法図」を参照してください。

8-Pin SOP (JEDEC) Top view

表1

7

6

5

8

2

3

4

1

図1

S-25C160A0I-J8T1U3

端子番号端子記号端子内容

1 CS *1 チップセレクト入力

2 SO シリアルデータ出力

3 WP *1 ライトプロテクト入力

4 GND グランド

5 SI*1 シリアルデータ入力

6 SCK*1 シリアルクロック入力

7 HOLD *1 ホールド入力

8 VCC 電源

*1. High-Zが入力されないようにしてください。

8-Pin TSSOP Top view

表2

765

8234

1

図2

S-25C160A0I-T8T1U3





4 GND グランド




8 VCC 電源


TMSOP-8 Top view

表3

765

8234

1

図3

S-25C160A0I-K8T3U3





4 GND グランド




8 VCC 電源


SPI シリアル E2PROMRev.4.2_03_H S-25C160A

3

4. WLP-8J

備考形状については「外形寸法図」を参照してください。

WLP-8J Bottom view

表4

A1

SCKGND

SO

HOLD

SI

VCC

WPA3

B2 D2

C1 E1

C3 E3

CS

図4

S-25C160A0I-H8T3S3


A1 CS *1 チップセレクト入力

A3 GND グランド

B2 WP *1 ライトプロテクト入力

C1 SO シリアルデータ出力

C3 SCK*1 シリアルクロック入力

D2 HOLD *1 ホールド入力

E1 VCC 電源

E3 SI*1 シリアルデータ入力



4

■ ブロック図

モード�デコーダ�

ステータスレジスタ�アドレスレジスタ�

データレジスタ�WP

CS

HOLDSI

SCK

SO

VCC

GND

メモリセルアレイ�

ステータスメモリセルアレイ�

ボルテージディテクタ�

読み出し回路�

クロックカウンタ�

Yデコーダ�

Xデコーダ�

入力制御回路�

出力�制御回路�

昇圧回路�

ページラッチ�

図5


5

■ 絶対大定格

表5

項目記号定格単位

電源電圧 VCC 0.3 ~ 6.5 V 入力電圧 VIN 0.3 ~ 6.5 V 出力電圧 VOUT 0.3 ~ VCC 0.3 V 動作周囲温度 Topr 40 ~ 85 °C 保存温度 Tstg 65 ~ 150 °C

注意絶対大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を

越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があります。

■ 推奨動作条件

表6

項目記号条件 Ta = 40C ~ 85C

単位 Min. Max.

電源電圧 VCC

読み出し 1.6 5.5 V 書き込み 1.7 5.5 V

高レベル入力電圧 VIH VCC = 1.6 V ~ 5.5 V 0.7 VCC VCC 1.0 V 低レベル入力電圧 VIL VCC = 1.6 V ~ 5.5 V 0.3 0.3 VCC V

■ 端子容量

表7

(Ta = 25°C, f = 1.0 MHz, VCC = 5.0 V)

項目記号条件 Min. Max. 単位

入力容量 CIN VIN = 0 V ( CS , SCK, SI, WP , HOLD ) － 8 pF

出力容量 COUT VOUT = 0 V (SO) － 10 pF

■ 書き換え回数

表8

項目記号動作周囲温度 Min. Max. 単位

書き換え回数 NW Ta = 25°C 106 －回 / 語*1

*1. アドレスごと (語 : 8ビット)

■ データ保持

表9

項目記号動作周囲温度 Min. Max. 単位

データ保持－ Ta = 25°C 100 －年


6

■ DC電気的特性

表10

項目記号条件

Ta = 40C ~ 85C

単位VCC = 1.6 V ~ 2.5 V

fSCK = 2.0 MHz VCC = 2.5 V ~ 4.5 V

fSCK = 5.0 MHz VCC = 4.5 V ~ 5.5 V

fSCK = 5.0 MHz

Min. Max. Min. Max. Min. Max.

