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Vapor-Liquido-Sólido(VLS)

Diogo Padilha Oliveira

Manaus2013

Universidade Federal do AmazonasFaculdade de tecnologiaEngenharia de Materiais

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1. Mecanismo

Figura 1 Crescimento de SiNW por Vapor-Sólido-Líquido (VLS).

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2. Vantagens

Síntese de grande variedade de NW semicondutores

Relativo bom controle do diâmetro

Figura 2 Histograma de crescimento de SiNW com deposição de 5, 10, 20 30 nm de ouro.

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3. Desvantagens Controle do tamanho da gotao Síntese de nanopartículas metálicaso Laser-assisted VLS

Controle da propriedades ao longo do eixo do NWo Ultra-alto vácuo

Utilização de Au

Baixa produtividade

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4. Artigo

Transition Metal Oxide Core-Shell Nanowires: Generic Synthesis and

Transport Studies

Song Han, Chao Li, Zuqin Liu, Bo Lei, Daihua Zhang, Wu Jin, Xiaolei Liu, Tao Tang, and Chongwu Zhou*

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4.1 Metodologia

Forno horizontal

Pó de Mg3N2

Adição de monocristais (100) MgO

Revestimento com filme de Au de 1nm

900 °C com fluxo de Ar

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4.2 Resultado

Crescimento de MgO NW na região exagonal

Au atua como catalizador

Figura 3 Crescimento do NW em substrato de MgO (100). Figura 4 MgO nanowire.

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5. Referências

S. Han, C. Li, Z. Liu, B. Lei, D. Zhang, W. Jin, X. Liu, T. Tang, C. Zhou: Transition metal oxide core-shell nanowires: Generic synthesis and transport studies, Nano Lett. 4, 1241–1246 (2004)

Y. Cui, L.J. Lauhon, M.S. Gudiksen, J. Wang, C.M. Lieber: Diameter-controlled synthesis of single crystal silicon nanowires, Appl. Phys. Lett. 78, 2214–2216 (2001)

X. Duan, C.M. Lieber: Laser-assisted catalytic growth of single crystal GaN nanowires, J. Am. Chem. Soc. 122, 188–189 (2000)

Springer handbook of nanotechnology. 2010. pg. 119.