読み出し時消費電流 ICC1 SO端子無負荷

－ 1.5 － 2.0 － 2.5 mA

表11

項目記号条件

Ta = 40C ~ 85C

単位VCC = 1.7 V ~ 2.5 V

fSCK = 2.0 MHz VCC = 2.5 V ~ 4.5 V

fSCK = 5.0 MHz VCC = 4.5 V ~ 5.5 V

fSCK = 5.0 MHz


書き込み時消費電流 ICC2 SO端子無負荷

－ 2.5 － 2.5 － 2.5 mA

表12

項目記号条件 Ta = 40C ~ 85C

単位VCC = 1.6 V ~ 2.5 V VCC = 2.5 V ~ 4.5 V VCC = 4.5 V ~ 5.5 V


待機時消費電流 ISB

CS = VCC,

SO = オープン, 他の入力端子は VCC または GND

－ 2.0 － 2.5 － 3.5 A

入力リーク電流 ILI VIN = GND ~ VCC － 1.0 － 1.0 － 1.0 A 出力リーク電流 ILO VOUT = GND ~ VCC － 1.0 － 1.0 － 1.0 A

低レベル出力電圧 VOL1 IOL = 2.0 mA －－－ 0.4 － 0.4 V

VOL2 IOL = 1.5 mA － 0.4 － 0.4 － 0.4 V

高レベル出力電圧 VOH1 IOH = 2.0 mA －－ 0.8 VCC － 0.8 VCC － V

VOH2 IOH = 0.4 mA 0.8 VCC － 0.8 VCC － 0.8 VCC － V


7

■ AC電気的特性

表13 測定条件

入力パルス電圧 0.2 VCC ~ 0.8 VCC

出力判定電圧 0.5 VCC

出力負荷 100 pF

表14

項目記号 Ta = 40C ~ 85C

単位VCC = 1.6 V ~ 2.5 V VCC = 2.5 V ~ 4.5 V VCC = 4.5 V ~ 5.5 V


SCKクロック周波数 fSCK － 2.0 － 5.0 － 5.0 MHz

CS 立ち下がり時 CS セットアップ時間 tCSS.CL 150 － 90 － 90 － ns

CS 立ち上がり時 CS セットアップ時間 tCSS.CH 150 － 90 － 90 － ns

CS ディセレクト時間 tCDS 200 － 90 － 90 － ns

CS 立ち下がり時 CS ホールド時間 tCSH.CL 200 － 90 － 90 － ns

CS 立ち上がり時 CS ホールド時間 tCSH.CH 150 － 90 － 90 － ns

SCKクロック“H”時間*1 tHIGH 200 － 90 － 90 － ns

SCKクロック“L”時間*1 tLOW 200 － 90 － 90 － ns

SCKクロック立ち上がり時間*2 tRSK － 1 － 1 － 1 s

SCKクロック立ち下がり時間*2 tFSK － 1 － 1 － 1 s

SIデータ入力セットアップ時間 tDS 50 － 20 － 20 － ns

SIデータ入力ホールド時間 tDH 60 － 30 － 30 － ns

HOLD立ち上がり時 SCK“L”ホールド時間

tSKH.HH 150 － 70 － 70 － ns

HOLD立ち下がり時 SCK“L”ホールド時間

tSKH.HL 100 － 40 － 40 － ns

HOLD立ち下がり時 SCK“L”セットアップ時間

tSKS.HL 0 － 0 － 0 － ns

HOLD立ち上がり時 SCK“L”セットアップ時間

tSKS.HH 0 － 0 － 0 － ns

SO出力ディスエーブル時間*2 tOZ － 200 － 100 － 100 ns

SO出力遅延時間 tOD － 150 － 70 － 70 nsSO出力ホールド時間 tOH 0 － 0 － 0 － nsSO出力立ち上がり時間

*2 tRO － 100 － 40 － 40 nsSO出力立ち下がり時間

*2 tFO － 100 － 40 － 40 ns

HOLD立ち下がり時 SO出力ディスエーブル時間

*2 tOZ.HL － 200 － 100 － 100 ns

HOLD立ち上がり時 SO出力遅延時間

*2 tOD.HH － 150 － 50 － 50 ns

WP セットアップ時間 tWS1 0 － 0 － 0 － ns

WP ホールド時間 tWH1 0 － 0 － 0 － ns

WP 解除セットアップ時間 tWS2 0 － 0 － 0 － ns

WP 解除ホールド時間 tWH2 60 － 30 － 30 － ns

*1. SCK クロック (周波数 fSCK) のクロック周期は 1 / fSCK s です。このクロック周期は、いくつかの AC 特性の組み合わ

せにより決定されます。そのため、SCK クロックサイクル時間を小にする場合でも、クロック周期 (1 / fSCK) = tLOW (min.) tHIGH (min.) とすることはできませんのでご注意ください。

*2. このパラメータは全数測定されたものではなく、サンプル値です。


8

表15

項目記号

Ta = 40C ~ 85C 単位 VCC = 1.7 V ~ 5.5 V

Min. Max.

書き込み時間 tPR － 5.0 ms

SO

tCSH.CL

SCK

CS

SI

tCSS.CL

tDS tDH

MSB IN LSB IN

tCSH.CH

tCSS.CH

tCDS

tFSKtRSK

High-Z

図6 シリアル入力タイミング

SO

SCK

HOLD

CS

SI

tSKH.HL

tOZ.HL tOD.HH

tSKH.HHtSKS.HL

tSKS.HH

図7 ホールドタイミング


9

SO

SCK

CS

SI

tHIGH

tOH

tRO

tOZ

tLOW

tSCK

tOD

tFO

tODtOH

ADDR

LSB IN

LSB OUT

図8 シリアル出力タイミング

WP

CS

tWH1tWS1

図9 ライトプロテクト有効タイミング

WP

CS

tWH2tWS2

図10 ライトプロテクト無効タイミング


10

■ 各端子の機能説明

1. CS (チップセレクト入力) 端子

チップを選択状態に設定するための入力端子です。この入力が“H”レベルのとき、デバイスは非選択状態で出力

はHigh-Zとなります。内部にて書き込み状態でない限りデバイスはスタンバイ状態です。

チップセレクトを“L”レベルにするとデバイスはアクティブ状態になります。電源立ち上げ後、チップセレクト

を立ち下げたときに何らかの命令コードを入力する必要があります。

2. SI (シリアルデータ入力) 端子

シリアルデータの入力端子です。命令コード・アドレス・書き込みデータを取り込みます。シリアルクロックの

立ち上がりにてデータをラッチします。

3. SO (シリアルデータ出力) 端子

シリアルデータの出力端子です。データ出力は、シリアルクロックの立ち下がりにて変化します。

4. SCK (シリアルクロック入力) 端子

シリアルデータのタイミングを設定するためのクロック入力端子です。命令コード・アドレスおよび書き込みデ

ータの入力は、クロックの立ち上がりで取り込まれます。データ出力は、クロックの立ち下がり時に出力します。

5. WP (ライトプロテクト入力) 端子

ライトプロテクトは、書き込み命令に対するプロテクトエリアサイズ (ステータスレジスタのBP1, BP0) を保護

することを目的としています。 WP 端子は“H”もしくは“L”に固定し、フローティング状態にならないように

してください。詳細は、「■ プロテクト動作」を参照してください。

6. HOLD (ホールド入力) 端子

ホールドは、デバイスを非選択状態にせずにシリアルコミュニケーションを休止するときに使用します。

ホールド状態では、シリアル出力はHigh-Z状態となり、シリアル入力およびシリアルクロックは Don’t Care とな

ります。ホールド動作中は、CS (チップセレクト入力) 端子を“L”レベルにし、デバイスをアクティブ状態に

しなければなりません。

詳細は、「■ ホールド動作」を参照してください。

■ 初期出荷時データ

初期出荷時データは、すべてのアドレスが“FFh”になっています。

また、ステータスレジスタの不揮発性メモリの初期出荷時データは以下のとおりです。

・ SRWD = 0 ・ BP1 = 0 ・ BP0 = 0


11

■ 命令セット

S-25C160Aの命令一覧を表16に示します。チップセレクト ( CS ) が“H”から“L”に変化すると命令入力は可能にな

り、命令はMSBファーストで入力します。命令コードは下記の表に示すように1バイトの構成です。

もし、無効な命令コードを受信したときは、デバイスは非選択状態になります。

表16 命令セット

*1. 連続してデータを読み出すことが可能です。

*2. 上位アドレス A15 ~ A11 = Don’t care になります。

*3. 指定されたアドレスのデータが出力されると、それに続いて次のアドレスのデータが出力されます。

命令内容

命令コードアドレスデータ

SCK 入力クロック

1 ~ 8


9 ~ 16


17 ~ 24


25 ~ 32

WREN 書き込み許可 0000 0110 －－－

WRDI 書き込み禁止 0000 0100 －－－

RDSR ステータスレジスタ読み出し 0000 0101 b7 ~ b0 出力*1

－－ WRSR ステータスレジスタ書き込み 0000 0001 b7 ~ b0 入力－－ READ メモリデータ読み出し 0000 0011 A15 ~ A8*2 A7 ~ A0 D7 ~ D0 出力

*3

WRITE メモリデータ書き込み 0000 0010 A15 ~ A8*2 A7 ~ A0 D7 ~ D0 入力


12

■ 動作説明

1. ステータスレジスタ

ステータスレジスタの構成を、下記に示します。ステータスレジスタは、専用の命令により読み出し・書き込み

可能です。

SRWD 0

b7 b6

0

b5

0

b4

BP1

b3

BP0

b2

WEL

b1

WIP

b0

Status Register Write DisableBlock Protect

Write Enable LatchWrite In Progress

図11 ステータスレジスタ構成図

ステータスレジスタのステータスおよびコントロールビットは下記の通りです。

1. 1 SRWD (b7) : Status Register Write Disable

SRWDビットは、ライトプロテクト ( WP ) 信号と関連して動作します。SRWDビットとライトプロテクト

( WP ) 信号 (SRWD = “1”, WP = “L”) の組み合わせにより、このデバイスはハードウェアプロテクト

状態になります。このとき、ステータスレジスタ内の不揮発性メモリで構成されるビット (SRWD, BP1, BP0) はリードオンリーとなり、WRSR命令は実行されません。

1. 2 BP1, BP0 (b3, b2) : Block Protect BP1, BP0ビットは不揮発性メモリで構成されています。これは、WRITE命令に対するソフトウェアプロテク

トの領域サイズを定義するものです。これらのビットは、WRSR命令にて書き換え可能です。BP1, BP0ビッ

トの一つまたは両方を“1”にセットしたときWRITE命令に対して関連するメモリ領域がプロテクトされます。

BP1, BP0ビットは、ハードウェアプロテクトモードでなければ書き換えが可能です。

Block Protect の詳細は、「■ プロテクト動作」を参照してください。

1. 3 WEL (b1) : Write Enable Latch

WEL ビットは、内部の Write Enable Latch の状態を示します。WEL ビットは WREN 命令のみでセットできま

す。“1”であれば内部の Write Enable Latch がセットされている状態です。“0”であれば内部の Write Enable Latch がリセット状態で、デバイスは WRITE または WRSR の命令を受け取ることができません。リセットは、

下記に示す動作の実行後に行われます。

・電源電圧の低下時・電源投入時・ WRDI 実行後・ WRSR 命令での書き込み動作完了後・ WRITE 命令での書き込み動作完了後


13

1. 4 WIP (b0) : Write In Progress

WIPビットは、リードオンリーで内部メモリがWRITE命令またはWRSR命令での書き込み動作中か否かを示し

ます。書き込み動作中であれば“1”、それ以外の状態であれば“0”です。使用例を図12に示します。

000 000 000 00

S R W D

BP 1

BP 0

S R W D

BP 1

BP 0

S R W D

B

tPR

P 1

BP 0

WEL, WIP WEL, WIP WEL, WIP

CS

SI

SO

RDSR instruction RDSR instruction RDSR instruction

RDSR RDSR RDSR

11 11

WRITE or WRSR instruction

D2 D1D0

図12 書き込み動作中のWEL, WIPビット使用例


14

2. 書き込み許可 (WREN)

データの書き込み動作 (WRITE と WRSR) を行う前には、Write Enable Latch (WEL) ビットをセットしなくては

なりません。本命令が、WEL ビットをセットする方法です。下記に動作を示します。

チップセレクト ( CS ) にてデバイスを選択後、シリアルデータ入力 (SI) より命令コードを入力します。シリア

ルクロック (SCK) の 8 発目で、CS でデバイスを非選択状態にすることにより WEL ビットがセットされます。

チップセレクト ( CS ) が“L”の期間中に、規定数 (n = 8 クロック) と異なるクロックを入力した場合、WREN命令はキャンセルされます。

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

図13 WREN動作


15

3. 書き込み禁止 (WRDI)

WRDI 命令は、Write Enable Latch (WEL) ビットをリセットする 1 つの方法です。チップセレクト ( CS ) にてデ

バイスを選択後、シリアルデータ入力 (SI) より命令コードを入力します。

シリアルクロック (SCK) の 8 発目で、チップセレクト ( CS ) でデバイスを非選択状態することにより WEL ビッ

トがリセットされます。

チップセレクト ( CS ) が“L”の期間中に、規定数 (n = 8 クロック) と異なるクロックを入力した場合、WRDI命令はキャンセルされます。 WEL ビットは、下記に示す動作実行後にリセットされます。

・電源電圧の低下時・電源投入時・ WRDI 実行後・ WRSR 命令での書き込み動作完了後・ WRITE 命令での書き込み動作完了後

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

図14 WRDI動作


16

4. ステータスレジスタ読み出し (RDSR)

RDSR命令は、ステータスレジスタのデータを読み出すことができます。書き込み動作進行中に、WIPビットをチ

ェックすることにより書き込み動作の進行を確認することができます。

初にチップセレクト ( CS ) を“L”とします。その後命令コードをシリアルデータ入力 (SI) より入力すると、

シリアルデータ出力 (SO) よりステータスレジスタの現在のビットの状態が出力されます。

ステータスレジスタは、連続して読み出すことが可能です。チップセレクト ( CS ) を“H”とすることにより、

リードサイクルを終了させることができます。ステータスレジスタは、いつでも読み出し可能です。書き込みサイクル中であってもステータスレジスタのビッ

トは有効であり、RDSRにより読み出すことができます。 2つのビットWEL, WIPは書き込みサイクル進行中にアップデートされていきます。アップデートされた不揮発性

ビットSRWD, BP1, BP0は、書き込みサイクル完了後、新たにRDSR命令を実行することで得ることができます。

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

9 10 11 12 13 14 15 16

ステータスレジスタのデータを出力�

b7 b6 b5 b7b0b1b2b3b4

図15 RDSR 動作


17

5. ステータスレジスタ書き込み (WRSR)

WRSR 命令は、ステータスレジスタの値 (SRWD, BP1, BP0) を書き換えることができます。ステータスレジス

タの b6, b5, b4, b1, b0 については書き換えできません。ステータスレジスタを読み出したときには、b6, b5, b4

はいつも“0”データで読み出されます。

WRSR 命令を実行する前に、WREN 命令にて WEL ビットをあらかじめセットしてください。WRSR の動作を下

記に示します。

初にチップセレクト ( CS ) を“L”とします。その後命令コード・データをシリアルデータ入力 (SI) より入力

します。データ入力後または、次のシリアルクロック立ち上がり入力前にチップセレクト ( CS ) を“H”とする

ことにより、WRSR 書き込み動作を開始します (tPR)。WRSR 書き込み動作の間、WIP ビットの値を読み出すこ

とにより動作状態を確認することができます。書き込み動作中であれば“1”、それ以外の状態であれば“0”で

す。書き込み動作が完了したときに WEL ビットはリセットされます。

WRSR 命令は、ユーザーがリードオンリーメモリとして取り扱う領域サイズを規定する BP1, BP0 の値を変更す

ることが可能です。また、ライトプロテクト ( WP ) の状態によっては、SRWD ビットをセットまたはリセット

することも可能です。SRWD ビットとライトプロテクト ( WP ) の組み合わせによりデバイスはハードウェアプ

ロテクトモード (HPM) に設定されます。このとき、WRSR 命令は実行されません (「■ プロテクト動作」参照)。

SRWD と BP1, BP0 の内容は、WRSR 命令実行中は、WRSR 命令前の値を保持しています。新しくアップデート

された値は、WRSR 命令の実行が完了した時点で変更されます。

チップセレクト ( CS ) が“L”の期間中に、規定数 (n = 16 クロック) と異なるクロックを入力した場合、WRSR

命令はキャンセルされます。

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

9 10 11 12 13 14 15 16

ステータスレジスタのデータを入力�

b7 b6 b5 b0b1b2b3b4

図16 WRSR 動作


18

6. メモリデータ読み出し (READ)

下記に READ 動作を示します。チップセレクト ( CS ) に“L”入力後、シリアルデータ入力 (SI) より命令コー

ド・アドレスを入力します。入力されたアドレスは、内部アドレスカウンタへロードされ、そしてアドレスのデ

ータがシリアルデータ出力 (SO) より出力されます。

続けてチップセレクト ( CS ) を“L”に維持したままシリアルクロック入力 (SCK) を入力すると、自動的にアド

レスがインクリメントされ、次のアドレスデータが順次出力されます。

終アドレスがインクリメントされると、先頭アドレスにロールオーバーします。

リードサイクルを終わらせるためには、チップセレクト ( CS ) を“H”にします。チップセレクトの立ち上がり

はサイクル中いつでも可能です。READ命令コードが受け付けられない、または実行できない場合は、書き込み動

作中です。

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

9 10 11 21 22 23 24 25

16-bit Address

A15 A14 A13 A0A1A2A3

1バイト目のデータを出力

D4D5D6D7

26 27 28 29 30 31 32

D0D1D2D3 D7

2バイト目

備考上位アドレスA15 ~ A11 = Don’t careになります。

図17 READ 動作


19

7. メモリデータ書き込み (WRITE)

図18に、1バイトのデータを入力した場合を示します。チップセレクト ( CS ) に“L”入力後、シリアルデータ入

力 (SI) より命令コード・アドレス・データを入力します。データ入力後または、次のシリアルクロック立ち上が

り入力前にチップセレクト ( CS ) を“H”とすることにより、WRITE動作を開始し (tPR)、書き込み動作が終了す

るとWIPビット、WELビットは“0”にリセットされます。また、S-25C160Aは32バイトのページ書き込みが可能です。基本的なデータ転送手段はバイトライトと同様です

が、8ビットの書き込みデータをページサイズ分、連続して受け取ることでページ書き込みを行います。図19に示

すWRITE動作 (ページ) のようにチップセレクト ( CS ) に“L”入力後、シリアルデータ入力 (SI) より、命令コ

ード・アドレス・データを入力します。引き続きチップセレクト ( CS ) を“L”としたまま、次のデータを入力

します。以降、連続的に8ビットのデータ入力を繰り返します。後にチップセレクト ( CS ) を“H”とすること

により、WRITE動作を開始します (tPR)。アドレスの下位5ビットは、8ビットの書き込みデータを受け取るごとに自動的にインクリメントされます。した

がって、書き込みデータが32バイトを越える場合であってもアドレスの上位ビットは変化せず、アドレスの下位5ビットがロールオーバーし、先に入力された書き込みデータは重ね書きされます。

WRITE命令が受け付けられないか、または実行されない場合を下記に示します。

・ WELビットが“1”にセットされていないとき (WRITE命令直前にあらかじめセットされていない) ・書き込み動作中・書き込むアドレスがBP1, BP0によってプロテクト領域となっている

チップセレクト ( CS ) が“L”の期間中に、規定数 (n = 24 m 8クロック) と異なるクロックを入力した場合、

WRITE命令はキャンセルされます。

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

9 10 11 21 22 23 24 25

16-bit Address

A15 A14 A13 A0A1A2A3

Data Byte 1

D4D5D6D7

26 27 28 29 30 31 32

D0D1D2D3


図18 WRITE 動作 (1バイト)


20

SO

SCK

WP

CS

SI

Instruction

High-Z

1 2 3 4 5 6 7 8

High / Low

9 10 11 22 23 24 25

16-bit Address (n)

A15 A14 A13 A0A1A2

Data Byte (n) Data Byte (n + x)

D4D5D6D7

26 27 28 29 30 31 32

D0D1D2D3 D0D1D2D3D4


図19 WRITE 動作 (ページ)


21

■ プロテクト動作

書き込み禁止ブロックの設定を表17に示します。また、デバイスのプロテクト動作について表18に示します。ステータ

スレジスタのStatus Register Write Disable (SRWD) ビットが“0”にリセット (出荷時には、リセット状態になってい

ます) されているときには、ステータスレジスタの値を変更することが可能です。

SRWDビットが“1”にセットされたとき、下記に示す2つの状態があります。

・ライトプロテクト ( WP ) が“H”のとき、ステータスレジスタの書き込みが可能です。

・ライトプロテクト ( WP ) が“L”のとき、ステータスレジスタに書き込むことができません。このため、ステータ

スレジスタのプロテクトビット (BP1, BP0) によって設定されている書き込み禁止領域の変更はできません。

ハードウェアプロテクト (HPM) は、下記に示す動作により設定されます。

・ SRWDビットをセットした後、ライトプロテクト ( WP ) を“L”にしたとき

・ライトプロテクト ( WP ) を“L”にて、SRWDビットをセット完了したとき

図9, 10にステータスレジスタ書き込みサイクルでのライトプロテクト有効タイミングとライトプロテクト無効タイミ

ングを示します。

ライトプロテクト ( WP ) に“H”を入力することで、ハードウェアプロテクト (HPM) を解除することが可能です。

ライトプロテクト ( WP ) が“H”状態である場合、ハードウェアプロテクト (HPM) は機能せず、ステータスレジス

タのプロテクトビット (BP1, BP0) によって設定されるソフトウェアプロテクト (SPM) のみの機能となります。

表17 書き込み禁止ブロックの設定

ステータスレジスタ書き込み禁止領域

書き込み禁止ブロックアドレス BP1 BP0

0 0 0% なし

0 1 25% 600h-7FFh

1 0 50% 400h-7FFh

1 1 100% 000h-7FFh

表18 プロテクト動作

モード WP 端子 SRWD ビット

WEL ビット

書き込み禁止ブロック

通常ブロックステータスレジスタ

ソフトウェアプロテクト

(SPM)

1 X 0 書き込み不可書き込み不可書き込み不可

1 X 1 書き込み不可書き込み可書き込み可

X 0 0 書き込み不可書き込み不可書き込み不可

X 0 1 書き込み不可書き込み可書き込み可

ハードウェアプロテクト

(HPM)

0 1 0 書き込み不可書き込み不可書き込み不可

0 1 1 書き込み不可書き込み可書き込み不可

備考 X = Don’t care


22

■ ホールド動作

ホールドは、デバイスを非選択状態にせずにシリアルコミュニケーションを中断するために使用します。ホールド状態では、シリアルデータ出力はHigh-Zとなり、シリアルデータ入力およびシリアルクロックは“Don’t Care”

となります。ホールド状態のときは、チップセレクト ( CS ) を“L”レベルにし、デバイスを選択状態にする必要があ

ります。通常、ホールド状態の期間、デバイスは選択状態を保持しますが、ホールド状態の期間に、デバイスを非選択状態にす

ることで、進行中の動作を終了することができます。

図20にホールド動作を示します。シリアルクロック (SCK) が“L”の状態で、ホールド ( HOLD ) を“L”にした場合、

ホールド ( HOLD ) の切り替わりと同時にホールド状態を開始し、ホールド ( HOLD ) を“H”にした場合、ホールド

( HOLD ) の切り替わりと同時にホールド状態を終了します。

シリアルクロック (SCK) が“H”の状態で、ホールド ( HOLD ) を“L”にした場合、ホールド ( HOLD ) の切り替わ

り後、シリアルクロック (SCK) が“L”となったときホールド状態を開始し、ホールド ( HOLD ) を“H”にした場合、

ホールド ( HOLD ) の切り替わり後、シリアルクロック (SCK) が“L”となったときホールド状態を終了します。

SCK

HOLD

ホールド状態� ホールド状態�

図20 ホールド動作


23

■ 低電源電圧時の書き込み禁止機能

S-25C160Aは低電源電圧の検出回路を内蔵し、電源電圧の低下時および電源投入時には書き込み動作 (WRITE, WRSR) をキャンセルすると共に自動的に書き込み禁止状態 (WRDI) となりWELビットがリセットされます。検出電圧、解除

電圧は1.20 V typ.です (図21参照)。したがって、電源電圧が低下し再び書き込み可能な電圧まで上昇した後に書き込み動作を行う場合には、書き込み動作 (WRITE, WRSR) を行う前に、必ずWrite Enable Latch (WEL) ビットをセットしなくてはなりません。また、書き込み動作中に電源電圧が低下した場合は、書き込みを行っていたアドレスのデータは保証されません。

書き込み命令キャンセル�書き込み禁止 (WRDI) 状態に自動設定�

解除電圧 (+VDET)1.20 V typ.

検出電圧 (−VDET)1.20 V typ.

電源電圧�

図21 低電源電圧時の動作

■ 入力端子、出力端子について

1. 入力端子の接続について

S-25C160Aの入力端子は、すべてCMOS構造になっていますので、動作時にはハイインピーダンスが入力されない

ように設計してください。とくに「電源ON / OFF時」や「動作待機時」はCS 入力を非選択状態“H”にしてくだ

さい。データの誤書き込みは、CS 端子が非選択状態“H”であれば起こりません。CS 端子を抵抗 (10 k ~ 100 kのプルアップ抵抗) を介してVCCに接続してください。

CS 端子と SCK 端子が同時に“L”から“H”に遷移すると、SI 端子からデータが取り込まれることがあります。

より確実に誤動作を防止するためには、SCK 端子を GND にプルダウン処理することを推奨します。また、SI, WP ,

HOLD端子をそれぞれ VCCにプルアップ処理、あるいは GND にプルダウン処理することを推奨します。WP , HOLD端子に関しては、使用しない場合は VCCに直接接続することも可能です。

2. 入力、出力端子等価回路

S-25C160Aの入力端子の等価回路を図22, 23に示します。各入力端子にはプルアップおよびプルダウン素子は内蔵

していませんので、フローティング状態にならないよう、設計の際は十分にご注意ください。図24に出力端子の等価回路を示します。出力端子は“H” / “L” / High-Zのトライステート出力になります。


24

2. 1 入力端子

CS, SCK

図22 CS , SCK端子

SI, WP, HOLD

図23 SI, WP , HOLD 端子

2. 2 出力端子

SO

VCC

図24 SO端子

3. 使用上の注意

・ S-25C160Aに限らず半導体デバイスは絶対大定格を越えて使用しないでください。とくに電源電圧には十分注意

してください。定格外の瞬間的なサージ電圧がラッチアップや、誤動作の原因になります。詳しい使用条件は、デ

ータシート記載の項目を十分にご確認の上、使用してください。

・ S-25C160Aの端子に水分が付着したまま動作させますと端子間で短絡して誤動作する可能性があります。とくにお

客様の評価中に低温の恒温槽からS-25C160Aを取り出したときなどに、S-25C160Aの端子に霜がついた場合、この

まま動作させますと端子間が水分によって短絡し誤動作する可能性がありますので、ご注意ください。また結露しやすい場所での使用の際も同様の理由で、十分に注意が必要です。


25

■ 注意事項・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないようにし

てください。

・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での本ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって本ICを含

めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。

■ WLPパッケージ使用上の注意・パッケージの捺印面はデバイスのシリコン面が露出しています。この部分は、通常のプラスチックパッケージよりも機械

的ストレスに対する強度が低いため､カケ、ワレなどパッケージのお取り扱いには十分ご注意ください。また､このシリコ

ン面には、デバイスの基板電位が直接でていますので、外部電位に接触することがないようにご注意ください。

・本パッケージは、デバイス面に半透明の樹脂がオーバーコートされています。高光源下において、デバイスを露出させてご使用になる場合、デバイスの特性に影響をおよぼすことがありますのでご注

意ください。


26

■ 品目コードの構成

1. 製品名

1. 1 8-Pin SOP (JEDEC), 8-Pin TSSOP, TMSOP-8

S-25C160A 0I - xxxx U 3

製品名 S-25C160A : 16 Kビット

パッケージ略号とICの梱包仕様 J8T1 : 8-Pin SOP (JEDEC)、テープ品

T8T1 : 8-Pin TSSOP、テープ品 K8T3 : TMSOP-8、テープ品

環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー

固定

1. 2 WLP-8J

S-25C160A 0I - H8T3 S 3

製品名 S-25C160A : 16 Kビット

固定

パッケージ略号とICの梱包仕様 H8T3 : WLP-8J、テープ品

環境コード S : 鉛フリー、ハロゲンフリー

2. パッケージ

パッケージ名図面コード

パッケージ図面テープ図面リール図面

8-Pin SOP (JEDEC) FJ008-Z-P-SD FJ008-Z-C-SD FJ008-Z-R-SD

8-Pin TSSOP FT008-Z-P-SD FT008-Z-C-SD FT008-Z-R-SD

TMSOP-8 FM008-A-P-SD FM008-A-C-SD FM008-A-R-SD

WLP-8J HJ008-A-P-SD HJ008-A-C-SD HJ008-A-R-SD

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免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発

行時点のものであり、予告なく変更することがあります。

2. 本資料に記載の回路例および使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。本資料に記載の

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権等の権利に対する侵害に関し、弊社はその責任を負いません。

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てください。

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生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的とする者へ提

供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。

8. 本製品は、生命・身体に影響を与えるおそれのある機器または装置の部品および財産に損害を及ぼすおそれのある機

器または装置の部品 (医療機器、防災機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車

載機器、航空機器、宇宙機器、および原子力機器等) として設計されたものではありません。上記の機器および装置

には使用しないでください。ただし、弊社が車載用等の用途を事前に明示している場合を除きます。上記機器または

装置の部品として本製品を使用された場合または弊社が事前明示した用途以外に本製品を使用された場合、これらに

より発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。

9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。本製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、

社会的損害等発生しないように、お客様の責任において冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてくださ

い。また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。

10. 本製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対策を行ってく

ださい。

11. 本製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口中には入れな

いようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際は怪我等に注

意してください。

12. 本製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。

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2.4-2019.07

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